功率器件产品线主要包括IGBT、MOSFET、晶闸管、二极管与TVS等,其中IGBT集成度最高,结构最复杂,同硅基材料中能承受最高的工作电压,具有最高价值量。目前国外IGBT主要厂商有英飞凌、富士
2020-07-27 10:28:098757 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)已经扩充其短路额定IGBT产品组合,为电机驱动设计者提供更高的效率、功率密度和可靠性,以便支持低损耗和短路耐用性至关重要的三相电机驱动应用
2012-09-10 09:59:45613 飞兆半导体的高电压场截止阳极短路(Shorted Anode) trench IGBT可针对IH电饭煲、台式电磁炉和基于逆变器的微波炉等应用中实现更高的效率和系统可靠性,为设计人员提供经济实惠且高效的解决方案。
2013-01-29 13:48:08793 在IGBT短路时,假设在导通时短路,此时IGBT驱动电压达到稳定高值,就是IGBT已经完全导通,此时刻触发外部电路短路,用示波器查看驱动电压、CE电压和输出电流,变频器在极短的时间内响应后,驱动电压
2024-02-25 11:31:12
和可靠性,因此。如何选择斩波电路和斩波器件十分重要。IGBT是近代新发展起来的全控型功率半导体器件,它是由MOSFET(场效应晶体管)与GTR(大功率达林顿晶体管)结合,并由前者担任驱动,因此具有
2018-10-17 10:05:39
l 华润微
成立时间:1997年
业务模式:IDM
简介:中国最大的功率器件企业之一,主要产品包括以MOSFET、IGBT 为代表的功率半导体产品和以光电传感器、烟报传感器、MEMS 传感器为主
2023-10-16 11:00:14
半导体元器件晶体管领域。功率半导体元器件的特点除了IGBT外,功率半导体元器件(晶体管领域)的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等,它们主要被用作半导体开关。根据其分别可支持的开关速度
2019-05-06 05:00:17
半导体元器件晶体管领域。功率半导体元器件的特点除了IGBT外,功率半导体元器件(晶体管领域)的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等,它们主要被用作半导体开关。根据其分别可支持的开关速度
2019-03-27 06:20:04
点击: 功率半导体器件 &
2008-08-03 17:05:29
电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。可以分为半控型器件
2021-09-09 06:29:58
功率半导体基本开关原理
2011-05-03 22:07:52
`本书主要针对的是半导体使用客户,并把基础理论作了简单的阐述归纳总结。本手册站在用户的角度上,去了解IGBT、MOSFET功率模块以及零散或集成的二极管和晶闸管(可控硅)。详细介绍了它们的基本数
2018-09-06 16:30:02
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET,常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC,常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
功率半导体的工作原理.资料来自网络资源分享
2021-08-06 22:54:59
所在各类半导体功率器件中,未来增长强劲的产品将是 MOSFET 与 IGBT 模块。目前,全球功率半导体市场仍由欧美日企业主导,其中英飞凌以 19%的市占率占据绝对领先地位。全球功率半导体前十名供应商
2022-11-11 11:15:56
近年来,全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类(吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体
2021-07-12 07:49:57
,是复旦大学微电子学院博士、复醒科技创始人&CEO、芯千同集成电路有限公司CEO、上海市新锐创业企业奖获者、上海市互联网+大赛铜奖获得者。他致力于打造半导体行业产学融合数字化平台,平台
2023-06-01 14:52:23
半导体材料半导体的功能分类集成电路的四大类
2021-02-24 07:52:52
功率半导体的热管理对于元件运行的可靠性和使用寿命至关重要。本设计实例介绍的爱普科斯(EPCOS)负温度系数(NTC)和正温度系数(PTC)热敏电阻系列,可以帮助客户可靠地监测半导体元件的温度。
2020-08-19 06:50:50
一个半导体(semiconductor)闸流管通常具有3个电极:一个阳极,一个阴极和一个门(控制电极)。
2019-10-31 09:02:25
并符合最新能源之星规范和 2013 ERP ErP 待机功率规定(ATX 电源和 LCD TV 电源在 0.25W 负载下小于 0.5W 的功耗),飞兆半导体已经开发了若干项创新技术,以提高空载和轻
2012-11-24 15:24:47
2011年第二季录得了强劲的销售增长,达到第二季销售指引的高端。飞兆半导体功率转换、工业及汽车部门 (PCIA) 销售额继续增长7%,这是因为我们增加了生产能力,以便满足工业、汽车和电器客户对高压解决方案
2011-07-31 08:51:14
飞兆半导体推业界领先的高压栅极驱动器IC
2016-06-22 18:22:01
【来源】:《电子与电脑》2010年02期【摘要】:<正>飞兆半导体(Fairchild Semiconductor)针对现今许多视频产品平台逐步淘汰S-video,以及
2010-04-23 11:26:55
,飞兆半导体公司开发了下一代TinyBuck调节器系列产品,由集成式POL调节器组成,包含恒定导通时间的PWM控制器,以及带有高端和低端MOSFET的驱动器。 FAN23xx系列可极大地提升终端用户
2018-09-27 10:49:52
为了应对这些挑战,全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为大、中、小功率范围LED照明应用提供广泛的LED照明解决方案。 飞兆半导体
2011-07-13 08:52:45
效率)。这些栅极驱动光耦合器的峰值工作电压高达 1414V,能够配合高压IGBT。 飞兆半导体是光电子产品的领先供应商,提供广泛的封装平台并集成各种不同的输入和输出配置组合,飞兆半导体提供用于低频
2012-12-06 16:16:33
飞思卡尔半导体飞思卡尔半导体公司正在扩展其 8 位微控制器 (MCU) 系列,新推出的器件是要求低功率操作和高级显示功能的个人诊断和便携式医疗产品的理想之选。作为其液晶显示器 (LCD) S08LL
2019-07-26 06:56:09
为了帮助解决引发温室效应及全球变暖的汽车排放问题,飞思卡尔半导体现已在32位汽车微控制器(MCU)系列中引入集成的排放控制技术。与飞思卡尔其它动力总成微控制器类似,这些MCU帮助减少二氧化碳废气,为新兴市场提供经济高效且精密的引擎控制设计。
2019-06-26 06:01:27
RD-400,参考设计支持将FAN3111C器件纳入用于工业照明应用的离线100W CCCV LED电源的设计中。 RD-400参考设计利用多种先进的飞兆半导体技术,提供完整的LED驱动器解决方案
2019-09-27 08:47:28
RD-400,参考设计支持将FAN7346器件纳入用于工业照明应用的离线100W CCCV LED电源的设计中。 RD-400参考设计利用多种先进的飞兆半导体技术,提供完整的LED驱动器解决方案
2019-09-29 10:05:34
RD-400,参考设计支持将FAN7382器件纳入用于工业照明应用的离线100W CCCV LED电源的设计中。 RD-400参考设计利用多种先进的飞兆半导体技术,提供完整的LED驱动器解决方案
2019-09-29 06:34:48
RD-400,参考设计支持将FSL138MRT器件纳入用于工业照明应用的离线100W CCCV LED电源的设计中。 RD-400参考设计利用多种先进的飞兆半导体技术,提供完整的LED驱动器解决方案
2019-09-27 08:41:49
前言全球知名半导体制造商ROHM利用多年来在消费电子领域积累的技术优势,正在积极推进面向工业设备领域的产品阵容扩充。在支撑"节能、创能、蓄能"技术的半导体功率元器件领域,ROHM
2019-07-08 08:06:01
,功率半导体器件在不断演进。自上世纪80年代起,功率半导体器件MOSFET、IGBT和功率集成电路逐步成为了主流应用类型。其中IGBT经历了器件纵向结构、栅极结构以及硅片加工工艺等7次技术演进,目前可承受
2019-02-26 17:04:37
简单、损耗更小,因此成为高压柔性直流输电领域核心器件。近年来,我国长距离高压柔性直流输电领域发展迅猛,IGBT器件也因此具备十分广阔的应用前景。长期以来,IGBT的核心技术和产业大多为欧美和半导体厂商
2015-01-30 10:18:37
Fairchild可控硅、回收FairchildMOSFET回收FairchildMOS管 回收Fairchild功率MOSFET、回收飞兆电力半导体收购飞兆功率晶体管 收购飞兆功率模块 、收购飞兆IGBT
2020-07-25 16:29:37
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类,元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体,化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍,非常适合
2019-07-29 07:16:49
亚太地区十大半导体供应商排行榜1. 英特尔(Intel) 2. 三星电子(Samsung Electronics) 3. 德州仪器
2008-05-26 14:27:18
直接影响转换器的体积、功率密度和成本。 然而,所使用的半导体开关远非理想,并且由于开关转换期间电压和电流之间的重叠而存在开关损耗。这些损耗对转换器工作频率造成了实际限制。谐振拓扑可以通过插入额外的电抗
2023-02-21 16:01:16
什么是堆叠式共源共栅?低阻抗功率半导体开关有哪些关键特性?低阻抗功率半导体开关有哪些应用优势?
2021-06-26 06:14:32
所在各类半导体功率器件中,未来增长强劲的产品将是 MOSFET 与 IGBT 模块。目前,全球功率半导体市场仍由欧美日企业主导,其中英飞凌以 19%的市占率占据绝对领先地位。全球功率半导体前十名供应商
2022-11-11 11:50:23
所在各类半导体功率器件中,未来增长强劲的产品将是 MOSFET 与 IGBT 模块。目前,全球功率半导体市场仍由欧美日企业主导,其中英飞凌以 19%的市占率占据绝对领先地位。全球功率半导体前十名供应商
2022-11-11 11:46:29
部分客户为判断晶闸管的阻断特性,使用兆欧表对器件进行测试。由于该方法从原理上不能真实反映器件的性能,而且可能对器件具有一定的损坏性,因而一般半导体产品,均不推荐采用兆欧表测试。兆欧表的基本原理是采用
2013-11-11 15:14:11
变速驱动的需求是什么兼顾性能、成本的高压功率半导体驱动IC应用
2021-04-21 07:06:40
价值奖10个、创新突破奖10个、自主品牌奖10个、十佳分销商奖10个、诚信企业奖20个。在此次评选中,华秋电子荣获十佳分销商奖。 长期以来,电子行业呈现“物料采购周期长、采购成本高、工艺及品质管控杂乱
2023-02-27 15:11:40
Fairchild超快二极管回收Fairchild可控硅回收FairchildMOSFET回收FairchildMOS管回收Fairchild功率MOSFET 回收飞兆电力半导体收购飞兆功率晶体管收购飞兆功率模块
2021-04-23 16:25:33
Semiconductor) 为大、中、小功率范围LED照明应用提供广泛的LED照明解决方案。 飞兆半导体解决方案的特点是在单一IC上高度集成各种元件,配合高效和先进的电路拓扑,广泛应用于1W或以
2011-07-15 21:47:14
价值奖10个、创新突破奖10个、自主品牌奖10个、十佳分销商奖10个、诚信企业奖20个。在此次评选中,华秋电子荣获十佳分销商奖。长期以来,电子行业呈现“物料采购周期长、采购成本高、工艺及品质管控杂乱
2023-02-27 14:52:41
公司的主要从事新能源汽车及传统燃油汽车在内的汽车业务、手机部件及组装业务、二次充电电池及光伏业务,并积极拓展城市轨道交通业务领域;而比亚迪半导体主营功率半导体、智能控制 IC、智能传感器及光电半导体
2021-05-14 20:17:31
国货之光!比亚迪半导体IGBT带快速恢复二极管,变频器,逆变器,UPS,焊机,
2022-09-29 19:02:44
法半导体的SLLIMM-nano产品家族新增两种不同的功率开关技术: · IGBT: IGBT: 3/5/8 A、600 V内置超高速二极管的PowerMESH? 和沟槽场截止IGBT
2018-11-20 10:52:44
月初,安森美半导体的Ezairo® 7150 SL混合模块(含Ezairo7100音频处理器和一个蓝牙低功耗无线电),获选为高度觊觎的2016 ECN影响力奖(ECN IMPACT awards
2018-10-23 09:11:52
,以支持在整个低、中和高功率范围的多样化应用。从用于车载媒体应用到空调的器件,到用于内燃机(ICE)、混合动力和纯电动动力系统的高功率方案,安森美半导体正在不断开发新产品,以帮助支持和加速汽车技术
2018-10-30 09:06:50
》和网站IoT Evolution World选为2017物联网演进年度产品奖。安森美半导体早就意识到需要做一些工作,来解决所需的多层次的开发和相关的能力,以激发基于互联设备/对象的云服务潜力。团队
2018-10-29 08:51:36
电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。可以分为半控型器件
2019-03-03 07:00:00
常用的功率半导体器件有哪些?
2021-11-02 07:13:30
,3700,7200, 以及HnK 铝线机;Tester, Handler: 熟悉IGBT Module或者大功率器件测试机。要求:半导体设备维修维护经验3年以上;大专学历;理工科,机械、电子、自动化专业为佳
2014-04-04 14:20:56
了饱和压降和开关损耗。此外,通过运用阳极短路(SA)技术在IGBT裸片上集成反向并联二极管这项相对较新的技术,使得FS IGBT非常适合软开关功率转换类应用。 场截止阳极短路沟道IGBT与NPT
2018-09-30 16:10:52
Conversion;EPC)、GaNSystems与Transphorm等公司。各大功率半导体业者的不同GaN功率晶体管专利(来源:Yole)然而,这一市场也存在整并压力,这一点从英飞凌收购IR、英飞凌
2015-09-15 17:11:46
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
“通过创新,电子系统将使汽车可以自动操作,使其更加安全、舒适和高效”。飞思卡尔半导体汽车及标准产品部亚太地区市场总监Allen Kwang高度评价汽车电子的创新意义。而汽车电子创新显然与动力、底盘、安全、车身、信息娱乐系统发展趋势息息相关。
2019-07-24 07:26:11
Fairchild超快二极管回收Fairchild可控硅回收FairchildMOSFET回收FairchildMOS管回收Fairchild功率MOSFET回收飞兆电力半导体收购飞兆功率晶体管收购飞兆功率
2020-11-02 16:58:26
Fairchild功率MOSFET、回收飞兆电力半导体收购飞兆功率晶体管 收购飞兆功率模块 、收购飞兆IGBT模块、飞收购兆IGBT单管收购飞兆二极管 收购飞兆快恢复二极管 收购 飞兆超快二极管、收购
2020-10-16 16:18:12
与模块类“优秀产品奖” AMIS-49587获2010《电子设计技术》创新奖通信与网络类“优秀产品奖” 获中国《电子元件技术网》选为 “2010年电子元器件(分立半导体类)领军厂商” NCP5680
2014-05-21 10:13:17
集成嵌入式功率半导体在电动车窗中有何应用?
2021-05-14 06:11:55
赛米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半导体模块,该模块目前也可提供三电平拓扑结构。与竞争对手的产品相比,新模块拥有4.9 A/cm2的额定电流
2011-05-06 08:34:24870 《IGBT场效应半导体功率器件导论》以新一代半导体功率器件IGBT为主线,系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识,内容包括器件的原理、模型、设计、制
2011-11-09 18:03:370 功率、安全性、可靠度和效能差异化半导体解决方案供应商美高森美公司(Microsemi) 宣佈其新一代1200V非贯穿型(non-punch through,NPT)系列的叁款IGBT新产品
2012-09-13 10:08:171624 2014-08-29 14:43:3335 来源:罗姆半导体社区 前言 我们说,IGBT的双脉冲实验和短路实验一般都会在一个阶段进行,但是有的时候短路测试会被忽略,原因有些时候会直接对装置直接实施短路测试,但是此时实际上并不是彻底和充分
2022-11-15 16:51:074457 除了IGBT外,功率半导体元器件(晶体管领域)的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等,它们主要被用作半导体开关。
2021-05-24 06:07:0013963 关于IGBT,小编已经写过很多篇文章了。今天主要来讲讲什么是功率半导体?IGBT产品又是如何分类的?与芯片又有哪些不同呢?
2022-03-11 11:22:0414180 我们都知道IGBT发生短路故障时会发生退饱和现象,如图1所示。退饱和后IGBT会承受全母线电压,同时集电极电流也上升至额定电流的5-6倍,因此IGBT发生短路时的瞬时功率是非常大的。
2022-09-26 16:32:583905 举办的“全球电子成就奖”颁奖礼上,比亚迪半导体超级混动DM4.0 IGBT模块 荣膺“年度功率半导体/驱动器”创新产品奖。颁奖典礼上,比亚迪半导体股份有限公司副总经理杨钦耀先生作为代表上台领奖。 比亚迪半导体股份有限公司副总经理杨钦耀先生上台领奖 据悉,全球电子成就奖由
2022-11-14 14:14:081009 适用于感应加热应用的 Fairchilds 第二代场截止、阳极短路、沟槽 IGBT
2022-11-15 20:02:240 功率半导体发展过程在半导体功率器件中,MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件,相比于功率二极管、功率三级管和晶闸管等电流控制型开关器件,具有易于驱动、开关速度快、损耗低等特点,应用前景十分广阔。
2022-11-28 16:18:583931 功率半导体器件也被称作电力电子器件或功率器件,它是具有包括变频、变压、变流、功率管理等功率管理能力的一种特殊开关。在计算机、通信、消费电子、新能源、汽车、工业制造、等领域有着广泛的应用。今天SPEA和大家重点介绍下功率器件中的明星IGBT模块。
2023-02-02 15:07:35559 IGBT在MOSFET基础上升级,市场空间增速快。IGBT作为半导体功率器件中的全控器件,由BJT(双极型三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应
管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
2023-02-15 16:26:3234 IGBT模块可以分为低压(600V以下),中压(600V-1200V)和压(1200V-6700V),IGBT主要用于变频器逆变和其他逆变电路。将直流电压逆变成频率可调的交流电。它有阴极,阳极
2023-02-22 14:29:34900 )双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MetalOxideSemiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432104 什么是igbt短路测试?igbt短路测试平台 IGBT短路测试是针对晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)进行的一种测试方法。IGBT是一种高压高功率
2023-11-09 09:18:291042 功率半导体冷知识之二:IGBT短路时的损耗
2023-12-05 16:31:25240 功率半导体冷知识:IGBT短路结温和次数
2023-12-15 09:54:25311 短路是什么原因造成的 igbt上下桥短路原因 短路是一种电路故障,其特点是电流绕过正常的电路路径,通过一条或多条低阻抗的路径流过。IGBT是一种常见的功率半导体器件,可用于控制和放大电流
2024-02-18 10:08:38330 IGBT应用中有哪些短路类型? IGBT是一种主要用于功率电子应用的半导体器件。在实际应用中,IGBT可能会遭遇多种短路类型。下面,我将详细介绍IGBT应用中常见的短路类型。 1. IGBT内部开路
2024-02-18 10:21:57222 IGBT过流和短路故障的区别 IGBT是绝缘栅双极型晶体管的缩写,是一种半导体功率开关器件。在工业和电力领域广泛应用,常常用于高压、高电流的开关电源和逆变器中。然而,由于各种原因,IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32275 IGBT导通过程发生的过流、短路故障 IGBT导通过程中可能发生的过流、短路故障一直是电力电子领域研究的热点问题之一。IGBT 是一种新型的功率半导体器件,它结合了普通晶体管的低压控制能力和可靠性
2024-02-18 11:14:37247 意法半导体(下文为ST)的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578
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