汽车功率电子组件(例如IGBT)的设计必须能负荷数千小时的工作时间和上百万次的功率循环,同时得承受高达 200℃的温度。因此产品的可靠性特别关键,而同时故障成本也会是一个很大的问题。随着工业电子系
2016-01-08 11:31:094156 绝缘栅双极晶体管(IGBT)结合了GTR和MOSFET的优点,具有良好的特性。IGBT也是三端器件,具有栅极G、集电极C和发射极E。
2022-10-28 16:12:429918 针对汽车 IGBT 模块的主要失效原理和引线键合寿命短板,结合仿真分析进行了功率循环试验设计,结温差 ΔTj 和流经键合线的电流 IC 是影响键合点寿命的主要加速因子,中间温度(Tjm
2023-08-08 10:59:38772 功率电子器件是PCS的核心组成部分,主要实现电能的转换和控制。而IGBT就是最为常用的功率器件,今天我们主要来学习IGBT。
2023-11-22 09:42:50514 时间为皮秒级的,图7是它的工作特性曲线。TVS管按导电方向分有单向和双向两种,在由IGBT器件组成的逆变电路中,因为是直流母线,所以一般选单向TVS管。图6IGBT有源钳位图7TVS管工作特性曲线选择
2018-12-06 10:06:18
及输出功率的计算决定了换流系统的可靠性。驱动器功率不足或选择错误可能会直接导致 IGBT 和驱动器损坏。以下总结了一些关于IGBT驱动器输出性能的计算方法以供选型时参考。 IGBT 的开关特性主要取决于
2012-07-25 09:49:08
降低而容量大的特点(功率级较为耐用),频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常 工作于几十kHz频率范围内。 理想等效电路与实际等效电路如图所示: IGBT 的静态特性一般用不到
2011-08-17 09:26:02
IGBT功率模块是电压型控制,输入阻抗大,驱动功率小,控制电路简单,开关损耗小,通断速度快,工作频率高,元件容量大等优点。
2020-03-24 09:01:13
的IGBT芯片。常见的有1in1,2in1,6in1等。PIM模块:集成整流桥+制动单元+三相逆变IPM模块:即智能功率模块,集成门级驱动及保护功能(热保护,过流保护等)的IGBT模块。 IGBT是强电
2012-07-09 14:14:57
:模块化封装就是将多个IGBT集成封装在一起。3,PIM模块:集成整流桥+制动单元(PFC)+三相逆变(IGBT桥)4,IPM模块:即智能功率模块,集成门级驱动及众多保护功能(过热保护,过压,过流,欠压保护等)的IGBT模块。
2012-07-09 12:00:13
:模块化封装就是将多个IGBT集成封装在一起。3,PIM模块:集成整流桥+制动单元(PFC)+三相逆变(IGBT桥)4,IPM模块:即智能功率模块,集成门级驱动及众多保护功能(过热保护,过压,过流,欠压保护等)的IGBT模块。转载自http://cxtke.com/
2012-07-09 10:12:52
受器件容量和晶体管特性的限制,在较大功率(500KW以上)的内馈调速应用上还存在问题,其中主要表现在承受过流、过压的可靠性方面。不能以IGBT的全控优点,掩盖其存在的不足,科学实践需要科学的态度。在
2018-10-17 10:05:39
MOSFET 器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用),频率特性介于MOSFET 与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz 频率范围内。 IGBT数据手册资料 :集成电路查询网datasheet5
2012-07-11 17:07:52
IGBT的使用方法IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术,将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗
2020-09-29 17:08:58
等级,从而提升变流器的功率等级。考虑到前者功率密度相对较低,从性价比出发,IGBT并联技术是最好的选择。1IGBT并联运行分析1.1 影响并联IGBT均流的主要因素1)IGBT和反并联二极管静态参数
2015-03-11 13:18:21
的均衡措施。用相关的试验证实一些分析结论。关键词:IGBT并联、静态与动态电流、均衡措施1 引言随着市场对兆瓦级大功率变流器的需求与日俱增,IGBT并联方案目前已成为一种趋势。 这主要源于IGBT并联
2018-12-03 13:50:08
的可再生能源,而IGBT是光伏系统中主要的功率半导体器件,因此其可靠性对光伏系统有重要影响。IGBT模块的热特性是模块的重要特性之一,模块在退化过程中,热性能变化对于半导体模块的整体性
2020-12-10 15:06:03
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
2019-09-11 11:31:16
及故障状态反馈电路,为驱动电路的可靠工作提供了保障。其特性为:兼容CMOS/TYL电平;光隔离,故障状态反馈;开关时间最大500ns;“软”IGBT关断;欠饱和检测及欠压锁定保护;过流保护功能;宽工作电压
2012-07-06 16:28:56
电压低、耐压高和承受电流大等优点,因此现今应用相当广泛。但是IGBT 良好特性的发挥往往因其栅极驱动电路设计上的不合理,制约着IGBT的推广及应用。因此本文分析了IGBT对其栅极驱动电路的要求,设计一种
2009-09-04 11:37:02
驱动电路简单、通态电压低、耐压高和承受电流大等优点,因此现今应用相当广泛。但是IGBT 良好特性的发挥往往因其栅极驱动电路设计上的不合理,制约着IGBT的推广及应用。因此本文分析了IGBT对其栅极驱动
2012-09-09 12:22:07
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析,可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数,进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示,在研发功率
2019-07-04 06:22:42
助力回收 Agilent8163B光功率计 助力安捷伦8163B安捷伦Agilent8163B光功率计是德8164B主机是光学元件测试的基础平台可作为一种是德可调激光源及***多四种紧凑型模块的主机
2021-09-02 11:16:16
很大关系,电压越高,开关损耗越小,正向压降也更小。 小结 IGBT和MOSFET是电力电子装置实现电能转换、电路控制的核心器件。MOSFET工作频率达到了兆Hz级,IGBT在大功率化和高频化之间
2022-06-28 10:26:31
/DC双级电路,能实现输出的电压范围宽、精度高、动态响应快的特点。其中电压精度≤0.1%l 输出具有恒压、恒流、恒功率模式;l 具有本机操作、上位机操作功能,配有上位机软件及外部通讯功能;l 严格的系统
2014-07-07 10:01:30
,SiC-MOSFET在25℃时的变动很小,在25℃环境下特性相近的产品,差距变大,温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。与IGBT的区别:关断损耗特性前面多次提到过,SiC功率元器件的开关特性优异,可处理
2018-12-03 14:29:26
晶体管组成的复合晶体管,它的转移特性与MOSFET十分类似。为了便于理解,这里我们可通过分析MOSFET来理解IGBT的转移特性。图2.MOSFET截面示意图当MOSFET的栅极-源极电压VGS=0V
2019-10-17 10:08:57
程度不断增加,功率半导体需求提升,器件应用范围不断拓展。2021 年-2025 年全球功率半导体市场将从 258.2 亿元增至 342.5 亿美元,对应复 合增速 10.6%;其中,模块增速快,2025
2022-11-11 11:50:23
请问我关于电流提升器和电压提升器的计算是否正确?这两个电路是怎么分析的?
电流提升器由虚短虚断,Uo=RfI,Ⅰ是输入端电流源电流,但是电流提升器哪里电流变大了
同样电压提升器,Uo=(R2+R3)/R2*I,不知道我的计算对不对,总感觉哪里有问题?
2024-01-11 23:57:40
/1700V极其以上的两个单管或一个半桥式的双单元大功率IGBT模块。其中在作为半桥驱动器使用的时候,可以很方便地 设置死区时间。 2SD315A内部主要有三大功能模块构成,分别是LDI(Logic
2018-09-26 15:53:15
)是复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好驱动电路简单、通态电压低、耐压高和承受电流大等优点,因此现今应用相当广泛。但是IGBT 良好特性的发挥
2012-06-11 17:24:30
按照大功率 igbt 驱动保护电路能够完成的功能来分类,可以将大功率 igbt 驱动保护电 路分为以下三种类型:单一功能型,多功能型,全功能型。
2019-11-07 09:02:20
程师的首选;也有许多的工程师根据其电路的特殊要求,自行研制出各种专用的大功率igbt驱动保护电路。本文对这些大功率igbt驱动保护电路进行分类,并对该电路需要达到的一些功能进行阐述,最后展望此电路的发展
2021-04-06 14:38:18
igbt驱动保护电路进行分类,并对该电路需要达到的一些功能进行阐述,最后展望此电路的发展。此外本文所述大功率igbt驱动保护电路是指应用于直流母线电压在650v~1000v范围、输出电流的交流有效值在
2012-12-08 12:34:45
详情见附件大功率IGBT驱动的技术特点及发展趋势分析1 引言由于igbt具有开关频率高、导通功耗小及门极控制方便等特点,在大功率变换系统中得到广泛的应用。在igbt应用中,除其本身的技术水平以外
2021-04-20 10:34:14
按照大功率igbt驱动保护电路能够完成的功能来分类,可以将大功率igbt驱动保护电路分为以下三种类型:单一功能型、多功能型、全功能型。2.1 单一功能型 单一功能型的大功率igbt驱动保护电路一般
2012-07-09 15:36:02
的导通能量损耗,并在电力电子学的典型模式下扩大开关元件的安全工作区域。使用硅IGBT可以优化器件的成本。这种减少损耗功率的频率相关分量的要求突出了改善IGBT频率特性的必要性,因为正是这种元件限制了
2023-02-22 16:53:33
cycling) 和功率循环次数(Power cycling),其共同决定了 IGBT 的使用寿命,其他参 数例如 IGBT 机械可靠性(震动测试)特性也需要额外的关注。针对这些要求, 英飞凌汽车级 IGBT
2018-12-06 09:47:30
日益增长的速度,CPU 硬件加速成为业界一个通用的解决方案。CPU 新特性不久前发布的第三代英特尔 ^®^ 至强 ^®^ 可扩展处理器(代号 Ice Lake),单核性能提升 30%,整机算力提升 50
2022-08-31 10:46:10
快充的原理是什么?有哪些提升快充功率的方法?
2021-09-26 08:29:47
栅极电阻RG对IGBT开关特性有什么影响?
2021-06-08 06:56:22
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑
IGBT失效分析大概有下面几个方面:1、IGBT过压失效,Vge和Vce、二极管反向电压失效等。2、IGBT过流,一定程度
2012-12-19 20:00:59
例如IGBT机械可靠性特性也需要额外的关注1) 功率循环通常逆变器设计,主要考虑IGBT Tjmax(最高结温)的限制,但在混合动力车应用中,逆变器较少处于恒定工况,加速、巡航、减速都会带来电流、电压的改变
2018-12-06 09:48:38
绝缘栅双极晶体管IGBT是第三代电力电子器件,安全工作,它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的优点于一身,具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高(10-40 kHz)的特点
2016-11-28 23:45:03
绝缘栅双极晶体管IGBT是第三代电力电子器件,安全工作,它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的优点于一身,具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高(10-40 kHz)的特点
2016-10-15 22:47:06
,独立研发产品的能力。4、IGBT驱动或者MOSFET门极驱动经验优先必须是做过大功率,工业级的芯片开发。懂芯片生产工艺及有一定的芯片代工厂的资源薪资 22-28w 特别合适的可以适当上浮。请直接邮件咨询 hr@cnhired.com
2016-03-16 11:02:59
简单分析不间断电源系统在IGBT中的应用理念 简单分析不间断电源的应用方法及其理念 摘要:在UPS中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT既有功率
2012-03-29 14:07:27
良率提升工程数据分析系统工具专题讲座讲座对象:芯片设计公司,晶圆厂,封装厂的业内人士讲座地点:上海市张江高科技园区碧波路635号传奇广场3楼 IC咖啡讲座时间:2014年3月10日(周一) 晚 19
2014-03-09 10:37:52
600V IGBT3,全新芯片具备更出色的关断软度和更高的阻断电压功能。此外,该器件的短路能力大幅增强。而600V IGBT3主要适用于低功率应用或杂散电感很低的高功率应用。650V IGBT4的设计与技术
2018-12-07 10:16:11
,大多数IGBT结合了联合封装的二极管。大多数制造商提供单个θ值,用于计算结点至外壳热阻抗。这是一种简化的裸片温度计算方法,会导致涉及到的两个结点温度分析不正确。对于多裸片器件而言,θ值通常不同,两个裸片
2014-08-19 15:40:52
本文对IGBT的功率和热循环、材料选型以及电气特性等问题和故障模式进行了探讨。
2021-05-14 06:52:53
在一些要求高可靠性的应用场合,希望功率半导体器件可以稳定运行30年以上。为了达到这个目标,三菱电机开发了X系列高压IGBT模块,特别注重了可靠性方面的设计,并在实际的环境条件下进行了验证,结果显示失效率可以得到明显降低。本文着介绍在IGBT数据手册上看不到的一些特性。
2019-07-30 06:01:40
IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是电源应用中相当常见的器件,可用于交流电的电机控制输出。由安森美半导体(ON Semiconductor)所推出
2019-07-18 06:12:00
Symtavision工具为Luxoft公司提供的一款分布式嵌入式系统时间特性建模、分析和验证工具,主要应用于汽车领域。经纬恒润联合Symtavision工具厂商能够为客户提供完整的系统级时间特性
2022-04-13 14:10:59
IGBT的驱动与保护电路研究:对电力电子功率器件IGBT的开关特性、驱动波形、功率、布线、隔离等方面的要求和保护方法进行了分析和讨论,介绍了IGBT的几种基本驱动电路和一种典
2009-05-31 12:33:1564 建立电动助力转向系统的力学模型,并对系统电动机在比例控制和比例加微分控制下汽车电动助力转向系统特性进行分析,对系统的频率特性和时间响应进行数值仿真,分析比例系数
2009-07-27 14:16:2134 大功率IGBT驱动模块2SD315A 的特性及其应用:介绍了一种适用于大功率IGBT 的新型驱动模块,该模块工作频率高,驱动电流大,具有完善的短路、过流保护和电源监控功能。关键词:模块
2010-01-07 11:04:27195 分析IGBT的门极驱动鉴于绝缘栅双极晶体管IGBT在逆变电焊机中的应用日益普、及,针对IGBT门极驱动特点,分析了它对于驱动波形,功率,布线,隔离等方面的要求,并介绍了一种
2010-03-14 19:08:3449 基本介绍功率器件可靠性是器件厂商和应用方除性能参数外最为关注的,也是特性参数测试无法评估的,失效分析则是分析器件封装缺陷、提升器件封装水平和应用可靠性的基础。广电计量拥有业界领先的专家团队及先进
2024-03-13 16:26:07
介绍一种复合量程微加速度计,并分析其加速度计的阻尼比、幅频特性和相频特性,计算出其工作的频响范围。对加速度计的动态特性进行测试,对比分析理论计算结果与测试结果,
2010-12-28 10:45:520 IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用及原理
通过对功率器件IGBT的工作特性分析、驱动要求和保护方法等讨
2009-10-09 09:56:011851 IGBT的原理和基本特性
IGBT的原理
绝缘栅双极晶体
2010-03-05 15:53:4510640 IGBT的静态特性包括伏安特性、转移特性和静态开关特性。IGBT的伏安特性如图1-33所示,与GTR的伏安特性基本相似,
2010-11-09 17:04:582159 IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS
2011-07-14 11:18:47165 本文在分析了中大功率IGBT 特性、工作原理及其驱动电路原理和要求的基础上,对EXB841、M57962AL、2SD315A 等几种驱动电路的工作特性进行了比较。并针对用于轻合金表面防护处理的特种脉
2011-09-15 16:57:37130 对大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)的开关特性、驱动波形、驱动功率、布线等方面进行了分析和讨论,介绍了一种用于大功率IGBT 的驱动电路。
2012-05-02 14:50:48135 大功率igbt驱动保护电路的功能
2012-07-09 12:02:015212 一分钟内提供完整的设计–进一步强化,引入传动系分立式(MOSFET/IGBT/整流器)器件功率损耗和效率分析工具。
2013-09-27 13:59:241186 。但是IGBT良好特性的发挥往往因其栅极驱动电路设计上的不合理,制约着IGBT的推广及应用。本文分析了IGBT对其栅极驱动电路的要求,设计了一种适用于高频条件下小功率电路可靠稳定的分立式IGBT驱动电路。
2018-06-29 15:25:004063 目前已有场终止型绝缘栅双极性晶体管( IGBT)行为模型以及仿真软件中的IGBT模型末专门针对中电压大功率IGBT模块搭建,不能准确模拟其区别于中小功率IGBT的行为特性。在已有行为模型基础上,提出
2018-03-08 09:21:360 IGBT工作中的特性: IGBT 的静态特性, 静态数据特性关键有光电流特性、迁移特性和电源开关特性。 (1)光电流特性: IGBT 的光电流特性就是指以栅源电压Ugs 为参变量时,漏极电流与栅极
2020-12-15 16:10:315906 决该矛盾的有效方法。然而,并联系统的总体布局无法达到完全的对称,使得理想化的静、动态电流分布难以实现进而限制了并联器件的利用率。本文主要分析和比较了驱动电路结构和功率回路耦合特性对于并联IGBT均流特性的影响,并
2021-02-14 11:43:003746 VR智慧线上工厂3D建模可视化三维模型大屏应用强化工厂安全保障为核心,建立智能自动化系统、远程监控系统、实时定位分析系统以及监控人员数据分析。商迪3DVR智慧线上工厂3D建模可视化三维模型
2021-03-31 09:16:52961 诸如高环境温度、暴露于机械冲击以及特定的驱动循环等环境条件,要求对IGBT功率模块的机械和电气特性给予特别的关注,以便在整个使用寿命期间能确保其性能得到充分发挥,并保持很高的可靠性。本文对IGBT的功率和热循环进行了探讨。
2022-12-02 11:46:35968 随着我国武器装备系统复杂性提升和功率等级提升,对IGBT模块的需求剧增,IGBT可靠性直接影响装备系统的可靠性。选取同一封装不同材料陶瓷基板的IGBT模块,分别进行了温度循环试验和介质耐电压试验
2023-02-01 15:48:053470 智能功率模块(IPM)是一种功率半导体模块,可将操作IGBT所需的所有电路集成到一个封装中。它包括所需的驱动电路和保护功能,以及IGBT。这样,可以通过可用的IGBT技术获得最佳性能。
2023-02-02 14:39:142429 功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内。
2023-02-17 16:40:23914 等,它们的承受功率一般在几十瓦到数百瓦之间。如果需要承受更大功率的电路,可以使用模块化功率器件,如IGBT模块、功率MOS管模块等。 功率二极管的稳定性主要取决于它的温度特性和反向击穿电压特性。温度对功率二极管的电阻、电容和漏电流等参数有很大影
2023-02-18 11:16:29711 IGBT是一种功率器件,在功率逆变器中承担功率转换和能量传输的功能。它是逆变器的心脏。同时,IGBT也是功率逆变器中最不可靠的元件之一。它对器件的温度、电压和电流非常敏感。稍有超出,就会变得无能
2023-03-30 10:29:45992 IGBT : 是一种大功率的电力电子器件,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。三大特点就是高压、大电流、高速。它是电力电子领域非常理想的开关器件。 编辑:黄飞
2023-07-07 09:36:321089 针对汽车 IGBT 模块的主要失效原理和引线键合寿命短板,结合仿真分析进行了功率循环试验设计,结温差 ΔTj 和流经键合线的电流 IC 是影响键合点寿命的主要加速因子,中间温度(Tjm
2023-08-08 10:56:361214 对电力电子工程师而言,功率组件是我们的设计对象,而IGBT由于其出色的特性被广泛使用于功率组件中。 功率组件的效率、保护功能、EMC等 表现和IGBT的应用设计具有紧密关系,而不同IGBT技术也造就
2023-09-15 10:09:32484 IGBT 功率模块的开关特性是由它的内部结构,内部的寄生电容和内部和外接的电阻决定的。
2023-09-22 09:06:14432 igbt的栅极驱动条件 igbt的栅极驱动条件对其特性有什么影响? IGBT是晶体管的一种,它是一种高压、高电流的开关器件,常用于高功率电子应用中。IGBT是一种三极管,由一个PN结组成的集成电路
2023-10-19 17:08:14622 本文将详细介绍各大主机厂在SIC/IGBT模块上的布局,以及现在的产能应用情况等,探讨车企大规模进入功率半导体行业背后的原因,助力车规级功率半导体产业的健康持续发展。
2023-11-02 11:40:30296 在电驱开发领域,IGBT特性是逆变器功率输出限制的核心要素。
2023-11-21 09:28:34413 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 igbt的作用和功能 IGBT,即绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor),是一种用于功率电子器件中的双极型晶体管。IGBT 融合了绝缘
2023-12-07 16:32:552947 ,但许多应用仍适合继续使用IGBT, 在技术的不断发展和升级下,IGBT可实现更低的开关损耗和更高的功率密度。 全新第7代1 200V IGBT 安森美(onsemi) 推出的超高能效明星IGBT,具备业界领先的性能水平,能最大程度降低导通损耗和开关损耗,助力客户的系统设计。一起来看看
2023-12-20 18:15:02189 IGBT的低电磁干扰特性 IGBT是一种在功率电子领域中常用的晶体管器件。它由一个IGBT芯片和一个驱动电路组成,用于控制高电压和高电流的开关操作。相比于MOSFET,IGBT具有更低
2024-01-04 14:30:50563 分析仪就是在这样的背景下应运而生的一种重要工具。本文将介绍功率分析仪的功能和作用,并重点讨论如何利用功率分析仪进行效率测量及提升。
2024-01-09 15:28:05144 DOH新工艺技术助力提升功率器件性能及使用寿命
2024-01-11 10:00:33120 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是一种半导体功率器件。它结合了MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和双极型晶体管的特性。
2024-02-06 10:47:041019
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