悟已往之不谏 知来者之可追

51单片机是高电平复位，低电平正常工作
上电瞬间以及按下按键（电容相当于导线），RST为高电平。
按键按下的瞬间会产生大电流冲击，会局部产生较大的电磁干扰。为了减小这种干扰，加一个一个限流电阻。

②有关RAM和FLASH

STC89C52RC系列单片机有512B的RAM以及8K的Flash（程序存储空间）

RAM就是平时存储变量的，比如你定义了一个什么bit、uint8、 uint16 、uint32等等这些都是在RAM中定义的。
512B的RAM虽然名字一样，但是在物理结构以及用法是有区别的。
沿袭老8051单片机的叫法，依旧叫为片内RAM和片外RAM。所谓的片内和片外是指芯片内部和芯片外部，但是现在的单片机的芯片拓展基本上都在内部，不存在什么片外拓展RAM。但是我们仍依旧这么叫，知道这回事就行了。

片内RAM分为 data、idata一般我们直接定义的变量都是直接在data里面的，data是直接寻址的，是速度最快的。而其他都是通过寄存器间接寻址的，其速度当然不可同日而语。
其中data的范围是从片内的0x00~0x7F共128字节
而idata范围是从片内的0x80~0xFF也是128B但是它同时不用来存储变量，当然也不希望程序能访问到这里，它主要的用途就是用来中断与函数的调用。

片外RAM分为pdata、xdata如上所述，均是通过寄存器来间接寻址的。
pdata的寻址范围是片外的0x00~0xFF共256B。寻址速度相对来讲比xdata快
xdata的寻址范围是片尾的0x0000~0xFFFF共64K。寻址范围最广，如要使用还得专门配置两个字节寄存器DPTRH和DPTRL，寻址范围的广，也就意味着速度是最慢的。

所以呢，总结一下就是：一般变量存储在data区域，当data不够了，在去寻xdata区域，idata不要触碰。pdata不到万不得已也不要！！！

看似高字节拓展的128RAM是和寄存器的地址相重叠，但是物理上并不重叠

③三极管

用途主要有：驱动和控制两个
三极管的特性：截止、饱和、放大。
（在数电中主要用到的是三极管的开关作用，用到的是截止和饱和特性(有一个β因数)。而在模电当中用到的是则是它的放大特性）

④按字节编码寻址以及按字编码寻址

按字节编码寻址，1M = 2^20B 而 1B=8bit所以2^20B/1B = 2^20
可寻地址为1~2^20-1
需要二十根总线

按字编码寻址，1字的4B，其他同上，那么2^20/1字=2^20/4B=2^18
可寻地址为1~2^18-1
需要十八跟总线

对了，除此之外还要注意一个东西，就是MB和M的区别
MB是一个容量单位，兆字节
而M是一个数量单位，兆

LED压降为2V，工作电流1~20mA**一般在1~5,mA之内的变化可以直接体现在灯的亮程度，超过5mA就没那么明显了所以选取的串联电阻可以选**150欧~3K

⑤三八译码器快速记住对应的，其实左边三个可以看成二进制是几，对应的右边哪一位就是0

比如左边A2 A1 A0为0 0 0那么右边Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 对应的值就是 0 1 1 1 1 1 1 1

⑥关于IO口
IO口有四种状态，准双向，开漏，强推挽，高阻