大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
2018-04-10 14:04:34
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为了更好地理解对功率密度的关注，让我们看看实现高功率密度所需的条件。即使是外行也能看出，效率、尺寸和功率密度之间的特殊关系是显而易见的。
2020-08-20 11:12:141169 
在本文中，我们将讨论一些设计技术，以在不影响性能的情况下实现更高的功率密度。
2021-09-13 11:29:541186 
为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度 SiC 功率模块的需求，进行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全桥 SiC 功率模块设计与开发，提出了一种基于多叠层直接键合铜单元的功率模块封装方法来并联更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 
基于该封装概念的功率MOSFET，它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。该器件在MOSFET性能方面树立了新的行业标杆，不仅通态电阻（RDS（on））降低，还具有业内领先的热性能指标。该产品适合的应用非常广泛，包括马达驱动、SMPS（包括服务器、电信和
2020-02-18 17:50:081494 日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。
2020-11-04 11:20:371482 日前发布的器件在小型封装内含有高性能n沟道沟槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。稳压器静态工作电流低，峰值效率达98 %，减少功率损耗。
2021-03-24 16:58:211425 电子发烧友网报道（文/李宁远）电源模块功率密度越来越高是行业趋势，每一次技术的进步都可以让电源模块尺寸减小或者让功率输出能力提高。随着技术的不断发展，电源模块的尺寸会越来越小。功率密度不断提高的好处
2022-12-26 09:30:522114 最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS™ 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有
2023-06-06 11:01:361028 
。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431207 
：IFNNY）顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率
2023-12-12 18:04:37494 
日益增长的需求，适于使用自动化表面贴装生产线。要求最大功率密度和能效的典型应用包括太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电池充电和蓄电等。 英飞凌的超薄TRENCHSTOP 5技术可以缩小芯片尺寸、提高
2018-10-23 16:21:49
的设计而言，它大幅降低了MOSFET导通电阻，并保持了出色的开关性能。 英飞凌推出的OptiMOS 3系列进一步改进了设计，使更高电压等级的器件能够受益于这种技术。在150 V 至250 V的电压
2018-12-07 10:21:41
`在全球电子元器件分销商中排名第十，在欧洲市场排名第三的电子产品分销商儒卓力致力服务中国市场，继11月在微信开设帐号后，再接再厉开设中文网站，使得中国客户以及合作伙伴、供应商、工程师和媒体只需轻松
2017-11-07 11:50:39
描述 PMP20978 参考设计是一种高效率、高功率密度和轻量化的谐振转换器参考设计。此设计将 390V 输入转换为 48V/1kW 输出。PMP20637 功率级具有超过 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2019-07-04 06:22:42
英飞凌科技股份有限公司低压驱动应用工程师Ralf Walter 2012年，电子器件一如既往地沿着更高性能和更高功率密度的方向发展。取决于具体的应用，要么侧重于封装的微型化，要么侧重于提高通流能力
2018-12-06 09:46:29
推荐课程：张飞软硬开源：基于STM32的BLDC直流无刷电机驱动器（视频+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd基于重量与体积，BLDC功率密度大于PMSM
2019-05-11 19:39:49
导读：全球功率半导体领先供应商国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）日前发布其近日新增产品--AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET
2018-09-28 15:57:04
：7A 负载条件下的启动波形结论LTC7820 是一款固定比例高电压高功率开关电容器控制器，具有内置栅极驱动器以驱动外部 MOSFET，可实现非常高的效率 (达 99%) 和高功率密度。坚固的保护功能
2018-10-31 11:26:48
新的功率密度和能效标准。 极低的门极电荷，输出电荷以及极低的导通电阻使得New OptiMOS成为服务器，数据通信和电信产品电压调节器上的最佳选择。40V, 60V OptiMOS更为DC/DC变换器
2012-07-13 10:50:22
什么是功率密度？功率密度的发展史如何实现高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。安森美半导体
2018-10-29 08:51:19
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2020-07-30 07:14:58
实现的高能效以及ZCS操作在二次侧带来的额外的能效提升，混合反激式转换器为诸如USB-PD快速充电器等超高功率密度转换器，提供了一个具有成本竞争力的解决方案。 图4：HFB转换器运行LLC转换器
2022-04-12 11:07:51
实现的高能效以及ZCS操作在二次侧带来的额外的能效提升，混合反激式转换器为诸如USB-PD快速充电器等超高功率密度转换器，提供了一个具有成本竞争力的解决方案。 图4：HFB转换器运行LLC转换器
2022-06-14 10:14:18
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸
2019-03-01 09:52:45
如何在高功率密度模块电源中实现低损耗设计？这个问题是很多生产商和研发人员所面临的头号问题。毕竟，高功率密度的模块电源目前在我国的工业、通讯和制造业领域占据着主导地位。所以，下文将会就这一问题展开
2016-01-25 11:29:20
实现功率密度非常高的紧凑型电源设计的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
封装中容纳更多的硅，从而实现比分立QFN器件更高的功率密度。这些器件还具有带裸露金属顶部的耐热增强型DualCool™封装。因此，尽管仍存在一些情况，即电动工具制造商可能更倾向于使用TO-220 FET来
2017-08-21 14:21:03
怎么测量天线辐射下空间中某点的电磁功率（功率密度）？
2013-10-16 16:32:02
高密度智能功率模块（IPM）推向市场。由于采用精细间距技术实现高布线密度的直接键合铜（DBC）基板，改善了热性能，这些紧凑型IPM远小于具有相同电流和电压额定值的竞争产品。它们也表现出降低的功率损耗
2018-10-18 09:14:21
整个寿命周期成本时，逐步减少能量转换过程中的小部分损失并不一定会带来总体成本或环境效益的大幅提升。另一方面，将更多能量转换设备集成到更小的封装中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工厂或数据
2020-10-27 10:46:12
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸
2019-08-06 07:20:51
作为开关模式电源的核心器件，MOSFET在对电源的优化中承担着十分重要的角色。采用最先进的半导体技术对提高工作效率固然必不可少，但封装技术本身对提高效率也具有惊人的效果。效率和功率密度是现代功率转换
2018-12-07 10:23:12
定制DCB（直接铜粘合）布线和引脚而获得的应用灵活性；降低客户开发周期和成本；高功率密度；集成式温度传感器；低杂散电感模块设计；符合RoHS标准。英飞凌已成功将这些模块纳入其汽车功率模块产品组合。因此
2018-12-07 10:13:16
开发人员来说，功率密度是一个始终存在的挑战，对各种电压下更高电流的需求（通常远低于系统总线）带来了对更小的降压稳压器的需求，这样的稳压器可通过一个单极里的多个放大器，将电压从高达48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
传统变压器介绍高功率密度变压器的常见绕组结构
2021-03-07 08:47:04
功率密度在现代电力输送解决方案中的重要性和价值不容忽视。为了更好地理解高功率密度设计的基本技术，在本文中，我将研究高功率密度解决方案的四个重要方面：降低损耗最优拓扑和控制选择有效的散热通过机电元件
2022-11-07 06:45:10
和涡流损耗给绕组和磁心设计以及相应地给磁心材料和导体材料品种规格的选用所带来的种种限制。本文对工作频率为2MHz，功率密度大于400W/cm3，功率范围在50~100W，输出电压为1.5V，效率高于99
2016-01-18 10:27:02
英飞凌推出25V OptiMOS调压MOSFET和DrMOS系列
为提高计算和电信产品的能效，英飞凌科技股份公司近日宣布，公司将在2010年应用电力电子会议和产品展示
2010-03-01 11:20:47731 飞兆和英飞凌签署功率MOSFET兼容协议
全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布，两家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51571 对于现代的数据与电信电源系统，更高的系统效率和功率密度已成为核心焦点，因为小型高效的电源系统意味着节省空间和电费账单。
2011-07-14 09:15:132672 麦瑞半导体公司(Micrel, Inc.)推出了面向高功率密度直流—直流应用的新型SuperSwitcher II(TM)系列集成MOSFET的降压稳压器产品。
2012-02-03 09:09:12894 日前，集设计，开发和全球销售的功率半导体供应商AOS半导体有限公司（AOS），发布了具有行业领先标准的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它们的DFN3X3封装厚度只有超薄的0.8毫米。
2012-05-28 11:30:242463 在电路板尺寸不断缩小的新一代服务器和电信系统供电应用中，提高效率和功率密度是设计人员面临的重大挑战。为了应对挑战，飞兆半导体研发了智能功率级（SPS）模块系列——下一代超紧凑的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:011811 e络盟日前宣布新增来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的CoolMOS™与OptiMOS™系列产品，进一步扩充其功率MOSFET产品组合。
2015-03-02 17:37:381390 高功率密度逆变电源研制，有需要的下来看看
2016-03-25 13:57:20
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意法半导体新款的MDmesh™ MOSFET内置快速恢复二极管
提升高能效转换器的功率密度
2017-09-21 16:31:255915 ，需要开发出高效可靠的LED专用驱动电源与之配套。当前LED驱动电源存在功率密度、功率因数和效率较低等问题，因此开展高功率密度LED驱动电源的研究意义深远。
2017-10-23 14:36:289 TI高功率密度电源设计中的散热解决方案-上篇
2018-08-24 00:10:002790 设计超高功率密度的小功率AC-DC电源
2018-08-16 01:30:007217 设计超高功率密度的小功率AC-DC电源
2019-05-13 06:21:004845 
SuperSO8封装：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封装，堪称封装界的best-in-class级别，相比于TO-220封装，SuperSO8将在减少封装电感的基础上进一步增大功率密度、减少漏源电压V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:174535 
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。儒卓力在电子商务网站上供应这款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:382779 通过对同步交流对交流（DC-DC）转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管 （MOSFET）参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2020-08-07 18:52:000 什么样的MOSFET才适合储能系统？英飞凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET产品系列，帮助储能系统轻松实现更高效、更高功率密度以及双向充/放电的设计。
2020-08-21 14:01:251014 
功率密度在现代电力输送解决方案中的重要性和价值不容忽视。 为了更好地理解高功率密度设计的基本技术，在本文中，我将研究高功率密度解决方案的四个重要方面： 降低损耗 最优拓扑和控制选择 有效的散热 通过
2020-10-20 15:01:15579 功率密度在现代电力输送解决方案中的重要性和价值不容忽视。为了更好地理解高功率密度设计的基本技术，在本文中，我将研究高功率密度解决方案的四个重要方面：降低损耗，最优拓扑和控制选择，有效的散热，通过机电
2020-11-19 15:14:0011 高功率密度系统需要大电流转换器
2021-03-21 12:38:3810 高功率密度双8Aµ模块稳压器
2021-04-14 10:39:519 20VIN 1A高功率密度LDO具有40µVRMS噪声，H级温度范围高达+150°C
2021-05-21 18:43:586 3D封装对电源器件性能及功率密度的影响
2021-05-25 11:56:0315 功率密度在现代电力输送解决方案中的重要性和价值不容忽视。
为了更好地理解高功率密度设计的基本技术，在本文中，我将研究高功率密度解决方案的四个重要方面：
降低损耗
最优拓扑和控制选择
有效
2022-01-14 17:10:261733 ）。首款商业MOSFET在五年后发布生产，从那时起，几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。
然而，近年来，这些已取得的进步开始逐渐弱化，为下一个突破性技术
2021-12-09 11:08:161428 
英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。
2022-02-15 13:51:382073 
功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。
2022-05-31 09:47:061906 
提高功率密度的路线图从降低传导动态损耗开始。与碳化硅相比，氮化镓可以显着降低动态损耗，因此可以降低整体损耗。因此，这是未来实现高功率密度的一种方法。
2022-07-26 10:18:46487 电力电子领域的各种应用。MOSFET 的基本特性之一是其能够承受甚至非常高的工作电流、卓越的性能、稳健性和可靠性。该LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封装设计用于比 D²PAK 等旧金属电缆封装小尺寸和更高的功率密度，适用于当今空间受限的高功率汽车应用。
2022-08-09 08:02:112783 
OptiMOS 已经成为采用英飞凌独特技术的中低耐压 MOSFET 的商标，有多种耐压、RDS(on)、封装，适用于汽车和消费类应用。英飞凌在功率半导体领域的市场占有率位居全球第一，特别是在汽车
2022-08-19 15:05:053319 功率密度基础技术简介
2022-10-31 08:23:243 一般电驱动系统以质量功率密度指标评价，电机本体以有效比功率指标评价，逆变器以体积功率密度指标评价；一般乘用车动力系统以功率密度指标评价，而商用车动力系统以扭矩密度指标评价。
2022-10-31 10:11:213713 用氮化镓重新考虑功率密度
2022-11-01 08:27:301 电子发烧友网报道（文/李宁远）电源模块功率密度越来越高是行业趋势，每一次技术的进步都可以让电源模块尺寸减小或者让功率输出能力提高。随着技术的不断发展，电源模块的尺寸会越来越小。功率密度不断提高的好处
2022-12-26 07:15:02723 基于WAYON维安MOSFET高功率密度应用于USB PD电源
2023-01-06 12:51:35549 
功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。
2023-02-06 14:24:201160 
未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm² PQFN 封装的源极底置功率MOSFET，电压范围涵盖
2023-02-16 16:27:22758 对于电源管理应用程序而言，功率密度的定义似乎非常简单：它指的是转换器的额定（或标称）输出功率除以转换器所占体积，如图1所示。
2023-03-23 09:27:49711 
在功率器件领域，除了围绕传统硅器件本身做文章外，材料的创新有时也会带来巨大的性能提升。比如，在谈论功率密度时，GaN（氮化镓）凭借零反向复原、低输出电荷和高电压转换率等突出优势，能够帮助厂商大幅提升系统密度，而另一种主流的宽带隙半导体材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳选择。
2023-05-18 10:56:27741 
英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。
2023-06-26 13:10:00302 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 点击 “东芝半导体”，马上加入我们哦！ 碳化硅（SiC）是第3代半导体材料的典型代表，具有高禁带宽度、高击穿电场和高功率密度、高电导率、高热导率等优越的物理性能，应用前景广阔。 目前，东芝的碳化硅
2023-10-17 23:10:02269 
随着汽车行业逐步纵深电气化，我们已经创造出了显著减少碳排放的可能性。然而，由此而来的是，增加的电子设备使得汽车对电力运作的需求日益攀升，这无疑对电源网络提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在电源管理设计中的关键切换功能，成为了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 
使用集成 GaN 解决方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28195 
采用IGBT7高功率密度变频器的设计实例
2023-12-05 15:06:06375 
功率半导体冷知识：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
非互补有源钳位可实现超高功率密度反激式电源设计
2023-11-23 09:08:35284 
在电力电子系统的设计和优化中，功率密度是一个不容忽视的指标。它直接关系到设备的体积、效率以及成本。以下提供四种提高电力电子设备功率密度的有效途径。
2023-12-21 16:38:07277 
英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
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