在本系列的前几篇文章中[1-7],我们介绍了基于安森美丰富的SiC功率模块和其他功率器件开发的25 kW EV快充系统。
2022-06-29 11:30:505045 SiC(碳化硅)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。表1-1显示了每种半导体材料的电气特性。SiC具有优异的介电击穿场强(击穿场)和带隙(能隙),分别是Si的10倍和3倍。此外,可以
2022-11-22 09:59:261373 IGBT和碳化硅(SiC)模块的开关特性受到许多外部参数的影响,例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。
2024-03-08 10:11:40505 为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度 SiC 功率模块的需求,进行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全桥 SiC 功率模块设计与开发,提出了一种基于多叠层直接键合铜单元的功率模块封装方法来并联更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 科锐推出新型SiC功率模块产品系列,为电动汽车快速充电和太阳能市场提供业界领先的效率。
2021-01-14 15:23:001319 中国上海, 2023 年 8 月 29 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出业界首款[1]2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块---“MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:26:55903 进一步实现小型化。开关损耗大幅降低,可进一步提升大功率应用的效率ROHM利用独有的内部结构并优化散热设计开发出新型封装,从而开发并推出了600A额定电流的全SiC功率模块产品。由此,全SiC功率模块在工业
2018-12-04 10:20:43
【译者注】本文作者 Matt Watson 已经写了超过 15 年的代码,也由此总结出了提升 10 倍效率的三件事。Matt 表示,一个 10 倍效率的开发人员很快就知道了他们需要做什么,要问
2017-10-14 17:35:54
充电系统却一直在研发中,今天我们就来了解一款全SiC功率器件的车载无线充电系统。今天介绍的这个研究是一款全SiC功率器件的车载无线充电系统,功率为50KW,载波频率为85KHz,功率密度为9.5KW
2021-04-19 21:42:44
与IGBT相比,SiC MOSFET具备更快的开关速度、更高的电流密度以及更低的导通电阻,非常适用于电网转换、电动汽车、家用电器等高功率应用。但是,在实际应用中,工程师需要考虑SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
家公司已经建立了SiC技术作为其功率器件生产的基础。此外,几家领先的功率模块和功率逆变器制造商已为其未来基于SiC的产品的路线图奠定了基础。碳化硅(SiC)MOSFET即将取代硅功率开关;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展,性能有望进一步提升。从下一篇开始,将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点,但SiC-MOSFET在整体上具有优异的特性。< 相关产品信息 >MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍,所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此,在相同的耐压值
2019-04-09 04:58:00
SiC-MOSFET-SiC-MOSFET的应用实例所谓SiC-MOSFET-SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模块所谓全SiC功率模块全SiC功率模块的开关损耗运用要点栅极驱动 其1栅极驱动 其2
2018-11-27 16:38:39
新型和未来的 SiC/GaN 功率开关将会给方方面面带来巨大进步,从新一代再生电力的大幅增加到电动汽车市场的迅速增长。其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电压和更高效率,将有助于实现更紧
2018-10-30 11:48:08
通时产生的Vd振铃、和低边SiC-MOSFET的寄生栅极寄生电容引起的。全SiC功率模块的开关速度与寄生电容下面通过与现有IGBT功率模块进行比较来了解与栅极电压的振铃和升高有关的全SiC功率模块的开关
2018-11-30 11:31:17
电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗,通过改用SiC功率模块可以明显减少,因此具有以下效果:开关损耗的降低,可以带来电源效率的改善和散热部件的简化(例:散热片的小型化,水冷/强制风冷的自然风冷化
2019-03-25 06:20:09
。例如,SiC功率模块的尺寸可达到仅为Si的1/10左右。关于“高速工作”,通过提高开关频率,变压器、线圈、电容器等周边元件的体积可以更小。实际上有能做到原有1/10左右的例子。“高温工作”是指容许在
2018-11-29 14:35:23
二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍,所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此,在相同的耐压值
2019-05-07 06:21:55
Dielectric Constant: εS11.89.712.89.5p. n Control○○○△Thermal Oxide○○××2. 功率器件的特征SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍,因此与Si器件
2019-07-23 04:20:21
电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗,通过改用SiC功率模块可以明显减少,因此具有以下效果:开关损耗的降低,可以带来电源效率的改善和散热部件的简化(例:散热片的小型化,水冷/强制风冷的自然风冷化
2019-05-06 09:15:52
要的参数都非常优异。由于其绝缘击穿场强比Si高约10倍,因此确保耐压所需的膜的施主(donor)浓度高,膜厚可以做到很薄,从而可实现单位面积的电阻非常低的高耐压产品。其效果是可实现高耐压且高速开关性能优异
2018-12-03 15:12:02
LPC11C00宣传页:业界首款集成CAN收发器微控制器解决方案
2022-12-08 07:07:09
SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。关于这一点,根据这之前介绍过的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特点与性能,可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
ROHM为参战2017年12月2日开幕的电动汽车全球顶级赛事“FIAFormula E锦标赛2017-2018(第4赛季)”的文图瑞Formula E车队提供全SiC功率模块。ROHM在上个赛季(第
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍,开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。全SiC功率模块的开关损耗全SiC功率模块与现有
2018-11-27 16:37:30
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V为驱动器的电源。电路中增加了CGS和米勒钳位MOSFET,使包括栅极电阻在内均可调整。将该栅极驱动器与全SiC功率模块的栅极和源极连接,来确认栅极电压的升高情况
2018-11-27 16:41:26
%。 图 1:模块和系统电感及其对 MOSFET 关断期间瞬态过电压的影响 在40kHz以上,SiC MOSFET可能是最佳选择,但给功率模块和系统设计带来了挑战。快速开关会产生陡峭的电流斜率和高di
2023-02-20 16:29:54
与Si的比较开发背景SiC的优点SiC-SBD(肖特基势垒二极管)与Si二极管比较采用示例SiC-MOSFET与各种功率MOSFET比较运用事例全SiC模块模块的构成开关损耗运用要点SiC是在热、化学
2018-11-29 14:39:47
的开关电源电路相同。另外,SiC-SBD不产生短脉冲反向恢复现象,因此PWM控制无需担心短脉冲时的异常浪涌电压。不仅有助于提高逆变器和电源的效率,还可实现小型化,这是全SiC功率模块的巨大优势。由
2018-12-04 10:14:32
全新CMSIS-NN神经网络内核让微控制器效率提升5倍
2021-03-15 06:55:09
cacheability的1.2倍(比全部在L2中多了EDMA启动开销)左右,感觉这个提升幅度有低。理想情况EDMA搬移数据到L2中计算,其效率应该是在开启DDR2 cacheability的效率的几倍?谁能解释下这个没有大幅的效率提升可能是什么原因。
2018-06-22 07:56:22
半导体的关键特性是能带隙,能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙(WBG)可以实现更高功率,更高开关速度的晶体管,WBG器件包括氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管,旨在满足P波段雷达系统的独特需求。它在整个420-450 MHz频率范围内运行。 在100毫秒以下,10%占空比脉冲条件
2021-04-01 10:35:32
技术领域都拥有强大的优势,双方保持着技术交流并建立了合作关系。今后,通过将ROHM的SiC功率元器件和控制技术与Apex Microtechnology的模块技术完美结合,双方将能够提供满足市场需求的出色的功率系统解决方案,从而持续为工业设备的效率提升做出贡献。
2023-03-29 15:06:13
。特别是对于负责进行通信管理的数据中心而言,其服务器的小型化和效率提升已经成为困扰各制造商的技术难题。在这种背景下,SiC功率器件因其有助于实现电源部分的小型化和高效化而备受期待。Dr.
2023-03-02 14:24:46
项目名称:全SiC MMC实验平台设计——功率子模块驱动选型试用计划:申请理由本人在电力电子领域有三年多的学习和开发经验,曾设计过基于半桥级联型拓扑的储能系统,通过电力电子装置实现电池单元的间接
2020-04-21 16:02:34
%提升到了97.3%。图5功率损耗对比5、结论新的APS系统采用了最新的1.2kV全SiC功率模块,凭借其低损耗、高工作温度等特点,器件的开关频率得以提高。在本设计中,作者考虑到了高开关频率可以使滤波
2017-05-10 11:32:57
我国“新基建”的各主要领域中发挥重要作用。
一、 SiC的材料优势
碳化硅(SiC)作为宽禁带材料相较于硅(Si)具有很多优势,如表1所示:3倍的禁带宽度,有利于碳化硅器件工作在更高的温度;10倍
2023-10-07 10:12:26
腾讯云存储,正在形成面向未来的蓝图。在5月10日腾讯云存储产品战略发布会上,腾讯云一次性发布了业界首款十微秒级的极速型云硬盘、业界首款突破百GB 吞吐的文件存储、以及业界首创能够10倍提升...
2021-07-12 07:35:21
要充分认识 SiC MOSFET 的功能,一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍,具有更高的电流密度,能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58:36
电压,从而成为可通过以往的分立结构很难实现的高精度来控制DC风扇电机旋转速度的业界首款*电源IC。集成为IC后使控制进一步优化,不仅效率大幅提升,还可减少部件数量、提高开关速度,实现外围元器件的小型化
2018-12-04 10:18:22
介绍了采用商用1200V碳化硅(SiC)MOSFET和肖特基二极管的100KHz,10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超低开关损耗使得开关频率在硅实现方面显着增加
2019-05-30 09:07:24
望尝试运行SiC元器件的各位、希望提高开发效率的各位使用我公司的评估板。请参考ROHM官网的“SiC支持页面”。SCT2H12NZ:1700V高耐压SiC-MOSFET 重点必看< 相关产品信息 >SiC-MOSFETAC/DC转换器全SiC功率模块
2018-12-04 10:11:25
设计方面,SiC功率模块被认为是关键使能技术。 为了提高功率密度,通常的做法是设计更高开关频率的功率转换器。 DC/DC 转换器和应用简介 在许多应用中,较高的开关频率会导致滤波器更小,电感和电容值
2023-02-20 15:32:06
模块市场主要额定电流范围100A~600A的全SiC模块产品。利用这些模块,可大幅提升普通同等额定电流IGBT模块应用的效率,并可进一步实现小型化。封装的内部电感值大幅降低电流额定较大的功率模块中,封装
2018-12-04 10:19:59
作为应用全SiC模块的应用要点,本文将在上一篇文章中提到的缓冲电容器基础上,介绍使用专用栅极驱动器对开关特性的改善情况。全SiC模块的驱动模式与基本结构这里会针对下述条件与电路结构,使用缓冲电容器
2018-11-27 16:36:43
德州仪器推出业界首款超低功耗 FRAM 微控制器开发人员藉此可让世界变得更加智能MSP430FR57xx FRAM 微控制器系列可为开发人员带来高达100倍的写入速度增幅及250倍的功耗降幅,因而
2011-05-04 16:37:37
怎么实现基于业界首款Cortex-M33双核微控制器LPC55S69的电路设计?
2021-06-15 09:14:03
2023年2月27日,中国上海 — 思特威(上海)电子科技股份有限公司,正式推出业界首颗5MP DSI-2技术全性能升级Pro系列安防应用图像传感器新品SC5336P。新品拥有3K级的清晰画质,既是
2023-02-28 09:24:04
电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗,通过改用SiC功率模块可以明显减少,因此具有以下效果:开关损耗的降低,可以带来电源效率的改善和散热部件的简化(例:散热片的小型化,水冷/强制风冷的自然风冷化
2019-03-12 03:43:18
新品发布|业界首款!润开鸿最新推出RISC-V 高性能芯片➕ OpenHarmony标准系统的智能硬件开发平台HH-SCDAYU800
2023-01-13 17:43:15
技(Synopsys, Inc.,纳斯达克股票代码:SNPS)隆重推出了业界首款全栈式AI驱动型EDA解决方案Synopsys.ai,覆盖了先进数字与模拟芯片的设计、验证、测试和制造环节。基于此,开发者第一次
2023-04-03 16:03:26
热力学的基本规律揭示出没有电子设备可以实现100%的效率——虽然开关电源比较接近(达到98%)。但不幸的是任何产生RF功率的器件目前都无法达到或者接近理想的性能,因为将直流功率转换为射频功率过程中
2019-07-31 08:13:39
虽然电动和混合动力电动汽车(EV]从作为功率控制器件的标准金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)到基于碳化硅(SiC)衬底和工艺技术的FET的转变代表了提高EV的效率和整体系统级特性的重要步骤
2019-08-11 15:46:45
本文讨论了商用氮化镓功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器方面的优势。介绍随着更高功率、更小尺寸和更高效率的明显趋势,高频 LLC 谐振转换器是业内隔离式
2023-02-27 09:37:29
二极管(FRD:快速恢复二极管),能够明显减少恢复损耗。有利于电源的高效率化,并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化,而且可以降噪。 广泛应用于空调、电源、光伏发电系统中的功率调节器、电动汽车
2019-05-07 06:21:51
具有更高的热性能和坚固性,以及高度可靠的环氧树脂灌封技术。所有这些都导致: 优化内部低杂散电感和电弧键合™结构,显著提升动态开关性能; 功率密度比主要竞争对手的模块高20-30%; 更低的热阻
2023-02-20 16:26:24
数量的情况下所无法实现的。同时,DC/DC侧的开关频率高达150kHz至300kHz,比典型的硅实现方法快了3倍。 采用SiC MOSFET的6.6kW双向转换器适用于高效率和高功率密度车载充电
2023-02-27 14:28:47
的2倍,所以S使用碳化硅(SiC)陶瓷线路板的功率器件能在更高的频率下工作。综合以上优点,在相同的功率等级下,设备中功率器件的数量、散热器的体积、滤波元件体积都能大大减小,同时效率也有大幅度的提升。我国
2021-03-25 14:09:37
Fraunhofer ISE用ROHM SiC和栅极驱动器设备开发了一款10kW的三相UPS逆变器,如图4所示。100kHz的高开关频率导致输出端的无源滤波器组件和输入电容小,从而使输出电容器和输入
2019-10-25 10:01:08
DN369 - 业界首款四开关降压-升压型控制器采用单个电感器实现了极高的效率
2019-07-31 10:46:15
10mΩ(typ)的、SiC-SBD内置型全SiC功率模块。下图为与现有产品的关系示意图。BSM180D12P3C007的开关损耗与IGBT模块相比大幅降低,比ROHM现有的IGBT模块产品也低42
2018-12-04 10:11:50
直流负载及相反)工作时的效率和稳定性。图1. ADI公司IC生态系统驱动SiC/GaN功率开关需要设计一个完整的IC生态系统,这些IC经过精密调整,彼此配合。设计重点不再只是以开关为中心,必须加以扩大
2018-10-22 17:01:41
黎志远_业界首款电流模式LLC AC-DC 控制器 NCP1399
2018-02-01 17:46:50
全球最小单片机问世
——Microchip推出业界首款6引脚单片机
全球领先的单片机和模拟半导体供应商——Microchip Technology(美国微芯科技公
2009-07-06 09:02:001855 创新封装将功率MOSFET散热效率提升80%
德州仪器 (TI) 公司采用创新的封装技术,面向高电流DC/DC应用,推出5款目前业界首个采用封装顶部散热的标
2010-03-01 11:37:22828 业界首款可以在多天线无线基站中实现更高速度、性能和设计效率的四通道 DAC 问世-- 与双通道器件相比,ADI 的1GSPS 四通道 DAC 的数据速率可以提高25%,PCB 占位面积可以减少20%
2010-04-28 17:15:51581 MXIM推出MAX12005,业界首款8 × 4卫星中频开关IC可扩充到允许多达16个卫星信号。高度集成,MAX12005非常灵活,一个空间受限的范围广,如果分配和多路开关应用卫星的适应性。
2011-01-14 09:52:00536 Redpine Signals, Inc,近日宣布推出业界首款适用于M2M市场的集成式、低功率Wi-Fi模块。该模块有很多针对Wi-Fi Direct和Enterprise security的全新功能。
2012-03-28 16:03:11888 Mouser Electronics宣布备货Cree公司的CAS100H12AM1,这是业界首款在单个半电桥封装中结合SiC MOSFET和SiC肖特基二极管的产品。
2013-06-05 10:17:191224 日前,碳化硅(SiC)技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2。该款产品目标用途包括感应加热设备、电机驱动器、太阳能和风能逆变器、UPS和开关电源以及牵引设备等。
2015-09-06 17:39:111336 SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。
2015-09-07 09:29:311923 PKU4300D新系列1/16砖封装DC/DC模块可提供业界最高的功率和效率 对于ICT、电信和工业市场中的分布式和中间总线等应用,高级总线转换器旨在替代部署在这些应用中的一系列终端用户电路板
2018-04-07 22:18:007517 罗姆在全球率先实现了搭载罗姆生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2018-05-17 09:33:1313514 DN369 - 业界首款四开关降压-升压型控制器采用单个电感器实现了极高的效率
2021-03-21 15:26:524 标准、额定电压1700V的IC。这些新器件是业界首款采用碳化硅(SiC)初级开关MOSFET的汽车级开关电源IC。新IC可提供高达70W的输出功率,主要用于600V和800V纯电池和燃料电池乘用车,以及电动巴士、卡车和各种工业电源应用。
2022-02-15 11:45:53958 Power Integrations今日发布两款新器件,为InnoSwitch3-AQ产品系列新添两款符合AEC-Q100标准、额定电压1700V的IC。这些新器件是业界首款采用碳化硅(SiC)初级
2022-02-16 14:10:121888 电机控制器是新能源汽车中电池电能转换机械能的控制部分,功率控制模块是电机控制器中核心电能转换器件。据弗迪动力测算,SiC能够提升电控系统中低负载的效率,整车续航里程增长5~10%;提升控制器功率密度, 由原18kW/L提升至45kW/L,有利于小型化;占比85%的高效区效率提高6%,中低负载区效率提高10%。
2022-11-08 15:40:482302 的尾电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗,通过改用SiC功率模块可以明显减少,因此具有以下效果: 开关损耗的降低,可以带来电源效率的改善和散热部件的简化 (例:散热片的小型化,水冷/强制风冷的自然风冷化) 工作频率的高频化,使周边器件小型化 (例:电抗器或电容等的小型化)
2023-01-12 16:35:47489 的尾电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗,通过改用SiC功率模块可以明显减少,因此具有以下效果: 开关损耗的降低,可以带来电源效率的改善和散热部件的简化 (例:散热片的小型化,水冷/强制风冷的自然风冷化) 工作频率的高频化,使周边器件小型化 (例:电抗器或电容等的小型化)
2023-02-07 16:48:23646 继SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇,想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品,都有哪些机型。
2023-02-08 13:43:21685 全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比,具有1)可大大降低开关损耗、2)开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。
2023-02-08 13:43:22673 ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333 继SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品,都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍,开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。
2023-02-24 11:51:28493 国产氮化硅陶瓷基板升级SiC功率模块,提升新能源汽车加速度、续航里程、轻量化、充电速度、电池成本5项性能优势
2023-03-15 17:22:551016 业界首款模拟信号10KV高隔离放大器变送器模块.
2022-02-11 15:46:17480 点击“东芝半导体”,马上加入我们哦! 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布, 推出业界首款 [1] 2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:07254 除牵引逆变器外,辅助转换器、铁路电池充电器和DC-DC转换器尤其受益于SiC功率模块带来的开关频率提升。开关频率的增加通常允许减小无源元件(如变压器、电感器或电容器)的尺寸。此外,较高的开关频率可能允许使用不同的软磁芯材料。它提供了提高效率和降低成本的潜力。
2023-10-15 11:40:03471 在商业应用中利用宽带隙碳化硅(SiC)的独特电气优势需要解决由材料机械性能引起的可靠性挑战。凭借其先进的芯片粘接技术,Vincotech 处于领先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模块可能会
2023-10-23 16:49:36372 SiC驱动器模块具有较低的功耗、高温运行能力和快速开关速度等优势,使其在下一代功率器件中有着广阔的应用前景。SiC驱动器模块可以用于电动车的电力系统、可再生能源转换系统、工业电力电子装置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 SiC FET神应用,在各种领域提高功率转换效率
2023-11-30 09:46:11155 美光科技近日宣布推出业界首款标准低功耗压缩附加内存模块(LPCAMM2),这款产品提供了从16GB至64GB的容量选项,旨在为PC提供更高性能、更低功耗、更紧凑的设计空间及模块化设计。
2024-01-19 16:20:47262 SiC器件可以提高电动汽车的充电模块性能,包括提高频率、降低损耗、缩小体积以及提升效率等。这有助于提升电动汽车的整体性能表现。
2024-03-18 18:12:341063
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