近日全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司(简称IR)推出针对感应加热、不间断电源(UPS)太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列。
2011-09-07 09:24:541813 国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列,适合在10kHz以下工作的电机驱动应用,包括冰箱和空调的压缩机。
2012-09-05 11:09:19999 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称 IR) 推出 IRGR4045DPbF 和 IRGS4045DPbF,以此拓展绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 系列。全新 600V 超高速沟道
2012-10-17 09:27:03919 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新一代绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技术平台采用
2012-11-17 10:40:171504 绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是一种功率半导体,具有MOSFET 的高速、电压相关栅极开关特性以及 BJT 的最小导通电阻(低饱和电压)特性。
2024-02-27 16:08:49581 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日扩充坚固耐用、可靠的超高速 600 V 沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列,为不间断电源 (UPS) 、太阳能
2011-11-16 08:54:111023 如果平衡电阻与发射极串联,则双极晶体管(BJT)可以并联连接。随着温度的升高,BJT通常会变得更具导电性。以下MMBT2222A数据表中的示例显示了该器件的典型增益如何随温度在允许的工作范围内变化而
2018-10-26 14:45:42
:dodo1999@vip.163.com双极晶体管阵列 (BJT)DMMT5401-7晶体管, PNP, 最大直流集电极电流 200 mA, SOT-26封装, 300 MHz, 6引脚规格 TRANS
2020-02-25 11:39:26
晶体管的代表形状晶体管分类图:按照该分类,掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类,分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi(2个)、极是指Polar(极性)。双极晶体管,即流经构成
2019-04-10 06:20:24
。与MOSFET同样能通过栅极电压控制进行高速工作,还同时具备双极晶体管的高耐压、低导通电阻特征。工作上与MOSFET相同,通过给栅极施加电压形成通道来流过电流。结构上MOSFET(以Nch为例)是相同N型的源极
2018-11-28 14:29:28
创建通道来导通。另外,栅极通过源极及漏极与氧化膜被绝缘,因此不会流过 “导通”意义上的电流。但是,需要被称为“Qg”的电荷。 关于MOSFET,将再次详细介绍。 IGBT为双极晶体管与MOSFET
2020-06-09 07:34:33
绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。一.绝缘栅双极晶体管IGBT的工作原理: 半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料,供感兴趣
2009-05-12 20:44:23
绝缘栅双极晶体管基础IGBT结构及工作原理IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率
2009-05-24 16:43:05
绝缘栅双极晶体管晶体管的发展1947年的圣诞前某一天,贝尔实验室中,布拉顿平稳地用刀片在三角形金箔上划了一道细痕,恰到好处地将顶角一分为二,分别接上导线,随即准确地压进锗晶体表面的选定部位。电流表
2012-08-02 23:55:11
绝缘栅双极型晶体管检测方法
2009-12-10 17:18:39
绝缘栅双级晶体管IGBT
2012-08-20 09:46:02
电极-发射极电流与几乎零栅流驱动器。典型的 IGBT绝缘栅双极性晶体管,即 IGBT,结合了 MOSFET 的绝缘栅(因此得名第一部分)技术和传统双极性晶体管的输出性能特性,因此得名第二部分。这种混合
2022-04-29 10:55:25
超高速10万转电机(1对极)控制方式讨论
2021-08-27 08:22:31
您好,为了模拟ADS软件中基于双极晶体管的电路,我们将基板与发射器连接,还是允许空气?谢谢 以上来自于谷歌翻译 以下为原文hello,to simulate a circuit based
2018-12-18 16:11:14
概述:EXB840是一款高速型混合IC驱动器,它为高密度安装的SIL-13脚封装。驱动隔离栅双极性晶体管电压600V,电流150A;驱动隔离栅双极性晶体管电压1200V,电流75A。驱动电路信号延迟
2021-05-18 07:52:37
EXB850是FujiElectric公司生产的一款IGBT混合IC驱动器。 它为高密度SIL-13脚封装。驱动隔离栅双极性晶体管电压600V,电流150A;驱动隔离栅双极性晶体管电压1200V,电流75A。驱动电路信号延迟
2021-04-22 07:35:50
概述:EXB851是一款高速型混合IC驱动器,它为高密度安装的SIL-13脚封装。驱动隔离栅双极性晶体管电压600V,电流150A;驱动隔离栅双极性晶体管电压1200V,电流75A。驱动电路信号延迟
2021-05-18 06:24:06
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)?IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写,也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)?IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写,也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-03-27 06:20:04
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导...
2022-02-16 06:48:11
MAPRST0912-50硅双极晶体管产品介绍MAPRST0912-50报价MAPRST0912-50代理MAPRST0912-50咨询热线MAPRST0912-50现货,王先生
2018-08-09 09:57:23
2)。然后,门重新控制了薄体。 图2.鳍式场效应晶体管 此外,从平面移动到3D可降低亚阈值斜率和Ioff电流。体积将增加,漏电流将小于平面设计。 双栅极与三栅鳍式场效应晶体管 双栅极
2023-02-24 15:20:59
MRF422硅双极晶体管产品介绍MRF422报价MRF422代理MRF422MRF422现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司MRF422主要用于高功率线性放大器的设计,从2到30 MHz优势产品
2018-10-09 12:10:05
的切换速度可达100GHz以上。双极晶体管 双极晶体管(bipolar transistor)指在音频电路中使用得非常普遍的一种晶体管。双极则源于电流系在两种半导体材料中流过的关系。双极晶体管根据
2010-08-13 11:36:51
源电流IDSS是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流。(2)夹断电压夹断电压UP是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。如同4-25所示为N沟道
2019-04-04 10:59:27
Bipolar Transistor)全称为绝缘栅双极晶体管,作为逆变焊机中高频逆变的主要开关器件,其性能的优劣将直接影响焊机整体表现。随着国内工艺水平和设计能力的提升,国产IGBT开始进入焊机领域。本文主要
2014-08-13 09:01:33
GaAs-GaAlAs,放大倍数可以大于1000,响应时间长于纳秒,常用作光电探测器和光放大。场效应光电晶体管(FET)响应迅速(约50皮秒),但缺点是光敏面积和增益小,常用作超高速光电探测器。还有许多其他平面
2023-02-03 09:36:05
达林顿晶体管是一对双极晶体管,连接在一起,从低基极电流提供非常高的电流增益。输入晶体管的发射极始终连接到输出晶体管的基极;他们的收藏家被绑在一起。结果,输入晶体管放大的电流被输出晶体管进一步放大
2023-02-16 18:19:11
运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。场效应晶体管有哪几种分类场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方式:耗尽
2019-05-08 09:26:37
基于FPGA的超高速FFT硬件实现介绍了频域抽取基二快速傅里叶运算的基本原理;讨论了基于FPGA达4 096点的大点数超高速FFT硬件系统设计与实现方法,当多组大点数进行FFT运算时,利用FPGA
2009-06-14 00:19:55
。对于NPN,它是灌电流。 达林顿晶体管开关 这涉及使用多个开关晶体管,因为有时单个双极晶体管的直流增益太低而无法切换负载电压或电流。在配置中,一个小输入双极结型晶体管(BJT)晶体管参与打开和关闭
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分组成的?绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点?如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢?
2021-11-02 06:01:06
绝缘栅双极晶体管(IGBT)有哪些应用呢?如何去实现绝缘栅双极晶体管(IGBT)的电磁兼容设计呢?
2022-01-14 07:02:41
异质结双极晶体管
2012-08-20 08:57:47
与普通的ADC相比,超高速的ADC有哪些性能?超高速ADC的主要应用领域是什么?如何去挑选一个超高速的ADC?
2021-06-22 06:19:40
=0.65V/10k=65μA)IB=Ii-IR2=Ii-65μA 即Ii在65µA以下时,IB没有电流流过,VO [VCE(sat)]上升。因此,在低电流区域不能测定VO。关于数字晶体管的开关动作
2019-04-22 05:39:52
的开关动作关于数字晶体管的用语选定方法①使TR达到饱和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②输入电阻:R1是±30% E-B间的电阻:R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V数字晶体管具有
2019-04-09 21:49:36
单电源9V超高速比较器,有推荐的朋友吗?
2020-06-18 22:46:24
晶体管的代表形状晶体管分类图:按照该分类,掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类,分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi(2个)、极是指Polar(极性)。双极晶体管,即流经构成
2019-05-05 01:31:57
求购双极晶体管BD249C,NPN,30个,要求现货。2-4天能到北京
2019-07-23 05:27:32
半导体开关器件时 IGBT(绝缘栅双极晶体管)集合了BJT 和MOSFET的优点。可是他仍只适合较低频率、大电流装置。试问频率的高低判断标准是多少呀??
2011-05-16 22:00:58
栅双极晶体管(IGBT)实现此类拓扑。本文中,我们将重点介绍直接驱动GaN晶体管的优点,包括更低的开关损耗、更佳的压摆率控制和改进的器件保护。
2020-10-27 06:43:42
导读:近日,英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率(700瓦),适用于工作频率范围为1200 MHz~1400 MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少
2018-11-29 11:38:26
请问超高速SerDes在芯片设计中的挑战是什么?
2021-06-17 08:49:37
编辑人:LL ASEMI-SFP2006超高速开关二极管的工作原理是什么
2018-11-02 11:09:07
N沟绝缘栅双极晶体管JT075N065WED75A 650V用途●逆变器●UPS电源●T0-247产品特性●低栅极电荷●Trench FS技术,●通态压降, Vce(sat), typ =1.75V @ Ic= 75A andTc= 25°C●RoHS产品
2023-01-09 10:53:35
JT050N065WED 50A 650V N沟道绝缘栅双极晶体管用途●逆变器●UPS电源产品特性●低栅极电荷●TrenchFS技术,●通态压降, Ve(sat), typ= .1.6V@Ic=50AandTc= 25°C●RoHS产品
2023-01-09 10:59:37
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
基础知识绝缘栅双极晶体管(Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT)GTR和MOSFET复合,结合二者的优点1986年投
2009-04-14 22:13:396003 绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。
一.绝缘栅双极晶
2009-05-12 20:42:001282 IR全新坚固耐用的1200V控制集成电路
电源管理技术领先供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出用于工业电机驱动控制的额定1200VIR2214和
2009-07-06 08:42:28798 绝缘栅双极晶体管原理、特点及参数
绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。
2009-10-06 22:56:595421 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有
2009-11-05 11:40:14604
双极晶体管
2009-11-07 10:44:021352 IR针对汽车应用推出1200V绝缘IGBT AUIRG7CH80K6B-M
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal,SFM) 的 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32697 超高速充电电池
超高速充电电池 “十
2009-11-28 17:25:44664 IGBT绝缘栅极双极晶体管过压保护电路
IGBT的栅极过压的
2010-02-17 17:13:011795 绝缘栅双极晶体管(IGBT),IGBT是什么意思
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS结构双极器件,属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件
2010-03-04 15:54:154927 异质结双极晶体管,异质结双极晶体管是什么意思
异质结双极晶体管(Hetero-junction Bipolar Transistor,简称HBT)基区(base)异质结SiGe外延(图1):其原理是在基
2010-03-05 10:56:554866 双极晶体管,双极晶体管是什么意思
双极晶体管
双极型晶体管内部电流由两种载流子形成,它是利用电流来控制。场效应管是电压控制器
2010-03-05 11:48:465920 什么是绝缘栅极双极性晶体管
绝缘栅双极晶体管(IGBT)本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个P型层.根据国际电工委员会IEC/TC(CO)1
2010-03-05 15:49:224082 思科推出新一代超高速路由器
3月10日消息,据国外媒体报道,思科星期二推出了超高速互联网硬件并且许诺说这种产品将通过以惊人的速度传送海量数据提高美国的竞
2010-03-10 09:02:38584 Maxim推出双通道与四通道超高速DisplayPort无源开关
Maxim推出具有独立AUX和HPD控制的双通道(MAX4998)和四通道(MAX14998*)超高速DisplayPort 无源开关。器件
2010-04-09 12:19:21600 华润上华已开发完成1200V Trench NPT IGBT(沟槽非穿通型绝缘栅双极晶体管)工艺平台,各项参数均达到设计要求,成功进入Trench IGBT代工市场。
2011-03-31 09:23:061469 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出针对感应加热、不间断电源(UPS)太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效 1200V 绝缘栅双极晶体管
2011-09-07 17:59:471385 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出一对高效、可靠的超高速沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBTs) ,该产品为焊接、高功率整流等感应加热
2011-09-28 09:08:05916 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新一代绝缘闸双极电晶体 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技术平台利用IR新一代沟道闸极场截止技术,为工业及节能
2012-11-21 09:39:40994 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日扩充600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列,这些经过优化的新器件尤为适合不间断电源 (UPS)、太阳能、感应加热、工业电机和焊接应用。
2013-02-19 10:58:47995 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布推出坚固可靠的超高速1400V沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBT) IRG7PK35UD1PbF,新器件为电磁炉和微波炉等软开关应用作出了优化。
2014-03-10 09:50:221531 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出高性能600V超高速沟道场截止绝缘栅双极晶体管 (IGBT) IR66xx系列。坚固可靠的新系列器件提供极低的导通损耗和开关损耗,旨在为焊接应用做出优化。
2014-08-19 16:31:532356 2014年10月21日,北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以扩充绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列。
2014-10-21 15:27:421975 绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也是三端器件:栅极,集电极和发射极。
2017-11-29 15:39:2115139 本文将介绍双极型晶体管的基本结构。双极晶体管是双极型结型晶体管(BJT)的简称,在电力半导体中,也称作大功率晶体管(GTR),在现代电力电子变换器中大多已经被MOSFET或者IGBT所代替。了解双极晶体管有助于深入理解现代功率器件的结构。
2018-03-05 16:12:1422939 等。 在前期高速绝缘栅双极晶体管( IGBT)的基础上提出一种高速集电极沟槽绝缘栅双极晶体管( CT-IGBT)。该器件沟槽集电极与漂
2018-04-24 16:12:5110 据外媒报道,最近,日本罗姆半导体公司(ROHM)宣布新增两款车用级1200V耐压绝缘栅双极型晶体管(IGBT),此类晶体管非常适合用于电子压缩机内的逆变器,以及正温度系数(PTC)加热器中的开关电路。
2019-05-27 08:41:501492 本期介绍:本期ROHM君想与大家一同学习绝缘栅双极晶体管——IGBT,认识其原理及其应用。IGBT是一种功率开关晶体管,它结合了MOSFET和BJT的优点,用于电源和电机控制电路 该绝缘栅双极晶体管
2022-12-08 16:01:261314 N沟绝缘栅双极晶体管JT05N065RED/VED/SED/FED规格书免费下载。
2022-12-02 10:48:050 N沟绝缘栅双极晶体管JT010N065SED/CED/FED规格书免费下载。
2022-12-02 10:49:360 N沟绝缘栅双极晶体管JT015N065FED规格书免费下载。
2022-12-02 10:50:491 N沟绝缘栅双极晶体管JT020N065SED/CED/WED/FED规格书
2022-12-02 10:51:470 N沟绝缘栅双极晶体管JT030N065WED/FED规格书免费下载。
2022-12-02 10:53:130 N沟绝缘栅双极晶体管JT040K065WED/AED规格书
2022-12-02 10:54:051 N沟绝缘栅双极晶体管JT050N065WED规格书
2022-12-02 10:55:030 N沟绝缘栅双极晶体管JT075N065WED规格书免费下载。
2022-12-02 10:56:112 N沟绝缘栅双极晶体管JT075N120GPED规格书免费下载。
2022-12-02 10:57:050 绝缘栅双极晶体管也简称为IGBT ,是传统双极结型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET)的交叉体,使其成为理想的半导体开关器件。
2023-09-06 15:12:291491 绝缘栅双极晶体管(IGBTs)简史
2023-11-24 14:45:34406 这是绝缘栅双极晶体管(IGBT)的实用指南。您将从实际的角度学习如何使用它——而无需深入研究它内部的物理外观。IGBT通常被描述为复杂而先进的东西。但是,当你剥离物理解释并开始练习时,将其放入电路中是很简单的。
2024-02-11 10:57:00533 智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31智能功率模块 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59346
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