美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200 V肖特基二极管系列
2012-11-22 14:09:061242 中国,北京,2018年1月24日讯 - Littelfuse, Inc.,作为全球电路保护领域的领先企业,今日宣布新推出了四个隶属于其第2代产品家族的1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品,该产品家族最初于2017年5月发布。
2018-01-25 11:04:578627 极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料,SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点,SiC
2019-10-24 14:25:15
逆变器等中高功率领域,可显著的减少电路的损耗,提高电路的工作频率。 关断波形图(650V/10A产品) 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
。尤其在高压工作环境下,依然体现优异的电气特性,其高温工作特性,大大提高了高温稳定性,也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
介绍了采用商用1200V碳化硅(SiC)MOSFET和肖特基二极管的100KHz,10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超低开关损耗使得开关频率在硅实现方面显着增加
2019-05-30 09:07:24
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管,设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24
SiC-MOSFET和SiC-SBD(肖特基势垒二极管)组成的类型,也有仅以SiC-MOSFET组成的类型。与Si-IGBT功率模块相比,开关损耗大大降低处理大电流的功率模块中,Si的IGBT与FRD
2018-12-04 10:14:32
PN结器件优越的指标是正向导通电压低,具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点,一是反向耐压VR较低,一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
反向恢复电流,其关断过程很快,开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高,可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域,由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
碳化硅肖特基二极管主要特点及产品系列 基本半导体B1D系列碳化硅肖特基二极管主要技术参数如下: 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二极管电流范围从2-40A,封装涵盖TO-220,TO-252,TO-263,TO-247及其家族群封装,产品列表见下:原作者:基本半导体
2023-02-28 16:55:45
的小电流,因此碳化硅肖特基二极管的开关损耗比硅快速恢复二极管更低。使用碳化硅肖特基二极管可以减少损耗,能快速稳定实现器件的正反切换,提高产品的效率和降低产品噪音,同时易于改善EMI。 以下测试结果
2023-02-28 16:34:16
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成格子花纹(check-pattern embedded SBD),以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
更进一步。其中UF系列的最新产品在1200V和650V器件上的导通电阻达到了同类产品最低,分别小于9毫欧和7毫欧。这些器件具有低损耗体二极管效应以及固有的抗过电压和短路的能力,与Si-MOSFET或
2023-02-27 14:28:47
200V,但是碳化硅肖特基二极管能拥有较短恢复时间实践,同时在正向电压也减少,耐压也大大超过200V,典型的电压有650V、1200V等,另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在
2020-06-28 17:30:27
%至 97%的系统效率。此外,CoolSiC 肖特基二极管有助于降低导通和恢复损耗。相比纯硅设计而言,该器件是实现硬换向的理想器件,损耗可降低 30%。由于具有较低的冷却要求,该二极管还能降低系统成本,带来极佳的性价比优势。详情见附件。。。。。。
2021-03-29 11:00:47
时间使它们非常适合高频应用,并能最大程度降低开关损耗。 •MBR系列均具有非常低的正向压降和比传统二极管更低的热耗散,因此降低了热和电传导损耗。 •它的高结温能力提高了高环境温度下或无法获得充分冷却
2016-04-11 11:53:55
` 一、肖特基二极管具有的优势 肖特基二极管MBR系列极快的开关速度以及非常低的反向恢复时间使它们非常适合高频应用,并能最大程度降低开关损耗。肖特基二极管与普通的PN结二极管不同。是使用N型
2018-12-27 13:54:36
肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等优点,但其反向击穿电压比较低,大多不高于60V,*高仅约100V,以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件
2021-11-16 17:02:37
,大多数硅用于高达250V的电压,而砷化镓、碳化硅或硅锗被用作阻断200至1700V电压的半导体材料。硅肖特基二极管具有大约0.4V的低阈值电压,工作电流较低时甚至低于0.1V。这远远低于电压约为1V
2017-04-19 16:33:24
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二极管,与传统的硅基器件相比,具有更优越的性能,零开关损耗,提高效率,降低解决方案成本,功率密度增加,实现更高的开关频率,减少对散热器
2021-11-09 16:36:57
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗,提升系统效率,更适合应用于高频电路。降低器件损耗,提升系统 EMI 表现。在新能源汽车电机控制器
2021-11-10 09:10:42
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二极管,与传统的硅基器件相比,具有更优越的性能,零开关损耗,极低反向电流 ,无反向恢复电流 ,低电容电荷, 提高效率,降低解决方案
2021-10-27 15:00:42
SiC JBS二极管提供卓越的功能,包括但不限于高温操作,高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比,GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
小轻薄,小尺寸,大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二极管。特性:⚫极低反向电流⚫ 无反向恢复电流⚫ 温度无关开关⚫ VF上的正温度系数⚫ 卓越的浪涌电流能力⚫ 低电容电荷优势:⚫基本上
2021-11-06 09:26:20
电源系统应用实现小型与更低损耗的关键 | SiC肖特基势垒二极管在功率二极管中损耗最小的SiC-SBDROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC(碳化硅)材料的SBD(肖特基势垒二极管
2019-03-27 06:20:11
阻。尽管普通二极管的“惯性”较大,但是在超过200V的工作电压场合,普通的PIN二极管占主导地位。 源于硅基的肖特基二极管,近年来开发出来新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二极管用于一些效率很关键的电力
2019-01-02 13:57:40
通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。 相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品,基于宽禁带碳化硅材料设计的碳化硅 MOSFET 具有耐压高、导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗、减小产品
2023-02-27 16:14:19
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢复二极管FR101-FR105150nsSR260肖特基二极管 10ns左右反向恢复时间短,特别适用于高频电路。二、碳化硅二极管碳化硅是一种新材料,几乎不
2023-02-15 14:24:47
应用领域,SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上,电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
相较于硅,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术,提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流,且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能,因此被视为下一代功率半导体。安森美半导体
2018-10-29 08:51:19
相较于硅,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术,提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流,且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能,因此被视为下一代功率半导体。
2020-07-30 07:14:58
` 低压降肖特基二极管是正向压降比普通肖特基二极管还要低的一种半导体器件,可以理解成升级版性能更优,压降更低,效率更高的肖特基二极管。 肖特基二极管SBT20V100也称为金属半导体结二极管
2018-10-17 15:20:19
的整体系统尺寸,更小的整体成本,高温下更高的可靠性,同时降低功率损耗。创能动力可提供碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模组和集成功率模组,用于太阳能逆变器、功率因数校正、电动车充电桩和高效率
2023-02-22 15:27:51
和 500A,带或不带碳化硅肖特基续流 1200V 二极管。 另一个例子是MiniSKiiP,这是一种无底板电源模块,使用赛米控的SPRiNG系统将电源和辅助端子连接到PCB。弹簧位置由外壳设计固定
2023-02-20 16:29:54
, Rgon=Rgoff=10Ω, VGE=15V/0V, L=200uH 图12 传统IGBT及混合碳化硅分立器件开关损耗参数对比 如图12所示,碳化硅肖特基二极管对IGBT的损耗和二极管反向恢复损耗
2023-02-28 16:48:24
一种减慢di/dt和dv/dt的方式来解决。不幸的是,这些方法会导致开关损耗增加和系统效率降低。而在使用碳化硅MOSFET时,只需在栅极和源极之间增加一个二极管电压钳位即可解决这一难题。 在碳化硅
2023-03-14 14:05:02
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC(碳化硅)材料的SBD(肖特基势垒二极管)。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产,目前正在扩充第二代SIC-SBD产品阵容,并推动在
2018-12-04 10:26:52
得到更低栅极开关驱动损耗(图1).碳化硅MOSFET寄生体二极管具有极小的反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr。如图所示,同一额定电流900V的器件,碳化硅MOSFET 寄生二极管反向电荷只有同等
2016-08-05 14:32:43
相较于硅,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术,提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流,且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能,因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
了第一代和第二代产品的优点,采用JBS结构,优化了N-外延层的掺杂浓度,减薄N+衬底层,使得二极管具有更低的正向导通压降VF和结电荷QC,可以降低应用端的导通损耗和开关损耗。 图(1)碳化硅二极管
2023-02-28 17:13:35
MDD肖特基二极管具有的优势:肖特基二极管MBR系列极快的开关速度以及非常低的反向恢复时间使它们非常适合高频应用,并能最大程度降低开关损耗。肖特基二极管均具有非常低的正向压降和比传统二极管更低的热
2020-08-28 17:12:29
电场而具有高击穿电压。例如,商用硅肖特基二极管的电压小于300V,而第一个商用SiC肖特基二极管的击穿电压已达到600V。3)碳化硅具有较高的导热性。4)SiC器件可以在更高的温度下工作,而Si器件
2023-02-07 15:59:32
二极管都一样。例如,大多数硅用于高达250V的电压,而砷化镓、碳化硅或硅锗被用作阻断200至1700V电压的半导体材料。硅肖特基二极管具有大约0.4V的低阈值电压,工作电流较低时甚至低于0.1V。这远远
2018-10-19 15:25:32
`<p>浅析肖特基二极管市场目前的发展形态 1、不同版本 然而,并非所有的肖特基二极管都一样。例如,大多数硅用于高达250V的电压,而砷化镓、碳化硅或硅锗被用作阻断
2018-11-06 13:48:58
) 碳化硅MOSFET具有极低的体二极管反向恢复时间(trr)及反向恢复电荷(Qrr)从而降低二极管开关损耗及操声,便于实现LLC谐振宽范围工作。同一额定电流器件,碳化硅MOSFET 寄生二极管反向电荷
2016-08-25 14:39:53
MOSFET更好的在系统中应用,需要给碳化硅MOSFET匹配合适的驱动。 接下来介绍基本半导体碳化硅MOSFET及驱动产品 基本半导体自主研发的碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低
2023-02-27 16:03:36
碳化硅(SiC)等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比,SiC显著降低了导通和关断损耗,并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53
,同时在正向电压也减少,耐压也大大超过200V,典型的电压有650V、1200V等,另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现
2023-02-20 15:15:50
使用绝缘栅双极晶体管(IGBT)。但随着半导体技术的进步,碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 能够以比 IGBT 更高的频率进行开关,通过降低电阻和开关损耗来提高效率
2022-11-02 12:02:05
可靠。将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对,在一起购买时可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。CSD01060E优点• 用单极整流器代
2022-05-27 20:10:54
可靠。将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对,在一起购买时可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C3D03060F优点• 用单极整流器代
2022-05-28 12:10:17
可靠。将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对,在一起购买时可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C3D04060E好处• 用单极整流器代
2022-05-28 12:23:31
可靠。将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对,在一起购买时可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C3D04060F好处• 用单极整流器代
2022-05-28 15:37:47
可靠。将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对,在一起购买时可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C3D04060A好处• 用单极整流器代
2022-05-28 15:55:46
可靠。将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对,在一起购买时可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C3D06060G好处• 用单极整流器代
2022-05-28 16:04:58
可靠。将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对,在一起购买时可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C3D06060F好处• 用单极整流器代
2022-05-28 16:12:24
可靠。将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对,在一起购买时可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C3D06060A好处• 用单极整流器代
2022-05-28 16:18:33
可靠。将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对,在一起购买时可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C3D08060G好处• 用单极整流器代
2022-05-28 16:25:05
可靠。将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对,在一起购买时可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C3D08060A好处• 用单极整流器代
2022-05-28 16:54:16
可靠。将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对,在一起购买时可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C3D10060A好处• 用单极整流器代
2022-05-28 17:04:18
可靠。将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对,在一起购买时可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C3D16060D好处• 用单极整流器代
2022-05-29 10:28:06
可靠。将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对,在一起购买时可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C3D20060D好处• 用单极整流器代
2022-05-29 10:32:40
C6D06065G为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管,电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案
2022-05-29 19:36:12
C3D06065E为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管,电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案
2022-05-29 19:45:27
C4D02120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:25:12
C4D02120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:29:57
C4D05120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:35:42
C4D05120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:40:17
C4D08120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:44:47
C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:48:49
E4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:54:09
C4D10120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 14:24:29
C4D10120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:14:54
C4D10120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:21:10
C4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:25:26
C4D15120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:30:26
C4D15120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:37:08
C4D15120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:43:35
E4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:49:31
E4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:54:14
C4D20120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:01:56
C4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:07:00
C4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:12:16
E4D20120G是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:18:42
C4D30120H是1200V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管,电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准,同时还达到更高的频率和功率密度
2022-06-03 19:29:09
C4D30120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:34:40
C4D40120H是1200V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管,电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准,同时还达到更高的频率和功率密度
2022-06-03 19:40:19
C4D40120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:46:36
相比硅二极管,GEN2碳化硅肖特基二极管可显著降低开关损耗,并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性。
2018-07-06 15:11:354532 的重要补充,也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。
2018-10-23 11:34:375600 碳化硅肖特基二极管(SiCSBD)是一种单极型器件,采用结势垒肖特基二极管结构(JBS),因此相比于传统的硅快恢复二极管(SiFRD),碳化硅肖特基二极管具有理想的反向恢复特性。可以有效降低反向漏电
2020-11-17 15:55:056028 二次侧整流二极管通常使用FRD(快速恢复二极管)和SBD(肖特基势垒二极管)等,本文提到的基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D30120HC基本没有开关损耗,而且VF具有正向温度系数,有利于提高车载充电机实际的效率。
2022-07-26 14:43:34928 碳化硅的RDS(ON)较低,因而开关损耗也较低,通常比硅低100倍。基于碳化硅的肖特基二极管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在电力电子技术领域打破硅的极限,成为新能源及电力电子的首选器件。
2023-05-18 12:46:40277
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