功率MOSFET市场为欧美IDM半导体厂商所掌控,诸如Vishay、TI、凌力尔特在电源管理应用市场,而飞兆、英飞凌等公司的高压MOSFET广泛应用于工业、汽车等市场。甚至,随着高压功
2010-09-10 08:44:403691 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:591527 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出免费的在线工具PowerCAD Simulation,可以让工程师又快又方便地对采用Vishay Siliconix稳压器IC的电路进行测试和优化。
2012-04-10 09:32:33623 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出在40℃下功率高达20kW(可根据需要提供更高的功率值),能够在-25℃~+250℃温度范围内工作,可用于极端环境中应用的新款不锈钢功率电
2012-10-29 11:33:551050 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ,将Vishay的ThunderFET®应用到更小的封装尺寸上。
2013-01-09 11:42:301462 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率
2013-04-23 11:47:111791 。 Vishay Siliconix的LITTLE FOOT功率MOSFET将强大的功率处理能力封装在纤巧的表面贴装封装中。标准概述的8引脚SOIC封装(图1)具有铜引线框架,可最大程度地提高热传递,同时保持
2021-05-25 11:30:075231 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大导通电阻,以及22A~47A的额定电流范围
2011-10-13 09:09:311168 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出免费的在线工具PowerCAD Simulation,可以让工程师又快又方便地对采用Vishay Siliconix稳压器IC的电路进行测试和优化。
2012-04-05 15:06:54655 Vishay提供丰富的MOSFET技术支持各级功率转换,涵盖高压输入到低压输出的各种最新高科技系统。
2020-12-24 15:08:34802 Vishay 宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代600
2022-02-21 11:18:05934 ---SiZF5300DT和SiZF5302DT,将高边和低边TrenchFET® Gen V MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT适用于计算和通信应用功率转换,在提高能效的同时,减少元器件数量并
2023-01-30 10:09:49529 额定功率更高的IGBT,VO3120可用于驱动离散功率级,以驱动IGBT栅极。推荐产品:VO3120-X007T;VO3120Vishay其它相关产品请 点击此处 了解特征:最小峰值输出电流
2019-10-30 15:23:17
Si9241AEY是一个单片总线收发器提供汽车双向串行通信诊断应用程序。该装置具有过电压保护和VBAT短路。收发信管脚受到保护可以驱动超过VBAT电压。Si9241AEY建立在Vishay
2020-07-25 14:28:42
65.9A9.1V至301V的出色钳位能力具有10 /1000μs波形的600W峰值脉冲功率,重复率(占空比):0.01%温度范围为-55°C至+150°C应用:用于敏感电子设备保护,防止感应负载切换和IC,MOSFET,用于消费,计算机,工业和电信的传感器单元的信号线感应引起的瞬态电压。`
2019-09-07 11:48:12
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
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2012-03-25 22:16:19
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2012-03-25 22:18:31
,工程师们已定义一套FOM以应用于新的低压功率MOSFET技术研发。由此产生的30伏特(V)技术以超级接面(Superjunction)为基础概念,是DC-DC转换器的理想选择;相较于横向和分裂闸极
2019-07-04 06:22:42
XLLGA-3到D2Pak和TO-220封装不等。MOSFET额定电压范围从12 V至200 V以上。功率MOSFET用于便携式设备如手机和平板电脑。它们也用于计算机、服务器、电动工具和汽车。选择合适
2018-10-18 09:13:03
SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安),用于功率输出级的器件。
2021-04-23 07:04:52
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何计算 同步整流器的功耗如何计算
2021-03-11 07:32:50
功率放大器的需求将进一步提高。RF 功率 MOSFET在无线电通讯领域也有应用,其频率已延伸至低微波段且输出功率可达百W以上。它同时也应用于电视(特别是数字电视)功率放大器、雷达系统和军事通讯中。随着
2019-07-08 08:28:02
利用功率MOSFET手册,利用Saber软件里的自建模工具对功率MOSFET进行建模,并仿真验证其性能。淘宝上搜索“功率MOSFET建模”,则可看到课程链接。建模主要包含以下内容:Saber软件中
2017-04-12 20:43:49
lOmΩ;工作频率<br/>范围从直流到达数兆赫;保护措施越来越完善;并开发出各种贴片式功率MOSFET(如<br/>SILIConix最近开发
2010-08-12 13:58:43
FPGA仿真工具。该软件具备先进的图形化设计工具,代码修改,Verilog编译仿真和波形分析。软件只有4.5M,但可以实现小型系统的设计,仿真和测试。软件生成标准的Verilog代码,可以直接用于
2015-04-02 11:26:26
本视频将演示如何发布数据至DigiPCBA平台用于ECAD-MCAD协同设计!宝藏级的在线设计协同工具分享给大家,大家点击链接就可以在线注册了!地址:https://digipcba.com/?hmsr=HQbbs
2021-04-01 10:24:48
使用功率 MOSFET 也有两年多时间了,这方面的技术文章看了不少,但实际应用选型方面的文章不是很多。在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型
2019-11-17 08:00:00
怎么安装适用于Linux *的OpenVINO™工具包的英特尔®发布版?
2021-09-23 08:33:34
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2013-03-16 15:16:40
供电,其中输入电压V在直接来自总线电压。这可能会有很大的电压变化,包括由于应用环境而导致的高压尖峰。耗尽型MOSFET可用于在线性稳压器电路中实现浪涌保护,如图5所示。MOSFET 以源极跟随器配置连接
2023-02-21 15:46:31
INTEWORK-VBA(Vehicle Bus Analyzer) 车辆总线监控分析及仿真工具,是由经纬恒润自主研发的一款专业、易用的车载
2021-03-05 10:42:54
Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向导引TO-252 DPAK 封装的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列产品。凭借反向成型的接脚,采取「SUR」封装的TrenchFET 能使该产品反向
2010-09-05 10:26:5964 Vishay新型功率MOSFET采用反向导引TO-252DPAK封装
2010-11-12 22:27:3332 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET,采用TurboFET技术
日前,Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件,从而扩展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。这些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 日前,Vishay Intertechnology宣布推出业界首款采用 MICRO FOOT 芯片级封装的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB,该器件具有背面绝缘的特点。
Si8422DB 针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:221152 Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装,具
2009-11-25 17:56:52711 小信号应用60V功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET,比SC-70和SC-90等封装能节约更多
2009-12-31 09:59:441421 Vishay推出4款MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 Vishay发布新款集成功率光敏
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款新的集成功率光敏,分别是输出电流为0.9A的VO2223和输出电流为1A的VO2223A,扩
2010-03-26 11:38:56722 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET:SiHF8N50L-E3
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比,该器件的
2010-04-07 10:52:52777
Vishay Intertechnology, Inc宣布,对其ThermaSim在线MOSFET热仿真工具进行了改进
2010-06-25 10:20:43905 Vishay Intertechnology, Inc.宣布,扩充其用于功率电子的重载Vishay ESTA HDMKP电容器,增添新容值和新封装形式。
HDMKP电容器具有从900V至2700V(dc)的6种标准电压。其前一代产品的容值
2010-06-25 15:38:30474 Vishay Intertechnology, Inc.宣布,扩充其用于功率电子的重载Vishay ESTA HDMKP电容器,增添新容值和新封装形式。
HDMKP电容器具有从900V至2700V(dc)的6种标准电压。其前一代产品的容值
2010-06-28 08:36:54574 日前,长期为军工和航天客户提供高可靠性分立和IC器件的供应商Vishay Intertechnology, Inc.宣布,该公司旗下子公司Vishay Siliconix位于加州Santa Clara的工厂已经通过了DSCC的
2010-07-07 18:08:29710 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S,该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:23923 Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装,
2011-03-02 10:19:301341 日前,Vishay Intertechnology, Inc.发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。
2011-08-18 09:42:40850 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布, Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的,分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB,扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,该公司的SiZ710DT 20 V n沟道PowerPAIR®功率MOSFET荣获功率器件/电压转换器类别的2012中国年度电子成就奖。
2012-04-26 16:39:57646 Mouser Electronics开始供应Vishay Siliconix第一款採用业界最小的晶片级封装,并将导通电阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012-11-26 09:28:421014 Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术,导通电阻低至30mΩ、电流达6A~105A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 ® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件,扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET,在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只有4.8mΩ,也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的首款器件。
2013-10-10 15:08:061138 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件,扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB,扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的这两款器件可用于车载
2013-12-13 15:07:13843 日前,Vishay宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP,扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 Vishay发布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封装,使用TrenchFET® Gen IV技术的新款30V非对称双片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51890 半导体与电子元器件业顶尖工程设计资源与全球授权分销商贸泽电子(Mouser Electronics)宣布赞助两款在线免费电路设计工具:EasySim在线仿真工具和EasyPCB布线设计工具。
2014-04-16 12:02:351381 Vishay宣布,推出业内首批通过AEC-Q101认证的采用双片不对称功率封装的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP,可在汽车应用的高效同步降压
2016-07-11 14:33:171004 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,光电子产品部发布新的在线工具,加速家用娱乐系统设计工程师耗时的计算工作。使用遥控功能的所有产品都需要一个有精确尺寸的窗口,来确保
2016-09-28 15:39:191097 MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%,为通信、工业和企业级电源提供
2017-02-10 15:10:111667 MPLAB® REAL ICE™在线仿真器功率监视器(AC244008)包含功率模块和一个外部电源,从而使MPLAB REAL ICE在线仿真器能够监视目标板或器件的电流和电压。
2018-06-11 08:29:0016 功率监视器(AC244008)通过MPLAB REAL ICE在线仿真器监视目标板或目标器件的电流和电压。工具包由功率监视板、电源和本使用说明书组成
2018-06-05 14:29:0020 ;功率MOSFET所用的MICRO FOOTreg;封装的占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%,而导通电阻则与之相当甚至更低。 Si8802DB和Si8805EDB可用于手持设备中的负载切换,包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器和移动计算设备。在
2019-01-01 16:29:01380 Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有1.5Ω低导通电阻的新款±15V精密单片4路单刀单掷(SPST)CMOS模拟开关--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:141020 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP,这是采用PowerPAK® SO-8L
2020-12-15 16:09:501556 Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET技术。
2021-04-21 17:50:211274 MPLAB REAL ICE在线仿真器跟踪接口工具包用户指南免费下载。
2021-05-12 10:14:3913 新型 30 V n 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。 Vishay Siliconix SiSS52DN 采用热增强型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向汽车和工业设备等电子电路设计者和系统设计者,在ROHM官网上公开了一款在线仿真工具“ROHM Solution Simulator”,利用该仿真
2022-01-18 14:55:125633 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60E 导通电阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 在线电路仿真工具
Autodesk Circuits – Circuits.Io
PartSim –Partsim.Com
EveryCircuit
2022-10-12 11:50:1113591 N 沟道器件实现高功率密度,降低导通和开关损耗,提高能效 宾夕法尼亚、 MALVERN — 202 2 年 10 月 12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.
2022-10-12 15:44:14375 Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60EF 导通电阻比前代器件降低 29 %,为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案,同时栅极电荷下降 60 %,从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中 600V MOSFET 的重要优值系数(FOM)创业界新低。
2022-10-14 16:16:12817 电子发烧友网站提供《用于Vishay NTC热敏电阻的Altium Designer仿真模型.zip》资料免费下载
2022-11-30 09:34:262 scratc,更轻量化,上手更容易,是一个在线的电路仿真工具。
2022-12-02 14:23:085863 中。 Vishay Siliconix SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 适用于计算和通信应用功率转换,在提高能效的同时,减少元器件数量并简化设计。 日前发布的双通道 MOSFET 可用来取代两个 PowerPAK 1212 封装分立器件,节省 50% 基板空间,同时
2023-02-04 06:10:04502 英国Pickering公司作为用于电子测试和验证的模块化信号开关和仿真解决方案的全球供应商,于今日发布了一款全新的免费在线使用的微波开关设计工具Microwave Switch Design
2023-06-15 14:22:19321 电脑上,但在保存文件时不能对文件名进行任何修改。如果您不能或不允许使用宏设置的 Excel 文件,Vishay 建议使用在线 NTCRT 计算工具 。 此计算工具可用于确定Vis hayNTC
2023-07-05 20:05:09295 电子发烧友网站提供《Elxflash在线工具.zip》资料免费下载
2023-07-24 15:07:290 品英Pickering作为用于电子测试和验证的模块化信号开关和仿真解决方案的全球供应商,于近日发布了一款全新的免费在线使用的微波开关设计工具Microwave Switch Design Tool
2023-08-31 14:19:45310 电子发烧友网站提供《在线设计和仿真工具入门指南.pdf》资料免费下载
2023-09-20 09:45:090 Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度,增强热性能。
2024-02-22 17:11:08355 Vishay近期发布五款新型半桥IGBT功率模块,其改良设计的INT-A-PAK封装备受瞩目。这五款器件,包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等,均运用Vishay领先
2024-03-08 11:45:51266 近日,全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET,型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0294 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14104 Elite Power仿真工具是安森美(onsemi)推出的一款基于PLECS的具有独特功能的领先在线仿真工具,适用于软/硬开关应用,使工程师在开发周期的早期阶段,
2024-03-20 09:58:3884
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