美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款产品。
2012-05-18 09:25:34
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瑞萨电新发表13款具备高效能之第7代绝缘闸双极性电晶体（IGBT）系列新产品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列与1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是将系统中的直流电转换为交流电的功率半导体装
2012-07-31 11:34:281650 与600V IGBT3一样，新的650V IGBT4也是采用了沟槽的MOS-top-cell薄片技术和场截止的概念（如图1 所示），但与600V IGBT3相比，芯片厚度增加了大约15%，并且MOS
2018-10-26 09:17:007600 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管（GaN）市场。
2019-11-22 15:16:321787 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 
40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3（亦称D2PAK）封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率
2018-10-23 16:21:49
碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点，被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆变焊机因其体较小，操作方便，市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点，一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
容量为1200A/2400V，根据大功率斩波的需要，通常，额定工作电流为400A——1500A，考虑到器件工作安全，必须留有2倍左右的电流裕度，再结合本文前述的IGBT最大电流标称问题，单一器件无法
2018-10-17 10:05:39
世界技术舞台的时候，尽管它凝聚了高电压大电流晶闸管制造技术和大规模集成电路微细加工手段二者的精华，表现出很好的综合性能，许多人仍难以相信这种器件在大功率领域中的生命力。现在，跨世纪的IGBT显示了巨大
2012-06-19 11:17:58
IGBT(绝缘栅双极晶体管)是新一代全控型电力电子器件，具有M08场效应晶体管的电压控制、开关频率高、驱动功率小的优点，又具备大功率双极晶体管的通态压降低、耐高反压及电流额定值的特性。而且，其
2016-06-21 18:25:29
按照大功率 igbt 驱动保护电路能够完成的功能来分类，可以将大功率 igbt 驱动保护电 路分为以下三种类型：单一功能型，多功能型，全功能型。
2019-11-07 09:02:20
。此外本文所述大功率igbt驱动保护电路是指应用于直流母线电压在650v～1000v范围、输出电流的交流有效值在100a～600a范围的场合。详情见附件。。。。。。
2021-04-06 14:38:18
igbt驱动保护电路进行分类，并对该电路需要达到的一些功能进行阐述，最后展望此电路的发展。此外本文所述大功率igbt驱动保护电路是指应用于直流母线电压在650v～1000v范围、输出电流的交流有效值在
2012-12-08 12:34:45
详情见附件大功率IGBT驱动的技术特点及发展趋势分析1 引言由于igbt具有开关频率高、导通功耗小及门极控制方便等特点，在大功率变换系统中得到广泛的应用。在igbt应用中，除其本身的技术水平以外
2021-04-20 10:34:14
；第四步：打开电源开关；第五步：开始测试；第六步：数据处理； 最后得到的曲线如下图：测试器件为CM400HA-24H@Vgs=15.0V六：测量CM400HA-24H大功率IGBT步骤第一步：关闭电源
2015-03-11 13:51:32
按照大功率igbt驱动保护电路能够完成的功能来分类，可以将大功率igbt驱动保护电路分为以下三种类型:单一功能型、多功能型、全功能型。2.1 单一功能型 单一功能型的大功率igbt驱动保护电路一
2012-07-09 15:36:02
单独控制，在芯片的供电，驱动效率和体积，BOM数量和成本上往往很难做到最优化。 作为晶丰明源在大功率高端灯具驱动电源上的解决方案，UR3311是一颗基于两级架构的二合一控制芯片，既可
2018-11-30 17:09:21
大功率MOSFET、IGBT怎么双脉冲测试，调门极电阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
有做大功率PCB板的朋友吗，电流要200A左右
2016-08-19 10:56:56
0.3pF以下；三、功率：小功率TVS性能测试用8/20us波形；大功率TVS性能测试用10/700us波形，其功率是小功率TVS管的7~10倍；四、响应速度：小功率TVS的响应速度ps级；大功率TVS一般为
2022-05-24 16:18:18
许多大功率微波发射机常有一定功率的寄生输出,成为无线电子干扰的来源之一。为了抑制这种干扰，须用大功率微波滤波器，使发射机的载波和调制边带通过，抑制其寄生辐射。在大功率微波滤波器的设计中，所需要考虑的问题常与小功率滤波器有所不同，因而小功率滤波器的设计方法在大功率设计中要受到限制，甚至完全不能用。
2019-06-21 08:10:59
整流的应用。 8、产品无铅 , 符合 RoHS 指令。相比普通的功率电感或色环电感来说,尽管所起到的作用是一样的，但是大功率电感在高性能要求电路上所起的作用是普通功率电感不能代替的。
2015-03-23 16:35:29
寻求有做过大功率短波项目的人员，27.12M40.68M等的大功率短波功率能达到二百瓦，主要涉及信号震荡，选频，放大，耦合，控制精度较高，需符合电磁兼容标准要求YY0505有合作意向的联系我***吴先生
2016-07-11 11:38:22
MOSFET的方式内嵌固有体二极管的最新一代阳极短路IGBT.与最佳竞争产品和前代产品相比，该器件具有Eoff较小的特性。总之，新器件使得FS IGBT更适用于不需要高性能反向并联二极管的软开关应用。
2018-09-30 16:10:52
新一代小区网关：灵活性与高性能至关重要各种各样的数字设备进入到越来越多的家庭之中，如各种多媒体应用、网络设备、语音与数据通信平台，以及娱乐系统等。当今消费者通常可在家中通过因特网宽带连接获得日益丰富
2009-10-05 09:18:53
美高森美MSAD165-16整流模块能用ASEMI的 MDA165-16代替吗?
2017-05-27 14:54:59
高通AR9341 2.4GHz大功率无线户外CPE具有哪些参数应用？
2022-01-14 07:35:35
高通AR9342 5.8GHz大功率无线户外CPE具有哪些应用参数？
2022-01-14 07:09:45
给大家推荐一款高性能LED驱动芯片 EC1916A 30-70W大功率低电流谐波LED驱动方案过认证 下面是对这款新型产品一些简单描述。 EC1916A高功率因数、低电流谐波 LED 驱动方案
2016-11-05 15:06:58
ASEMI MDA165-16能代替美高森美的MSAD165-16吗？
2017-06-05 17:17:49
FCI为混合动力及电动汽车推出大功率连接器设计
2021-05-10 06:18:51
编辑-ZMDS100-16在MDS封装里采用的6个芯片，其尺寸都是Φ13，是一款工业焊机用大功率整流模块。MDS100-16的浪涌电流Ifsm为920A，漏电流(Ir)为5mA，其工作时耐温度范围为
2021-08-03 16:18:19
功率分立和模块解决方案的少数供应商之一。美高森美的SP6LI产品系列采用专为高电流SiC MOSFET功率模块而设计的最低杂散电感封装之一，具有五种标准模块，在外壳温度(Tc)为80°C的情况下，提供从
2018-10-23 16:22:24
电压能力相结合。IGBT将用于控制输入的隔离栅极FET和作为单个器件中开关的双极型功率晶体管组合在一起。安森美半导体推出TO247-4L IGBT系列，具有强大且经济实惠的Field StopII
2020-07-07 08:40:25
硅RF外侧扩散金属氧化物半导体(LDMOS)，在3.8GHz范围内具有满足WiMAX基础设施的输出功率和线性性能。飞思卡尔面向工业、科学以及医疗(ISM)应用的高电压HV7工艺支持48V工作电压
2019-07-09 08:17:05
罗姆(ROHM)是半导体和电子零部件领域的著名生产商，其近期推出了TO-247N封装的RGSXXTS65DHR系列绝缘栅双极型晶体管（IGBT）——RGS60TS65DHR、RGS80TS65DHR
2019-04-09 06:20:10
；TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷（典型值为16nC）快速切换经过100％雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数：应用：高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
（10kW）发射机和 ELMER 公司的 ST—10085（10kW）发 射机等。这些第二代大功率发射机较第一代的进步之处是：釆用了性 能优良的金属陶瓷电子管，来代替玻璃外壳的电子管作为功放管；果 用r
2021-12-16 10:24:19
的区别请参考：PT，NPT，FS型IGBT的区别）。技能：低导通压降，125℃工作结温（600V器件为150℃），开关性能优化得益于场截止以及沟槽型元胞，IGBT3的通态压降更低，典型的Vce(sat
2021-05-26 10:19:23
作为国家科技重大专项——智能电网高压芯片封装与模块技术研发及产业化项目的中国北车永济电机公司以其研制的3300V IGBT器件产品，日前中标国家智能电网项目，成为我国首个高压大功率IGBT产品批量
2015-01-30 10:18:37
什么是大功率直流电源?大功率直流电源是各种电子设备都不可缺少的设备，其功能会影响整体产品的使用效果，通常在选择不同功率的电源会根据产品的性能以及要求，大功率直流电源能够很好的为大功率设备供电
2021-12-29 06:52:58
Molex推出下一代高性能超低功率存储器技术
2021-05-21 07:00:24
本文介绍了新一代IHM.B具备更强机械性能的高功率IGBT模块,其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术。首批IHM.B模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3.3kV IGBT3芯片,在保持机械
2010-05-04 08:07:47
导读：LYTSwitch-4控制器能够提供高功率因素和恒流输出，具有优于±5%的恒流性能，适合用于大功率LED驱动。鉴于此，本文提出了一种基于LYTSwitch-4的大功率LED电源解决方案。在
2018-09-27 15:19:32
PrimePACK™是英飞凌推出的最新一代大功率IGBT 模块，它集合了最新的芯片和封装 技术，在大功率场合很受欢迎。光伏逆变器追求高效率，PrimePACK™的芯片和封装技术能 大大降低IGBT 总损耗从而提高光伏
2018-12-07 09:24:53
快速增长的电动汽车市场，安森美半导体推出了许多IGBT、低中高压MOSFET、高压整流器、汽车模块和数字隔离栅极驱动器以及一个用于48V系统的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽车电源
2018-10-25 08:53:48
的问题，20世纪90年代初NPT IGBT被开发出来并由西门子公司率先量产。NPT IGBT采用高阻的区熔硅为衬底材料，在正面工艺完成后将硅片减薄到一定的厚度，再通过背面注入的方式形成P区。和PT
2015-12-24 18:13:54
德州仪器（TI）推出新一代KeyStone II架构
2021-05-19 06:23:29
,尤其适用于高压大功率电力电子装置.目前通用电路仿真软件中还没有专门的IGCT仿真模型,不能满足可靠的仿真性能的要求.基于电力电子器件的物理现象,建立IGCT模型的方法有:功能模型法、电学模型法、集
2010-04-24 09:07:39
经常有客户想要大功率输出的电源芯片，但是又考虑成本过高？我们银联宝有一款U321电源芯片，可以大功率输出，又电路极简，成本低，性能高！具有良好的线性调整率和负载调整率。U321电源芯片是集成
2020-03-18 14:37:05
650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42
系统和24V系统。 12V系统的电源芯片一般可以承受40几V的电压，12V系统选用24V的大功率TVS工作一分钟测试OK 24V系统选用36V的大功率TVS工作一分钟测试ok 电压选高点不会有问题。 深圳安达森，你身边的电子保护专家。专业生产销售ESD防静电电子元器件，TVS,静电保护管。
2014-02-21 10:12:54
在这个频段上提供最大功率，次要特性包括： 规范脉冲间歇格式：100µs,10%DF 出色的输入功率：500W 高功率增益：>11.5dBmin 漏极偏压−Vdd：+65V
2012-12-06 17:09:16
请教一下大神大功率管IGBT(H20T120)怎么检测呢？
2023-05-16 17:15:04
大功率的电子元器件怎么理解？大功率的电子元器件有哪些？
2019-02-15 06:36:33
600V IGBT3，全新芯片具备更出色的关断软度和更高的阻断电压功能。此外，该器件的短路能力大幅增强。而600V IGBT3主要适用于低功率应用或杂散电感很低的高功率应用。650V IGBT4的设计与技术
2018-12-07 10:16:11
近年来变频控制因其节能、静音及低颤动而得到广泛的关注和应用，基于ARM/DSP 的高性能驱动方案为中大功率三相电机提供了高性能、多控制方式的解决方案，其主要应用于对电机控制的性能、实时性方面要求比较
2019-07-09 08:24:02
摘要新一代CoolMOS™ 650V CFD2技术为具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体管将650V的击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极管
2018-12-03 13:43:55
SVF10N65F 650v 10a大功率mos管特征■ 10A,650V,RDs(on)(典型值)=0.8Ω @Vcs=10V■ 开关速度快■ 低栅极电荷量■ 低反向传输电容■ 提升
2022-03-30 15:52:04
供应igbt双极性晶体管650V、75A 大功率igbt开关电源SGTP75V65SDS1P7 ，具有较低的导通损耗和开关损耗，SGTP75V65SDS1P7可应用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等领域，更多产品手册、应用料资请向士兰微代理骊微电子申请。>>
2022-08-02 17:11:03
可控硅、达灵顿、IGBT、MOSFET等大功率模块外形图
（供参考）
2009-07-25 14:45:452146 IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用及原理
通过对功率器件IGBT的工作特性分析、驱动要求和保护方法等讨
2009-10-09 09:56:011851 
IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用研究
IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用。IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET
2009-11-13 15:43:50743 
M57962L驱动大功率IGBT模块时的应用电路
2010-02-18 11:20:464335 
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，这些功率MOSFET改善效率和具有快速开关速度，应用工作电压高达650V, 电流20A。新的TK系列器件适合用于各
2010-03-30 10:37:181447 英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:261672 对大功率IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）的开关特性、驱动波形、驱动功率、布线等方面进行了分析和讨论，介绍了一种用于大功率IGBT 的驱动电路。
2012-05-02 14:50:48
135 大功率IGBT驱动技术的现状与发展
2012-06-06 11:52:236113 
大功率igbt驱动保护电路的功能
2012-07-09 12:02:015212 高压大功率IGBT驱动型号介绍
2012-09-03 18:20:2673 功率、安全性、可靠度和效能差异化半导体解决方案供应商美高森美公司（Microsemi） 宣佈其新一代1200V非贯穿型（non-punch through，NPT）系列的叁款IGBT新产品
2012-09-13 10:08:171624 
致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司（Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC） 扩展碳化硅（SiC）肖特基产品系列，推出全新的650V解决方案产品系列，新型二极管产品瞄准包括太阳能逆变器的大功率工业应用。
2013-10-30 16:09:57856 2014年10月21日，北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以扩充绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:421975 2015年4月，深圳费思科技推出了重磅产品：高性能的大功率可编程直流电源FTH系列。该电源具有目前国际上最先进的技术水平和技术指标，是国产测试测控电源领域的重大突破。
2015-04-08 16:51:371627 IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用及原理，感兴趣的小伙伴们可以看看。
2016-07-26 11:11:0026 意法半导体推出新款M系列650V IGBT，为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,新款M系列650V IGBT，为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案，适用于暖通空调系统（HVAC
2016-11-02 17:19:431958 双路智能大功率IGBT驱动器
2017-03-04 17:50:193 引入IGBT基区存储电荷造成的等效电容及模块封装键合丝带来的寄生电感，考虑反并联PIN二极管行为模型，从而有针对性地实现了完整中电压大功率IGBT模块行为模型。同时提出了新的米勒电容函数拟合方法，量化分析行为模型完整开关过程中典型行为与模型参
2018-03-08 09:21:360 Infineon公司是出界上著名的半导体生产商，其生产的“EUPEC”IGHT在世界范围内占有很大部分份额。其配套生产的EiceDriver系列IGBT驱动器也在工业领域广泛应用。对于大功率IGBT
2019-10-07 14:40:0017895 
前言背景： 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管
2021-03-26 16:40:202349 
IGBT器件的大功率DCDC电源并联技术(通信电源技术2019第七期)-该文档为基于IGBT器件的大功率DCDC电源并联技术总结文档，是一份不错的参考资料，感兴趣的可以下载看看
2021-09-22 12:39:1950 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 
赛米控近期完成了基于成熟大功率三电平IGBT模块并联的功率模组参考设计与测试验证。本文将详细的介绍这款设计。
2023-02-07 09:12:041555 ROHM最近新推出650V耐压IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速开关型）”共21种机型，该系列产品同时实现了业界顶级的低传导损耗和高速开关特性，并大大减少了开关时的过冲。
2023-02-09 10:19:25723 
1700V以下大功率IGBT智能驱动模块使用手册 （采用100%国产化元器件设计） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驱动模块是特别为100%国产化需求企业推出的一款可靠、安全的高性能驱动模块
2023-02-16 15:01:5512 ，自行研制出各种专用的大功率igbt驱动保护电路。本文对这些大功率igbt驱动保护电路进行分类，
并对该电路需要达到的一些功能进行阐述，最后展望此电路的发展。此外本文所述大功率igbt驱动保护电路是指应用于直流母线电压在650v～1000v范围、
输出电
2023-02-24 10:51:3613 润新微电子（Runxin Microelectronics）荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管（FET），该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34693 随着高速铁路、城市轨道交通、新能源汽车、智能电网和风能发电等行业发展，对于高压大功率IGBT模块的需求迫切且数量巨大。由于高压大功率IGBT模块技术门槛较高，难度较大，特别是要求封装材料散热性能更好
2023-04-21 10:18:28728 
SP9683高频准谐振、集成650V氮化镓功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 
骊微电子供应SVF7N65F/T/S650v10a大功率mos管提供svf10n65f电路图，更多产品详细参数、规格书及相关资料请士兰微MOS代理商骊微电子申请。>>
2022-03-30 15:42:475 ，可增强大功率LED的热耗散，提升大功率LED的发光性能和长期可靠性。利用高精度陶瓷基板和纳米银膏材料制备出高性能TEC，TEC冷端温度最低可达-22.2℃。将LED
2023-12-03 08:11:14670 IGBT 作为一种功率半导体器件，广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点，是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势，在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31:35276 
本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管；
2024-03-15 14:26:07188 
近日，国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度刷新业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品
2024-03-16 10:48:19563
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