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摘要：基于Xilinx芯片的FPGA集成了越来越多的可配置逻辑资源、各种各样的外部总线接口以及丰富的内部RAM 资源。在FPGA的电路设计中，上电配置电路至关重要。其中，DONE信号上拉电阻阻值的选择很容易被人忽略，错误的阻值选择往往会导致意想不到的情况。通过采用4.7 kΩ电阻上拉DONE信号产生的试验结果，来分析DONE信号上拉电阻必须为330 Ω的原因。
0.引言
随着半导体和芯片技术的飞速发展, 现在的现场可编程门阵列（Field Programmable Gate Array, FPGA）集成了越来越多的可配置逻辑资源、各种各样的外部总线接口以及丰富的内部RAM 资源, 使其在国防、医疗、消费电子等领域得到了越来越广泛的应用。但是FPGA 大多数是基于SRAM 工艺的, 具有易失性, 因此FPGA 通常使用外部存储器件(如PROM) 存储必需的配置信息, 防止设备掉电后FPGA丢失自我配置能力。但FPGA 配置在一定的条件和时间下才能成功完成, 随着FPGA 容量的不断攀升,配置时间也被大大加长, 上电时如不充分考虑FPGA的配置时序以及对其他器件的影响, 根据常规经验设计电路, 往往会影响系统其他外围器件的正常工作, 严重时会导致整个系统的失效。因此, FPGA 的配置方式和上电时序已成为系统设计的重要一环［1］。本文主要分析在FPGA上电配置过程中，因DONE上拉电阻阻值的不同而引起的不同上电结果。
1. FPGA的加载过程
FPGA加载过程分为8个序列［1］，如图1所示。
在前7个步骤完成后，配置数据的CRC校验完成，进入最后的Startup序列，Startup序列所需要处理的事件如图2所示。
这7个事件的前后关系是可以在FPGA的目标码bit文件生成选项中进行设置的，默认的设置顺序如图3所示。
所以，默认状态下，FPGA在配置数据加载完并且通过CRC校验后，依次完成以下工作：
（1）释放DONE信号：配置数据加载期间FPGA驱动DONE信号为低，到Startup序列后FPGA将DONE信号置为高阻态，靠外部上拉电阻将DONE信号拉为高。
（2）处理GTS事件：配置数据加载期间FPGA IO管脚为高阻态（或也可由FPGA的某个配置管脚将所有IO在配置数据加载期间设置为上拉，该管脚的名字通常为PUDC_B或HSWAPEN），到Startup序列后FPGA取消IO的高阻态，使能其输出。
（3）处理GWE事件：配置数据加载期间FPGA禁止RAM的写入和flipflop状态的改变，到Startup序列后使能RAM的写入，并允许flipflop状态发生改变。
默认状态下DLL和DCI不作为Startup序列的一部分，由FPGA自行处理完成后进入Lock状态。
2.DONE信号上拉电阻与GTS事件
为了分析DONE信号上拉电阻阻值对上电配置的影响，本文将DONE信号上拉4.7 kΩ电阻来观察造成的结果。使用一个离散量输出作为GTS事件的标志，该离散量在VHDL源码中赋为“0”，由于FPGA电路配置为在加载期间IO上拉，从而该离散量信号在GTS事件之前时为高电平，在GTS事件后变为低电平，该信号的电平变化就标志了GTS事件的发生，离散量无变化即为GTS未发生。FPGA采用XCF32P PROM Flash的CLKOUT作为配置时钟CCLK的时钟源。默认状态下，该时钟仅可输出20 MHz或40 MHz时钟，若使用MCS压缩模式，该时钟还可以输出10 MHz时钟。
当DONE信号上拉电阻阻值为4.7 kΩ时，经过多种组合情况的测试，结果如表1所示。
通常而言，如果PCB走线较差，FPGA配置电路信号完整性不好，FPGA配置时钟频率较高时容易发生配置失败，但这通常会使配置数据载入错误，造成CRC校验错误，从而导致配置失败。而在这样配置环境中，即使采用40 MHz的配置时钟，CRC校验仍然不会发生错误，所以离散量不输出并不是信号完整性较差引发的，肯定有着与GTS事件处理直接相关的原因。
进一步对GTS事件时配置电路的行为进行波形捕获与分析，在不同的配置时钟频率下，使用示波器对该离散量、DONE信号、配置时钟进行捕获，获得波形如图4、图5、图6所示。
以上三幅图中的T表示相应情况下的时钟周期。总结分析如表2所示。
不同配置时钟频率下“DONE信号爬升时间”有所差异，DONE信号的爬升速度缓慢造成了GTS事件的失败，在较低频率的配置时钟下，DONE信号需要较少时钟周期即可为高，而在较高频率的配置时钟下，DONE信号需要较多时钟周期才能升高。所以配置时钟频率较高时，发生GTS事件失败的概率较高。
根据不同配置时钟频率下“DONE信号释放到GTS事件时间”的差异，进一步得出GTS事件的发生需要对DONE信号的电平状态进行回采，即FPGA在释放DONE信号后，并不是在下一个时钟周期立即执行GTS事件，而是要在每个时钟周期对DONE信号的状态进行采集判断，直至外部上拉电阻将DONE信号电平拉高之后才会开始执行GTS事件。
根据GTS事件到配置时钟终止时间，猜测XCF32P PROM Flash是根据FPGA的DONE信号电平状态来决定何时终止CLKOUT配置时钟的输出，待其CE#管脚采集到DONE信号为高后，再给出7~8个配置时钟周期，即终止配置时钟。
至此，对GTS事件失败的原因分析结果为：配置数据加载并校验完成之后，FPGA释放DONE信号，由外部上拉电阻将DONE信号拉为高，DONE信号开始爬升。FPGA对DONE信号的实际电平状态进行回采，待其电平为高后执行GTS事件。如果FPGA的DONE信号并未按照Xilinx手册用330 Ω电阻上拉，而使用了4.7 kΩ电阻上拉，这就造成了DONE信号爬升太过缓慢，需要配置多个时钟周期才可为高。这样的话，在FPGA对DONE信号实际电平进行回采时，即有可能因为DONE信号有回沟而采集到混乱的DONE信号状态（例如首先为高然后为低），这就可能造成GTS事件的失败，从而造成FPGA 的IO管脚无法输出，进而影响整个系统。
3.分析结果的验证
为验证以上分析，需要加快DONE信号爬升速度，来观测GTS事件失败的情况。
在FPGA的目标码bit文件生成选项中，选择“Drive Done Pin High”选项来使FPGA在配置数据加载并校验完成之后，并不释放DONE信号，而是主动将DONE信号驱动为高。选择该选项后，DONE信号不再需要外部上拉电阻来驱动，而是由FPGA直接从低驱动为高，在这种情况下，示波器采集所获波形如图7所示。
在这种情况下，FPGA对DONE信号实际电平进行回采时，就不会再采集到DONE信号的不定态，GTS事件不会再失败。离散量也就输出正常。
经此选项后，在40 MHz配置时钟下多次试验，GTS事件也不会再失败。
通过FPGA的目标码bit文件生成选项可以更改GTS事件和GWE事件的前后关系。如果将GWE事件与GTS事件交换位置，则会发生GWE事件失败而GTS事件成功的情况。这说明DONE信号释放后的第一个事件会受到影响，再之后的事件由于DONE信号已爬升为高，因而不会再失败。
4.结论
Xilinx不直接对DONE信号进行驱高，而是由外部上拉电阻拉高，这样可以让多个FPGA的DONE信号连在一起，回采其信号，从而可使所有FPGA都加载完成之后，同步开始工作。
Xilinx要求使用330 Ω电阻对DONE信号进行上拉的原因是，该阻值可以保证在所允许的最高频率的配置时钟下，DONE信号仍可在一个时钟周期内爬升为高，从而保证后续GTS事件的成功处理。
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