骁龙835前瞻解读：CPU与功耗是最大亮点

　　北京时间1月4日凌晨，在CES 2017消费电子展开幕前夕，美国高通公司正式发布了旗下骁龙系列最新旗舰骁龙835手机芯片，骁龙835采用三星10nmFinFet工艺，8核Kryo 280架构，4大核最高主频2.45GHz，4小核最高频1.9GHz，骁龙835配备Adreno 540GPU，还集成下行速率高达1Gbps的X16通信基带，规格参数十分强悍。

　　骁龙835的参数可能看上去冷冰冰的，普通消费者可能并不清楚搭载骁龙835的手机在使用体验上究竟有哪些改变；那么究竟哪些方面的提升在未来的基于骁龙835的旗舰手机中消费者能够真切感受到呢？笔者认为是续航以及CPU性能这两点的改善。
 

　　首先需要明确一个概念，骁龙835是一款SOC（System On Chip），并不单单是CPU，CPU只是一款芯片的一部分，拿苹果A10 Fusion来说，其CPU所占整个SOC的面积甚至都没有GPU所占的面积大。

　　为什么笔者认为骁龙835的其他方面的参数提升（比如集成了下行速率高达1Gbps的X16基带）对于消费者来说感知不明显呢？我们先来看一下骁龙835的定位，其定位旗舰级移动芯片，这里的移动不仅仅指手机，基于Windows的笔记本以及平板/移动VR设备/车载智能单元等等领域都是骁龙835的用武之地。所以骁龙835并不仅仅是为手机而生，还集成了许多其他技术，单纯在手机上并不能完全发挥出来。

　　比如在中国大陆市场，由于运营商网络目前还停留在4G+水平，理论峰值下行速率在300Mbps左右（考虑到用户数实际下载速度要比这一理论值小得多），骁龙820的X12基带600Mbps的下行速率已足够消费者使用；但我们知道高通的客户并不只有手机厂商，还有运营商，比如澳大利亚的电信运营商已经在组网运行X16基带水平的高速移动网络。

　　还有诸多特性笔者就不一一列举了，骁龙835的部分特性虽然我们用不到，但高通能做出来就是一种技术实力的展现，任何领域都需要有引领者，移动芯片领域也不例外。

　　另外骁龙835对双摄的支持更好，明年采用双摄的旗舰手机会很多，相信会有更好的拍照表现。

　　续航提升

　　骁龙上代旗舰产品骁龙820的续航虽排在手机芯片第一梯队但并不算特别优秀，跟同一性能梯队的三星Exynos 8890相比功耗更高，而骁龙835相比骁龙820最大的改进之一便是功耗。由于采用了最新的10nm工艺，性能比820提升了27%之多，但是功耗降低了25%。能效比的提升使得续航表现有进步。也就是搭载骁龙835的手机，电池更加耐用了。

　　CPU性能

　　CPU性能，8核Kryo 280架构，4大核最高主频2.45GHz，4小核最高频1.9GHz。我们拿骁龙835跟2016年的14/16nm手机芯片做个比较。

　　骁龙835跟骁龙820/Exynos 8890/麒麟950等上代旗舰芯片相比：

　　骁龙835相比前代820最大的改变就是从四核心（2大核+2小核）设计改为八核心（4大核+4小核），骁龙820相比同期的安卓阵营旗舰芯片三星Exynos 8890以及华为麒麟950在CPU的单核性能上相差不大，而由于核心数少了50%，所以CPU多线程跟后两者相比是弱项；骁龙835的八核心设计算是补足了了骁龙820多线程弱的短板。

　　跟苹果A10 Fusion相比：

　　而既然是八核心设计，那也意味着单核性能表现中规中矩，不可能达到苹果A10 Fusion的那种惊人的单线程性能，更强的性能意味着更高的功耗，从晶体管数量以及芯片功耗等方面来考量，如果骁龙835的单个大核心性能达到了苹果A10 Fusion的水平，那么4颗大核的功耗以及发热难以hold住，即使是采用当下最顶级的10nm半导体制程工艺也依然会力不从心。此前高通的手机芯片热设计功耗（TDP）在5W左右。

　　骁龙835CPU性能方面一句话总结就是多线程不再是短板，这在开启应用的瞬间感知会更加明显。

　　骁龙835可以依然存在的几点不足之处

　　①峰值性能的持续性问题

　　CPU发热降频一直是老生常谈，目前在CPU领域对发热降频做得最好的是英特尔以及苹果公司，英特尔的酷睿系列芯片以及苹果的A系列芯片的峰值性能持续时间令人印象深刻，而反观高通/海思/联发科的芯片一发热就降频，导致性能下降，这一点在玩游戏时尤为明显。功耗控制表现出色的骁龙820在峰值性能持续性上依然不如苹果A9，所以骁龙835会有何改进值得期待。

　　②三星电子的产能是否能跟上

　　去年高通发布骁龙820之后在很长一段时间内的供货一直很紧张，最直接的原因是由于量产初期产能还没跟上，高通把大部分的产能都供给三星S7/S7 edge这两款机器，导致国产厂商拿不到货，而明年初这一问题可能依然会持续，不过到了2018年这一问题有望缓解，有传言高通会在2018年的半导体7nm制程节点回归台积电代工阵营，而同期三星的全网通基带也已成熟，所以高通与三星可能就此分道扬镳，笔者预计三星Galaxy S9会全部采用自家Exynos系列芯片。

　　③骁龙835是否会像骁龙810出现过热问题

　　至于骁龙835是否有一定几率出现骁龙810过热问题，笔者认为，10nm相较14/16nm的工艺进步不算是非常大，技术难度相对较小，7nm才是重要的节点，另外再加上高通已经对64位架构芯片驾轻就熟，所以综合评估来看骁龙835不大可能会出现过热问题。

　　另外值得关注的点：哪家手机厂商首发骁龙835其实并无意义

　　至于今年底或者明年初哪家手机厂商首发骁龙835，其实这更多的是象征意义，实际意义不大，因为明年骁龙835真正首批开始大规模供应的手机可能依然会是三星的S8系列，一方面，高通骁龙835是三星半导体代工的，另一方面，高通抛弃台积电选择三星作为芯片代工厂商也是有条件的，在三星还没搞定全网通基带的情况下依然会在有全网通需求的国家比如中国、美国市场采用高通芯片，在骁龙835芯片量产初期也就是明年一季度，除了三星以外的其他厂商未必能拿到很多货。

　　总之，骁龙835无疑会成为2017年多数安卓旗舰手机的标配，其性能与功耗表现值得期待。