日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器，其速度比同等光学栅极驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:33
1610 TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。
2012-12-18 09:13:261196 MAX22701E 是MAX22700–MAX22702系列的首款产品，属于单通道隔离式栅极驱动器，具有超高共模瞬态抗扰性 （CMTI），用于驱动各种逆变器或电机控制应用中的碳化硅 （SiC） 或氮化镓 （GaN） 晶体管。
2020-03-21 08:17:00838 有源米勒钳位选配，提升高速开关抗干扰能力中国，2018年8月3日——意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压，准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳
2018-08-06 14:37:25
提供内设端口控制器的双芯片方案，已获得完全认证为帮助工程师在新开发产品或在原有产品设计中引入最新的USBPower Delivery充电功能和多用途的USB Type-C™连接器，意法半导体新推出
2018-07-13 13:20:19
鼓励其他大学的教授改编补充这套课程。 这套由8个自定进度的教程组成的入门课程围绕意法半导体的SensorTile设计。SensorTile是一个独一无二的具有物联网功能的实时嵌入式系统，集成在一个只有
2018-02-09 14:08:48
还有丰富的功能，能够评测最新一代高分辨率工业级MEMS传感器，例如，意法半导体最近推出具16位加速度计输出和 12位温度输出的IIS3DHHC 三轴低噪加速度计。在开启项目前，用户先将目标传感器模块插入
2018-05-22 11:20:41
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM） 推出汽车级六轴惯性传感器ASM330LHH ，为先进的车载导航
2018-07-17 16:46:16
中国，2018年10月10日——意法半导体推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代码烧写及调试探针，进一步改进代码烧写及调试灵活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存储
2018-10-11 13:53:03
功率放大器以及商用和工业系统的功率放大器。意法半导体与远创达的合作协议将扩大意法半导体LDMOS产品的应用范围。协议内容保密，不对外披露。 相关新闻MACOM和意法半导体将硅上氮化镓推入主流射频市场
2018-02-28 11:44:56
13日 – 针对重要的医疗和工业应用领域，意法半导体采用其经过验证的支持单片集成模拟电路（双极晶体管）、数字电路（CMOS）和电源（DMOS）电路的BCD8s-SOI制造工艺，推出一款新的尺寸紧凑、性能
2018-08-13 14:18:07
中国，2018年8月27日——意法半导体的STSPIN830 和 STSPIN840单片电机驱动器集成灵活多变的控制逻辑电路和低导通电阻RDS（ON）的功率开关管，有助于简化7V-45V工作电压
2018-08-29 13:16:07
新闻意法半导体推出直观的固件开发工具，加快物联网传感器设计进程意法半导体推出新图形用户界面配置器，让STM8微控制器设计变得更快捷意法半导体（ST）推出新款STM32微控制器，让日用品具有像智能手机一样的图形用户界面`
2018-07-13 15:52:39
STM32* 微控制器上开发先进的高能效电机驱动器的难度。此举为空调、家电、无人机、楼宇自动化、机床、医疗设备、电动车等产品设备工程师研发先进电机驱动带来更多机会，而且无需专门的研发经验。基于意法半导体上一代
2018-03-22 14:30:41
和RAM）。例如，对于内存来说太大的单个层可以分为两个步骤。之前的MLPerf Tiny结果显示，与标准CMSIS-NN分数相比，意法半导体的推理引擎（Arm的CMSIS-NN的优化版本）具有性能优势。STM32CubeAI开发云还将支持意法半导体即将推出的微控制器，包括内部开发的NPU，即STM32N6。
2023-02-14 11:55:49
2 月 15日，意法半导体发布了单通道、双通道和四通道车规栅极驱动器，采用标准的PowerSSO-16 封装，引脚分配图可简化电路设计升级，增加更多驱动通道。新栅极驱动器适用于所有的汽车系统设备
2023-02-16 09:52:39
，而提供恒流的驱动电路是由一个控制器芯片和若干个元器所组成。意法半导体新款控制器STLED25单片集成能够驱动多达10支LED的控制电路，因此STLED25不仅能够简化手机设计，还可为其它功能释放更多
2011-11-24 14:57:16
和发射极。为了操作MOSFET/IGBT，通常须将一个电压施加于栅极（相对于器件的源极/发射极而言）。使用专门驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。本文讨论栅极驱动器是什么，为何需要栅极驱动器，以及如何定义其基本参数，如时序、驱动强度和隔离度。
2021-01-27 07:59:24
的MOSFET导通转换能够在更长时间内提供/吸收更高栅极电流的驱动器，切换时间会更短，因而其驱动的晶体管内的开关功耗也更低。微控制器I/O引脚的拉电流和灌电流额定值通常可达数十毫安，而栅极驱动器可以提供
2021-07-09 07:00:00
短路保护并影响开关速度的功能。然而，在选择栅极驱动器时，某些特性也是至关重要的。图1：隔离式栅极驱动器ADuM4135的简化原理图电流驱动能力在开关期间，晶体管会处于同时施加了高电压和高电流的状态。根据
2021-11-11 07:00:00
，以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。
因此，氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面，氮化镓还被用于蓝光激光技术（最明显
2023-06-15 15:50:54
X-GaN晶体管在Vds尖峰电压额定值为750V（1微秒）时获得认证。垂直场依赖击穿也在相同的1kV范围内; 松下栅极驱动器IC 松下于2016年底为希望使用GiT快速部署解决方案的开发人员推出了自己
2023-02-27 15:53:50
的热量，需要更大的散热器。不幸的是，这增加了系统成本、重量和解决方案总尺寸，这在空间受限的应用中是不期望的或不可接受的。氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）具有优于硅MOSFET的多种优势
2017-08-21 14:36:14
集成电路［7］。图7显示了单片功率级GaN IC的框图和实际芯片照片。将这种单片集成电路的实验测量效率（如图8所示）与使用具有相同导通电阻的eGaN®晶体管的分立电路进行比较，并由uPI半导体uP1966
2023-02-24 15:15:04
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
本文讨论了商用氮化镓功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器方面的优势。介绍随着更高功率、更小尺寸和更高效率的明显趋势，高频 LLC 谐振转换器是业内隔离式
2023-02-27 09:37:29
晶体管如今已与碳化硅基氮化镓具有同样的电源效率和热特性。MACOM 的第四代硅基氮化镓 (Gen4 GaN) 代表了这种趋势，针对 2.45GHz 至 2.7GHz 的连续波运行可提供超过 70
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
）输出分别实现晶体管的导通和关断。当使用12V隔离电源作为栅极驱动器供电时，EiceDRIVER™内部会将其分为正向驱动电压和-2.5V反向关断电压这样可确保驱动电压不超过晶体管栅极阈值，并大限度减小反向
2021-01-19 16:48:15
的电压来驱动Q1。这是一个繁琐的解决方案，对于高效系统来说并不实用。因此，人们需要经过电平转换并以高端晶体管源极为基准的控制信号。这被称为功能隔离，可以利用隔离式栅极驱动器（如ADuM4223）来实现。抗
2018-10-25 10:22:56
，则将需要大于VBUS的电压来驱动Q1。这是一个繁琐的解决方案，对于高效系统来说并不实用。因此，人们需要经过电平转换并以高端晶体管源极为基准的控制信号。这被称为功能隔离，可以利用隔离式栅极驱动器（如
2018-11-01 11:35:35
`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
隔离电源转换器详解栅极驱动器解决方案选项最优隔离栅极驱动器解决方案
2021-03-08 07:53:35
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
，只应用在高端充电器上。一些小功率的，高性价比的充电器无法享受到氮化镓性能提升所带来的红利。目前，国内已经有多家厂商推出了用于33-100W大功率充电器的合封芯片，通过将氮化镓开关管，控制器以及驱动器
2021-11-28 11:16:55
开关性能。集成驱动器还可以实现保护功能简介氮化镓 (GaN) 晶体管的开关性能要优于硅MOSFET，因为在同等导通电阻的情况下，氮化镓 (GaN) 晶体管的终端电容较低，并避免了体二极管所导致的反向恢复
2018-08-30 15:28:30
应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了关于用于GaN功率晶体管的智能栅极驱动器IC的精彩报告，并提出了一种适用于氮化镓功率晶体管的智能栅极驱动集成电路，该集成电路带有电流传感特性、可调节输出电阻、可调节电流
2018-11-05 09:51:35
）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。BIPOLAR是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。
2019-05-06 05:00:17
）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。BIPOLAR是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。
2019-03-27 06:20:04
电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
`作为一家具有60多年历史的公司，MACOM在射频微波领域经验丰富，该公司的首款产品就是用于微波雷达的磁控管，后来从真空管、晶体管发展到特殊工艺的射频及功率器件（例如砷化镓GaAs）。进入2000年
2017-09-04 15:02:41
的射频器件越来越多，即便集成化仍然很难控制智能手机的成本。这跟功能机时代不同，我们可以将成本做到很低，在全球市场都能够保证低价。但如果到了5G时代，需要的器件越来越多，价格越来越高。半导体材料硅基氮化镓
2017-07-18 16:38:20
测试背景地点：国外某知名品牌半导体企业，深圳氮化镓实验室测试对象：氮化镓半桥快充测试原因：因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管，需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头：麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23
QPD1004氮化镓晶体管产品介绍QPD1004报价QPD1004代理QPD1004咨询热线QPD1004现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50欧姆输入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化镓晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
TGF2977-SM氮化镓晶体管产品介绍TGF2977-SM报价TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨询热线TGF2977-SM现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
开发工具包包括一块STM32 Discovery主板、一块GNSS 扩展板和一个软件功能包。STM32 Discovery主板用于2G / 3G蜂窝网络与云端之间的连接，GNSS扩展板基于意法半导体的业内
2018-09-07 11:12:27
智能电表芯片单片集成开发智能电表所需的全部重要功能，能够满足多个智能电网市场的需求。这些电表连接消费者和供电公司，提供实时电能计量和用电数据分析功能。意法半导体亚太区功率分立器件和Sub Analog
2018-03-08 10:17:35
的持续供应，同时也帮助设备厂商解决了在售产品生命周期长这一难题，为处于有挑战性的工业环境条件下的产品延长了使用寿命。除工业传感器之外，该计划还覆盖了意法半导体的STM32微控制器、电机驱动器、模拟器
2018-05-28 10:23:37
开发者在电脑上直接使用STM32和STM8设计资源意法半导体(ST)完整全桥系统封装内置MOSFET、栅驱动器和保护技术以节省空间，简化设计，精简组装意法半导体推出封装小、性能强的低压差稳压器创新产品`
2018-05-28 10:35:07
ODM和一级供应商可以使用Silicon Labs的Si827x隔离式半桥栅极驱动器来构建系统。这些驱动器符合AEC-Q100标准，符合汽车半导体器件的标准质量和文档要求。高压氮化镓电源在电源行业有些独特
2018-07-19 16:30:38
在功率电子（例如驱动技术）中，IGBT经常用作高电压和高电流开关。这些功率晶体管由电压控制，其主要损耗产生于开关期间。为了最大程度减小开关损耗，要求具备较短的开关时间。然而，快速开关同时隐含着高压瞬
2020-10-29 08:23:33
的应用，例如移动电话中的功率放大器和激光驱动器。
达林顿晶体管
达林顿晶体管有时称为“达林顿对”，是由两个晶体管组成的晶体管电路。西德尼·达林顿发明了它。它就像一个晶体管，但它具有更高的获得电流的能力
2023-08-02 12:26:53
。
在器件层面，根据实际情况而言，归一化导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）乘积得出的优值系数，氮化镓比硅好 5 倍到 20 倍。通过采用更小的晶体管和更短的电流路径，氮化镓充电器将能实现了
2023-06-15 15:53:16
应用范围也越来越广。据报道，美国特斯拉公司的马达驱动逆变器使用的是碳化硅半导体。另外，很多读者都已经在电器市场上看到了使用了氮化镓半导体的微型 AC转换器。采用宽禁带材料制作的电力半导体，其内部电路在高压
2023-02-23 15:46:22
用于高频电路。砷化镓组件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性均远超过硅组件，空乏型砷化镓场效晶体管(MESFET)或高电子迁移率晶体管(HEMT/PHEMT)，在3 V 电压操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
晶体管是通常用于放大器或电控开关的半导体器件。晶体管是调节计算机、移动电话和所有其他现代电子电路运行的基本构件。由于其高响应和高精度，晶体管可用于各种数字和模拟功能，包括放大器、开关、稳压器、信号
2023-02-03 09:36:05
eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN™工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化镓 FET、氮化镓驱动器，逻辑和保护功能于单芯片中。该芯片被封装到行业标准的、低寄生电感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化镓相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度。此外，氮化镓比硅基半导体器件，可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
地，氮化镓晶体管以镍和金的薄膜组配作为栅极金属，并采用肖特基接触或金属氧化物半导体（MOS）结构。为确保透明，我们可以调整这种设计，将这些不透明金属改变为透明导电材料如氧化铟锡，它广泛应用于透明
2020-11-27 16:30:52
镓技术作为III-V族化合物半导体，氮化镓(GaN) 具有禁带宽度大、电子迁移率高、介电系数小、导电性能好的特点，用其制作成的氮化镓晶体管(GaN FET)具有导通电阻小、结电容小和频率高的优点，因此
2019-03-14 06:45:08
概述：NV6127是一款升级产品，导通电阻更小，只有 125 毫欧，是氮化镓功率芯片IC。型号2：AON6268丝印：6268属性：分立半导体产品 - 晶体管封装：DFN-8参数FET 类型：N 通道
2021-01-13 17:46:43
客户希望通过原厂FAE尽快找到解决方案，或者将遇到技术挫折归咎为芯片本身设计问题，尽管不排除芯片可能存在不适用的领域，但是大部分时候是应用层面的问题，和芯片没有关系。这种情况对新兴的第三代半导体氮化镓
2023-02-01 14:52:03
氮化镓技术是功率级的真正推动者，如今可提供过去十年无法想象的性能。只有当栅极驱动器与晶体管具有相同程度的性能和创新时，才能获得GaN的最大性能和优势。经过多年的研发，MinDCet通过推出
2023-02-24 15:09:34
，然后是驱动输出的上拉和下拉晶体管。最终封装中厚层透明硅树脂将输入和输出级分开，并提供了安全隔离。电流驱动输入级的简易性、良好的抗噪性和安全隔离是电机驱动器制造商几乎在所有设计中都采用光电隔离栅极驱动器的主要原因…
2022-11-10 06:40:24
压摆率很高时，特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能。将GaN FET与驱动器集成在一个封装内可以减少寄生电感，并且优化开关性能。集成驱动器还可以实现保护功能简介氮化镓 (GaN) 晶体管的开关
2022-11-16 06:23:29
快速增长的电动汽车市场，安森美半导体推出了许多IGBT、低中高压MOSFET、高压整流器、汽车模块和数字隔离栅极驱动器以及一个用于48V系统的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽车电源
2018-10-25 08:53:48
对于低噪声放大器、功率放大器与开关器等射频前端组件的制造仍力有未逮。氮化镓GaN氮化镓并非革命性的晶体管技术，这种新兴技术逐渐用于替代横向扩散金属氧化物硅半导体(Si LDMOS)和砷化镓(GaAs
2016-09-15 11:28:41
驱动6V GaN晶体管，用于任何具有单侧、双侧或高边/低边驱动器的控制器或驱动器。新驱动器 Heyday HEY1011 在 GaN 设计中显著减小了尺寸并节省了电路板空间。凭借其消除自举和隔离电源
2023-02-21 16:30:09
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年，第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率
2023-02-15 11:19:05
和频率电子应用中实现更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高电压转换器我们首先要宣布的是来自意法半导体的消息。最近，它推出了 VIPERGAN50，一种基于 GaN 晶体管的功率转换器，为
2022-06-15 11:43:25
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
来说，增益的大小大约等于输出电流与输入电流的比值，称为贝塔。对于金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET，没有输入电流，因为栅极与主载流沟道隔离。因此，场效应管的增益等于输出电流变化与输入电压变化
2022-04-29 10:55:25
美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation)宣布推出一款业界最小的白光LED驱动器，可以灵活控制显示屏背光亮度。这款型号为LM3530的升压转换器属于
2019-09-03 06:18:33
意法半导体官方的库怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
”的器件。它有多好呢？击穿电压是功率晶体管的关键指标之一，达到这个临界点，半导体阻止电流流动的能力就会崩溃。东胁研究的开创性晶体管的击穿电压大于250伏。相比之下，氮化镓花了近20年的时间才达到这一
2023-02-27 15:46:36
耦合器解决方案。集中供电栅极驱动光电耦合器用于提供高压增强电流绝缘，并提供高输出电流，以切换电机驱动器或逆变器中的IGBT。电压比较器和晶体管开关等分立元件用于在短路故障期间保护昂贵的IGBT，而数字
2018-08-18 12:05:14
美国国家半导体公司今天宣布，推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100V半桥栅极驱动器
2011-06-23 09:34:581651 意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压，准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳位功能，可用于各种开关拓扑控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶体管。
2018-08-04 09:20:00826 STGAP2DM栅极驱动器是意法半导体的 STGAP2系列电隔离驱动器的第二款产品，集成了低压控制和接口电路以及两个电隔离输出通道，可以驱动单极或双极型晶体管的栅极。
2018-11-16 15:46:313905 意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。
2022-02-17 10:06:141783 本文介绍了在电机驱动应用中为功率级选择隔离式栅极驱动器时，您有多种选择。栅极驱动器可简单可复杂，具有集成米勒箝位、分离输出或绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 发射极的欠压 （UVLO） 锁定参考等功能。
2022-11-30 09:58:211105 
近日，意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低了物料清单成本，能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
2023-09-12 09:01:31457
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