电源电路设计 - ARM+FPGA实现花生油质量快速检测仪

3.2电源电路设计

　　在整个系统设计中，系统各个部分对电源要求不一样，电源设计非常重要，涉及到电源分配方案选择、电源管理与监控及电源功耗三个方面的内容。在整个系统中，ARM和FPGA电压配置如表1所示。系统需要转换成的电压有5 V、3.3 V、2.5 V和1.2 V。

　　所用电压转化芯片分别为AMS1117-5、AMS1117-3.3、AMS1117-2.5和AMS1117-1.2。

　　在本系统中,首先用电压转换芯片AMS1117-5把外部直流电源的9 V电压转换成5 V直流电压,电压转换电路如图4(a)所示,再用电压转换芯片AMS1117-3.3、AMS1117-2.5和AMS1117-1.2把5 V直流电压转换成3.3 V、2.5 V 和1.2 V直流电压，转换电路如图4(b)所示。

　　

 

　　3.3下载配置电路设计

　　S3C44B0X下载配置支持的JTAG接口是4线：TMS、TCK、TDI、TDO。其中TCK为测试时钟输入;TDI为测试数据输入，数据通过TDI引脚输入JTAG接口;TDO为测试数据输出，数据通过TDO引脚从JTAG接口输出;TMS为测试模式选择，用于设置JTAG接口处于某种特定的测试模式;nTRST为测试复位，输入引脚低电平有效[4] ，如图5(a)所示。

　　

 

　　EP2C5T144C8支持JTAG接口和主动串行ASP接口下载配置，在具体设计中，可先用JTAG方式调试程序，当程序调试无误后，再使用主动串行ASP方式把程序固化到配置芯片。如图5(b)所示，JTAG为下载插座;E1为配置芯片EPCSISI8;ASP为主动串行ASP下载插座，供固化程序到配置芯片使用。

　　3.4 存储系统电路设计

　　S3C44B0X的存储系统具有以下主要特性：ARM体系结构所支持的最大寻址空间为4 GB(232 B)，ARM体系结构将存储器看作是从零地址开始的字节的线性组合，从零字节到第3字节放置第1个存储的字数据，从第4个字节到第7个字节放置第2个存储的字数据，依次排列;有8个存储体，访问大小均可进行改变(8 bit/16 bit/32 bit)，每个存储体可达32 MB,总共可达256 MB，Bank0～Bank5可支持ROM、SRAM存储器，Bank6～Bank7可支持ROM、SRAM和FP/ED0/SDRAM存储器;有小端格式和大端格式两种方式存储字数据，可以通过外部引脚选择存储方式，在小端存储格式中，低地址中存放字数据的低字节，高地址存放字数据的高字节，大端格式低地址中存放字数据的高字节，高地址存放字数据的低字节[4]，Flash和SDRAM存储器电路如图6所示。

　　

 

　　3.5 按键电路设计

　　控制按键使用了4个按键(温度控制、量程控制、检测、显示)，按键接口电路如图7所示。用到的4个接口分别对应S3C44B0X的中断接口ExINT4，ExINT5,ExINT6，ExINT7。从电路图上可以看到，中断接口通过上拉电阻被接到VDD，VDD是+3.3 V电压,始终保持着高电平。而当有按键被按下时，直接接地，置成低电平引发中断。复位电路如图8所示。