0.13μm非易失性FRAM产品的增强的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、单路、线性变化数字电位器，能够实现机械电位器的功能，用简单的2线数字接口取代机械调节。MAX5128具有与分立电位器或可变电阻器相同的功能，提供128抽头、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
64794分析仪 D 256K跟踪深度仿真总线分析仪，128 KB
2019-01-21 10:53:04
概述:FM1808是RAMTRON公司生产的一款256K位并行存储芯片。该FM1808是256千比特的非易失性存储器采用先进的铁电工艺。铁电随机存取记忆体或FRAM是非易失性的，但在其他方面工作的RAM。
2021-04-21 07:52:40
DS1243, DS1243Y资料介绍,64k NV SRAM，带有隐含时钟DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
保持新鲜一般说明DS1553是一个全功能、符合2000年（Y2KC）标准的实时时钟/日历（RTC），带有RTC警报、看门狗定时器、上电复位、电池监视器和8k x 8非易失性静态RAM。用户对DS
2020-09-17 17:24:23
特征➤集成NV SRAM、实时时钟（RTC）、晶体、电源故障控制电路和锂能源➤时钟寄存器与静态RAM访问相同；这些寄存器位于16个顶级RAM位置➤世纪字节寄存器（即符合Y2K）➤完全不易挥发，在断电
2020-09-16 17:17:42
电路,周期中断/方波选择电路,14字节时钟和控制单元,114字节用户非易失RAM,十进制/二进制累加器,总线接口电路,电源开关写保护单元和内部锂电池等部分组成。DS12887引脚分配如图1：Vcc
2008-10-08 11:18:25
非易失可重复编程FPGA的应用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-10 07:20:20
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
易失性标准兼容架构。全局时钟网络中多达4条全局时钟线，驱动整个器件。提供可编程的快速传播延迟和时钟至输出时间。UFM支持高达256千位的非易失性存储。支持3.3、2.5、1.8和1.5逻辑电平可编程压
2022-08-10 09:47:44
等待区（ZW）使用，96K划给用户使用作为RAM使用256K的非零等待区里可以通过软件配置将其中的128K划出来给用户作为RAM使用，那么此时用户就有96+128K RAM可以使用，这224KB
2020-11-20 21:25:08
）， 器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存储技术生产，与标准MCS-51指令系统及8052产品引脚兼容，片内置通用8位中央处理器（CPU）和Flash存储单元，功能强大AT89C52单片机适合于许多较为复杂控制应用场合。
2020-07-20 17:17:17
CC2541oad在生成ImageB.bin超过256k flash？那个大神用过cc2541的 oad功能吗？？？在生成ImageB.bin时，ImageB.bin文件过大 ，超过
2016-03-16 14:56:17
CC3200内部RAM容量最大值只有256K，可以外部扩展吗？如果可以，希望能提供参考资料，希望TI员工能协助解决，谢谢！
2018-06-07 00:11:17
bq4011是一个非易失性262144位静态RAM，按8位组织为32768字。集成控制电路和锂能源提供可靠的非易失性，与标准SRAM的无限写入周期相结合。控制电路持续监测单个5V电源是否超出公差条件。当
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）结合了赛普拉斯行业领先的SRAM技术和一流的SONOS非易失性技术。在正常操作下，nv SRAM的行为类似于使用标准信号和时序的常规异步SRAM。nv SRAM执行
2020-04-08 14:58:44
DIY计划简介STC15F2K60S2简介：STC-Y5高速内核，工作频率可配置为1T（sysclk=mclk）2K RAM(256字节 idata + 1792字节 xdata) + 60K
2021-11-25 08:55:06
]],
l1PMode:"32K",
l1DMode:"32K",
l2Mode:"128K"
]
由此可以看出L2中256K的容量
2018-06-21 04:58:12
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 适配器来自达拉斯的流行的电池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往会忘记其宝贵的数据。通过这种引脚兼容的铁电 RAM 升级，您可以放心，因为在室温下，它的数据保留时间为 150 年，无需任何电池供电。
2022-07-14 07:51:06
Dallas Semiconductor推出DS3501 7位非易失数字电位器(digipot)，器件具有高达15.5V的输出电压。该器件是第一款内置温度传感器、ADC以及查找表(LUT)的高度
2018-11-19 17:09:27
（UIT88T BADD），EEPROM具有256K？一只虫子？换成UTIN 16 BADD？？ 以上来自于百度翻译 以下为原文 In memory.h generated by MCC
2019-03-07 12:22:02
`参考文档里说，M9K支持从8192x1一直到256x36的配置，那么如果设计了两个4096x1的RAM，那么会是在同一个M9K里面吗？又或者四个2048x1呢，或者两个2048x2`
2015-07-18 20:09:46
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在继承了GW1N-1/2/4的众多优点的基础上，加入了多项创新的特性，使得高云半导体在非易失性FPGA领域逐步建立了领先优势
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
M32D1NP-062 AAT:CMT53E256M32D2DS-053 WT:BMT53B384M64D4NK-062 WT:AMT53B512M32D2NP-062 WT:CMT53D512M32D2DS-053 AIT
2019-08-30 16:46:35
針腳 QFN 封裝和 3.5x3.8mm 64 球形直接晶片構裝之晶圓級封裝 (WLCSP)。nRF51822 提供 256k 或 128kB Flash 容量的不同版本。欢迎交流qq 1433511556
2016-07-03 11:18:34
F407的规则同步ADC采集如何 实现256k采样+转换速度？
2024-03-07 07:51:02
最近看STM32F429的手册，了解到RAM工256K其中64K是CCRAM另外三块是地址连续的RAM，大小分别是112K 16K 64K想知道为什么地址连续还要分成这样三块，有什么意义吗？为什么不像407或者405一样，直接两块：64KCCRAM+128K默认RAM？求了解的大侠指教。谢谢。
2019-01-03 09:52:32
我们正在尝试在STM32WB55RC上加载 stm32wb5x_Zigbee_FFD_fw.bin，但发行说明中的地址表显示 FFD 堆栈为 0x00，STMCube 程序员给出了错误地址错误。256K 闪存设备的 Zigbee 堆栈的实际地址是什么？
2022-12-23 09:03:11
你好，我在使用ch32v307 时有个疑惑，默认情况下 ch32v307的ROM 256K，RAM 64K。通过相关配置可以变成 ROM 192KB，RAM 128KB。那么原来ROM256K变成
2022-06-20 07:39:25
: ORIGIN = 0x20417000, LENGTH = 0x00001000 /* 4k */
ram_rsvd2: ORIGIN = 0x204180 00, LENGTH = 0 /* SRAM
2023-06-08 07:51:01
stm32f103rct6芯片的闪存是256K，但是当我存储数据的地址设到300K还是可以正常存储，不知道为什么？
2019-03-01 07:30:52
世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。
2019-09-16 10:31:20
目前在做单片机选型，需要大概4K RAM，32K FLASH，2K EEPROM的，有推荐的吗。自己就知道一些STM的和STC的，但是STC RAM空间太少了，外扩的话没有经验，也不知道外扩芯片的价格。总体价格当然是越低越好了:lol
2020-04-16 04:54:39
概述:DS3902是一款双路、非易失(NV)、低温度系数的可变数字电阻，提供256级用户选择。DS3902可以在2.4V至5.5V的宽电源范围内工作，通过I²C兼容的串行接口与该器件通信。内部地址设置功能通过编程使DS3902从地址置为128个可用地址之
2021-05-17 07:29:10
亲爱;我有Spartan™-3AN非易失性FPGA入门套件，我编写了VHDL程序，用于地址分配到与FPGA芯片接口的两个外部ROM。程序有（16位输入端口）和（16位输出端口），问题是：如何使用该套件在FPGA芯片上下载程序？如何确定哪个输入引脚和哪个是输出引脚？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
我应该用什么API来存储非易失性数据？我使用CYW43907，手册上说它支持外部闪存。我想知道我是否应该使用WiDeDssFlash写来存储数据，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
32-bit Cortex-M4
Memories:
- SRAM: 32K
- App Flash: 256K
- ISP Flash: 4K
- Data Flash: 0~256K
变量运行的时候是放ram中 ram只有32K
2023-06-13 08:36:12
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
RAM。我做到了，但最后剩下两个9K Block RAM，我在设计中找不到它们。我怎么知道设计中那些2 9K Block RAM在哪里？以上来自于谷歌翻译以下为原文Hi,I wanted
2019-06-06 07:23:18
) and128k x 8 nonvolatile static RAM. User access to all registers within the DS1746 is accomplished with abyte-wide interface a
2008-08-10 10:39:53
16 具有 CPU 监控器和外部 NVSRAM 控制的符合 Y2K 的并行 RTC，5V Vcc Iq (Typ) (uA) 0.5 Features External SRAM
2022-12-02 13:48:32
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:20:44
DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS1501/DS1511为完备的、2000年兼容的、实时时钟/日历(RTC)，具有RTC报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控、256字节非易失(NV) SRAM以及一个32.768kHz的频率
2023-07-21 16:48:54
具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 16:58:16
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。DS1248自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦
2023-07-24 09:29:49
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。DS1251Y自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-24 09:32:13
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽度的接口对DS1747内部的所有寄存器进行访问。RTC
2023-07-24 09:41:00
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器
2023-10-24 15:38:16
描述AT28C256是一种高性能的电可擦可编程只读存储器。它的256K内存由8位的32，768个字组成。该器件采用Atmel先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间高达150 ns，功耗仅为440
2023-12-08 15:05:01
DS1643, DS1643P 非易失时钟RAM
概述
DS1643 is an 8K x 8 nonvolatile static RAM with a full function Real Time Clock (RTC) that a
2009-12-19 12:50:45
1037 
该DS1557是一个全功能实时时钟/日历(RTC的同一个RTC报警，看门狗定时器，上电复位，电池监控)，以及512K的× 8非易失性静态RAM。用户访问DS1557内部所有寄存器完成了一个字节宽
2010-09-15 09:51:32730 
DS1744是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用户可通过如完整数据资料中的图1所示的单字
2010-09-28 09:05:42974 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电
2010-10-22 09:00:581417 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制
2010-10-22 09:04:04998 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM自带锂电池及控制电路，控
2010-11-24 09:53:311843 
DS1244,DS1244P具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟
2011-12-19 11:15:391685 
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。
2012-01-04 10:49:181184 
DS1746是一个全功能的，2000年的兼容(Y2KC)，实时时钟/日历(RTC)和128K×8非易失性静态RAM
2012-03-19 16:28:12822 
The CY62146EV30 is a high performance CMOS static RAM organized as 256K words by 16 bits.
2017-09-14 15:07:217 The CY62138FV30 is a high performance CMOS static RAM organized as 256K words by 8 bits.
2017-09-14 15:22:175 电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1554-70+相关产品参数、数据手册，更有DS1554-70+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1554-70+真值表，DS1554-70+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2022-11-18 20:03:38
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2022-11-18 20:53:55
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2022-11-18 21:25:02
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2022-11-18 21:34:49
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2022-11-18 21:35:11
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2022-11-18 21:36:15
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2022-11-18 21:45:20
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2022-11-18 21:52:04
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2022-11-21 21:51:02
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2022-11-21 21:51:13
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2022-11-21 21:55:30
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2022-11-21 22:54:58
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2022-11-21 22:55:25
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2022-11-21 22:55:43
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2022-11-21 22:56:11
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2022-11-24 20:17:57
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