电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>嵌入式技术>全球最大碳化硅工厂头衔易主?又有新8英寸碳化硅产线投产!

全球最大碳化硅工厂头衔易主?又有新8英寸碳化硅产线投产!

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

中科院成功制备8英寸碳化硅衬底;华强北二手iPhone价格大跳水

中科院成功制备8英寸碳化硅衬底   近日中科院物理研究所在官网发文表示,科研人员通过优化生长工艺,进一步解决了多型相变问题,持续改善晶体结晶质量,成功生长出单一4H晶型的8英寸SiC晶体,加工出厚度
2022-05-07 00:55:003936

碳化硅器件介绍与仿真

本推文主要介碳化硅器件,想要入门碳化硅器件的同学可以学习了解。
2023-11-27 17:48:061230

海外大厂抢滩2023,国内企业加速追赶碳化硅衬底8英寸节点

严重供不应求。增加产能的有效方法就是提高衬底尺寸,目前碳化硅衬底尺寸正在从6英寸8英寸发展。   全球最大碳化硅衬底供应商Wolfspeed,今年4月刚刚开始在全球首个8英寸碳化硅晶圆厂试产,预计今年年底可以向客户供货。8英寸
2022-09-07 07:56:002571

8英寸衬底井喷,11月国内碳化硅产业迎来新进展

空间大   国内碳化硅产业近年来发展神速,首先是碳化硅衬底上6英寸衬底的量产以及8英寸衬底的研发进度大幅拉近了与海外领先玩家的差距,另一方面是产能扩张上的投入越来越大。这使得国内在全球碳化硅产业中,无论是从市场需求,还是
2023-12-12 01:35:001495

650V/1200V碳化硅肖特基二极管如何选型

  碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点,被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14

碳化硅(SiC)肖特基二极管的特点

,因此碳化硅功率器件有低的结到环境的热阻。  (4)碳化硅器件可工作在高温,碳化硅器件已有工作在600oC的报道,而硅器件的最大工作温度仅为150oC.  (5)碳化硅具有很高的抗辐照能力。  (6
2019-01-11 13:42:03

碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了

碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39

碳化硅MOSFET的SCT怎么样?

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言,该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07

碳化硅SiC技术导入应用的最大痛点

。  BOM成本比较表明,碳化硅基MOSFET充电器方案可节省15%成本  加快上市等于减少了时间成本  半导体厂商通常都通过参考设计为其器件提供广泛的支持。对于上面提到的OBC应用,Wolfspeed的全球
2023-02-27 14:28:47

碳化硅二极管选型表

应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员!附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表,欢迎大家选购!碳化硅(SiC)半导体材料是自第一代元素半导体材料(Si、Ge)和第二代化合物半导体材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23

碳化硅半导体器件有哪些?

  由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27

碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV

碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 (ZnO) 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏电阻我们
2024-03-08 08:37:49

碳化硅器件是如何组成逆变器的?

进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特点是什么

今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半导体的领军者

。抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中好的。是极其优秀的陶瓷材料。碳化硅(SiC)的市场前景随着信息科技的飞速发展,我国对半导体需求越来越多,我国已经成为全球最大的半导体消费国,半导体消费量占全球消费量的比重
2021-01-12 11:48:45

碳化硅基板——汽车电子发展新动力

大量采用持续稳定的线路板;在引擎室中,由于高温环境和LED 灯源的散热要求,现有的以树脂、金属为基材的电路板不符合使用要求,需要散热性能更好碳化硅电路板,例如斯利通碳化硅基板;在高频传输与无线雷达侦测
2020-12-16 11:31:13

碳化硅深层的特性

。强氧化气体在1000℃以上与SiC反应,并分解SiC.水蒸气能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸气的气氛中,能促进绿色碳化硅氧化从100℃开始,随着温度的提高,氧化程度愈为明显,到1400℃时为最大
2019-07-04 04:20:22

碳化硅的历史与应用介绍

硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不过,自1893 年以来,粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的应用

碳化硅作为现在比较好的材料,为什么应用的领域会受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二极管技术演进解析

  01  碳化硅材料特点及优势  碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一,其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例,其禁带宽度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二极管的基本特征分析

、15A三等级电流测试中,碳化硅肖特基二极管的反向恢复电流比硅快恢复二极管小,有利提升产品效率。  4、基本半导体碳化硅肖特基二极管主要特性参数及应用  最高反向工作电压(VRSM):二极管能承受的最大反向
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷线路板,半导体功率器件的好帮手

已经成为全球最大的半导体消费国,半导体消费量占全球消费量的比重超过40%,其中以碳化硅材料(SiC)为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国
2021-03-25 14:09:37

CISSOID碳化硅驱动芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32

SIC碳化硅二极管

SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11

TGF2023-2-10碳化硅晶体管

科技有限公司TGF2023-2-10对碳化硅器件由DC至14 GHz的离散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益为19.8 dB的饱和输出功率。最大功率附加效率为
2018-06-12 10:22:42

TO-247封装碳化硅MOSFET引入辅助源极管脚的必要性

通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。  相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品,基于宽禁带碳化硅材料设计的碳化硅 MOSFET 具有耐压高、导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗、减小
2023-02-27 16:14:19

【罗姆BD7682FJ-EVK-402试用体验连载】基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动技术研究

项目名称:基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动技术研究试用计划:申请理由:碳化硅作为最典型的宽禁带半导体材料,近年来被越来越广泛地用于高频高温的工作场合。为了提高永磁同步电机伺服控制系统的性能
2020-04-21 16:04:04

为何碳化硅比氮化镓更早用于耐高压应用呢?

能在不影响产量的情况下,制造出10的晶片。大尺寸的块状基板(如下图所示)。森教授认为,与目前的碳化硅基板相比,其成本相当,而且能达到更大的尺寸。日本大坂大学、丰田公司等公司,都参与了日本环保部的“在
2023-02-23 15:46:22

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43

传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)

传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生,以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11

创能动力推出碳化硅二极管ACD06PS065G

电机驱动。碳化硅器件和碳化硅模组可用于太阳能发电、风力发电、电焊机、电力机车、远距离输电、服务器、家电、电动汽车、充电桩等用途。创能动力于2015年在国内开发出6英寸SiC制造技术,2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51

功率模块中的完整碳化硅性能怎么样?

  本文重点介绍赛米控碳化硅在功率模块中的性能,特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。  分立器件(如 TO-247)是将碳化硅集成到各种应用中的第一步,但对于更强大和更
2023-02-20 16:29:54

嘉和半导体(GaN)氮化镓&碳化硅元器件

附件:嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51

图腾柱无桥PFC中混合碳化硅分立器件的应用

的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合,为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。  该器件将传统
2023-02-28 16:48:24

在开关电源转换器中充分利用碳化硅器件的性能优势

技术需求的双重作用,导致了对于可用于构建更高效和更紧凑电源解决方案的半导体产品拥有巨大的需求。这个需求宽带隙(WBG)技术器件应运而生,如碳化硅场效应管(SiC MOSFET) 。它们能够提供设计人
2023-03-14 14:05:02

基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC谐振隔离DC/DC变换器方案研究

)。给出了本设计主要参数指标,其中输出最大电流为35A,输出电压范围在300V-550之间。工作频率范围在150KHZ-400KHZ之间。目标最高效率超过98.4%,功率密度达到60瓦/立方英寸碳化硅
2016-08-05 14:32:43

基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管性能详解

家族中的新成员。  相较于前两代二极管,基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管在沿用6英寸晶圆工艺基础上,实现了更高的电流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向导通压降。  基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管继承
2023-02-28 17:13:35

如何用碳化硅(SiC)MOSFET设计一个高性能门极驱动电路

对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31

如何用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器?

碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40

归纳碳化硅功率器件封装的关键技术

影响因素。表 1 列出了典型的碳化硅器件封装结构并进行分类,同时列出了相关封装方式的杂散电感参数大小。由表 1 可知,消除金属键合线可以有效减小杂散电感值,将其大小控制在 5nH 以下。下面就其中典型
2023-02-22 16:06:08

新型电子封装热管理材料铝碳化硅

新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题,解决各行业遇到的各种芯片散热问题,如果你有类似的困惑,欢迎前来探讨,铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热,高刚度,高耐磨,低膨胀,低密度,低成本,适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流,谢谢各位!
2016-10-19 10:45:41

浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别

范围-5V~-15V,客户根据需求选择合适值,常用值有-8V、-10V、-15V;  · 优先稳定正电压,保证开通稳定。  2)碳化硅MOSFET:不同厂家碳化硅MOSFET对开关电压要求不尽相同
2023-02-27 16:03:36

电动汽车的全新碳化硅功率模块

面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能,特别是在800 V 电池系统和大电池容量中,它可提高逆变器的效率,从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16

被称为第三代半导体材料的碳化硅有着哪些特点

一、什么是碳化硅碳化硅(SiC)又叫金刚砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成,其实碳化硅很久以前就被发现了,它的特点是:化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50

请教碳化硅刻蚀工艺

最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅,采用的是ICP系列设备,刻蚀气体使用的是SF6+O2,碳化硅上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

107 应用如此广泛的碳化硅厂商名单来咯!应用如此广泛的碳化硅厂商名单来咯!

元器件碳化硅
车同轨,书同文,行同伦发布于 2022-08-04 15:48:57

碳化硅(SiC)基地知识

碳化硅(SiC)基地知识 碳化硅又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料
2009-11-17 09:41:491287

AMEYA360:八英寸碳化硅成中外厂商必争之地!#碳化硅

碳化硅
jf_81091981发布于 2023-07-13 11:39:58

碳化硅 SiC 可持续发展的未来 #碳化硅 #SiC #MCU #电子爱好者

工业控制碳化硅
Asd666发布于 2023-08-10 22:08:03

碳化硅MOS在直流充电桩上的应用

MOS碳化硅
瑞森半导体发布于 2024-04-19 13:59:52

基于碳化硅的6英寸碳化硅晶圆已经大规模投产

目前从芯片的成本角度确实比硅基芯片要高大概至少2到5倍之间,但是由于用了碳化硅器件以后可以带来系统成本的降低,包括性能的提升,长远来看效益还是更好。”
2020-10-19 14:06:235939

国内碳化硅“先锋”,基本半导体的碳化硅新布局有哪些?

基本半导体是国内比较早涉及第三代半导体碳化硅功率器件研发的企业,率先推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等器件,为业界熟知,并得到广泛应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动中
2021-11-29 14:54:088077

国内首条!基本半导体汽车级碳化硅功率模块专用线正式通线

12月30日,基本半导体位于无锡市新吴区的汽车级碳化硅功率模块制造基地正式通线运行,首批碳化硅模块产品成功下线。这是目前国内第一条汽车级碳化硅功率模块专用线,采用先进碳化硅专用封装工艺技术,打造
2021-12-31 10:55:432945

晶盛机电公司成功生产出行业领先的8英寸碳化硅晶体

最近晶盛机电宣布,公司成功生产出行业领先的8英寸碳化硅晶体。翻看公司公告,在8月12日晶盛机电首颗8英寸N型碳化硅晶体就已经成功出炉,表示成功解决了8英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题。
2022-09-07 09:29:442278

碳化硅龙头扩

亿美元的新工厂。随着新能源汽车的加速渗透,碳化硅技术的重要性愈发凸显。安森美、Wolfspeed、意法半导体等碳化硅领域主导企业,均发表了对行业发展的积极展望,并计划投资扩大产能。碳化硅大厂间的新一轮卡位之战正在展开。 激进的扩步伐 作为碳化
2022-10-08 17:02:251020

碳化硅原理是什么

碳化硅原理是什么 碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。在C、N
2023-02-02 14:50:022523

碳化硅技术龙头企业

碳化硅技术龙头企业 碳化硅市场格局 碳化硅产业链分为SiC衬底、EPI外延片、器件、模组等环节,目前全球碳化硅市场基本被国外垄断,根据Yole数据显示,Cree、英飞凌、罗姆约占据了90%的SiC
2023-02-02 15:02:544175

汽车碳化硅技术原理图

(SiC)技术 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅(SiC)技术的需求继续增长,这种技术可以最大限度地提高当今电力系统的效率,同时降低其尺寸、重量和成本。但碳化硅溶液并不是硅的替代品,它们也并非都是一样的。为了实现碳化硅
2023-02-02 15:10:00567

特斯拉碳化硅技术怎么样?特斯拉碳化硅技术成熟吗?

对新材料探索的脚步便从未停止。碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,属于第三代半导体材料,其禁带宽度高达3.0eV,相比第一代半导体材料硅,碳化硅的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8倍;电子饱和漂移速率为硅
2023-02-02 17:39:092843

碳化硅原理用途及作用

碳化硅的电阻率。碳化硅的电阻率随温度的变化而改变,但在一定的温度范围内与金属的电阻温度特性相反。碳化硅的电阻率与温度的关系更为复杂。碳化硅的导电率随温度升高到一定值时出现峰值,继续升高温度,导电率又会下降。
2023-02-03 09:31:234870

碳化硅技术壁垒分析:碳化硅技术壁垒是什么 碳化硅技术壁垒有哪些

碳化硅技术壁垒分析:碳化硅技术壁垒是什么 碳化硅技术壁垒有哪些 碳化硅芯片不仅是一个新风口,也是一个很大的挑战,那么我们来碳化硅技术壁垒分析下碳化硅技术壁垒是什么?碳化硅技术壁垒有哪些? 1
2023-02-03 15:25:164032

碳化硅技术标准_碳化硅工艺

碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:353758

SiC碳化硅二极管和SiC碳化硅MOSFET产业链介绍

我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成为粉末,碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭;碳化硅晶锭
2023-02-21 10:04:111996

碳化硅衬底市场群雄逐鹿 碳化硅衬底制备环节流程

全球碳化硅产业呈现明显的行业上下游收购兼并、大厂积极布局的特征。衬底作为碳化硅产业链中的核心环节,已成为兵家必争之地。
2023-03-23 10:30:041537

碳化硅功率模组有哪些

碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱,本期为番外篇,前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游,本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场,以及未来的发展趋势,感谢各位
2023-05-31 09:43:20509

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件,其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151517

​228亿涌入国内碳化硅赛道

三安光电近日宣布,将与国际功率半导体巨头意法半导体合资一家8英寸碳化硅器件工厂
2023-06-11 14:31:03118

碳化硅8英寸时代倒计时 中国厂商能否搭上“早班车”

碳化硅衬底是碳化硅产业链中成本最高、技术门槛最高的环节之一。近期,受到新能源汽车、光伏和储能等市场的推动,碳化硅厂商纷纷投资建设8英寸晶圆生产线,。国内外厂商如Wolfspeed、罗姆、英飞凌、意法半导体、三星和三菱电机等都宣布参与8英寸碳化硅生产的竞争。
2023-07-14 16:22:58886

碳化硅是如何制造的?碳化硅的优势和应用

碳化硅,也称为SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍,硼,铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度,但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:452260

切割工艺参数对6英寸N型碳化硅晶片的影响

采用砂浆多线切割工艺加工6英寸(1英寸=25.4 mm)N型碳化硅晶体,研究了此工艺中钢线张力、 线速度、进给速度等切割参数对晶片切割表面的影响。通过优化切割工艺参数,最终得到高平坦度、低翘曲度、 低线痕深度的6英寸N型碳化硅晶片。
2023-08-09 11:25:311762

碳化硅的性能和应用场景

碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,突破硅基半导体材料物理限制,是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展,碳化硅需求增速可观。
2023-08-19 11:45:221523

igbt和碳化硅区别是什么?

igbt和碳化硅区别是什么?  IGBT和碳化硅都是半导体器件,它们之间的区别主要体现在以下几个方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘
2023-08-25 14:50:0414130

8英寸碳化硅衬底已实现小批量销售

前来看,在未来一段时间内,6英寸导电型产品将作为主流尺寸,但随着技术的进步、基于成本和下游应用领域等因素考虑,8英寸导电型碳化硅产品将是碳化硅衬底行业的发展趋势。最终的周期将取决于技术的进度、下游市场的发展情况等多方面因素。
2023-09-12 09:27:35295

科友半导体自产首批8英寸碳化硅衬底下线

2023年9月,科友半导体自产首批8英寸碳化硅衬底成功下线。
2023-10-18 09:17:46537

三安光电8英寸碳化硅量产加速!

业内人士预测,今年将成为8英寸碳化硅器件的元年。国际功率半导体巨头Wolfspeed和意法半导体等公司正在加速推进8英寸碳化硅技术。在国内市场方面,碳化硅设备、衬底和外延领域也有突破性进展,多家行业龙头选择与国际功率半导体巨头合作。
2023-10-24 17:11:211192

国内碳化硅衬底生产企业盘点

碳化硅产业链中,碳化硅衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节,是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节。 碳化硅衬底的生产流程包括长晶、切片、研磨和抛光四个环节。
2023-10-27 09:35:571648

碳化硅器件的生产流程,碳化硅有哪些优劣势?

中游器件制造环节,不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行线升级便可满足碳化硅器件的制造需求。当然碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发,以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。
2023-10-27 12:45:363726

环球晶将加快8英寸碳化硅基板产能建设

环球晶董事长徐秀兰10月26日表示,她2年前错估了客户对8英寸碳化硅(SiC)需求,现在情况超出预期,她强调环球晶将加快8英寸碳化硅基板产能建设,预估明年将送样给需要8英寸基板的客户进行认证,并于2025年量产。
2023-10-27 15:07:43507

罗姆国富工厂将于明年生产8英寸碳化硅晶圆 目标增长35倍

11月上旬,罗姆株式会社社长松本功在财报电话会议上宣布,他们将在日本宫崎县的国富工厂生产8英寸碳化硅晶圆,预计将于2024年开始。
2023-11-25 16:07:34994

碳化硅是如何制造的?碳化硅的优点和应用

碳化硅,又称SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多,但半导体级质量的碳化硅只是在过去几十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:231299

碳化硅的5大优势

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:331307

碳化硅功率器件简介、优势和应用

碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:492117

碳化硅特色工艺模块简介

碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能,碳化硅在电力电子、微波射频、光电子等领域具有广泛的应用前景。然而,由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14545

河南第一块8英寸碳化硅SiC单晶出炉!

平煤神马集团碳化硅半导体粉体验证线传来喜讯——实验室成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶,全面验证了中宜创芯公司碳化硅半导体粉体在长晶方面的独特优势。
2024-02-21 09:32:31683

普兴电子拟建六低密缺陷碳化硅外延片线

预计该项目投资总额3.5亿元人民币,将引进碳化硅外延设备及辅助设备共计116套。其中包括一条具备24万片年产量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料线
2024-02-29 16:24:01426

晶盛机电6英寸碳化硅外延设备热销,订单量迅猛增长

聚焦碳化硅衬底片和碳化硅外延设备两大业务。公司已掌握行业领先的8英寸碳化硅衬底技术和工艺,量产晶片的核心位错达到行业领先水平。
2024-03-22 09:39:29401

Wolfspeed全球最大、最先进的碳化硅工厂封顶

全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed, Inc. (美国纽约证券交易所上市代码: WOLF) 在位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour 碳化硅制造中心”举办建筑封顶庆祝仪式。
2024-03-28 14:37:32555

芯联集成8英寸碳化硅工程批已顺利下线

近日,芯联集成宣布其8英寸碳化硅工程批已顺利下线,这一里程碑事件标志着芯联集成成为国内首家成功开启8英寸碳化硅晶圆生产的厂家。此项技术的突破不仅体现了芯联集成在碳化硅领域的领先实力,也展示了其对推动行业技术发展的坚定决心。
2024-05-27 10:57:49455

国产8英寸碳化硅晶圆迈入新纪元,芯联集成引领行业突破

5月27日,中国半导体制造领域迎来里程碑式的事件——芯联集成宣布其8英寸碳化硅工程批次成功下线,这一成就标志着国产8英寸碳化硅晶圆的生产正式迈入国产化阶段。此项目总投资高达9.61亿元,预计全面投产
2024-05-30 11:24:52524

已全部加载完成