日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器，其速度比同等光学栅极驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:33
1610 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面贴装封装的新型光隔离式MOSFET驱动器--- VOM1271。
2012-11-13 09:41:202071 两个主要类型的功率晶体管：MOSFET和IGBT非常流行，它们在电源系统设计中已经使用了多年，因此，很容易假定它们之间的差异一直保持不变。本文通过解释最新一代MOSFET和IGBT的工作特性，使用户能够更好地了解最能满足应用需求的最合适的器件类型，并解释了目前的功率晶体管选择的灰色区域。
2016-11-04 20:43:071290 
中高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的领导者Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布可为其SCALE™ IGBT和MOSFET驱动器出厂提供
2018-05-02 14:18:275271 Vishay 推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A，扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装，低压降输出电流损耗仅为3.5 mA，可用于提高逆变器级工作效率。
2019-02-17 09:17:001369 2KV、超高压3KV-5KV）1206封装贴片应用领域：适用于通讯设备之LAN界面；电子安定器（BALLASTER)及背光板逆变器（INVERTER)之应用电路。3、HVC-超高压3KV-5KV1206
2017-08-11 11:57:51
IGBT高压变频调速电源设计提出用于高压电动机变频调速电源需考虑的串联、谐波和效率等几个问题；介绍由全控型电力电子器件IGBT按多重化PWM控制技术构成、目前已商品化的高压变频器，可用于中、高压交流电动机的直接变频调速。[hide][/hide]
2009-12-11 09:32:30
IGBT、MOS驱动器
2019-08-09 16:28:23
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
开关电源，镇流器,高频感应加热,高频逆变焊机，通信电源等等高频电源领域。IGBT集中应用于焊机、逆变器,变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域 。开关电源 (Switch Mode Power
2018-08-27 20:50:45
功率晶体管组成，如双极型晶体管、 MOSFET 或绝缘栅双极型晶体管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型无刷直流电机或步进电机应用中， MOSFET驱动器可用来直接驱动电机。 不过，在本应用笔记中，我们需要的电压和功率较 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
MOSFET和IGBT内部结构不同,于是也决定了其应用领域的不同，今天就让小编带大家一起来了解一下MOSFET与IGBT的本质区别吧~1、由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA
2021-06-16 09:21:55
MOSFET驱动器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一种驱动器最适合您的应用呢？
2021-11-08 06:11:40
额定功率更高的IGBT，VO3120可用于驱动离散功率级，以驱动IGBT栅极。推荐产品：VO3120-X007T；VO3120Vishay其它相关产品请 点击此处 了解特征：最小峰值输出电流
2019-10-30 15:23:17
的老式设计，节约了大量空间。 MOSFET或IGBT作为变流器控制开关，使用隔离驱动器驱动MOSFET或IGBT可以将大电流隔离，还可以保护控制单元免受高压大电流的冲击和避免大功率
2010-09-08 15:49:48
AN1315，用于三相电机驱动的L6386 MOSFET功率驱动器评估板。 L6386，用于三相电机驱动的MOSFET功率驱动器。三相演示板是用于评估和设计高压栅极驱动器L6386的参考套件。用户
2019-07-03 09:22:07
的效率密切相关。 对于门驱动器或者逆变器应用，通常需要选择低输入电容 (利于快速切换) 以及较高驱动能力的MOSFET。 03 IGBT适合高压大电流应用 与MOSFET相比，IGBT开关速度较慢
2022-06-28 10:26:31
FAN7391MX是一款单片高侧和低侧栅极驱动 IC，可驱动工作在高达 +600 V 电压的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管设计用于实现高脉冲电流驱动
2022-01-18 10:43:31
概述：IRS26302DJBPF美国国家半导体公司生产的一款高速功率MOSFET和IGBT驱动器，它把功率MOSFET/IGBT栅极驱动器与三个高侧及三个低侧参考输出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
描述：NCP302045MNTWG在一个封装中集成了 MOSFET 驱动器、高压侧 MOSFET 和低压侧 MOSFET。该驱动器和 MOSFET 适用于高电流 DC−DC 降压功率转换器
2022-02-10 13:07:46
NCP5106BA36WGEVB，NCP5106,36 W镇流器评估板。 NCP5106是一款高压栅极驱动器IC，提供两路输出，用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT，采用半桥配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A.它使用自举技术，以确保正确驱动高端电源开关。该驱动程序使用2个独立输入
2019-10-12 10:31:24
本帖最后由 Sillumin驱动 于 2021-11-23 14:05 编辑
NCP5106是一款高压栅极驱动IC，提供两个输出，用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT，使用自举技术
2021-11-23 13:57:47
NCP5181BAL36WEVB，NCP5181,36 W镇流器评估板。 NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两路输出，用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET，这些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
用于降压配置的典型应用模拟调光用于RT8462高压大电流LED驱动器控制器，用于降压，升压或降压 - 升压拓扑。 RT8462是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高电流LED应用
2019-10-18 08:35:31
用于降压，升压或降压 - 升压拓扑的RT8462高压大电流LED驱动器控制器的降压 - 升压配置的典型应用模拟调光。 RT8462是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高电流LED应用
2019-10-18 08:36:09
用于降压和升压或降压 - 升压拓扑的RT8475高压大电流LED驱动器控制器的升压配置中的典型应用模拟调光。 RT8475是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高电流LED应用
2019-10-18 08:38:44
典型应用降压 - 升压配置中的模拟调光，用于RT8475高压大电流LED驱动器控制器，用于降压和升压或降压 - 升压拓扑。 RT8475是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高电流LED应用
2019-10-16 08:39:41
用于降压配置的典型应用模拟调光用于RT8482高压大电流LED驱动器控制器，用于降压 - 升压或降压 - 升压拓扑。 RT8482是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高电流LED应用。当电流检测放大器阈值为190mV时，LED电流可通过一个外部电流检测电阻进行编程
2019-10-17 07:34:07
典型应用降压配置中的模拟调光，当VIN2超过150V时，用于RT8485高压大电流LED驱动器控制器，用于降压，升压或降压 - 升压拓扑。 RT8485是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高电流LED应用
2019-10-21 08:35:26
具有高脉冲电流缓冲级的设计最小驱动器交叉传导。可用于驱动N通道电源高压侧配置的MOSFET或IGBT工作电压高达200伏。特性：·完全运行至+200 V·栅极驱动电源范围为10 V至20 V·欠压锁定
2021-05-11 19:41:22
具有高脉冲电流缓冲级的设计最小驱动器交叉传导。漂浮的通道可用于驱动N通道电源高压侧配置的MOSFET或IGBT工作电压高达600V。特性：欠压锁定，电压高达600V耐负瞬态电压，dV/dt栅极驱动电源
2021-05-11 19:40:19
驱动器，用于IGBT、MOSFET和2.5A，源和2.5A汇峰值输出电流和5kVRMS加强隔离等级。SLMi350罐驱动低压侧和高压侧功率场效应晶体管。钥匙，特点和特点带来显著的，性能和可靠性升级超过
2021-03-30 18:09:09
本帖最后由 24不可说 于 2018-10-10 08:23 编辑
MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同. 1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上
2017-04-15 15:48:51
电机驱动设计中MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计相关文章资料，大家可以看看，对大家很有帮助！
2021-03-29 16:18:09
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着
2021-01-22 06:45:02
描述TIDA-00195 参考设计包括一个 22kW 功率级以及 TI 全新的增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器 ISO5852S（适用于各种应用中的电机控制）。此设计可对三相逆变器（其中整合了额定
2018-12-27 11:41:40
IGBT没有体二极管或者IGBT内部的续流二极管坏掉了。IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管
2021-03-02 13:47:10
什么是MOSFET驱动器？MOSFET驱动器功耗包括哪些部分？如何计算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
白光LED广泛用于小型液晶显示器(LCD)面板及键盘背光以及指示器应用。高亮度LED则用于手机和数码相机的闪光光源。这些应用需要优化的驱动器解决方案，能够延长电池使用时间、减小印制电路板(PCB)面积及高度。在这些应用领域，常见的LED驱动器方案涉及线性、电感型或电荷泵型不同拓扑结构，各有其特点。
2019-10-18 06:07:32
`最近我在做D类放大。要放大1Mhz正弦波信号，比较用的三角波为10Mhz。需要开关频率能大于20Mhz的mosfet驱动器。请问mosfet驱动器的最高工作频率是由什么参数决定的？有能达到20Mhz以上的mosfet驱动器吗？`
2018-04-11 23:31:46
极驱动器的优势和期望，开发了一种测试板，其中测试了分立式IGBT和SiC-MOSFET。标准电压源驱动器也在另一块板上实现，见图3。 图3.带电压源驱动器（顶部）和电流源驱动器（底部）的半桥
2023-02-21 16:36:47
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可调消隐时间的过流保护。先进的主动箝位保护欠压和过压锁定保护。两个 1 安培脉冲变压器驱动器，用于故障信号通信。IX6611设计用于为高功率开关器件提供栅极驱动
2023-02-27 09:52:17
求教大佬们如何用DSP产生PWM波驱动IGBT的驱动器？代码应该怎么写啊？
2019-01-08 09:15:35
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
最近在逛PIC官网的时候，查找相关应用手册的时候挖到的一篇文章。根据电机控制应用需求选择合适的MOSFET 驱动器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
FAN7382MX 是一款单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7382 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt
2021-12-16 08:48:48
和 –4V 输出电压以及 1W(...)主要特色用于在半桥配置中驱动 SiC MOSFET 的紧凑型双通道栅极驱动器解决方案4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动能力，适用于驱动 SiC
2018-10-16 17:15:55
管子开关影响。 2）低传输延迟 通常情况下，硅IGBT的应用开关频率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推荐应用开关频率大于100kHz，应用频率的提高使得碳化硅MOSFET要求驱动器提供更低的信号
2023-02-27 16:03:36
，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流，同时选用时应该降额使用。额定工作电压、电压波动的范围、最大工作电压决定了IGBT模块的额定电压；驱动器的外壳结构以及排布方式也是IGBT选型的重要考虑因素。原作者：漂流的青春 车载控制器开发及测试
2023-03-23 16:01:54
高压发生器的方法，又具有功率晶体管GP通态电压低、耐压高和电流容量大的优点，为电压控制通断的自关断器件，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于数十kHz频率范围内，功率元件IGBT
2018-11-27 11:04:24
MOSFET/IGBT/SiC-FET，电流高达 100A，运行频率高达 500Khz在通电和断电序列期间，防止 IGBT/FET 出现寄生导通和关断4000 VPK 和 2500-VRMS 隔离层驱动器
2018-09-30 09:23:41
IGBT和MOSFET器件的隔离驱动技术:介绍了绝缘栅大功率器件各种不同的驱动技术以及当前市场上的各类成品驱动器的性能特点。关键词院MOSFET IGBT 隔离驱动 光电耦合器 脉冲变压器
2009-06-20 08:37:46
56 lVO3120 IGBT/MOSFET驱动器：这些2.5A和0.5A的驱动器的供电电压范围为15V～32V，工作温度范围为+40℃～+110℃。
2010-07-02 17:18:43115 Vishay推出具有最高32V电源电压的新款IGBT和MOSFET驱动器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出两款新型IGBT和MOSFET驱动器，丰富了其已
2009-07-01 09:30:55556 单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117
IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
MAX15054 高边MOSFET驱动器，用于HB LED驱动器和DC-DC应用
概述
MAX15054是高边、n沟道MOSFET驱动器，高压应用中可工作在较高的开关频率
2010-01-28 08:43:041653 
Maxim推出用于高压系统的高边MOSFET驱动器MAX15054
Maxim不久前推出用于高压系统的高边MOSFET驱动器MAX15054。该器件能够为需要采用降压或升降压拓扑结构、但不带必需的高
2010-02-01 10:03:00637 高能应用领域将广泛采用Vishay液钽电容器
2010-05-24 18:12:03705 高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。
2011-12-17 00:02:004947 
器件的高度为2.5 mm，具有高隔离电压，可用于电机驱动、可替代能源和其他高压应用
2015-05-28 16:23:57798 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 集成的LLC控制器、高压功率MOSFET及驱动器设计，感兴趣的可以看看。
2016-05-11 18:00:0830 介绍目前高压隔离驱动器应用领域及三种实现类型。
2016-06-08 16:28:143 的栅极驱动要求等。与在这种设计中正式使用的双极晶体管相比，IGBT在驱动电路的尺寸和复杂度上都有相当大的降低。最近在IGBT开关速度的改进取得了设备适用于电源的应用，因此IGBT将与某些高电压MOSFET以及应用。许多设计者因此转向MOSFET驱动器以满足其
2017-07-04 10:51:0522 高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。高压MOSFET驱动器电路：
2017-10-19 16:02:3723 Power Integrations这家为中高压变频器应用提供闸极驱动器技术的领导厂商，宣布出厂保形涂层用于其SCALE IGBT和MOSFET驱动器。保形涂层透过保护电子元件免于接触污染物(例如
2018-05-07 08:28:011132 到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲器级，用于最小驱动交叉导通。该浮动通道可用于驱动从10到600伏特的高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT。
2018-07-17 08:00:00175 熟练掌握高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计
2018-08-16 00:24:004344 IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。
2019-01-16 09:24:549203 
。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，设计用于最小驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600伏。
2019-03-28 08:00:0022 通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394941 
中高压逆变器应用领域门极驱动器技术的创新者Power Integrations推出1SP0351 SCALE-2™单通道+15/-10V即插即用型门极驱动器，新产品专为东芝、Westcode和ABB
2020-03-05 14:27:583783 兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压为10到600伏。
2020-04-28 08:00:0049 CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，设计用于最小驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600伏。
2020-07-21 08:00:0065 本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、导通和关断、功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路
2021-06-14 03:51:003144 
本应用笔记介绍了MOSFET / IGBT驱动器理论及其应用。该文档介绍了MOSFET和IGBT技术，驱动器的类型，隔离技术以及MOSFET / IGBT驱动器的IXYS系列以及一些实际考虑因素
2021-05-26 17:04:022922 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-01-28 08:13:3820 L6390是采用BCD“离线”技术制造的高压设备。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。
2021-03-12 10:05:152225 
150V 快速高压侧受保护的 N 沟道 MOSFET 驱动器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:129 SLM7888是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高低压侧参考输出通道，用于三相应用。
2021-03-26 10:33:0676 MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。
2022-02-15 14:23:261103 
LN4303 是一款基于悬浮衬底和 P_EPI 工艺的200V 高压半桥驱动器，具有高低边输出，用来驱动半桥电路中的两个高压大功率 MOSFET 或 IGBT。
2022-07-13 16:42:036433 
MOSFET及
IGBT栅极驱动电路的引脚排列内部结构、工作原理、主要技术参数和应用
技术。书中不但给出多种以这些驱动器集成电路为核心单元的典型电力电
子变流系统专用驱动控制板的应用实例而且对这些具
2022-08-13 09:21:390 （碳化硅）MOSFET等高压功率器件。 栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ29300
2023-02-02 11:10:02906 瑞萨电子推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。
2023-02-03 14:59:11314 ID7S625高压高低侧栅极驱动芯片是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率的MOSFET和IGBT栅极驱动器，广泛应用于DCDC转换器、功率MOSFET和IGBT驱动、DC/AC转换器等领域
2023-03-01 11:02:141 IGBT应用领域和IGBT烧结银工艺自20世纪80年代末开始工业化应用以来，IGBT发展迅速，不仅在工业应用中取代了MOS和GTR，还在消费类电子应用中逐步取代了BJT、MOS等功率器件的众多
2022-04-13 15:33:13695 
为满足汽车市场对产品可靠性和安全性的需求，数明半导体近期推出车规级高压、高速MOSFET/IGBT驱动芯片SiLM21814-AQ，该产品通过AEC-Q100认证。600V,2.5A/3.5A的高低
2023-06-27 14:56:17510 在电机驱动系统中，栅极驱动器或“预驱动器” IC常与N沟道功率MOSFET一起使用，以提供驱动电机所需的大电流。在选择驱动器IC、MOSFET以及某些情况下用到的相关无源元件时，有很多需要考量的设计因素。如果对这个过程了解不透彻，将导致实现方式的差强人意。
2023-08-02 18:18:34808 
在现代工业领域，伺服驱动器是一种关键的电气装置，它在机器控制和运动控制系统中发挥着至关重要的作用。无论是工业机器人、数控机床还是自动化生产线，伺服驱动器都是实现精准位置控制和高效运动控制的关键组件。本文将介绍伺服驱动器的工作原理、应用领域以及在现代工业中的重要作用。
2023-08-21 17:34:022333 igbt的应用领域有哪些 IGBT是一种检测电压的器件，它可以用于许多应用领域。本文将介绍IGBT的应用领域，并对每个领域进行详尽的探讨。 1. 电力电子设备 IGBT被广泛应用于电力电子设备
2023-08-25 15:03:263060 电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 MOSFET和IGBT内部结构不同，决定了其应用领域的不同。
2023-11-03 14:53:42500 
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
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