电动汽车电池系统方面的耐久性,换个说法就是耐久性方面的考虑。原则上,就是需要在考虑使用时间、使用公里数、使用条件和使用环境等条件下,输入给电池系统一个等效的负荷环境。
2017-06-06 15:24:101963 其延长的写周期耐久性和数据保留时间,FRAM技术可帮助设计人员满足使用可用FRAM IC和基于FRAM的MCU的十年,低功耗NVM操作的要求,这些MCU来自赛普拉斯半导体,富士通半导体,ROHM Semiconductor等制造商和德州仪器。
2019-03-18 08:08:002973 NRAM则兼具FRAM的高速写入、高读写耐久性(比NOR Flash高1000倍),又具备与NOR Flash相当的大容量与造价成本并实现很低的功耗(待机模式时功耗几乎为零),同时可靠性非常高,在80度时存储数据时限高达1000年,在300度时亦可达到10年。
2020-07-21 14:17:361146 富士通高级产品工程师伍宏杰先生表示,“恰恰是FRAM高速读写的特性,决定了FRAM可以实现在无电池或是突然断电的情况下实现读写,避免数据的丢失。”
2014-07-29 16:59:271410 FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存,已有对传统非易失性内存性能不满意的客户采用我们的FRAM。
2020-05-11 10:37:431004 0.13μm非易失性FRAM产品的增强的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
多个品牌总代理资质,主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片,致力于为客户提供具有竞争优势的产品,是一家专业提供存储方案解决商。
2020-10-09 14:27:35
EDR实施将配对具有2 Mb或4 Mb密度的无限耐久性FRAM器件和高密度闪存。存储器通常将配置为连续存储最新的1到5 s的数据,而闪存阵列用于批量存储较旧的数据。对于Excelon-Auto设备,有一
2020-08-12 17:41:09
多年,并长期保持数据的能力建立这些强大的设备进入低功耗能量收集应用程序。设备配置设计人员可以找到FRAM存储器支持并行,SPI串行或I2C / 2线串行接口。例如,连同其平行的1Mb MB85R1001A
2021-12-09 08:28:44
FRAM的特点是速度快,能够像RAM一样操作,读写功耗极低,不存在如E2PROM的最大写入次数的问题;但受铁电晶体特性制约,FRAM仍有最大访问(读)次数的限制。
2019-09-11 11:30:59
Altera公司产品和企业市场副总裁DannyBiran低功耗是一种战略优势 在器件的新应用上,FPGA功耗和成本结构的改进起到了非常重要的作用。Altera针对低功耗,同时对体系结构和生产工艺进行
2019-07-16 08:28:35
BLE低功耗蓝牙的优势及典型应用
2021-04-02 06:50:06
在Siga-S16开发板使用ddr2操作读写数据时 怎么判断读写数据命令是否执行完毕 如果根据fifo的输出count进行读写数据命令的发送 要求高速时会出错 目前只能自己加延时等待 降低速度保证数据的正确 请教怎么提速啊
2013-07-11 19:47:31
FM17520是一款高度集成的工作在13.56MHz下的非接触读写器芯片,支持符合ISO/IEC?14443?TypeA协议的非接触读写器模式。?FM17520具有低电压、低功耗、驱动能力强等特点
2017-09-28 10:14:40
FM17520 是一款高度集成的工作在 13.56MHz 下的非接触读写器芯片,支持符合 ISO/IEC 14443TypeA 协议的非接触读写器模式。FM17520 具有低电压、低功耗、驱动
2019-02-15 17:37:54
传输数据。我们想知道是否需要对数据包采用前向纠错,因为我们不确定EEPROM的可靠性。该数据表引用了1,000,000个周期的“最大写入耐久性循环耐久性”。这个数字是否意味着在预期发生单个故障之前
2019-07-26 16:36:20
写或读高耐久性闪存(在这种情况下,我读/写从0x7f0到0x7FF)。我正在使用最新版本的代码配置器生成的读/写函数。这听起来像是我遗漏的“常见”功能吗?谢谢,塞尔吉奥
2019-10-21 13:01:27
PSoC™ 6 中嵌入式闪存的正确最低耐久性是多少?
PSoC™ 6 的数据表声称闪光灯耐久性至少为 100k 次。
TRM 声称续航时间为 10k 个周期。
请参阅第 6.5 节 62x7 数据表
2024-02-26 06:46:06
SD卡的传输协议和读写程序SD/MMC 卡是一种大容量(最大可达4GB)、性价比高、体积小、访问接口简单的存储卡。SD/MMC 卡大量应用于数码相机、MP3 机、手机、大容量存储设备,作为这些便携式设备的存储载体,它还具有低功耗、非易失性、保存数据无需消耗能量等特点。[hide][/hide]
2009-12-08 09:53:05
SI522(超低功耗13.56M芯片)替代RC522 完全兼容 PIN对PINSI522是应用于13.56MHz 非接触式通信中高集成度读写卡系列芯片中的一员。 Si522 主要优势点:1. 直接
2019-07-06 11:06:46
400kBd,高速模式速率达 3400kBd串行 UART,速率达 1228.8kBd·64 字节 FIFO·灵活的中断模式·低功耗硬复位功能·支持软掉电模式·集成可编程定时器·27.12MHz 内部
2022-10-11 09:20:34
8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引脚BGA封装。MR3A16ACMA35的优点与富士通FRAM相比,升级到Everspin MRAM具有许多优势:•更快的随机访问操作时间•高可靠性和数
2023-04-07 16:26:28
ntfs格式文件更加方便。 快速读写Windows NTFS文件系统使用Tuxera NTFS for Mac我们可快速进行磁盘访问、编辑、存储等操作,让NTFS磁盘兼容Mac和Win平台。 基础功能
2020-09-11 11:35:51
电源范围内工作。此外,与存储电荷的存储器设备,FRAM装置具有耐α粒子和通常表现出软错误率(SER)检测极限以下。FRAM的优势的影响涟漪通过的系统,例如无线传感器节点,需要高速写入和低功耗工作的组合
2016-02-25 16:25:49
,“读写数据后最对比,若数据一致则记录一次成功,重复记录N次直至数据不一致”但是进行测试的时候,我突然意识到一个问题。我在FRAM的介绍里面看到说:“FRAM读写次数超限之后它只是不再有非易矢性,但是
2013-09-03 10:52:35
文件③ DSP读写U盘文件④ FPGA读写U盘文件⑤ PLC读写U盘文件二、 通过高速串口快速读写U盘文件的解决方案① 单片机SPI口读写U盘文件② 用ARM的SPI口读写U盘文件暂不同步③ 用DSP
2014-04-14 15:59:44
嗨,哪里可以获得有关X射线辐射损伤的设备耐久性和X射线辐射损伤的KRads总剂量阈值的信息,我需要在这些设备上具有高度重要性的信息:1 .SPARTAN2 2.5V FPGA 150,000
2019-05-15 14:18:56
要求。”在类似如上所述的系统中,FRAM 可带来多种优势。 结合我们 FRAM MCU 的非易失性、写入速度和低功耗以及与 AES 模块及存储器保护单元的集成,使得诸如 MSP430FR5969
2018-09-10 11:57:29
低功耗应用提高安全性。此外,它们还采用非易失性 FRAM 替代 EEPROM 或闪存提供稳健统一的存储器架构,从而可简化安全系统设计。
2019-07-08 06:03:16
通信通道安全的加密数据(如安全密钥及密码等)等。最新低功耗微处理器(MCU)集成降低安全应用成本与功耗所需的高性能以及各种特性,可帮助开发人员为低功耗应用提高安全性。此外,它们还采用非易失性FRAM替代
2014-09-01 17:44:09
本文介绍了汽车PCM耐久性测试系统的整体设计思路和测试规范,重点讨论了关键子系统的设计原理,并通过原型样机对几种PCM模块长久性测试,验证了该系统的可靠性和通用性。
2021-05-17 06:53:06
德州仪器推出业界首款超低功耗 FRAM 微控制器开发人员藉此可让世界变得更加智能MSP430FR57xx FRAM 微控制器系列可为开发人员带来高达100倍的写入速度增幅及250倍的功耗降幅,因而
2011-05-04 16:37:37
、NAND 闪存、EEPROM(可擦除的可编程只读存储器)、FRAM(铁电存储器),MRAM(磁性 RAM)和 NVSRAM(非易失性静态存储器)等。每种类型存储器在不同性能指标下具有各自的优势和劣势:存储器
2019-07-23 06:15:10
超低功耗M24C16-WMN6TP FRAM微控制器(MCU)系列包含几款器件,采用嵌入式非易失性FRAM和不同的外设集,面向各种感应和测量应用。该架构、FRAM和外设,结合大量低功耗模式,可以延长
2021-11-03 07:28:04
采用FRAM的MCU为何就能具有诸多优势呢?举例说明:TI做了一个实验,如果要写13Kbps的数据到DRAM里需要花1秒时间,大约要用2200uA的功耗去做写的功能,但如果用FRAM来做只要10ms
2021-11-24 07:19:40
1 引言RFID(Radio Frequency Identification Technology,无线射频识别技术)由于具有高速移动物体识别、多目标识别和非接触识别等特点,显示出巨大的发展潜力
2019-07-29 06:04:33
电池,而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比,具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。
2020-05-07 15:56:37
什么是FRAM?FRAM(铁电随机存取存储器)是被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM(只读存储器)和RAM(随机存取器)的特点,在高速读写入、高读写耐久性
2014-06-19 15:49:33
高密度MRAM具有非常低的功率,高的读取速度,非常高的数据保留能力和耐久性,适用于广泛的应用。单元面积仅为0.0456平方微米,读取速度为10ns,读取功率为0.8mA/MHz/b,在低功耗待机模式
2020-07-02 16:33:58
铁电存储器FRAM 是具有低功耗、高写入速度、高耐久力的新型非易失性存储器,应用范围广泛。本文介绍FRAM 及其应用, 并给出FRAM 与MCS-51 单片机的接口电路和软件设计。
2009-05-13 16:25:4525 51 系列单片机慢速读写的时序扩展
2009-05-15 14:28:1618 FM25C160 是美国Ramtron 公司生产的非易失性铁电介质读写存储器。它具有高速读写,超低功耗和无限次写入等特性。文中介绍了FM25C160 的性能特点﹑管脚定义﹑内部结构和工作
2009-11-12 14:11:0335 为满足手持式RFID 读写器的低功耗要求,提出了一种在低功耗硬件的基础上,通过软件调节系统的工作时钟频率和管理系统的工作模式来降低读写器系统功耗的设计方法。并为测
2009-12-19 15:48:1328 灯具耐久性试验设施设计方案
摘要:文章根据标准GB7000.1-2007《灯具 第一部分:一般要求与试验》标准12.3 规定和附录K 中的要求,介绍了灯具耐久性试验设施的
2010-04-14 15:59:4139 :低功耗模式写入工作,实现相同的读/写通信距离。• 大容量内置存储单元:记录信息于电子标签,实现追溯应用所需的大容量内存单元。• 读写工作高耐久性:保证最高1万亿次
2023-12-27 13:53:33
利用SD卡研究、设计一种大容量心电存储及回放系统。系统基于高速低功耗的msp430单片机,利用串行外围接口总线与SD卡相连,实现对sD卡的数据读写。为方便微处理器和pc机对sD卡
2010-10-20 16:07:43813 铁电存储器FRAM详解:
铁电存储器(FRAM)产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写
2008-01-30 09:13:504172 STCl2C5A60S2单片机的SD卡读写
摘要:分析了基于STC单片机的SD卡的读写操作,给出了一种基于高速、低功耗、超强抗干扰的新一代STCl2C5A60S2系列IT单片机的SD卡读写方法。该方
2010-04-23 14:59:503842 本文将具体阐述低功耗设计理念在基于MSP430和MFRC522的非接触式读写器上的应用与实现。
2011-08-25 10:31:471372 本文介绍一款便携式巡更机(射频读写器)的设计。该读写器主要由MCU、射频IC卡读写模块、天线及USB通信接口等部分组成。为了方便对巡更情况的实时记录,系统采用了具有时间基准
2012-07-10 13:58:46687 FRAM(铁电随机存取存储器)是被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM(只读存储器)和RAM(随机存取器)的特点,在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。
2017-03-28 18:05:301459 本视频主要内容:介绍了富士通半导体的FRAM产品特性:低功耗,快速读写,高读写次数和防辐射特性。
2017-03-29 11:34:27951 FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。 不同接口的产品各自都有哪些特点呢?
2017-09-04 14:46:3010691 FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。富士通半导体可提供采用串行(I2C和SPI)和并行外设的FRAM产品。 不同接口的产品各自都有哪些特点呢?
2017-09-17 16:34:229446 选用存储器时主要考虑的指标包括安全性、使用寿命、读写速度、产品功耗和存储容量等。FRAM(铁电存储器)由于具有ROM的非易失性和RAM的随机存取特性,以及高速读写/高读写耐久性(高达1014
2018-06-02 02:46:0014463 MSP430 (3) 超低功耗FRAM
2018-08-14 01:50:009499 本文档的主要内容详细介绍的是PIC18F87K90单片机读写FRAM铁电存储器的方法存储器免费下载。
2019-01-23 16:41:2532 关键词:RFID , FRAM , EEPROM , 非易失性存储器 在RFID中嵌入FRAM,打破传统RFID标签的一系列限制 开车的朋友可能会有这样的经历,当经过高速公里收费站时,交通收费卡在
2019-03-09 12:55:01496 富士通半导体利用FRAM的高速写入,高读写耐久性(多次读写次数)特长, 提供RFID用LSI以及应用于电子设备的FRAM内置验证IC产品。富士通提供使用无限接口的FRAM内置RFID用LSI。富士通
2020-05-21 14:01:03751 FRAM是一种铁电存储器,它使用铁电膜作为电容来存储数据,即使数据没有电源也可以保存。采用铁电薄膜作为电容器来存储数据。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速读写,高读写耐久性,低功耗,防篡改等方面具有
2020-09-27 14:32:311634 是具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。本篇文章主要介绍关于FRAM的耐久性。 SRAM具有无限的耐久性,可以无限地对其进行读写。FRAM具有高(数量),将应用程序限制为读取或写入单个字节不超过指定的周期数。缓解的最佳方法是通过设计知道
2020-10-19 14:22:59626 UV胶粘接耐久性 UV胶粘接力是UV胶水各项性能中相当重要的一项,而提高UV胶水粘接的耐久性是粘接技术面临的重要任务,也是结构连接的的可靠保证。AVENTK作为UV胶水生产厂家,在UV胶水领域已有
2020-12-23 15:10:572341 内存耐久度指定为存储单元可以写入或擦除的次数。对于尽管严格和广泛使用仍需要高数据完整性的应用程序,内存耐用性是关键的系统性能特征和设计考虑因素之一。铁电RAM或FRAM是一种快速,非易失性和低功耗
2020-12-22 15:20:05455 独特性能成就技术“硬核”,FRAM 是存储界的实力派。除非易失性以外, FRAM 还具备三大主要优势:高读写入耐久性、高速写入以及低功耗,这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。
2021-03-11 09:23:313503 相比,具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。 MB85R4002A是FRAM(铁电随机存取存储器)芯片,由262,144字×16位非易失性存储单元组成,这些单元使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术制造。能够保留数据,而无需使用SRAM所需的备用电池。MB85R4002A中使用的
2021-04-08 15:42:02823 FRAM铁电存储器。它是一种采用铁电材料(PZT等)的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储的存储器。FRAM具有ROM和RAM的特点,在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势
2021-05-04 10:17:001850 监控,记录和分析处理。因此需要提高存储器性能和耐久性设计。只有非易失性・高速・高读写耐久性的车规级的存储器FRAM才可以满足所要求的可靠性和无迟延的要求。 FRAM在电池管理系统BMS应用 高烧写耐久性,高速写入操作: •系统每0.1或1秒,
2021-05-04 10:18:00376 存储器的性能和耐久性设计,这些要求使FRAM成为理想的存储选择。 FRAM在Car Infotainment中的应用 高速烧写,高读写耐久性: 系统经常会会受到发动机关闭,导航,倒车摄像或电话进入时的干扰,高端的car infotainment需要实时记录当前状态,并在干扰之后回复当前
2021-05-04 10:15:00289 与传统的存储技术相比,FRAM在需要非易失性、高速读写、低功耗、高读写耐久等综合性能的应用领域表现出众、口碑良好。富士通 FRAM量产20年以来,出货量更是超过了41亿颗!咱们富士通这么多
2021-04-24 10:56:48422 FRAM铁电存储器是一种采用铁电材料(PZT等)的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储的存储器。FRAM具有ROM和RAM的特点,在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。那么
2021-04-26 14:31:28544 2882lite是一款高性能的UHF超高频电子标签读写器,完全自主知识产权设计,结合专有的高效信号处理算法,在保持高识读率的同时,实现对电子标签的快速读写处理,可广泛应用于物流、门禁系统、防伪系统
2021-04-29 17:22:06435 仍有最大访问(读)次数的限制。FRAM在耐久性、读写速度、功耗等各方面吊打EEFROM和FLASH。 FRAM性能比EEPROM好的的三个优势: 1、寿命,读写的次数比较多, EEPROM和flash
2021-04-30 17:10:171083 FRAM是一种新型存储器,具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点,与EEPROM、FLASH相比,FRAM的读写更快、寿命更长,FRAM已经应用于IC卡和MCU中,预计未来具有广阔的市场前景。FRAM产品具有明显的高新技术特点,符合科创板属性,目前上市公司中尚没有从事该产品的开发。
2021-05-11 17:32:202107 的数据传输速率。 MB85RQ4ML具有高速运行和非易失性的特点,非常适合用于需要快速数据重写的工业计算和网络设备,如可编程逻辑控制器(PLC)和路由器。代理商英尚微支持样品测试及技术支持。 富士通半导体20多年来量产的FRAM产品与EEPROM和闪存相比,具有更高的读写耐久性、更快的写入速度和更低的
2021-07-26 18:05:54713 FRAM是一种非易失性存储器,因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。英尚微存储芯片供应商可提供产品测试及技术支持。
2021-07-27 10:29:281158 FRAM是一种写入速度快的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器(如EEPROM、闪存)相比,FRAM不需要用于数据保存的备用电池,具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 FRAM是一种非易失性存储器产品,具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点,富士通推出了具有并行接口型号MB85R8M2TA的8Mbit FRAM存储芯片,这是富士通FRAM产品系列中第一款保证
2021-12-11 14:46:17579 仍让它无法满足高速RAM应用必须兼具高速写入、无限耐久性,以及可接受的数据保存能力之需求。 STT-MRAM(也称为STT-RAM或有时称为ST-MRAM和ST-RAM)是一种高级类型的MRAM设备。与常规设备相比,STT-MRAM可实现更高的密度、低功耗和更低的成本。 STT-MRAM 相对于
2021-12-11 14:47:44519 FRAM是一种非易失性存储器产品,具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点。 富士通并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。保证写入寿命超过10万亿
2022-01-12 15:12:20351 铁电随机存取存储器是一种使用铁电文件作为存储数据的电容器的存储器。即使断电也能保留内容。结合了ROM和RAM的优点,具有快速写入速度、低功耗和高读/写周期耐久性。也称为FeRAM。FRAM铁电存储器
2022-02-17 15:33:241666 Si522A_13.56MHz超低功耗非接触式读写器芯片,支持ISO/IEC 14443A/MIFARE,支持自动载波侦测功能(ACD)
2022-03-09 17:40:46590 铁电存储器FRAM是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器相比,FRAM不需要备用电池来保留数据,并且具有更高的读/写耐久性,更快的写入速度操作和更低的功耗。今天进行并口
2022-03-15 15:43:44741 低功耗高性能SI512非接触式读卡芯片读写模式与参数
2022-10-12 17:50:01611 后数据不会丢失,是非易失性存储器; 读写速度快:无延时写入数据,可覆盖写入; 寿命长:可重复读写,重复次数可达到万亿次,耐久性强,使用寿命长; 功耗低:待机电流低,无需后备电池,无需采用充电泵电路; 可靠性高:兼容CMOS工艺,工作温度范围宽,可靠性
2022-11-10 17:00:141784 13.56MHz 的非接触式读写器Si522A-内部集成低功耗自动寻卡与定时唤醒功能
2022-12-13 18:25:06777 PB85RS128铁电存储器是不需要备用电池就可以保持数据,和EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比,具有优越的耐高温、高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。
2023-02-03 14:25:32671 FRAM是一种非易失性存储器,因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。
2021-07-15 16:46:56696 本文将探讨户外储能电池的可靠性和耐久性设计,以确保其在使用过程中具备高效、安全和长寿命的特点。
2023-08-08 13:50:06379 型号是在易燃气体环境中开关的理想选择。这些器件在额定负载下具有低功耗和高电气耐久性。 图:Omron 的 G5PZ 紧凑型 PCB 功率继电器 01 产品特性 250 VAC 时 20A,以超薄封装
2023-09-20 20:10:14278 FRAM具有其他传统内存产品所不具备的四个突出特性。特点是:“非易失性”、“高读写耐久性”、“写入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46416 与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比,具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。 由于车载电子控制系统对于存取各类传感器资料的需求持
2023-09-27 10:00:51
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