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电子发烧友网>电源/新能源>基准/监控/保护电路>Littelfuse 新推新平台开发的首批产品1200V碳化硅肖特基二极管,具有更低的开关损耗与更高的效率

Littelfuse 新推新平台开发的首批产品1200V碳化硅肖特基二极管,具有更低的开关损耗与更高的效率

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C4D05120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:35:42

C4D05120A分立碳化硅肖特基二极管

C4D05120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:40:17

C4D08120E分立碳化硅肖特基二极管

C4D08120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:44:47

C4D08120A分立碳化硅肖特基二极管

C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:48:49

E4D10120A分立碳化硅肖特基二极管

E4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:54:09

C4D10120H分立碳化硅肖特基二极管

C4D10120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 14:24:29

C4D10120E分立碳化硅肖特基二极管

C4D10120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:14:54

C4D10120D分立碳化硅肖特基二极管

C4D10120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:21:10

C4D10120A分立碳化硅肖特基二极管

C4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:25:26

C4D15120H分立碳化硅肖特基二极管

C4D15120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:30:26

C4D15120D分立碳化硅肖特基二极管

C4D15120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:37:08

C4D15120A分立碳化硅肖特基二极管

C4D15120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:43:35

E4D20120A分立碳化硅肖特基二极管

E4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:49:31

E4D20120D分立碳化硅肖特基二极管

E4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:54:14

C4D20120H分立碳化硅肖特基二极管

C4D20120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:01:56

C4D20120D分立碳化硅肖特基二极管

C4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:07:00

C4D20120A分立碳化硅肖特基二极管

C4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:12:16

E4D20120G分立碳化硅肖特基二极管

E4D20120G是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:18:42

C4D30120H分立碳化硅肖特基二极管

C4D30120H是1200V 分立碳化硅肖特基二极管具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管,电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高效率标准,同时还达到更高的频率和功率密度
2022-06-03 19:29:09

C4D30120D分立碳化硅肖特基二极管

C4D30120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:34:40

C4D40120H分立碳化硅肖特基二极管

C4D40120H是1200V 分立碳化硅肖特基二极管具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管,电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高效率标准,同时还达到更高的频率和功率密度
2022-06-03 19:40:19

C4D40120D分立碳化硅肖特基二极管

C4D40120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:46:36

碳化硅肖特基二极管降低能源成本和空间要求

相比硅二极管,GEN2碳化硅肖特基二极管可显著降低开关损耗,并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性。
2018-07-06 15:11:354532

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET产品

的重要补充,也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。
2018-10-23 11:34:375600

碳化硅肖特基二极管的优点及应用

碳化硅肖特基二极管(SiCSBD)是一种单极型器件,采用结势垒肖特基二极管结构(JBS),因此相比于传统的硅快恢复二极管(SiFRD),碳化硅肖特基二极管具有理想的反向恢复特性。可以有效降低反向漏电
2020-11-17 15:55:056028

碳化硅肖特基二极管B1D30120HC的特点

二次侧整流二极管通常使用FRD(快速恢复二极管)和SBD(肖特基势垒二极管)等,本文提到的基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D30120HC基本没有开关损耗,而且VF具有正向温度系数,有利于提高车载充电机实际的效率
2022-07-26 14:43:34928

碳化硅肖特基二极管B2D60120H1性能优势

碳化硅的RDS(ON)较低,因而开关损耗也较低,通常比硅低100倍。基于碳化硅肖特基二极管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在电力电子技术领域打破硅的极限,成为新能源及电力电子的首选器件。
2023-05-18 12:46:40277

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