EFG-Procedure, Edgedefined Film Growth的缩写。 用这个方法可以从硅中熔炼出8角形的管子, 棱长10厘米, 总长可以到5米,可以切割成10x10厘米晶片。优点是切割损耗少。
EG-Si, Elecronic Grade Silizium的缩写, 用于芯片制作的高纯度硅。
Electrolyte, 电解质。
Elektron, 电子。
Elektronen-Loch-Paar, 电子空穴对, 半导体吸收一个光子, 释放出一个电子和一个空穴。
Enclosure, 包装,防风雨模块的保护。 例如玻璃,等材料。
EVA, Ethylen-Venyl-Acetat的缩写。 封装太阳能电池板的薄膜。
F
Fresnel lens:菲涅尔透镜;用微分切割原理制成的薄板式透镜。
FZ, float-zone-procedure的缩写。
G
GaAs, Galllium Arsenid的缩写。半导体, 被用于太阳能电池板时, 效率可达22%。
Geometrical concentrator ratio:几何聚光率;聚光器面积与太阳电池面积之比叫几何聚光率。
Grid, 太阳能电池板上的金属导线。电阻越小越好, 这样能量损失少。
H
Hole saw, 空穴锯,空穴锯是一个非常薄的金属片,就像耳膜一样薄,这个薄片在正中央有一个洞,它的边缘使用金刚石刀。使用该薄片切割使损耗在0.2到0.3微米之间。
Hole, 空穴,正的带电体,在半导体接收光照后,和电子同时出现的带电体,一般成为空穴电子对。
Hot Spot, 热点,在电池板部分被阴影遮挡时,被遮挡的单元不能发电同时有很大的电阻,对于串联的电路会有很大的热损耗,甚至烧坏该点的电池板。 为了避免此情况的发生,旁路二极管与各自的单元并联。从而便免欧姆的热损失。
I
I:电流的缩写,国际单位为安培
Indium-Zinn-Oxid: 缩写(ITO), 铟锌氧化物,透明的半导体,并具有很高的导电性,作为透明接触层应用于对很薄的电池板单元或是彩色物质单元。
Ingo: 从多晶硅或是单晶硅提炼出的块状物。
Integrated serial switching:集成的串联技术,在生产大面积的电池板时应用于薄膜技术。 在生产过程中大面积的电池板单元被激光束裁成单个的薄片,但是这个薄片的上表面要和邻居薄片的下表面组成串联。集成的串联技术是除了节省材料外的一个重要优点的薄膜技术。
Intensity: 光照强度, 物理测量的单位面积的光照功率,单位是瓦特每平方米。
Intrinsic:描述一个没有掺杂的半导体和一个掺杂半导体的对比。
Inverter:逆变器,将变化的MPP由太阳能电池板提供的直流电转化为电网交流电的变频器。
Ion: 离子,分正和负的原子或者分子,离子在电解液里起到导电的作用。
ISC:短路电流。
Island system:孤岛系统,是不和大电网联网,只是供自己使用的光伏系统,例如只是在山里或是小岛上的光伏发电系统。
ITO:是铟锑氧化物的缩写。
I-U-characteristic curve: 电池板I-U特征曲线,代表太阳能电池的典型特征。 在这里太阳能电池板的输出的电压和电流的关系。 从I-U-曲线里可以看出该电池板以下的特征:电池板最大利用率,短路电流,开路电压,电池板效率等。
K
kT, 热学能量(k= Boltzmann常数, 1.381x10-23 J/K, T = Kelvin绝对温度)
kWh:千瓦时,能量的单位。1kW=1000瓦,是一千瓦的灯泡亮一个小时锁消耗的能量。
kWp, peak:指的是最大的功率点,单位是千瓦,一般太阳能逆变器的功率就是指的是最大功率。
L
Laminate:一种薄片材料,来保护电池板芯片,例如EVA或Tedlar。 通过该物质将电池板芯片整个用透明的物质密封起来,一方面保护电池板芯片,另外一方面还要保持阳光的穿透力。
Light trapping: 光的增透,在光完全被电池板吸收前,进入电池板的光通过反射和内表面的阻碍,光的增透对薄层电池板有着非常特别的意义,表面处理技术起着重要的作用。
M
Majority charge carrier:多子,描述半导体里的带电体,通常决定于掺杂的类型,例如在p型多子是空穴,n型多子则是电子。
Marginal cost payment time: 接收太阳能发电,向电网传输所获的收益,因此到一定的是将将收回太阳能设备的投资成本,这段时间叫做成本收回时间。
Metal-Insolator-Silicon:缩写MIS,金属绝缘硅,这种电池板类型包含与传统电池板的不同是没有PN结,这个电荷分离功能满足这里从打入铯原子的氧化硅里出来的电子反转层。优点是简化生产过程,不需要高温来掺杂。
Minority charge carrier:少子,描述半导体里的带电体,通常决定于掺杂的类型,例如在n型多子是空穴,p型多子则是电子。
Module effinciency:电池板模块的效率。
Module rated power:额定功率,电池板最大可能的输出功率,当太阳垂直照在电池板上时,单位为瓦特。
Module:电池板模块,将很多的太阳能发电单元联接,然后封闭后的电池板单元。之后可以灵活串联并联。
Mono crystal silicon: 单晶硅
Mono crystal Silicon:单晶硅,纯净的晶体硅
MPP (max power point):最大功率点,在这个点上更具I-U曲线,电池板可以提供最大的功率,通过MPP的跟踪和控制可以在各种情况下找到最大功率点从而使电池板的发电效率提高。
N
N-endowment:N掺杂。
Net coupling:联网,太阳能发电装置通过逆变器把太阳能转化为电能输送到电网上的过程,和电网联网的发电装置不需要电能的储存。
O
Omic loss:欧姆损耗,电流通过电阻的损耗,电能变成了热能。
Open circuit voltage:电池板开路电压,当电池板没有联通负载时,或者说没有电流流过时的正负极间的电压,根据I-U曲线就是电流为零的那个点对应的电压。
P
Passivation:失活性,在每一个半导体的表面都有一个打开的连接,因为它为下一个原子打开。这样加速了带电粒子的复合。最简单的失活性的方法是在半导体的表面增添二氧化硅层。
P-endowment:p掺杂。
Performance Ratio:光伏系统的评判标准,是实际收益率除以理论收益率。
Photo- conductive effect:光电导效应 ;以导电率变化为特征的光电效应。
Photo effect: 光子效应,足够的光能能从金属的表面里打出电子,这和光电效应不可混淆,是两个概念。
Photo electronics chemical solar cell: 光电子化学光电池板,这是以电解液为基础,吸收光子,产生电子和空穴对,吸收光子是在敏感的表面层,在电解液里出现电荷流动。
Photon:光子,是以能量的形式并以光的速度运动,并且进入电池板内激发电子和空穴对的物质。
Photo-electric emission:光电发射;仅仅由于辐射能的射入而引起的电子发射。
Photo-electron:光电子;由光电效应放出的电子。
Photovoltaic effect: 光生伏特效应,简称“光伏效应”。指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。它首先是由光子(光波)转化为电子、光能量转化为电能量的过程;其次,是形成电压过程。有了电压,就像筑高了大坝,如果两者之间连通,就会形成电流的回路。
Photovoltaik: 是一项技术,将太阳光转换成为电能的一项技术。
Photo-voltaic concentrator array:聚光太阳电池方阵:由若干聚光电池组件组合在一起,构成的供电装置叫聚光太阳电池方阵。
Photovoltaic concentrator array field:聚光太阳电池方阵场。 由一系列聚光太阳电池方阵组成的聚光光伏发电系统叫聚光太阳电池方阵场。
Photovoltaic concentrator module:聚光太阳电池组件。系指组成聚光太阳电池,方阵的中间组合体,由聚光器、太阳电池、散热器、互连引线和壳体等组成。
PN junction: 采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。
Polycrystalline silicon: 多晶硅,是主要的光伏材料,由连续的晶体组成,从几微米到厘米级。生产多晶硅的方法是块浇方法。
Polycrystalline silicon solar cell:多晶硅太阳电池。多晶硅太阳电池是以多晶硅为基体材料的太阳电池。
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