0.13μm非易失性FRAM产品的增强的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
电阻。MAX5128具有超小尺寸、2mm x 2mm µDFN封装，待机电流低至0.5µA (典型值)，非常适合便携式设备。MAX5128工作在+2.7V至+5.25V电源电压，内置非易失存储器可保存
2021-05-17 07:50:42
概述:FM1808是RAMTRON公司生产的一款256K位并行存储芯片。该FM1808是256千比特的非易失性存储器采用先进的铁电工艺。铁电随机存取记忆体或FRAM是非易失性的，但在其他方面工作的RAM。
2021-04-21 07:52:40
32抽头非易失I²C线性数字电位器MAX5432资料下载内容主要介绍了：MAX5432引脚功能MAX5432功能和特性MAX5432应用范围MAX5432内部方框图MAX5432极限参数MAX5432典型应用电路
2021-04-02 06:37:34
FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1/3，而FRAM的待机/睡眠电流规格与EEPROM的待机/睡眠电流规格差不多。有功电流中的差异对功耗产生巨大影响，特别是当应用程（如:智能电子式电表
2020-10-09 14:27:35
FRAM存储器提供即时写入功能，无限的耐用性和接近零的软错误率，以支持对功能安全标准的遵守。引起人们对用于汽车EDR的FRAM非易失性存储技术的兴趣，因为其使用解决了这些缺点。这些吸引人的特性是锆钛
2020-08-12 17:41:09
FRAM器件提供非易失性存储，用10年的数据保存时间，在与熟悉的闪存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用现有的基于FRAM存储器和MCU器件，工程师们可以放心地在他们尽管间歇性的断电操作
2021-12-09 08:28:44
以及改进整个系统。而这正是我们采用 FRAM 的微控制器超越业界其他解决方案的优势所在。 FRAM 是一种非易失性 RAM，相较于其他非易失性存储器技术，可实现更快速的数据存储和几乎无限的寿命。 这
2018-09-10 11:57:26
开发人员了解专门针对物联网开发而优化的EFM和EFR系列MCU平台，我们将针对亚洲地区于2023年12月12日上午10点（北京时间）在线举办全新MCU专题的Tech Talk技术讲座－“EFM和EFR
2023-11-23 13:45:47
的连网性能、丰富的接口、更多的集成必不可少，性能、功耗、安全性的提升同样不容忽视。物联网到底需要什么样的MCU？
2019-07-17 06:10:50
MCU 是怎么为物联网端点设备提高安全性的？
2023-10-17 08:53:03
存取速度分类)：1、随机存取存储器：SRAM、DRAM、FRAM；2、非随机存取存储器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差强人意的分类为(按易失性分类)：1、易
2012-01-06 22:58:43
1. 存储器理解存储器是计算机结构的重要组成部分，存储器是用来存储程序代码和数据的部件，有了存储器计算机才具有记忆功能。按照存储介质的特性，可以分“易失性存储器”和“非易失性存储器”两类，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
所谓的寄存器、内存等用于存储信息的复杂结构。存储器的分类存储器分为易失性存储器和非易失性存储器；所谓易失性存储器是指设备掉电，存储的信息自动清除，而非易失性存储器具有存储时间长的功能。易失性存储器主要指
2021-12-10 06:54:11
作者：Michael (DLP) Walker，德州仪器（TI） 物联网(IoT) 正以前所未有的速度实现人、设备和云数据存储服务之间的互联。一些分析人员预测，到2020年，将会有500亿台数字设备
2019-03-13 06:45:09
的操作系统一样，物联网的RTOS也管理着MCU的基础资源和应用程序的运行。RTOS没有PC操作系统那么通用性好，由于MCU架构不同，各个厂家的MCU产品也存在着差异，RTOS需要针对不同MCU做适配。为了让物
2019-09-18 09:05:06
的小型节点、收集与记录资料的传感器集线器，主要都基于MCU平台，”Hackenberg表 示。“最慎重的MCU供应商正密切关注数十亿台联网设备的最新发展;然而，由于物联网是一种概念性趋势，而不是一种
2016-06-29 11:45:30
在物联网应用发展中，MCU的应用生态也发生了一些改变，呈现出了新的应用生态。目前，物联网应用基本都是将传感终端连接到云端，基本遵循云－管－端的架构。MCU的应用一般是在“管”和“端”，管指的是连接通信的管道，端是设备终端或传感终端。下图是MCU在物联网中应用生态的示意图：物联网应用中MCU应用生态示意图
2019-07-15 06:43:05
没有安全保障的物联网就不能算是物联网！这已经成为当今物联网时代大家基本的共识。有数据显示，到2020年，全球将有500亿台设备接入物联网，再考虑到多样性的互联通信链路以及云端部署，维护这样一个庞大
2019-07-17 06:37:28
软件开发的直观性和易用性。微控制器（MCU）作为物联网产品的核心，选择合适的 MCU 是满足客户当前和未来需求的关键。本文将探讨当今不断增强的嵌入式 MCU 的丰富功能，MCU 在加速设计的同时还可实现
2019-07-24 06:27:55
，非易失性存储器还需确保足够的读写次数来记录至少 20 年数据。此外，为了达到汽车级认证和资格，所有子系统应采用符合 AEC-Q100 标准的存储器组件。同时，功能性安全性能符合ISO 26262标准是另外一
2018-05-21 15:53:37
随机存取存储器）和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器)，三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯电子要介绍的是关于非易失性MRAM的单元结构
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-10 07:20:20
高密度MRAM具有非常低的功率，高的读取速度，非常高的数据保留能力和耐久性，适用于广泛的应用。单元面积仅为0.0456平方微米，读取速度为10ns，读取功率为0.8mA/MHz/b，在低功耗待机模式
2020-07-02 16:33:58
宇芯电子本篇文章提供智能电表或智能电子式电表的概述，并且说明在智能电子式电表的设计中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的优势。图1显示的是智能电子式电表的简化框图。非易失性存储器是一个电表
2021-07-12 07:26:45
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重复编程FPGA的应用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
bq4011是一个非易失性262144位静态RAM，按8位组织为32768字。集成控制电路和锂能源提供可靠的非易失性，与标准SRAM的无限写入周期相结合。控制电路持续监测单个5V电源是否超出公差条件。当
2020-09-16 17:15:13
SRAM的非易失性单元基于SONOS技术。他们利用Fowler-Nordheim隧穿（FN隧穿）的优势通过将电荷捕获在夹层氮化物层中来存储数据。FN隧道技术的主要优势在于，它可以大大提高NV耐久性，并大大
2020-04-08 14:58:44
一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件（诸如磁场因素）的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性
2014-04-25 13:46:28
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 适配器来自达拉斯的流行的电池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往会忘记其宝贵的数据。通过这种引脚兼容的铁电 RAM 升级，您可以放心，因为在室温下，它的数据保留时间为 150 年，无需任何电池供电。
2022-07-14 07:51:06
。”高云半导体全球市场副总裁兼中国区销售总监黄俊先生表示，“GW1N系列器件可满足消费类电子、视频、安防、工业物联网、有线/无线通信等不同市场的智能连接、接口扩展等需求。通过GW1N系列产品，高云半导体可以向用户提供高安全性、单芯片、低成本、小薄封装等优势的最优化非易失性FPGA解决方案。”
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
据保留•无限的读/写耐力•无磨损•有竞争力的定价•稳定的制造业供应链•小尺寸BGA封装图1 引脚普通针MR3A16ACMA35是一个8Mb非易失性RAM，组织为512kx16，采用3.3V标称电源供电
2023-04-07 16:26:28
航空航天专用Everspin非易失性MRAM存储器
2020-12-31 07:15:20
什么是物联网？物联网的特征是什么？有哪些分类？物联网的关键技术有哪些？物联网技术在智慧城市中的应用有哪些？
2021-06-15 08:04:37
器件提供非易失性存储10年的数据保留时间在一部分功率需要熟悉FLASH和EEPROM的替代品。利用现有的FRAM存储器和MCU器件，工程师可以自信地建立这些强大的设备进入低功耗能量收集应用程序，操作数年并保持长期的数据（尽管间歇性电源损耗）。`
2016-02-25 16:25:49
器件为市场上的许多8位MCU提供了编译器友好的替代方案。对了解FRAM来说，这些新型低成本MSP430 MCU器件是一个很好的切入点。FRAM为程序员提供了极大的灵活性，还具有作为非易失性程序和非易失
2019-07-25 04:45:11
，比较是否一致，一致则计数”。然后重复测N次得到非易失性的有效读写次数。但是又不能直接拿STM32的引脚来驱动FRAM芯片的VCC，又不能老是手动断电上电这么来测，这下有点找不准方向了。想知道论坛里面各位大神有没有什么好的测试方案木有。。。
2013-09-03 10:52:35
元素的某些金属（硫族化合物）的晶态和非晶态的稳定性非常好。特别是GeSbTe合金最被看好，因为它遵守一个伪二元构成方式（在GeTe和 Sb2Te3之间），以下简称GST。
2019-06-26 07:11:05
固件在物联网设备中是怎么存储的？物联网设备固件的获取方法有哪些？如何利用主控器内部的bootloader进而得到主控器内部的flash区域的代码呢？
2022-02-10 07:42:13
互连器件间的通信是可能的。例如，一个电灯开关不但能与灯泡通信，还能与烟雾探测器、窗户百叶窗控制和任何其它联网器件通信。在这种类型的通信中，数据安全性和可靠性是十分关键的。芯片上嵌入的具有非易失性FRAM
2018-09-03 15:01:15
低功耗应用提高安全性。此外，它们还采用非易失性 FRAM 替代 EEPROM 或闪存提供稳健统一的存储器架构，从而可简化安全系统设计。
2019-07-08 06:03:16
：TI MSP430FR59xx MCU建立在超低功耗“Wolverine”技术平台基础之上，采用非易失性FRAM替代EEPROM或闪存提供高稳健统一存储器架构，可简化安全系统设计目前已经出现了大量强制
2014-09-01 17:44:09
功耗要求。”在类似如上所述的系统中，FRAM 可带来多种优势。 结合我们 FRAM MCU 的非易失性、写入速度和低功耗以及与 AES 模块及存储器保护单元的集成，使得诸如 MSP430FR5969
2018-09-10 11:57:29
MIKROE-2768，FRAM 2 CLICK Board带有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。铁电随机存取存储器或F-RAM是非易失性的，并且执行类似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
电随机访问存储器或FRAM微控制器（MCU）系列。FRAM技术将SRAM存储器的很多优势结合在一起，而同时又具有FLASH存储器的非易失性。一个关键优势就是超低功耗非易失性FRAM的写入，与FLASH
2018-08-29 15:36:21
我应该用什么API来存储非易失性数据？我使用CYW43907，手册上说它支持外部闪存。我想知道我是否应该使用WiDeDssFlash写来存储数据，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
亲爱;我有Spartan™-3AN非易失性FPGA入门套件，我编写了VHDL程序，用于地址分配到与FPGA芯片接口的两个外部ROM。程序有（16位输入端口）和（16位输出端口），问题是：如何使用该套件在FPGA芯片上下载程序？如何确定哪个输入引脚和哪个是输出引脚？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
本文就如何充分利用mcu的非易失性存储提供了一些想法。一定有工程师经常需要8位微控制器提供的16、32、甚至64 KB的程序内存的很大一部分。那么如何充分利用MCU的非易失性存储呢？本文将会介绍
2021-12-20 06:42:35
的重要性毋庸置疑！那么该如何保障物联网设备安全呢？加密芯片就是保障物联网设备安全最简单而有效的方式：赋予信息终端唯一可信身份，确保其内部运行程序合法性，确立互联网中终端节点可信；从根本上保障信息终端内部硬件
2018-09-07 10:36:55
保护您的嵌入式软件免受内存损坏本文的目的是提供一种软件方法，解释如何处理存储在非易失性设备（如小型 EEPROM 或闪存）中的内存数据集损坏。在微型嵌入式系统中看到这些数据集是很常见的，这些系统存储
2021-12-24 07:27:45
如何支持物联网安全性和低功耗要求设计
2018-12-27 04:24:50
在2019全球闪存峰会上，Everspin作为全球MRAM存储芯片龙头分享如何用MRAM这类非易失性存储和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案。
2021-01-11 06:44:23
预编程设备的引导加载，我们有一个困难，显然制造商没有对NVLS编程，因此引导加载程序拒绝重新编程闪存。有一个问题出现（对于PSoC 3和PSoC 5LP，我们使用在其他板上）：如何读取PSoC处理器的非易失性锁存器？安德烈亚斯
2019-08-15 06:46:55
非易失性写入性能优于EEPROM。 EEPROM支持不同的页面大小，在这种情况下的EEPROM中的较低页面大小需要更多页面写操作和更多写周期时间。因此造成额外的写延迟。因为FRAM不是分页的存储
2020-09-28 14:42:50
`MSP430FR5969 LaunchPad不仅支持最新发布的、采用集成型非易失性 FRAM 存储器技术的 MSP430FR5969MCU, 而且具有业界最低功耗！我们即将举办一场相关超低
2014-07-16 12:35:33
随机存取存储器（FRAM）是一种非易失性的独立型存储技术，本文将论述FRAM的主要技术属性，同时探讨可充分展现FRAM优势的具体用例。
2019-08-22 06:16:14
一定空间用于存储应用代码、非易失性数据和配置信息。EEPROM往往是开发人员最先、最常考虑用于嵌入式系统的存储器件。在嵌入式应用中，这类非易失性存储器通常用于存储系统配置参数。例如，连接至CAN总线网
2021-12-22 07:33:16
工业物联网和物联网的区别是什么？MQTT到底是什么？
2021-05-18 06:41:28
电场的影响。 9. FRAM 受辐射或软错误的影响吗？ 易失性存储器 DRAM 和 SRAM 使用电容器来存储电荷或使用简单的锁存器来存储状态。 这些单元容易受到 α 粒子、宇宙射线、重离子、伽马射线
2018-08-20 09:11:18
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
消费物联网与工业物联网的差异是什么？
2021-05-17 06:31:42
电池物联网应用MCU都用哪些型号的
2023-09-20 07:57:10
超低功耗M24C16-WMN6TP FRAM微控制器（MCU）系列包含几款器件，采用嵌入式非易失性FRAM和不同的外设集，面向各种感应和测量应用。该架构、FRAM和外设，结合大量低功耗模式，可以延长
2021-11-03 07:28:04
KB 的非易失性 FRAM 存储器。主要特色• CR-2032 纽扣电池的电池寿命大于 5 年• CR-2032 纽扣电池的电池寿命大于 5 年• 符合 RF430 NFC 动态标签类型 4B
2018-09-10 09:20:29
采用FRAM的MCU为何就能具有诸多优势呢?举例说明:TI做了一个实验，如果要写13Kbps的数据到DRAM里需要花1秒时间，大约要用2200uA的功耗去做写的功能，但如果用FRAM来做只要10ms
2021-11-24 07:19:40
上。此设计工作在低功耗模式下，并可减少 CPU 工作量，进而有助于降低总体功耗。主要特色磁脉冲测量2.9uA 待机电流非易失性片上 FRAM 实时存储支持 NFC 和低于 1GHz BoosterPack电池电压监视器此终端设备设计已经过测试，并包含硬件、固件、GUI、演示和用户指南
2018-08-23 12:08:52
器和闪存）结合起来。铁电存储器是一种特殊工艺的非易失性的存储器，是采用人工合成的铅锆钛(PZT) 材料形成存储器结晶体。 FRAM的结构FRAM记忆元件使用了铁电膜（Ferroelectric film
2020-05-07 15:56:37
半导体公司推出的一种与SRAM相似但却具有非易失性的随机存储器，它没有BSRAM模组系统的设计复杂性和相关的数据可靠性问题，而且能在掉电的情况下保存数据。FRAM不但克服了EEPROM和FLASH写入时间长、擦写次数低的缺点,同时其成本也比相同容量的锂电池+SRAM方案低很多。
2021-04-15 07:14:23
，擦写次数低,写数据功耗大等缺点。 鉴于以上情况，越来越多的设计者将目光投向了新型的非易失性铁电存储器(FRAM)。铁电存储器具有以下几个突出的优点： i. 读写速度快。串口FRAM的时钟速度可达
2014-04-25 11:05:59
铁电存储器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁——一种非易失性的RAM。相对于其它类型的半导体技术
2011-11-19 11:53:09
铁电存储器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁——一种非易失性的RAM。相对于其它类型的半导体技术
2011-11-21 10:49:57
时就会产生极化。（锆/钛离子在晶体中向上或向下移动）即使在不加置电场的情况下，也能保持电极。两个稳定的状态以“0”或“1”的形式存储。存储器分类中的FRAM* 非易失性：即使没有上电，也可以保存所存储
2014-06-19 15:49:33
的写入次数、并为开发人员提供了一个全新的灵活度（允许其通过软件变更来完成数据内存与程序内存的分区)。铁电存储器相比SRAM、FLASH和EEPROM优点多多:非易失性，写入速度快，无限次写入,最关键是
2021-11-10 08:28:08
可用于断电（NMI）中断或其他目的的通用比较器。该器件的工作电压为2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存储器容量。快速的写入速度和无限的耐用性使该存储器可以用作额外
2023-04-07 16:23:11
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器
2023-10-24 15:38:16
铁电存储器FRAM详解:
铁电存储器（FRAM）产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写
2008-01-30 09:13:50
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