Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:44
1092 TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)今天宣布，推出业内首个双通道、表面贴装的光调制器驱动器---TGA4947-SL，可降低物料清单和缩小专用于光驱动功能的印刷电路板面积。
2012-10-30 10:06:441359 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 Vishay 12 月12 日推出实验室样品套件，让设计者触手可及精密MELF电阻的常用阻值，简化各种电子系统的原型
2012-12-12 09:42:36898 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，将Vishay的ThunderFET®应用到更小的封装尺寸上。
2013-01-09 11:42:301462 Vishay Intertechnology宣布，推出新系列小型栅极驱动变压器---MGDT，可在高功率的国防和航天、工业及医疗应用中显著节省空间。
2018-03-07 13:57:098754 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大导通电阻，以及22A～47A的额定电流范围
2011-10-13 09:09:311168 Vishay推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。
2019-12-13 15:54:001337 Vishay 推出小型可润湿侧翼DFN1110-3A封装新款双向对称（BiSy）两线ESD保护二极管---VBUS05M2-HT5。
2021-04-19 14:13:061378 
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
; VSMP0603采用 Vishay 的“Z箔”技术，可大幅降低电阻元件对环境温度变化 (TCR) 和外加功率变化
2008-09-26 13:42:57
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用金端接，用导电胶合的新系列精密薄膜片式电阻。MC ATAU系列的外形尺寸为0402和0603，可在+ 155 ℃高温下工
2014-08-08 14:15:16
汽车级电阻，节省电路板空间，工作电压为450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，扩充其TNPV e3系列汽车级高压薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
本文介绍双通道数字式磁隔离器ADUM1201在CAN总线通信系统中的应用，由于ADUM1201的优良特性，用ADUM1201代替传统的光电隔离器件，降低了系统功耗，简化系统结构，增加了系统稳定性，提高了系统的性能。
2021-05-31 06:52:41
DN407 - 双通道电流检测放大器简化了 H 桥负载监视
2019-07-25 14:57:14
基于labview的双通道示波器设计
2012-05-18 18:56:40
(POL)、高效负载开关和低端切换、稳压器模块(VRM)以及ORing功能。设计人员使用FDMC8010器件，能够将封装尺寸从5mmx6mm减小为3.3mmx3.3mm，节省66%的MOSFET占位面积
2012-04-28 10:21:32
产生，从而减少电源产生的热量。通过减少部件数来实现这些相同功能，它们还实现了 PCB 空间的节约，从而简化了设计，降低了 OEM 厂商的成本。桥式整流器Vishay 推出采用 GSIB-5S 封装的新款单相直
2015-04-23 11:48:26
点（IIP3）、10dB的噪声指数和1.3W功耗。 LTC559x双通道高性能混频器系列非常适用于无线基础设施MIMO接收器。此类双通道解决方案减少了组件数目、简化了LO信号的布线、以及减小
2019-07-04 08:29:18
：POWI）今日推出适用于流行的“新型双通道”100mm x 140mm IGBT模块的SCALE-iFlex™ Single门极驱动器。这款紧凑型新驱动器支持耐压在3.3kV以内的模块，现可随时供货
2021-09-09 11:00:41
实现小外形尺寸的设计。采用6.0mm x 3.7mm外形尺寸的双芯片不对称功率封装是MOSFET封装技术上的重大进步。这种封装使工程师能够改善电源的性能，缩小体积，以及简化设计，同时实现现在的消费电子产品所要求的高效率或性能。本新闻来自大联大云端`
2013-12-23 11:55:35
1 引 言DAC5687是美国TI公司出品的一款双通道、16bit高速数模转换芯片。片内资源丰富，具有内插、调制等多种功能。FPGA 因其属于大规模在系统可编程专用集成电路而且具有高密度、高速度
2019-07-10 08:16:48
的那些家用电器采用的SOT-23 (6.75mm2) 封装（参见图2），新型MOSFET的尺寸约有其六分之一左右。它还意味着不仅RDS(ON)降低，还实现了占位面积大幅减小的优点，面积比传统
2018-08-29 16:09:11
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
45mm x 34 mm 的电路板面积。其他输入和输出大容量电容器位于解决方案尺寸安放面积以外。此设计使用 TLP0202 双通道数字电位器通过 SPI 总线对输出电压进行编程。使用 LMP8481-S
2018-08-17 06:22:10
单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制，采用节省空间的窄体SO-8封装，通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率，STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间，并增强了节能型动力系统、驱动器和控制的稳健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
MOSFET将封装面积减半-Zetex新款无铅型Zetex 新款无铅型 MOSFET 将占位面积减半模拟信号处理及功率管理方案供应商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其
2008-03-22 14:46:02484 双通道场效应管混频器射频电路 (Dual MOSFET mixer RF circuit)
2008-11-21 18:37:051056 
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技术
日前，Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。这些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
日前，Vishay Intertechnology宣布推出业界首款采用 MICRO FOOT 芯片级封装的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。
Si8422DB 针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:221152 Vishay推出LC EMI/ESD滤波器阵列：四通道的VEMI45LA-HNH和八通道的VEMI85LA-HGK
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款LC EMI/ESD滤波器
2009-05-18 18:29:19568 Vishay宣布推出四通道和八通道的LC EMI/ESD滤波器阵列--LLP1713/LLP3313
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出四通道和八通道的LC EMI/ESD滤波器阵列，在超级
2009-05-20 15:53:14609 Vishay推出具有最高32V电源电压的新款IGBT和MOSFET驱动器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出两款新型IGBT和MOSFET驱动器，丰富了其已
2009-07-01 09:30:55556 TDF859 NXP推出的双通道D类放大器
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）日前推出了具有顶级音效和能效的双通道D类放大器新系列。新型恩智浦TDF8599
2009-08-04 08:20:08814 Vishay推出新款钽外壳液钽电容器136D
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列钽外壳液钽电容器——136D。对于高可靠性应用，136D器件
2009-11-06 08:38:41918 Vishay推出新款高速PIN光敏二极管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二极管，新器件采用鸥翼和倒鸥翼型封装
2009-11-13 09:21:28744 Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装，具
2009-11-25 17:56:52711 双通道内存技术的原理
双通道技术在当今的电脑应用越来越广泛，相信大家对双通道，使普通的DD的词语并不陌生。那么究竟双通道技术是怎么样的呢？双通道内
2009-12-26 16:11:461513 Vishay推出超小型双向对称单线ESD保护二极管
日前，Vishay推出采用LLP006封装的新款双向对称(BiSy)单线ESD保护二极管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的极
2010-01-09 09:42:28743 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 韩国成功改良NOR芯片 可大幅提升手机性能
首尔大学指出，1组韩国工程师已改良手机用芯片技术，可大幅提升手机性能。
2010-01-28 09:23:52899 
推出汽车应用的新款表面贴装白光LED：VLMW321xx/VLMW322xx
Vishay推出采用两种分装版本的新款表面贴装白光LED——VLMW321xx LED和VLMW322xx LED。为了与类似器件保持大范围的引脚
2010-02-08 08:37:19561 什么是双通道/怎么组建双通道
双通道，就是在北桥（又称之为ＭＣＨ）芯片级里设计两个内存控制器，这两个内存控制器可相互独
2010-02-25 10:21:322279 Maxim推出双通道、2线霍尔传感器接口
Maxim推出带有模拟和数字输出的双通道、2线霍尔传感器接口MAX9621。该器件可通过在模拟输出端对线性信息对应的传感器电流进行
2010-03-06 10:20:00884 Vishay推出新款ESD保护阵列VBUS053BZ-HNH-G-08
Vishay推出具有低容值和低漏电流的新款ESD保护阵列VBUS053BZ-HNH-G-08，可保护USB-OTG端口免受瞬态电压信号的损害
2010-03-23 11:53:11987 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:52777 Maxim推出双通道与四通道超高速DisplayPort无源开关
Maxim推出具有独立AUX和HPD控制的双通道(MAX4998)和四通道(MAX14998*)超高速DisplayPort 无源开关。器件
2010-04-09 12:19:21600 
Vishay推出新款薄膜贴片电阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出为钻井和航空等极端高温环境优化的新系列打线式、裸芯片贴片式
2010-04-17 16:12:54676 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:23923 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-26 09:04:081506 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，
2011-03-02 10:19:301341 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出可在-55℃～+215℃宽温范围内工作的新款精密低TCR薄膜电阻---PLTT
2011-03-28 11:04:301388 Vishay Intertechnology, Inc.推出采用GSIB-5S封装的新款单相直排桥式整流器--- LVB1560和LVB2560。
2011-04-13 10:52:351399 日前，Vishay Intertechnology, Inc.发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。
2011-08-18 09:42:40850 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出双通道 (LTC2158-14) 和单通道 (LTC2153-14) 高 IF 采样 14 位、310Msps 模数转换器 (ADC)，这两款器件专为多种带宽数字预失真 (DPD) 线性化应用而设计。
2011-10-28 09:06:53521 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出最新款双通道 500 MSPS 数模转换器 (DAC)，可为宽带传输系统降低材料清单成本。该 12 位 DAC3162 与 10 位 DAC3152 是同类产品中尺寸最小、成本最低和功耗最低的
2011-11-07 09:34:29765 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用新型超小尺寸LLP2510封装的新款4线ESD保护阵列---VBUS54ED-FBL。VBUS54ED-FBL的占位面积只有2.5mmx1.0mm，高度低至0.55mm，其低电容
2011-11-08 09:14:11485 全球高性能模拟混合信号半导体设计和制造领导厂商Intersil公司（纳斯达克全球交易代码：ISIL）宣布，今天推出一款节省空间和通过了AEC-Q100认证的双通道同步降压直流/直流稳压器---I
2011-11-10 13:49:41793 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有14pF低容量的新款双向非对称(BiSy)单线ESD保护二极管--- VCUT07B1-HD1，该器件采用超小LLP1006-2L封装。
2012-06-25 12:00:022816 本文详细介绍内存的单通道与双通道是什么意思，同时还有内存的单通道与双通道的区别。
2012-07-05 16:54:5515847 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款采用铁粉材料，符合WPC(无线充电联盟)标准的接收线圈--- IWAS-3827EC-50
2012-07-13 18:42:57791 Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 瑞萨电子宣布推出新款低导通电阻MOSFET产品，包括经过最佳化的μPA2766T1A，做为网路伺服器与储存系统之电源供应器内的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10938 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于汽车和工业应用的新款通过AEC-Q101认证的表面贴装透射式光传感器---单通道TCPT1350X01和双通道TCUT1350X01。
2013-06-26 11:39:171047 宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 12 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用2.4mm
2013-12-05 10:30:05898 的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的这两款器件可用于车载
2013-12-13 15:07:13843 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 Vishay发布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封装，使用TrenchFET® Gen IV技术的新款30V非对称双片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51890 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK® SC-70封装的新款-30V、12V VGS P沟道
2014-04-29 16:30:44885 宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 2 月9 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出4040外形尺寸的新款汽车级IHLP®低高度、大电流电感器---IHLP-4040DZ-8A，可在+180℃高温下连续工作。
2015-02-09 16:17:201144 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出一对MOSFET H桥，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。产品通过减少元件数量及缩减50%的印刷电路板占位面积，简化电机驱动和电感无线充电电路。
2015-03-03 10:43:401459 宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 3 月4 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、热增强
2015-03-05 16:30:04855 安华高科技推出一对双通道高速光电隔离MOSFET输出固态继电器
2016-01-06 17:28:12
0 Vishay推出新系列厚膜电阻---CDMV系列，其在高压工业和新能源设备应用中可帮助分压设计节约宝贵空间，简化生产设计，提高设计灵活性。
2016-06-14 10:14:19843 
安立公司在其市场领先的 E 系列 Site Master™、Spectrum Master™ 和 Cell Master™ 手持式现场分析仪中推出 CPRI RF 测量性能，可大幅简化安装在 4G 塔上的远端射频头 (RRH) 的测试过程，并降低相关成本。
2016-07-06 16:47:451052 Vishay宣布，推出业内首批通过AEC-Q101认证的采用双片不对称功率封装的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽车应用的高效同步降压
2016-07-11 14:33:171004 宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出通过AEC-Q200认证的新系列中压厚膜片式电阻。Vishay Techno CRMA系列电阻是针对
2018-01-17 11:30:378618 Vishay推出输入电压为4.5V～60V的新款2A～10A器件---SiC46X，扩充其microBUCK同步降压稳压器。Vishay Siliconix SiC46X器件十分节省空间，在小尺寸
2018-05-21 10:56:001893 AS5200L采用紧凑型堆叠式裸片结构，可配合更小的磁铁使用，在严苛的汽车线控驱动应用中，能有效节省空间艾迈斯半导体（ams AG）今日推出了 AS5200L。这款配备 I2C 接口的双通道旋转磁性位置传感器，是可在安全性至关重要的汽车应用中实现节省空间的新型设计
2018-06-30 08:02:004907 Vishay推出新款2020外形尺寸器件---IHLP-2020BZ-5A，扩展其汽车级IHLP薄形大电流电感器。Vishay Dale IHLP-2020BZ-5A工作温度+155 C，高度2mm
2019-05-16 14:26:463078 内存插三条不会影响双通道，双通道只在这两个通道之间互相作用；如果是三根内存，系统会将处于双通道位置的两条组建为双通道，剩下的一条使用单通道，但一般不建议这样搭配。具体介绍如下：
2020-05-22 09:36:038823 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP，这是采用PowerPAK® SO-8L
2020-12-15 16:09:501556 DN407 - 双通道电流检测放大器简化了 H 桥负载监视
2021-03-20 22:39:079 ADP2323：双通道、3 A、20 V同步降压调节器，集成高端MOSFET
2021-03-21 05:13:3110 ADP2325：双通道、5 A、20 V同步降压调节器，集成高端MOSFET
2021-03-21 05:31:346 ADP3629_3630_3631：高速双通道2 A MOSFET驱动器
2021-04-17 15:29:101 意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。
2022-02-15 14:23:261103 
意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。
2022-02-17 10:06:141783 （NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出面向电感-电感-电容（LLC）应用，变压器和集成电感采用单体封装的新型谐振变压器---MRTI5R5EZ。5.5 kW Vishay Custom
2022-09-29 16:43:00419 
中。 Vishay Siliconix SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 适用于计算和通信应用功率转换，在提高能效的同时，减少元器件数量并简化设计。 日前发布的双通道 MOSFET 可用来取代两个 PowerPAK 1212 封装分立器件，节省 50% 基板空间，同时
2023-02-04 06:10:04502 
SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技术实现优异导通电阻和栅极电荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型导通电阻分别为2.02 m和2.93 m，SiZF5302DT相同条件下导通电阻分别为2.7 m和4.4 m。
2023-02-06 14:44:22257 PowerPAIR® 3x3FS封装，30V对称双通道MOSFET
2023-02-06 15:34:15576 
近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0294
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