第六讲 逻辑门电路

第六讲 逻辑门电路

第3章 逻辑门电路
3. 1 概述
3. 2 分立元件门电路
3. 2. 1 二极管的开关特性
一、静态开关特性及开关等效电路
二、动态开关特性

3. 2. 2 三极管的开关特性
一、静态开关特性及开关等效电路
二、动态开关特性

3. 2. 3 二极管门电路
一、二极管与门电路
二、二极管或门电路

3. 2. 5 组合逻辑门电路
一、与非门电路
二、或非门电路

作业：P87 3.10

第3章 逻辑门电路
3. 1 概述
门电路——用以实现各种基本逻辑关系的电子电路
正逻辑——用1表示高电平、用0表示低电平的情况；
负逻辑——用0表示高电平、用1表示低电子的情况。

（此处用数字电路网络课程或PowerPoint）

　

二、动态开关特性 （PowerPoint）
在高速开关电路中，需要了解二极管导通与截止间的快速转换过程。

当输入电压UI 由正值UF 跃变为负值UR 的瞬间，VD 并不能立刻截止，而是在外加反向电压 UR作用下，产生了很大的反向电流IR ，这时 iD＝ IR≈- UR／R，经一段时间 trr后二极管VD 才进人截止状态，如图3. 2. 3 (c) 所示。通常将trr 称作反向恢复时间。
产生 trr的主要原因是由于二极管在正向导通时，P区的多数载流子空穴大量流入N区，N区的多数载流子电子大量流入P区，在P区和N区中分别存储了大量的电子和空穴，统称为存储电荷。当UI 由UF 跃变为负值 UR时，上述存储电荷不会立刻消失，在反向电压的作用下形成了较大的反向电流 IR，随着存储电荷的不断消散，反向电流 也随之减少，最终二极管VD 转为截止。
当二极管VD 由截止转为导通时，在P区和N区中积累电荷所需的时间远比trr 小得多，故可以忽略。

3. 2. 2 三极管的开关特性

一、静态开关特性及开关等效电路

　

3. 2. 3 二极管门电路

一、二极管与门电路

　

　

二、二极管或门电路

　

表3.2.3 或门输入和输出的逻辑电平          表3.2.4 或门的真值表

　

        表3.2.5 非门的真值表

二、或非门电路

列出其真值表