ITO玻璃技术之SiO2阻挡膜层规格
SiO2 阻挡膜层规格
2008-10-25 16:04:25
1296 什么是Prescott/SiO2F?
这是Intel最新的CPU核心，目前还只有Pentium 4而没有低端的赛扬采用，其与Northwood最大的区别是采用了0.09um制造工艺
2010-02-04 11:28:54377 有机无机复合ZrO2-SiO2平面光波导
采用溶胶凝胶法合成ZrO2-SiO2 有机无机复合光波导材料,通过改变其中ZrO2 的含量来调节材料的折射率,使材料分别适用于平面光波
2010-02-23 10:12:20
14 π220N61是一款兼容I2C 接口的低功耗双向隔离器，I2C隔离器输入和输出采用二氧化硅(SiO2)介质隔离，可阻断高电压并防止噪声电流进入控制侧，避免电路干扰和损坏敏感器件。 与光电耦合器相比
2021-11-09 10:35:16
镀复SiO2膜的电容器介质膜
成功一种能在几百小时连续沉积SiO2膜的新颖电子束蒸发装置，获国家发明专利，在此基础上
2009-12-08 09:03:32655 [iPhone开发书籍大全].3D.for.iPhone.Apps.with.Blender.and.SIO2(Sybex.2010-2)
2013-02-28 13:58:024 在等离子增强化学气相沉积法PECVD沉积 SiO2和 SiN掩蔽层过程中!分解等离子体中浓度较高的H原子使MG受主钝化!同时在P-GaN材料表面发生反应形成浅施主特性的N空位。
2018-12-17 08:00:0015 目前，许多企业在SiC MOSFET的批量化制造生产方面遇到了难题，其中如何降低SiC/SiO₂界面缺陷是最令人头疼的问题。
2023-06-13 16:48:17159 
传感新品 【长春工业大学：研发PAM@SiO2-NH2/石墨烯导电水凝胶传感器】 导电水凝胶因其在软机器人、电子设备和可穿戴技术等领域的潜在应用而备受关注。然而，由于传统水凝胶固有的脆性，其广泛应用
2023-08-21 17:24:49595 
摘要 研究了高频和高频/HCI溶液中的不同平衡点，并研究了SiQ的蚀刻反应作为高频溶液中不同物种的函数。基于HF二聚体的存在，建立了一种新的SiO~蚀刻机制模型， SiQ在高频溶液中的溶解是在
2021-12-31 11:08:013288 
本文介绍了在APT32F102中使用SIO的应用范例。，SIO 模块是一个串行输入输出的控制器，可以模拟多种串行通信协议，支持双向数据传输。 由 D0, D1, DL, DH 四个对象组合编码，可以用于 MCU 外围硬件接口不够，但又需要和其它设 备通信或者器件自定协议的场合。
2022-06-02 14:44:235 本文将说明怎样改变 LTC2874 热插拔通道的用途，以为 SIO 负载提供较大的电流 (被称为SIO+ 模式)，同时保持LTC2874 的 IO-Link 特性和功能。
2017-09-05 11:34:358126 
采用SPCE061A设计的SIO实现数码录音及播放
本文就是介绍利用SPCE061A的这两个资源和串行接口的FLASH(SPR1024)来开发数码录音及播放系统。本系统只
2010-04-20 11:45:43869 
SPCE061A 是台湾凌阳公司生产的一种新型的十六位单片机，该款单片机资源丰富，具有极高的性价比。SPCE061A具有可编程的音频处理功能，同时又具有串口输入输出端口SIO(它提供了一个
2011-10-06 10:39:431186 
关键词：SIO , SPCE061A , 播放 , 数码录音 SPCE061A是台湾凌阳公司生产的一种新型的十六位单片机，该款单片机资源丰富，具有极高的性价比。SPCE061A具有可编程的音频处理
2018-11-09 09:17:02189 理论及不同退火温度、不同退火时间、SiO2薄膜厚度、SiO2薄膜折射率、不同盖片等试验参数对制备非吸窗口的影响，并且讨论了Si0，薄膜介质膜的多孔性对无杂质诱导量子阱混合的影响．实验制备出蓝移波长为53 nm的非吸收窗口，最佳制备非吸收窗口条件为退火温度为
2018-02-10 10:16:350 众所周知，硅的热氧化动力学是一个复杂的过程，涉及到氧化剂进入表面，通过刚刚生长的氧化层运输，最后在大块硅和SiO之间的界面上发生反应，尽管有许多工作致力于这个问题，但一些关键的现象还没有得到很好
2022-06-30 16:59:551194 
蚀刻机理 诸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的强含水碱性介质蚀刻晶体硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O 硅(OH) + H 二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因为不同晶面的Si原子
2022-07-11 16:07:221129 
为什么需要关注 SiC MOSFET 栅极？尽管具有传统的 SiO 2栅极氧化物，但该氧化物的性能比传统 Si 基半导体中的经典 Si-SiO 2界面更差。这是由于在SiC 的 Si 终止面上生长
2022-08-04 09:23:04886 
在微电子技术以及在微结构、微光学和微化学传感器中，需要在由不同材料构成的大面积的薄膜层中构造功能完善的结构。
2022-03-29 15:49:583396 
IO-Link 是一项针对工业应用中智能传感器和执行器点对点三线式接口的通信标准。IO-Link 把这些器件的传统接口能力从简单的 NC/NO 开关接口 (标准 IO 或 SIO 模式) 扩展到双向
2023-02-13 15:06:34299 
每个电影的内在压力也不同。聚酰亚胺比SiO 2具有更低的应力，并且可以根据需要增加厚度。SiO 2厚度，因此隔离能力是有限的; 与厚的SiO 2层有关的应力，例如15μm的量级，可能导致在隔离器的使用寿命期间的加工或分层过程中破裂的晶片。基于聚酰亚胺的数字隔离器使用厚度为26μm的隔离层。
2018-09-07 16:58:203849 USR-SIO818T-ER是一款联网型PLC，支持8路输入、8路输出、1路模拟量检测、1路温度检测；干湿节点兼容；支持Modbus协议；可进行梯形图编辑，方便快捷；支持以太网、4G联网通信，支持RS232本地通信；支持虚拟串口；支持硬件看门狗，可靠易用；支持导轨安装；电源具备过流、过压、防反接保护。
2021-10-09 09:58:019 分别以丙醇锆和正硅酸乙酯为原料，采用溶胶-凝胶工艺制备了性能稳定的ZrO2和SiO2溶胶。用旋转镀膜法在K9玻璃上分别制备了SiO2单层膜、ZrO2单层
2010-03-03 13:50:4921 20世纪60年代以前，半导体基片抛光还大都沿用机械抛光，得到的镜面表面损伤是极其严重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶胶和凝胶抛光后，以SiO2浆料为代表的化学机械抛光工艺就逐渐代替了以上旧方法。
2023-08-02 10:48:402639 
这款GO-FET生物传感器采用由p型硅（Si）衬底以及覆盖其上的二氧化硅（SiO2）介电层组成的p型硅片（Si/SiO2）制备。
2022-11-10 09:58:24366 光纤，完整名称叫做光导纤维，英文名是OPTIC FIBER。
它是一种由玻璃或塑料制成的纤维，可作为光传导工具。
光纤的主要用途，是通信。目前通信用的光纤，基本上是石英系光纤，其主要成分是高纯度石英玻璃，即二氧化硅(SiO2) 。
2023-02-14 10:14:32326 
外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。
2019-03-27 16:58:1520143 LED 芯片的制造工艺流程：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2 腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。
2016-08-05 17:45:2117182 
Si晶片在大气中自然氧化，表面非常薄，但被SiO2膜复盖。Si和在其上产生的SiO2膜的密合性很强。在高温下进行氧化，会产生厚而致密且稳定的膜。Si的熔点为1412℃，但SiO2的熔点为1732
2022-04-13 15:26:084096 
在这项研究中，石墨烯被转移到具有多个图案化的硅沟槽的SiO2/Si衬底上，并且转移后石墨烯与硅沟槽中的硅衬底直接接触。与硅沟槽直接接触的石墨烯被电子掺杂形成n型石墨烯，而与SiO2直接接触的石墨烯保持p型掺杂。
2021-05-06 15:59:222562 
硅在暴露在空气中时会形成一层氧化硅（SiO2）层。在许多制程步骤中，如在热处理过程之前，需要移除这层氧化硅。氢氟酸是唯一能够有效清洗硅片表面氧化硅的化学品。氢氟酸能够与SiO2发生反应，生成挥发性的氟硅酸，从而清除硅片表面的氧化物层。
2023-08-02 10:40:25227 
该文近期发表于npj Computational Materials 6： 25 （2020），英文标题与摘要如下，点击左下角“阅读原文”可以自由获取论文PDF。
2020-06-04 17:59:413031 SiO2 薄膜具有良好的硬度、光学、介电性质及耐磨、抗蚀、机械等特性，在光学、微电子等领域有着广泛的应用前景
2020-03-10 08:00:0023 石英晶体谐振器术语石英晶体俗称水晶，成分SiO2，它不仅是较好的光学材料，而且是重要的
2006-04-16 23:34:08895 关键词：高分子材料，热管理材料，隔热材料，引言：SiO2气凝胶复合材料是一种无机非晶态的固体，与海绵类似，内部存在大量连通的孔洞。气凝胶孔径在20nm~50nm之间，远小于空气平均自由程70nm
2022-04-29 10:11:02865 
在本研究工作中，边缘耦合器和图案化沟槽在具有220 nm厚的顶部Si层和3 μm厚的SiO2掩埋氧化物（BOX）层的SOI晶片上制造。
2023-04-13 10:56:02100 当应用于硅(Si)、玻璃和其他材料时，二氧化硅(SiO2)涂层提供介电层或钝化层，用于半导体、MEMS、生物医学、储能设备和其他应用的晶片类型。
2022-07-26 14:56:26994 夏普 29 日宣布，郭台铭个人名义投资的 SIO International Holdings Limited（SIO 国际控股）将加大对双方合资的堺显示器公司（SDP）持股，SIO 取得持股逾半，也揭示郭董要做大面板事业的决心。
2016-12-30 09:27:47676 沙子：硅是地壳内第二丰富的元素，而脱氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25％的硅元素，以二氧化硅(SiO2)的形式存在，这
2019-02-27 14:32:292633 金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压，产生电场的效应来控制半导体(S)导电沟道开关的场效应晶体管。由于栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，MOSFET因此又被称为绝缘栅型场效应管。
2022-02-10 15:48:598205 
金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压，产生电场的效应来控制半导体(S)导电沟道开关的场效应晶体管。由于栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，MOSFET因此又被称为绝缘栅型场效应管。
2023-06-20 09:18:00566 
Ewald Georg von Kleist invented the first recorded capacitor in 1745 SiO2: Typical BV is 1000 Vpeak
2011-04-29 18:04:2856 构成光纤的材料是石英纤维（SiO2）;光纤由内芯和包层组成，芯的折射率略大于包层，利用光在内芯的折射或在芯与包层界面上的全反射实现光的传播。
2009-11-14 10:27:1016 configurations and output enable functions. These devices have logic input and output buffers separated by TI’s silicon dioxide (SiO2
2010-08-26 15:24:1716 configurations and output enable functions. These devices have logic input and output buffers separated by TI’s silicon dioxide (SiO2)
2010-08-26 15:14:3838 (M-金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压，产生电场的效应来控制半导体(S)导电沟道开关的场效应晶体管。由于栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，MOSFET因此又被称为绝缘栅型场效应管。
2023-02-27 18:03:473383 
configurations and output enable functions. These devices have logic input and output buffers separated by TI’s silicon dioxide (SiO2
2010-08-26 15:25:4931 晶圆的层次结构如下图所示：硅基板P型衬底为掺杂硼原子的Si，N阱(n-well)为掺杂磷原子的Si；其上面为隔离作用的场氧层是SiO2，场氧层上面由多晶硅做的Poly电阻，其通过接触孔
2022-10-31 10:33:062119 SiO2，这是石英晶振的基材的主要成分，由两种化学元素组成：硅和氧。在自然界中发现SiO2的结晶形式，其实天然石英晶体，大家或许更习惯称之为水晶。那么，问题来了：天然水晶是用来生产石英晶振
2022-07-22 10:21:16306 
在多晶硅的基础上形成结构，并采用SiO2牺牲氧化层铸模。 使用标准集成电路光刻技术存放SiO2图案层， 然后是结构化多晶硅图案层。 在此之后，对结构进行蚀刻，以便移除牺牲层，留下一个无支撑多晶硅结构
2018-09-25 10:05:002927 
(SiO2) insulation barrier. This barrier provides galvanic isolation of up to 4000 V. Used in conjunction with isolated power s
2010-08-26 14:54:139 of the ISO 11898 standard. The device has the logic input and output buffers separated by a silicon oxide (SiO2) insulation barri
2010-08-25 17:05:5379 器件沟道长度为1μm，HFO2栅介质厚度为4.88nm；SiO2栅介质厚度为2nm；P衬底掺杂浓度4E15cm^-3；栅电极为铝金属。
2023-07-05 16:45:21262 
N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极（漏极D、源极S）；在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G；P型半导体称为衬底，用符号B表示。由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的，所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。
2019-03-10 10:44:2222701 
焊接合金钢、铸铁和有色金属时，熔池中容易产生高熔点的稳定氧化物，如 Cr2O3、SiO2和Al2O3等，使焊缝中夹渣。故在焊接时，使用适当的焊剂，可与这类氧化物结成低熔点的熔渣，
2009-12-24 14:05:2215 温度对复合材料红外性能的影响:摘 要: 利用硬脂酸凝胶法制备了SiO2 - Y2O3 - TiO2 复合材料. 通过差热- 热重分析、X - 射线粉末衍射以及傅立叶变换红外光谱等表征手段对所得前驱体
2009-10-25 12:19:5616 湿氧氧化化学反应式为H2O(水汽）+ Si = SiO2 +2H2；在湿氧工艺中，可在氧气中直接携带水汽，也可以通过氢气和氧气反应得到水汽，通过调节氢气或水汽与氧气的分压比改变氧化速率。注意，为了确保安全，氢气与氧气的比例不得超过 1.88：1。
2022-10-27 10:46:535512 丰田通商将从2011年11月起试销售采用纳米级微细光学材料的窗用保温隔热薄膜。该产品由光学材料制造销售风险公司GRANDEX(岐阜县关市)和从事功能性薄膜制造销售业务的东洋包材共同开
2011-10-12 09:23:431007
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