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2010-05-06 08:55:20
同步整流技术就是用功率MOSFET代替普通二极管或者肖特基二极管进行整流,所以,研究同步整流技术,就必须首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06259 功率MOSFET的雪崩强度限值是衡量器件针对于感性负载在开关动作应用中的重要参数。 清楚地理解雪崩强度的定义,失效的现象及评估的方法是功率MOSFET电路设计必备的能力。 本文将以下面三个方面进行探讨。
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2023-03-15 09:22:28406 功率 MOSFET 上电气过载的故障特征-AN11243
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2023-02-20 19:30:518 使用功率 MOSFET Zth 曲线-AN11156
2023-02-17 18:49:230 功率MOSFET是一种功率型半导体元件,它可以控制大电流的流动,从而控制电路的功能。
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2023-02-16 14:07:08791 本文论述了功率MOSFET管导通电阻的正温度系数和负温度系数的双重特性以及相对应的VGS的转折电压,功率MOSFET管在开通和关断时要跨越这两个区域的工作过程。
2023-02-16 11:22:59432 功率MOSFET是较常使用的一类功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的缩写,译成中文是“金属氧化物半导体场效应管
2023-02-15 15:47:36304 某些电源架构要求电源排序器(或系统管理器)控制下游功率MOSFET,以允许功率流入分支电路。如果输入电源电压至少比电源输出电压高5V,则可以在电源输出端放置一个功率MOSFET,并增加一些电平转换电路。
2023-02-09 12:07:58372 专精于高频领域,预计2022年功率MOSFET全球市场规模可达85亿美元 功率MOSFET是电力控制中必不可缺的专精于高频领域的功率器件。功率MOSFET是市场占比最高的功率器件,由于自身电压驱动
2022-11-30 10:38:39759 功率 MOSFET 是最常见的功率半导体,主要原因是因为其栅极驱动需要的功率小、以及快速的切换速度,使其成为电机驱动时最常用的功率半导体。本文将为您简介功率 MOSFET 的技术特性,以及由安森美(onsemi)推出的NTBLS1D5N10MC功率MOSFET的产品特性。
2022-09-27 15:17:561204 功率MOSFET是专门针对解决高功率电流和电压的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),同样是功率半导体中的一种。与其它功率半导体相比较,功率MOSFET具备电源开关速度快、低压效率高的优势
2022-08-16 14:30:56628 功率MOSFET带负载功率能力的评估
2022-07-26 17:43:441587 在进行功率MOSFET电路设计时需要注意的重要参数是电流、电压、功耗和热。功耗和热通常相互关联。
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2022-07-13 16:10:3921 尽管分立式功率MOSFET的几何结构,电压和电流电平与超大规模集成电路(VLSI)设备采用的设计方式有极大的不同,它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。
2022-02-08 15:59:067 功率MOSFET的驱动电路设计论文
2021-11-22 15:57:3778 电源系统中的恒定电流源,固态继电器,电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET,当栅极至源极电压为零时,该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道耗尽型功率
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2021-04-16 14:17:0242 功率MOSFET应用研究及主电路设计。
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2013-09-26 14:54:2392 分析了对功率MOSFET器件的设计要求;设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实
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2010-06-07 08:22:4840 基于功率MOSFET设计考量
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2010-03-30 10:37:181395 NexFETTM:新一代功率 MOSFET
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2010-02-06 09:16:011367 小信号应用60V功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET,比SC-70和SC-90等封装能节约更多
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2009-11-21 11:39:538507 功率MOSFET的工作原理,规格和特性均与变极式功率电晶体有所不同。
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2009-04-02 23:36:182084 功率MOSFET的结构和工作原理功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P
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