本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点，推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源模块。
2015-06-12 09:51:23
4738 高压SiC MOSFET的结构和技术存在着几个重要瓶颈：1）器件漂移区的导通电阻随电压等级相应增加，其他结构（沟道、JFET区等）的存在进一步提高了总导通电阻。
2023-05-04 09:43:181398 
超结（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商业化用于功率器件应用领域以来，在400–900V功率转换电压范围内取得了巨大成功。参考宽带隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件，我们将在本文中重点介绍其一些性能特性和应用空间。
2023-06-08 09:33:241389 
罗姆于2020年完成开发的第4代SiC MOSFET，是在不牺牲短路耐受时间的情况下实现业内超低导通电阻的产品。
2022-03-09 09:33:582652 
半导体器件具有导通电阻小、阻断电压高、耐高温耐高压等优点。随着SiC基半导体工艺的成熟，SiC成为工作于较高环境温度和较大功率场合下的--宽禁带半导体材料。近年来随着电力电子技术在电动汽车、风力发电
2019-10-24 14:25:15
。问题4：PWM芯片的供电电压为5V，去驱动通用驱动电压的功率MOSFET，有什么问题？问题分析：检查数据表中不同的VGS的导通电阻，发现对应的导通电阻变大，因此功率MOSFET的损耗将增加，温度升高，同时系统的效率降低。极端情况下在低温的时候，一些VTH偏上限的器件可能不能正常开通。
2016-12-21 11:39:07
有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34:24
的传递函数导出示例 其1升降压转换器的传递函数导出示例 其2开关的导通电阻对传递函数的影响总结总结关键词开关损耗 传递函数 电源设计 SiC-SBD 快速恢复二极管 SJ-MOSFET IGBT 状态空间
2018-11-27 16:40:24
导通电阻方面的课题，如前所述通过采用SJ-MOSFET结构来改善导通电阻。IGBT在导通电阻和耐压方面表现优异，但存在开关速度方面的课题。SiC-DMOS在耐压、导通电阻、开关速度方面表现都很优异
2018-11-30 11:35:30
度的漂移层实现高耐压。 因此，在相同的耐压值情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。 例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1
2023-02-07 16:40:49
情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同
2019-04-09 04:58:00
对体二极管进行1000小时的直流8A通电测试，结果如下。试验证明，所有特性如导通电阻，漏电流等都没有变化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比具有更小的芯片面积和更高的电流密度
2018-11-30 11:30:41
研究开发法人科学技术振兴机构合作开发，在CEATEC 2014、TECHNO-FRONTIER2015展出的产品。・超高压脉冲电源特征・超高耐压伪N通道SiC MOSFET・低导通电阻（以往产品的1
2018-11-27 16:38:39
`请问：图片中的红色白色蓝色模块是什么东西？芯片屏蔽罩吗？为什么加这个东西？抗干扰或散热吗？这是个SiC MOSFET DC-DC电源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
与IGBT相比，SiC MOSFET具备更快的开关速度、更高的电流密度以及更低的导通电阻，非常适用于电网转换、电动汽车、家用电器等高功率应用。但是，在实际应用中，工程师需要考虑SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
的第一款SiC功率晶体管以1200 V结型场效应晶体管（JFET）的形式出现。SemiSouth实验室遵循JFET方法，因为当时双极结晶体管（BJT）和MOSFET替代品具有被认为是不可克服的障碍。虽然
2023-02-27 13:48:12
R-UIS压力测试循环后，在关键电气性能（如导通电阻，阈值电压，击穿电压和漏极漏电流）上无法观察到参数偏移。也可以通过模拟获得相关信息。图5显示了对MOSFET 施加1600V 的V DS所进行的模拟
2019-07-30 15:15:17
情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同
2019-05-07 06:21:55
相比，能够以具有更高的杂质浓度和更薄的厚度的漂移层作出600V～数千V的高耐压功率器件。高耐压功率器件的阻抗主要由该漂移层的阻抗组成，因此采用SiC可以得到单位面积导通电阻非常低的高耐压器件。理论上
2019-07-23 04:20:21
误导通的话，将有可能发生在高边－低边间流过直通电流（Flow-through Current）等问题。这种现象是SiC-MOSFET的特性之一–非常快速的开关引起的。低边栅极电压升高是由切换到高边导
2018-11-30 11:31:17
的封装。如图2所示，低边 MOSFET的导通电阻比高边 MOSFET的低，这会导致焊盘区的大小不一致。事实上，低边MOSFET的导通电阻是器件的关键特性。即使封装尺寸变小了，还是有可能在最高4.5V电压
2013-12-23 11:55:35
了开关损耗，促进了白色家电和工业设备等电机驱动器和变频器应用的低功耗化发展。R60xxMNx系列新品是以“不仅保持现有R60xxFNx系列的高速trr性能，还要进一步降低导通电阻和Qg（栅极总电荷量）并
2018-12-04 10:23:36
超级结MOSFET是与平面MOSFET相比，导通电阻和栅极电荷（Qg）显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声、高效率的特性，并已扩展为系列化产品，现已发展到
2018-12-05 10:00:15
。碳化硅与Si相比，SiC具有： 1.导通电阻降低两个数量级2.电源转换系统中的功率损耗较少3.更高的热导率和更高的温度工作能力4.由于其物理特性固有的材料优势而提高了性能 SiC在600 V和更高
2022-08-12 09:42:07
功率器件类型。 美高森美的SP6LI电源模块采用由SiC功率MOSFET和SiC肖特基二极管构成的相臂拓扑，每个开关具有低至2.1 mOhms 的极低RDSon，并提供用于温度监控的内部热敏电阻
2018-10-23 16:22:24
及精确的次级侧控制方式，因此可设计出效率非常高的高可靠性电源，同时无需光耦器。新款900 V InnoSwitch-EP IC内部集成了功率更大的900 V的功率MOSFET，在450 VAC工业系统
2018-10-09 14:15:31
SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
，SiC MOSFET可在更宽的范围内保持低导通电阻。此外，可以看到，与150℃时的Si MOSFET特性相比，SiC、Si-MOSFET的特性曲线斜率均放缓，因而导通电阻增加。但是
2018-12-03 14:29:26
项目名称：SiC MOSFET元器件性能研究试用计划：申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验，熟悉MOSET各种性能和应用，掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
-2V；RV51:这是一个可调电阻，可以调节输出电压Vcc2，S-19700A00A是一个线性电源芯片，1脚的输入电压亲测为23.1V，默认JP51是置于1脚，VCC输出18.5V。 下桥臂电路也是一样
2020-06-07 15:46:23
40mR导通电阻Ron的SIC-MOSFET来说，17A的电流发热量还是挺大，在实际应用中需要加强散热才可以。不过，1200V的SIC-MOSFET并不适合做低压大电流的应用，这里才是48V的测试，属于
2020-06-10 11:04:53
项目名称：基于Sic MOSFET的直流微网双向DC-DC变换器试用计划：申请理由本人在电力电子领域（数字电源）有五年多的开发经验，熟悉BUCK、BOOST、移相全桥、LLC和全桥逆变等电路拓扑。我
2020-04-24 18:08:05
项目名称：特种电源开发试用计划：在I项目开发中，有一个关键电源，需要在有限空间，实现高压、大电流脉冲输出。对开关器件的开关特性和导通电阻都有严格要求。随着SIC产品的技术成熟度越来越高，计划把IGBT开关器件换成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
导电沟道越大，则导通电阻越小；但是栅极驱动电压太大的话，很容易将栅极和漏极之间绝缘层击穿，造成Mosfet管的永久失效；3.为了增加开关管的速度，减少开关管的关断时间是有必要的；且为了提高Mosfet管
2020-07-16 14:55:31
输入900V，输出500V的高压稳压电源——三极管串联应用的典范：
2018-09-13 18:18:07
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域，如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再生能源、能源等存储系统、工业和电网基础设施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
状态之间转换，并且具有更低的导通电阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片内提供与 Si MOSFET 相同的导通电阻（图 1）。图 1：SiC MOSFET（右侧）与硅
2017-12-18 13:58:36
电气技师和电子制造工程师用接地导通电阻测试仪验证电器和消费产品（由交流电压供电）上的裸露金属是否适当地连接到了其机壳底座。当电器内部发生故障电流时，如果电器没有适当地连接到已接地的机壳底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
性能如何？650V-1200V电压等级的SiC MOSFET商业产品已经从Gen 2发展到了Gen 3，随着技术的发展，元胞宽度持续减小，比导通电阻持续降低，器件性能超越Si器件，浪涌电流、短路能力、栅
2022-03-29 10:58:06
{:11:}手头有个900V，1600W的开关电源，电压一直升不上去。到底是哪的问题，查不出来。有哪位大神介绍点斩波升压这方面的资料。
2013-01-17 09:32:42
NCP45521的典型（热插拔）电路是一种负载开关，可通过软启动为浪涌电流限制提供高效电源域切换的元件和面积减少解决方案。除了具有超低导通电阻的集成控制功能外，这些器件还通过故障保护和电源良好信号提供系统保护和监控
2020-04-17 10:09:17
1700V高耐压，还是充分发挥SiC的特性使导通电阻大幅降低的MOSFET。此外，与SiC-MOSFET用的反激式转换器控制IC组合，还可大幅改善效率。ROHM不仅开发最尖端的功率元器件，还促进充分发挥
2018-12-04 10:11:25
进一步利用。 （A） 图片由Bodo的电力系统公司提供 （B） 图片由Bodo的电力系统提供 图5.最大dv/dt限制为5V/ns的导通损耗比较（A：IGBT，B：SiC-MOSFET
2023-02-21 16:36:47
开发的。导通电阻降低到Si-MOSFET的1/8这是与工业设备辅助电源中广泛使用的1500V耐压Si-MOSFET的比较例。SiC-MOSFET的SCT2H12NZ的耐压更高，达1700V，导通电阻
2018-12-05 10:01:25
”这个参数的影响。下面以“升降压转换器的传递函数导出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降压转换器为基础，按照同样步骤来推导。右侧电路图在上次给出的升降压转换器简图上标出了作为开关的MOSFET的导通电阻
2018-11-30 11:48:22
使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄...
2021-10-28 06:56:14
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。然而，普通的单
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
` （1）不同耐压的MOS管的导通电阻分布。不同耐压的MOS管，其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。如耐压30V的MOS管，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻
2018-11-01 15:01:12
测量MOS管的导通电阻除了在选定开关时有用，还在哪些方面有重要的意义？
2012-05-17 10:44:16
MOSFET的导通电阻以及测量的条件，如AON6590，VDS=40V，分别列出了VGS=10V、VGS=4.5V的RDS(ON)，如下图所示。测量的条件：ID = 20A。导通电阻的温度系数用归一化的图表
2016-09-26 15:28:01
的应用优势优于 IGBT。考虑到所有开关损耗、导通电阻相关传导损耗和内部二极管的正向电压损耗，基于 SiC MOSFET 的设计比基于 IGBT 的同类设计可节省约 66% 的损耗（图 2）。这种效率改进为
2023-02-22 16:34:53
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电阻
2023-04-11 15:29:18
更进一步。其中UF系列的最新产品在1200V和650V器件上的导通电阻达到了同类产品最低，分别小于9毫欧和7毫欧。这些器件具有低损耗体二极管效应以及固有的抗过电压和短路的能力，与Si-MOSFET或
2023-02-27 14:28:47
方面的所有课题。而且，与传统产品相比，单位面积的导通电阻降低了约30％，实现了芯片尺寸的小型化。另外，通过独创的安装技术，还成功将传统上需要外置的SiC-SBD一体化封装，使SiC-MOSFET的体
2019-03-18 23:16:12
使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET：SCT2H12NZ（右）的导通电阻与VGS特性比较图。从比较图中可以看出，上述IC的栅极驱动电压在每种MOSFET将要饱和前变为VGS。由于该比较不是
2018-11-27 16:54:24
请问有人知道MOS管作为开关如何仿真在开启与中断状态下，不同频率点的导通电阻吗？我想仿真上图的SW在Vsw不同状态下MOS管的导通电阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，结果查看ZM的实部，但是出来的结果如下所示：结果都很小并且打开和关断阻抗大小是相反的，请问有人知道这个是出了什么问题吗
2021-06-25 07:59:24
，Si-MOSFET在这个比较中，导通电阻与耐压略逊于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率条件下，高速工作表现更佳。平面MOSFET与超级结MOSFETSi-MOSFET根据制造工艺可分为平面
2018-11-28 14:28:53
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-08 09:35:56
。与此同时，SiC模块也已开发出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通过采用第3代SiC-MOSFET而促进实现更低导通电阻和更大电流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
的矛盾。 即便如此，高压MOSFET在额定结温下的导通电阻产生的导通压降仍居高不下，耐压500V以上的MOSFET 的额定结温、额定电流条件下的导通电压很高，耐压800V以上的导通电压高得惊人，导
2023-02-27 11:52:38
请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
。本篇将以ROHM的产品阵容及其特征作为SJ-MOSFET的具体案例来进行说明。SJ-MOSFET的种类以ROHM为例，SJ-MOSFET是根据噪声、导通电阻、高速性及独有结构等进行分类的。首先
2018-12-03 14:27:05
导通电阻,导通电阻的结构和作用是什么?
传统模拟开关的结构如图1所示，它由N沟道MOSFET与P沟道MOSFET并联构成，可使正负信号传输，如果将不同VI
2010-03-23 09:27:474912 罗姆展出了采用沟道构造的SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和MOSFET。沟道型SBD的特点在于，与普通SiC制SBD相比二极管导通电压(以下称导通电压)较低。沟道型SBD的导通电压为0.5V，降到了以往
2011-10-12 09:35:301111 瑞萨电子宣布推出新款低导通电阻MOSFET产品，包括经过最佳化的μPA2766T1A，做为网路伺服器与储存系统之电源供应器内的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10938 SiC市场领导者Cree（科锐公司）近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。
2015-09-07 09:29:311923 意法半导体 (ST) 同级领先的900V MOSFET晶体管，提升反激式转换器的输出功率和能效
2017-09-21 14:45:167390 MOSFET的导通电阻
2018-08-14 00:12:0012629 耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司今日发集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch™-XT2系列离线式开关电源IC
2018-10-24 11:40:014300 安森美半导体NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技术碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的开关性能和更高的可靠性。此外，该SiC MOSFET具有低导通电阻
2020-06-15 14:19:403728 Charger：OBC）等领域拥有很高的市场份额。此次，导通电阻和短路耐受时间之间取得更好权衡的第4代SiC MOSFET的推出，除现有市场之外，还将加速在以主机逆变器为主的市场中的应用。
2020-06-19 14:21:074198 
对于功率半导体来说，当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短，两者之间存在着矛盾权衡关系，因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时，如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。
2020-06-22 15:54:12771 ROHM于2015年世界上第一家成功地实现了沟槽结构SiC MOSFET的量产，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:121754 在功率半导体器件中，MOSFET以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换，特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域，MOSFET没有竞 争对手，但随着MOS的耐压提高，导通电阻随之
2022-03-17 09:35:332872 本文基于PGC 咨询公司进行的分析，研究了当今的 650-V 和 1，200-V SiC MOSFET，揭示了这些问题，包括栅极氧化物可靠性的优化，这有助于降低比导通电阻，降低碳化硅成本。
2022-07-29 17:19:05952 
比较SiC开关的数据资料并非易事。由于导通电阻的温度系数较低，SiC MOSFET似乎占据了优势，但是这一指标也代表着与UnitedSiC FET相比，它的潜在损耗较高，整体效率低。
2022-11-14 09:05:17663 )(统称“东芝”)已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该晶体管将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成方格状(方格状嵌入式SBD)，以实现低导通电阻和高可靠性。东芝
2022-12-12 18:01:531070 在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。
2023-02-08 13:43:211381 
在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。
2023-02-12 15:29:032100 
比较SiC开关的数据手册可能很困难。SiC MOSFET在导通电阻温度系数较低的情况下似乎具有优势，但与UnitedSiC FET相比，这表明潜在的损耗更高，整体效率低下。
2023-02-21 09:24:56592 
3.1 驱动电源SiC MOSFET开启电压比Si IGBT低，但只有驱动电压达到18V～20V时才能完全开通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs对比 Cree的产品手册
2023-02-27 14:41:09
9 相对于IGBT，SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗，实现了高频率工作，有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET，导通电阻较小，可减少相同导通电阻的芯片面积，并显著降低恢复损耗。
2023-09-11 10:12:33566 
电子发烧友网站提供《SLW9N90CZ美浦森高压MOSFET 900V 9A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 13:48:280 电子发烧友网站提供《SLW9N90C美浦森高压MOSFET 900V 9A .pdf》资料免费下载
2022-04-29 13:53:240 11月27日，瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101), 导通电阻标称1Ω，
2023-11-30 09:39:18756 
可行的解决方案。 首先，让我们了解一下SIC MOSFET的基本原理和结构。SIC（碳化硅）MOSFET是一种基于碳化硅材料制造的金属氧化物半导体场效应晶体管。相较于传统的硅MOSFET，SIC MOSFET具有更高的载流能力、更低的导通电阻和更优秀的耐高温性能，可以应用于高频、高功率和高温环境
2023-12-21 11:15:52272 MOSFET的基本结构。SIC MOSFET是一种由碳化硅材料制成的传导类型晶体管。与传统的硅MOSFET相比，SIC MOSFET具有更高的迁移率和击穿电压，以及更低的导通电阻和开关损耗。这些特性使其成为高温高频率应用中的理想选择。 SIC MOSFET在电路中具有以下几个主要的作用： 1. 电源开关
2023-12-21 11:27:13686 瑶芯微此次参评的专注于“车规级低比导通电阻SiC MOSFET”，专家们一致赞赏该产品具有卓越的研究成果，堪称行业翘楚。凭借诸多优点，经过严谨评鉴，评委会授予瑶芯微的SiC MOSFET技术极高评价，同时认定其拥有自主创新产权，展现了强劲的技术实力。
2023-12-25 10:56:54456 新一代900V高性能电驱平台采用自研面向900V的碳化硅电驱平台，双电机冗余设计保证了在恶劣天气和湿滑路面上的稳定行驶，后永磁同步电机在体积更小的情况下提供更强劲的动力输出。
2023-12-26 10:52:27230 
近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316
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