全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）和英飞凌科技（Infineon Technologies）宣布，两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系，扩展协议将包括5x
2012-02-10 09:07:56
529 英飞凌科技推出全新600V CoolMOS P6 产品系列，专为提升系统效率及易于使用所设计，补足了专注提供顶尖效能（CoolMOS CP）及强调使用方便性（如 CoolMOS C6 或 E6）两者之间的技术区间。
2012-11-13 08:54:331678 英飞凌科技公司将“全球首次”使用口径300mm的硅晶圆制造功率半导体。具体产品是有超结（Super Junction）构造的功率MOSFET“CoolMOS系列产品”，由奥地利菲拉赫工厂生产。
2013-02-25 08:53:001733 英飞凌CE系列CoolMOS 是英飞凌公司专为消费类电子产品和照明产品推出的高压功率MOSFET。##该案例为一款全球输入范围的15W充电器。##接下来介绍CE系列CoolMOS产品应用于LED球泡灯驱动器的案例。
2015-03-24 13:50:073701 更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS™ P7系列的新成员950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:536079 Teledyne e2v是Teledyne Technologies旗下公司，同时也是成像解决方案领域全球创新者，它借助新推出的1100万像素检测器，进一步扩充了Lince系列图像传感器。
2019-04-15 11:37:451247 OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。
2020-11-04 11:20:371482 安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增博通全新系列微型光谱仪及相关评估套件，进一步扩充其测试与测量产品阵容。新增系列产品让现场工程师与实验室工程师只需通过e络盟即可便捷地购买到业内一流的光谱仪，均可当日发货。
2022-01-18 13:51:18600 
【 2023 年 5 月 12 日，德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌
2023-06-06 11:01:361028 
。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431207 
：IFNNY）顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率
2023-12-12 18:04:37494 
：“英飞凌多年来一直引领着功率半导体的发展，致力于进一步提高电源管理效率，是一个值得信赖的合作伙伴。借助英飞凌的功率半导体器件，我们能够将三种应用整合到一个系统中，向着绿色能源的发展目标迈出了一大步
2022-08-09 15:17:41
近日，***进一步削减其2013年上网电价补贴，削减幅度为9.23%至11.88%，而同时将其太阳能发电装机容量目标提高30%。 据***媒体报道，***经济部能源局（BureauofEnergy
2012-12-04 19:50:52
的电压应力，可以采用更低的电压MOSFET从而减少成本。5．无需输出电感，可以进一步降低系统成本。6．采用更低电压的同步整流MOSFET， 可以进一步提升效率。3.LLC 电路的基本结构以及工作原理图1
2018-12-05 09:56:02
你好E4406A有问题----当我启动时 - 设备按我的意愿启动自动对齐，但是当它达到adc对齐时它不会更进一步。根本没有消息。可以用abort终止它，并且分析仪似乎正常工作---- ??我可以用
2018-12-28 16:06:57
的设计而言，它大幅降低了MOSFET导通电阻，并保持了出色的开关性能。 英飞凌推出的OptiMOS 3系列进一步改进了设计，使更高电压等级的器件能够受益于这种技术。在150 V 至250 V的电压
2018-12-07 10:21:41
某一个30A单相的设计实例，进一步阐明这些概念。 计算MOSFET的耗散功率 为了确定一个MOSFET是否适合于某特定应用，你必须计算一下其功率耗散，它主要包含阻性和开关损耗两部分
2023-03-16 15:03:17
进一步减小，甚至消除。 结论 如今，新一代的40V和60V MOSFET可使设计工程师设计出更高功率密度的产品。开关性能的优化可使许多应用选用一个更低电压等级的MOSFET，从而全面优化通态电阻、成本
2018-12-06 09:46:29
进一步减少所需的组件。 凭借英飞凌50V LDMOS功率晶体管技术，PTVA127002EV展现出了极高的能效：利用300微秒10%占空比脉冲进行测量，在1200 MHz~1400 MHz波段下
2018-11-29 11:38:26
及设备用电安全的需要，更进一步提高电源的可靠性，及时发现供电隐患，提高设备的运行寿命，对电源进行在线管理已经成为普遍的需求。针对早期的UPS电源的RS232标准，已经无法满足目前计算机硬件及软件技...
2021-12-28 08:05:27
进一步理解量子力学经典理论与应用 多方面丰富相关图表为了进一步深入理解量子力学理论经典及其应用，从多个方面丰富内容，附图页码一致，符合国际标准。声学，声波自然现象，以及经典原子理论的应用等对理解量子力学经典之波的概念有益。大湾区2020-8-2
2020-08-02 07:05:50
让我们进一步聆听大师对量子力学归属的现代物理的解说，及其常用图表iii（待续3）“现代物理”术语通常指的是二十世纪物理学快速的概念发展。相对的，在1900年之前艰辛地发明的所有的物理学都标记
2020-06-28 17:48:16
已经在友好的ARM中开发了android布局，以显示M24LR内存中的温度和消息。我想知道如何进一步开发工作应用程序。 是CR95HF DLL文件有帮助吗。 我们检查了PC软件，NFC＆amp; amp;的可用代码。数据记录器应用程序。#software＃raspberry-pi＃cr95hf
2019-08-22 11:10:49
适合对C语言有一定基础积累的童鞋 想进一步学习C语言的 可以看哈
2012-09-10 22:26:29
专家：1、这个指标的纹波是否在设计许可的范围之内？在一般情况下，DC-DC电源转换的纹波在一个什么范围内可以认为是正常的？2、从原理图上，pcb图上，这个设计是否还能够进一步优化降低纹波？还请指出。
2014-10-28 15:59:25
我有一个设计，生成一堆以下消息：错误：包：1107- 包无法将下面列出的符号组合成单个IOB组件，因为所选的站点类型不兼容。但他们没有进一步的信息说明哪些符号。我还有一堆尚未连接的符号。是否由于断开
2018-10-15 11:45:18
功率放大器的需求将进一步提高。RF 功率 MOSFET在无线电通讯领域也有应用，其频率已延伸至低微波段且输出功率可达百W以上。它同时也应用于电视(特别是数字电视)功率放大器、雷达系统和军事通讯中。随着
2019-07-08 08:28:02
SOP位移传感器防水功能将进一步提高位移传感器应用的行业越来越广，使用的环境也是各种各样，SOP位移传感器有些系列可以适用于潮湿、油污、灰尘等各种恶劣环境，但是有好些客户问咱们的位移传感器防水
2019-08-20 16:40:48
有什么方法可以进一步降低待机模式的功耗
2023-10-12 07:23:28
你好，我有一个小问题。我使用100m时钟芯片。每个时钟只有10ns，ad9106寄存器的最小输出波形只有100Hz。如何将波形频率设置为进一步降低到10Hz？我已将配置设置为相关寄存器的最大值。拍
2023-12-01 06:12:19
借这个机会，申请这块开发版，便于日常学习，而且我即将大四了，希望用这块开发版能更进一步的学习，一则方便之后的课设，二则便于找工作，三则嵌入式也是自己敢兴趣。衷心希望能获得这次机会，谢谢。项目描述：之前
2015-06-24 17:06:36
【OK210试用体验】u-boot篇 -- u-boot进一步定制 从u-boot单板的自定义，到SPL的移植，都还没有完全定制出自己的S5PV210单板信息，还是掺杂着S5PC100
2015-09-07 11:38:52
项目名称：进行进一步学习和研究试用计划：此前一直从事单片机开发，想进一步深入学习各种MCU，看到有此活动，特来申请。也为下一步项目无人机摄像头驱动选择合适的芯片。
2020-04-23 10:36:17
【单片机开发300问】怎样进一步降低功耗功耗，在电池供电的仪器仪表中是一个重要的考虑因素。PIC16C××系列单片机本身的功耗较低（在5V，4MHz振荡频率时工作电流小于2mA）。为进一步降低
2011-12-07 13:59:56
/DC开关电源的设计开发。2009年加入英飞凌科技（中国）有限公司。任系统应用工程师，负责英飞凌功率半导体器件的应用和方案推广。演讲內容介紹：英飞凌新的OptiMOS产品为MOSFET分离器件设立了一个
2012-07-13 10:50:22
初学linux，安装了Ubuntu系统界面，请教该如何进一步快速学习，大家有什么好的初学的资料分享一下，谢谢啦
2015-08-24 18:39:29
初学者除了学好书本上的基本知识外，如何能进一步学习Protel
2017-03-03 09:19:29
国内第一颗量产超结MOS（可替代英飞凌coolmos）大家好！我司是国内专业设计大功率MOS器件的公司。现我司已经实现了SJ-MOS的量产，可替代英飞凌的coolmos。这是我公司的网址
2011-01-05 09:49:53
（使用FPGA引脚和DAC）任何人都可以给出一些答案如何进一步使用以上两个文件查看DSO上的输出 提前感谢你Counter.v 3 KB以上来自于谷歌翻译以下为原文Hello to all
2019-07-03 08:41:24
各位大侠好，最近公司要求将CC2640R2模块的功耗进一步缩减，我应公司要求做了一个最简电路，目前外围电阻、电位器、LED等繁杂的元件已尽数砍掉，现在测量出仅中心的绿板CC2640R2模块待机功耗在
2019-10-21 10:02:32
如何进一步加强对RFID的安全隐私保护？
2021-05-26 06:09:27
时间为9:00到11:00），也可以刷卡打开闸机。闸机配有发卡器和读卡器。请问附件中的通讯协议是属于TCP/IP协议吗？如果方便远端的计算机控制闸机，是不是要进一步封装附件中的通讯协议呢？例如，建立一个
2017-12-08 00:26:24
GN1302 晶振引脚连接 2 个 30pf 电容，每天大约慢 4 秒，如何进一步提高精度?时钟每天慢 4 秒是因为晶振的外部负载电容过大，即 30pf 电容过大。如果使用的晶振的负载电容参数为
2022-12-29 17:36:43
一、引言内存是嵌入式系统中的关键资源，内存占用主要是指软件系统的内存使用情况。本篇博客将介绍如何分析内存使用以便进行进一步优化内存占用相关的基础概念和相关工具。二、内存占用内存占用是应用程序运行时
2021-12-15 06:05:33
如何让计算机视觉更进一步接近人类视觉？
2021-06-01 06:27:08
传感器为震动速度传感器，待提取信号频率0.1~200Hz ,幅度几十uV，原来采用AD620放大，现在希望进一步降低功耗与噪声，采用什么片子好？
2018-10-25 09:25:24
网络时间协议NTP是什么意思？NTP授时的原理是什么？怎样去进一步提高NTP的授时精度呢？
2021-11-01 07:12:40
、电视手机。这些采用多种RF技 术的手机在提供便利的同时也使得手机的设计变得复杂，如何进一步集成射频元件也变得至关重要。
2019-08-27 08:33:19
及2006年推出了OptiMOS、OptiMOS2、OptiMOS3，；在1998年推出第一顆以SuperJunction技術為核心的CoolMOS S5系列，一舉將600V功率晶體的最低導通電阻降至190m
2018-12-05 09:46:52
基于“中国制造2025”，业界已加大投入发展先进制造业，以实现互联网、大数据、人工智能和实体经济的进一步融合，并建立世界级先进的制造业集群，推动国家产业迈向全球价值链的中高端。作为电子元器件与开发
2018-09-05 10:53:24
级放大再加给AD7714时，测得人分辨率还要低一些。由于是用干电池得到AD7714的输入信号，该信号相对来说很稳定，而且板上的噪声也不是太大。请问各位大虾，还有什么方法可以进一步提高AD7714的分辨率啊？不胜感激！
2023-12-25 06:33:32
C6748通过摄像头采集的图像如何进一步处理，比如如何导入到MATLAB里面处理？？
2018-07-25 06:23:56
如何进一步减小DTC控制系统的转矩脉动？
2023-10-18 06:53:31
%。这非常有望进一步实现应用的高效化和小型化。全SiC功率模块的产品阵容扩充下表为全SiC功率模块的产品阵容现状。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的产品阵容中也增添了
2018-12-04 10:11:50
e络盟日前宣布推出新型恩智浦FRDM-K82F开发板，进一步丰富其面向基于ARM Cortex-M4内核的Kinetis K82、K81及K80 MCU系列高性能、低功耗及安全微控制器
2018-09-17 17:41:34
英飞凌欲借新一代超结MOSFET树立硬开关应用基准
英飞凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET产品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP两个产品系列的优势，可降低设
2009-06-23 21:17:44594 Altera增强MAX II系列，进一步拓展其CPLD应用
Altera公司宣布，提供工业级温度范围以及功耗更低的MAX IIZ器件，从而进一步增强了MAX II CPLD系列。MAX IIZ CPLD完美的结合了逻辑
2009-11-05 09:53:581283 英飞凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飞凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统
2010-01-26 09:22:57827 英飞凌推出25V OptiMOS调压MOSFET和DrMOS系列
为提高计算和电信产品的能效，英飞凌科技股份公司近日宣布，公司将在2010年应用电力电子会议和产品展示
2010-03-01 11:20:47731 英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:261672 基于英飞凌适用于功率MOSFET的功能强大的第二代沟槽技术，OptiMOS-T2器件成为大电流汽车电机驱动应用、电动助力转向（EPS）系统和汽车启停系统的理想解决方案。
出于成
2010-08-09 09:08:22557 英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步
2011-09-13 08:33:16692 英飞凌科技推出采用先进沟槽技术制程的最新单一P通道40V汽车电源MOSFET系列产品。新型40V OptiMOS P2产品为提升能源效率、减少CO2排放及节省成本设立新的基准
2011-09-28 19:35:41648 飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布进一步扩展封装兼容合作伙伴关系，扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。
2012-02-09 09:18:22807 全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司 （Fairchild Semiconductor）和英飞凌科技（Infineon Technologies）宣布，两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系，扩展协议将包括5
2012-02-17 10:53:56686 2015年3月24日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）今日推出了OptiMOS™ 5 25V和30V产品家族，它们是采用标准分立式封装的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081313 世强作为中国本土最知名的元件分销商，进芯电子专注数字信号处理芯片研发。据报道，世强宣布与进芯电子达成代理协议，进一步扩充产品线，销售其全线产品。
2018-02-03 10:57:011262 英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）进一步壮大1200 V单管IGBT产品组合阵容，推出最高电流达75 A的新产品系列。TO-247PLUS封装同时还集成
2018-05-18 09:04:001989 20世纪80年代末期和90年代初期发展起来的以功率MOSFET和IGBT为代表的集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件，表明传统电源技术已经进入现代电源技术的新兴时代。详细介绍了英飞凌公司
2018-06-26 16:48:007652 东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET，新器件进一步提高电源效率。在这个连小学生做作业都讲求高效率的年代，还有什么是高效率不能解决的呢？
2018-09-13 15:54:155102 SuperSO8封装：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封装，堪称封装界的best-in-class级别，相比于TO-220封装，SuperSO8将在减少封装电感的基础上进一步增大功率密度、减少漏源电压V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:174535 
Qorvo®， Inc.（纳斯达克代码：QRVO）宣布收购专注于UWB定位技术的企业Decawave，进一步扩充公司的产品线。
2020-02-25 11:23:142539 英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET，标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。
2022-02-15 13:51:382073 
英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）将显著扩大宽禁带（碳化硅和氮化镓）半导体的产能，进一步巩固和增强其在功率半导体市场的领导地位。
2022-02-21 16:47:15835 OptiMOS 已经成为采用英飞凌独特技术的中低耐压 MOSFET 的商标，有多种耐压、RDS(on)、封装，适用于汽车和消费类应用。英飞凌在功率半导体领域的市场占有率位居全球第一，特别是在汽车
2022-08-19 15:05:053319 CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。
2022-09-30 17:09:321182 使用 OptiMOS™ 6 MOSFET 优化电源设计
2022-12-29 10:02:53785 
英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。
2023-06-26 13:10:00302 
采用OptiMOS 7 技术的40V车规MOSFET产品系列，进一步提升比导通电阻，减小RDSON*A，即在同样的晶圆面积下实现更低的RDSON，或者说在更小的晶圆面积下实现相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678 
提供商适用于各大汽车品牌。此次收购进一步增强了英飞凌在安全智能访问、精确定位和增强传感方面的产品系列。英飞凌现在将UWB添加到其连接范围中，包括Wi-Fi、Bluetooth®/Bluetooth® 低功耗和NFC解决方案。第一组物联网用例包括安全访问和身份验证、准确位置跟踪和室内导航，以及利用
2023-10-12 17:25:42299 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
【 2024 年 2 月 28 日，德国慕尼黑讯】 为实现有雄心的增长目标，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正进一步强化其销售组织。自3月1日起，英飞凌的销售
2024-03-01 16:31:3078 
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