看过这100个知识点，模电其实也不难

小代 2017年10月14日 全部文章 215 0

模电想必是电子专业的学生头疼的一门课程了。

小编用一句话形容一下：

"老师说第一遍不懂，第二遍还是不懂，第三遍还是不懂。"

网友们是这么看模电的：

*老师自己都不懂，还来教，更是不懂了，天书般难懂。

*模电=魔电
*本科模电就够痛苦了，研究生的高阶模电简直是欲仙欲死。
*二极管、三极管、MOS带入门；运放、震荡电路、斩波电路显神通。
*课堂上老师讲的都会了 课后又都不会了。
*模电学起来不算难，应付考试也简单，刚开始用起来觉得有点难，用的时间长了，感觉越来越难。

……

难归难，但是不懂模电？你好意思说你是电工么？

不知道下面这些知识点的也别说你学好了模电。

1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为0.1V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V。

 

2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。

 
3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压Vth约为0.5伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的  最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。 15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、  甲乙类三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。 18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则IBQ增大，ICQ增大，UCEQ减小。 19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是硅管管（材料），NPN型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的C。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为80dB，总的电压放大倍数为10000。 22、 三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反偏。某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va = -1V，Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 这是硅管（硅、锗），NPN型，集电极管脚是a。 23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（RC）耦合、直接耦合和变压器耦合，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。 24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载，而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。 25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为4kΩ。
26、为了保证三极管工作在放大区，要求：①发射结正向偏置，集电结反向偏置。②对于ＮＰＮ型三极管，应使VBC＜0。

27、放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。