资料来源：Kioxia Kioxia（原为东芝存储）有望创建3D NAND闪存的后继产品，与QLC NAND闪存相比，该产品可提供更高的存储密度。这项于周四宣布的新技术允许存储芯片具有更小的单元
2019-12-23 10:32:21
4222 全球首款支持Micron新型16nm TLC NAND的SSD控制器，有助实现高性能、成本最优化的TLC SSD
2015-06-04 11:36:281577 2022年4月25日，中国上海 — 20世纪90年代的MP3播放器与如今的智能手机有什么共同之处？如果没有NAND闪存这一影响力贯穿几十年的创新技术，这两者都将不会存在。全球存储器解决方案领导者
2022-04-25 18:26:212196 
制造、设计或启用NAND闪存的公司组成的行业工作组,主要是Intel和镁光。致力于简化NAND闪存集成到消费电子产品、计算平台和任何其他需要固态大容量存储的应用程序中。为NAND闪存定义标准化的组件
2023-06-21 17:36:325873 
将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存，3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。
2019-07-01 07:22:23
1310nm-10km光模块。 什么是25G SFP28光模块？ 25G SFP28光模块就是传输速率是25Gbps的光模块，主要用于25G以太网和100G（4x25Gbps）以太网中，并且它能够提供最节能的方式
2018-05-03 15:35:38
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑
NAND闪存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。
2021-01-15 07:51:55
本帖最后由 小水滴02 于 2012-9-24 17:04 编辑
观点：尽管NAND闪存市场需求在一定程度上受到了经济形势的影响，但美光市场却逆势增长，其市场份额首次突破20%大光。这是其
2012-09-24 17:03:43
美光科技公司宣布，将推出面向全球手机用户的新型MT9D011低功耗200万像素CMOS成像传感器。 随着消费者对手机、第三代智能电话等设备的高分辨率相机的要求，美光为此提供一种新款成像传感器
2018-10-26 16:48:45
生产出像素尺寸为0.2的图像传感器。”该分析师表示。“但在他讲话后不到一周，美光就宣布能够生产0.17的像素尺寸。” 实际上，美光的竞争对手三星电子是美光的最大图像传感器客户之一。三星也销售图像传感器。他说：“我们的消息暗示，美光在一个月以前获得了三星的几项design win。”:
2018-11-20 16:03:30
，25nm新工艺NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售，预计今年晚些时候就可以看到相关U盘、记忆卡、固态硬盘等各种产品。IMFT 25nm NAND闪存于今年初宣布投产，这也是该领域的制造工艺首次进军到
2022-01-22 07:59:46
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D闪存MT29F4G08ABAEAWP-IT:E美系内存大厂美光(Micron)日前正式推出25奈米NAND Flash制程，预计于2010年中
2022-01-22 08:05:39
全球前3名，尤其是和合作伙伴英特尔合计，市占率超过15%。美光在NAND Flash市场上突围，主要是拜2009年34奈米制程领先所赐，2010年再度领先宣布年中量产25奈米制程，成本竞争力促使美光市
2022-01-22 08:14:06
%；美光2019第二财季营业利润率保持在36.2%，NAND Flash营收占比为30%。由于缺少DRAM的盈利支撑，西部数据营业利润率仅为5%，将处于不利地位。现在NAND Flash仍在持续跌价，Q2
2022-01-31 12:29:27
SK海力士虽然并未有扩产消息传出，但是近期相继宣布下一代（176层）NAND闪存技术取得显著进展。其中，美光最新的176层3D NAND已经在新加坡工厂量产，将在2021年推出基于该技术的新产品，SK
2022-01-26 08:35:58
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我对内存使用有一些疑问： XIP 是否通过 QSPI 支持 NAND 闪存？如果 IMXRT1170 从 NAND 闪存启动，则加载程序必须将应用程序复制到
2023-03-29 07:06:44
根据数据表，斯巴达6家族有广泛的第三方SPI（高达x4）和NOR闪存支持功能丰富的Xilinx平台闪存和JTAG但是，如果它支持NAND闪存，我不太清楚吗？我想构建和FPGA + ARM平台，我当时
2019-05-21 06:43:17
，大数据存储需求持续增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增长率达40%-45%，而美光NAND技术从40nm到16nm，再到64层3D技术，一直为市场提供更好的产品和解决方案。就在几个月前美
2018-09-20 17:57:05
韩国三星电子日前宣布，位于中国陕西省西安市的半导体新工厂已正式投产。该工厂采用最尖端的3D技术，生产用于服务器等的NAND闪存（V-NAND）。三星电子希望在IT（信息技术）设备生产基地聚集的中国
2014-05-14 15:27:09
东芝近日宣布推出多款最大容量为 32GB的嵌入式NAND闪存模块，这些嵌入式产品应用于移动数码消费产品，包括手机和数码相机，样品将于2008年9月出厂，从第四季度开始量产
2008-08-14 11:31:20
东芝推出全球最小嵌入式NAND闪存产品，可用于各种广泛的数字消费产品【转】东芝公司宣布推出全球最小级别嵌入式NAND闪存产品，这些产品整合了采用尖端的15纳米工艺技术制造的NAND芯片。新产品符合
2018-09-13 14:36:33
时间回到2018年第一季度，三星、东芝、美光等公司的NAND芯片利润率是40％，但是第一季度过后NAND价格就开始暴降，据统计去年上半年NAND闪存价格下跌了至少50％，而根据分析师表示，未来每年
2021-07-13 06:38:27
大家好我使用 stm32h743 和与 fmc 连接的 nand 闪存。我搜索以查看如何为 nand 创建自己的外部加载器（我找不到任何用于 nand 闪存的外部加载器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件适应 nand 闪存 hal 函数和一个链接器来构建 .stldr？我走对路了吗？
2022-12-20 07:17:39
NAND闪存技术已经远离ML403板支持的CFI兼容性，您无法再找到与Xilinx为ML403板提供的闪存核心兼容的闪存芯片。我目前的项目仅限于Virtex 4平台，由于速度需求，不能使用带有MMC
2020-06-17 09:54:32
大家好，我做FPGA开发，需要用到大的内存，ise12只有美光和现代的库，我对美光内存使用有如下疑惑：美光2G内存位宽16位，速率可达200M，4G内存怎么才8位，速率还慢，才125M~150MHz.这样的话，用更多的内存反而降低性能？
2013-06-22 21:46:08
至 2015 年之间， NAND的市场复合年增长率将达到 7%。技术方面，内存密度因采用 25nm 及以下制程技术，让制造商能进一步扩大优势。领先的 NAND 闪存制造商开始用 20-30nm 范围
2014-04-22 16:29:09
DRAM补全计划？此前曾传出紫光将斥资230亿美元收购美的消息，后因美国***的限制，使这笔交易暂时压后。美光就不需要给大家介绍，它的DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块
2016-07-29 15:42:37
你好，对于Linux 3.14的32 nm闪存驱动程序是否有更新。事实上，我们正面临NAND从UBoad读取的问题。乌迪
2019-10-24 11:02:20
NAND）。 标配的HyperX SSD附带有5K 25nm Intel MLC NAND，而HyperX 3K配备3K 25nm Intel MLC NAND。英特尔的零件编号没有明显的区别，所以
2017-11-27 16:50:14
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年
2010-08-30 15:48:01
183 NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988
2010-11-03 16:40:29112 From M-system公司Arie TAL NAND和NOR的比较
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年
2009-09-13 14:07:371002 三星宣布开始量产两种新型30nm制程NAND闪存芯片
三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司
2009-12-02 08:59:23533 Intel-镁光反击,2xnm制程NAND芯片将试制
在本月22日召开的一次电话会议上，镁光公司声称他们很快便会试制出2x nm制程NAND闪存芯片产品，并对其进行取样测试。尽管
2009-12-26 09:56:491134 东芝32nm制程NAND闪存SSD硬盘将于二季度上市
日本东芝公司在NAND闪存制造领域的地位可谓举足轻重，其有关产品的产销量仅次于三星公司，目前东芝公司推出的SSD硬盘
2010-01-08 17:15:13988 震撼存储产业，IMFT发布25nm SSD
去年8月份，Intel刚刚发布了全球首批34nm MLC NAND闪存新工艺固态硬盘，从50nm进化至34nm。而现在，Intel与Micron所合资的公司IMFT此次再次推动
2010-02-02 09:05:47785 
技术领先领先别无所求：Intel NAND闪存新战略纵览
在最近举办的一次会议上，Intel公司属下NAND闪存集团的新任老总Tom Rampone透露了有关Intel闪存业务的一个惊人规划，
2010-02-09 10:50:09497 Intel大连晶圆厂今年10月投产
Intel公司宣布，位于我国大连市的“Fab 68”晶圆厂将于今年10月份正式投入生产。
Fab 68工厂将使用65nm工艺制造
2010-02-10 10:27:05665 Hynix宣布已成功开发出26nm制程NAND闪存芯片产品
南韩Hynix公司本周二宣布，继半年前成功开发出基于32nm制程的NAND闪存芯片产品，并于去年8月份开始量产这种闪存芯片
2010-02-11 09:11:081045 镁光年中量产25nm NAND闪存
镁光公司NAND闪存市场开发部门的经理Kevin Kilbuck近日透露镁光计划明年将其NAND闪存芯片制程转向25nm以下级别，他表示镁光今年年中将开始批
2010-03-04 11:02:511087 IMFT宣布25nm NAND闪存二季度开售
Intel、美光合资公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工艺 NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售，预计今年晚
2010-03-23 11:58:41600 NOR闪存/NAND闪存是什么意思
NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在：
1) 闪存芯片读写的基本单位不同
2010-03-24 16:34:358226 高性能20纳米级NAND闪存存储器
SAMSUNG电子有限公司推出业界首个20纳米级(nm) NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 NAND闪存的自适应闪存映射层设计
闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的
2010-05-20 09:26:23770 
美光科技 (Micron Technology Inc.) 日前宣布，美光获奖的25nm NAND 已获日立LG数据储存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 简称 HLDS) 采用作为其新型混合
2010-11-03 09:40:211653 
目前，限制SSD普及的门槛依然是昂贵的价格和较小的容量，而各大闪存制造厂商也在为SSD的普及，积极地研制新制程技术，以期望带来更具性价比的产品。显然，英特尔和美光的合
2011-01-02 12:57:48891 据报道：Intel将继续推出缓存式SSD新品，属于313系列，代号为"Hawley Creek"，替代代号为"Larson Creek"的311系列，容量有20GB、24GB，预计将在4月上市，售价分别为99美元和119美元。
2012-02-23 10:33:06810 一周前Intel正式发布了SSD 313,全面为Ivy Bridge平台SRT技术准备,而在主流市场intel不久前曝光的SSD 330近日正式上市,产品加入到SATA 6Gbps的大军中。Intel SSD 330采用了25nm MLC NAND闪存,最大持续读写
2012-04-17 11:14:281245 嵌入式市场闪存解决方案的创新领军者Spansion公司今日宣布其首个单层单元（SLC）系列Spansion NAND闪存产品开始出样。这一最新SLC NAND闪存产品采用4x nm浮栅技术，专门用于汽车、消费及网
2012-05-29 08:55:471159 东京—东芝公司 （TOKYO：6502）今天宣布，该公司在闪存峰会（Flash Memory Summit）上展示其最新的NAND闪存和存储产品。
2014-09-03 11:40:13849 据报道，市场传出，联发科上周向台积电大砍6月至8月间约2万片28nm订单;以联发科在台积电28nm单季投片逾6万片计算，占比近三成。
2017-04-19 01:02:19489 三星NAND闪存规格书 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 三星电子、NAND型快闪存储器商今(2018)年纷纷延迟投产，分析师担忧这恐怕会冲击明年的半导体设备市况。
2018-07-20 12:55:00927 据悉，东芝的第 6 座工厂（Fab 6）还没有完工，东芝就宣布将在日本兴建第7座NAND Flash工厂，韦德就是能在2018年与三星，Intel、及 SK 海力士进行实力竞争。94 层 V-NAND 闪存生产将会是东芝的下一个计划。
2017-12-27 14:06:091773 据韩国媒体报道，为了满足PC、智能手机市场对NAND闪存的持续高需求，Intel正在与中国紫光集团谈判，授权其生产64层3D NAND闪存。这种闪存技术来自Intel、美光合资的IMFlash，不过到明年初，双方将结束合作。
2018-03-15 11:45:485454 的堆栈厚度为2.5μm，层厚度大约70nm，48层的闪存堆栈厚度为3.5μm，层厚度减少到62nm，现在的64/72层闪存堆栈厚度大约4.5μm，每层厚度减少到60nm，而到了140+层，堆叠厚度将增至
2018-05-28 16:25:4847895 据外媒7月10日报道，顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 美光、三星释放信号仅是个开端，SK海力士、Intel、东芝、西数/闪迪等都表态在几年内将持续扩充闪存产能，为跨入96层、甚至更高层数而加大投入力度。可见，3D NAND闪存已经成为国际存储器厂商间的“主战场”。
2018-07-17 10:34:084865 
从NAND闪存中启动U-BOOT的设计 随着嵌入式系统的日趋复杂,它对大容量数据存储的需求越来越紧迫。而嵌入式设备低功耗、小体积以及低成本的要求,使硬盘无法得到广泛的应用。NAND闪存 设备就是
2018-09-21 20:06:01485 ）也宣布研发出3D NAND 芯片，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下句点，加上早前Intel加大在大连工厂的3D Xpoint的投入，3D NAND大战一触即发。什么是3D NAND闪存？从新闻到评测
2018-10-08 15:52:39395 由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单层单元（SLC）、多层单元（MLC）和三层单元（TLC）。顾名思义，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)。顾名思义，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
美光宣布，已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片，应用了全新的替换栅极(RG)架构，并计划在明年投入量产。
2019-10-14 16:04:32791 在NAND闪存市场，三星、东芝、西数、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的产能，留给其他厂商的空间并不多。国内公司中，兆易创新表示能做38nm的SLC闪存，还在推进24nm闪存研发。
2020-04-02 08:54:342726 在NAND闪存市场，三星、东芝、西数、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的产能，留给其他厂商的空间并不多。国内公司中，兆易创新表示能做38nm的SLC闪存，还在推进24nm闪存研发。
2020-04-02 08:46:522302 近日，三星电子宣布了在韩国平泽厂区的扩产计划，除扩建采用极紫外光（EUV）的晶圆代工生产线及DRAM产能之外，还将扩大3DNAND闪存方面的产能规模。业界预估三星电子仅用于3DNAND闪存方面
2020-06-16 10:07:173162 SanDisk（闪迪）宣布，已于去年底开始投产19nm新工艺的NAND闪存芯片，并对此工艺所能带来的更好性能、更低成本寄予厚望。
2020-07-24 15:19:141632 无论消费者还是企业机构，大多数人在谈到闪存时，首先想到的就是NAND闪存。从一定的现实意义上来讲，NAND闪存可以说已经成为固态硬盘的代名词。基于块寻址结构和高密度，使其成为磁盘的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
通常情况下，固态硬盘（SSD）的底层NAND架构会因模型而异。NAND 闪存的每种类型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此对您的数据存储产生不同的影响，在这篇文章中，我们会讨论这些差异。
2020-08-28 11:15:46716 
我们都知道，构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营，今天小编就来你了解闪存产品的核心—NAND闪存芯片的分类。
2020-09-18 14:34:527052 2020年10月20日上午消息，存储大厂SK海力士与Intel在韩国当地时间10月20日上午共同宣布签署收购协议，根据协议约定，SK海力士将以90亿美元收购Intel的NAND闪存及存储业务。
2020-10-20 16:51:392273 
作价 90 亿美元，Intel 又卖出了旗下的一个重要业务。这个业务，就是 NAND 闪存。这是继 NVIDIA 宣布以 400 亿美元收购 ARM 之后，全球半导体领域的又一笔重大交易。
2020-10-21 09:37:571755 据国外媒体报道，SK海力士宣布出资600亿收购英特尔NAND闪存及存储业务！ SK海力士已在官网宣布了他们将收购英特尔NAND闪存及存储业务的消息，SK海力士在官网上表示，两家公司已经签署了相关
2020-10-23 11:05:152133 在这笔交易中，中国大连的Fab 68工厂尤其引人注目，该工厂最早在2007年投资建立，2010年正式投产，主要是做芯片封测业务，不过2015年Intel宣布斥资最多55亿美元升级闪存工厂。
2020-10-28 12:08:511584 前不久，Intel突然宣布以90亿美元（约601亿）的价格将旗下的NAND闪存业务出售给了SK海力士，业内哗然。
2020-11-05 09:37:321345 前不久，Intel突然宣布以90亿美元（约601亿）的价格将旗下的NAND闪存业务出售给了SK海力士，业内哗然。
2020-11-05 09:43:421123 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-10 16:22:391671 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存，刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，这款 176 层 NAND 产品采用
2020-11-12 13:04:571856 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:552599 芯片巨头美光11月10日正式宣布，将向客户交付176层TLC NAND闪存。 这使得美光成为全球第一家量产176层TLC NAND闪存的芯片商。 176层NAND支持的接口速度为 1600MT
2020-11-13 14:25:131552 ，即使隔着屏幕也能感受到Intel扑面而来的“杀气”。 此次Intel仍然发布了3D NAND产品，3款产品中有2款都拿到一个“业界第一”，即便是其闪存业务出售给SK海力士，其闪存产品性能依然风骚“不减”。 在傲腾业务方面，Intel公司执行副总裁兼数据平台事业部总经理Navin She
2020-12-17 14:09:371728 近日，Intel全球首发了144层堆叠的QLC NAND闪存颗粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD产品，不过对于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392060 近日，Intel全球首发了144层堆叠的QLC NAND闪存颗粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD产品，不过对于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:48:342354 去年10月份，Intel宣布将旗下的NAND闪存业务以90亿美元的价格出售给SK海力士。这笔交易在3月份通过了美国审批，日前通过了欧盟的审批，中国的审批会是未来的关键之一。 上周末欧盟
2021-05-27 09:23:571847 近日，SK海力士宣布将在中国大连新建闪存工厂，该工厂属于SK海力士的非易失性存储器制造项目的一部分，将被用于生产非易失性存储器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收购Intel闪存业务
2022-05-19 14:32:533107 在NAND闪存的应用中，程序/擦除周期存在一个限制，称为“P/E周期”。在NAND闪存中，当每个块的P/E周期达到最大值时，这些块将变得不可工作，需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时，此NAND闪存将无法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
围绕基于NAND闪存的存储系统的对话已经变得混乱。通常，当人们讨论存储时，他们只谈论NAND闪存，而忽略了单独的，但同样重要的组件，即控制器。但是为什么需要控制器呢？简单地说，没有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND闪存的应用中，编程/擦除周期存在限制，称为“P/E周期”。在NAND闪存中，当每个块的P/E周期达到最大值时，这些块变得不可工作，需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时，此NAND闪存将无法再使用。
2022-11-30 15:00:431518 
我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147 基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25% 此前美光推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案，采用了232层3D TLC NAND闪存；速度提升很大，可以达到最高
2023-07-19 19:02:21864 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53281
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