9月2日，长江存储正式对外宣布，其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存（每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的三维闪存）正式量产，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 目前NAND闪存需求依然居高不下，厂商也有动力扩大产能了，SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存，这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 非挥发性电阻式内存（ReRAM）开发商Crossbar Inc.利用非导电的银离子-非晶硅（a-Si）为基板材料，并透过电场转换机制，开发出号称比NAND闪存更快千倍速度的ReRAM组件，同时就像先前在2016年所承诺地如期实现量产。
2017-02-13 09:46:401723 国产手机势头越来越强劲，把三星和苹果的市场份额抢占不少，但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失，就比如闪存芯片，这基本上被韩国厂商垄断了。近日，高启全接受媒体采访时表示，长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，这个消息无疑让人振奋，而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
2017-05-09 15:10:042255 电子发烧友早八点讯：三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002000 2022年4月25日，中国上海 — 20世纪90年代的MP3播放器与如今的智能手机有什么共同之处？如果没有NAND闪存这一影响力贯穿几十年的创新技术，这两者都将不会存在。全球存储器解决方案领导者
2022-04-25 18:26:212196 
制造、设计或启用NAND闪存的公司组成的行业工作组,主要是Intel和镁光。致力于简化NAND闪存集成到消费电子产品、计算平台和任何其他需要固态大容量存储的应用程序中。为NAND闪存定义标准化的组件
2023-06-21 17:36:325873 
NAND闪存是一种电压原件，靠其内存电压来存储数据。
2023-07-12 09:43:211446 
：2012-03-25 14:38:09软件简介: JMF612量产开卡工具 支持25nm芯片jmicron 612 sata m.p. tool b.2.8.7 s/u主程序
2012-03-25 21:24:02
将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存，3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。
2019-07-01 07:22:23
件的成本较为敏感。2019年9月，旺宏采用19nm制程的SLC NAND Flash正式量产出货，第一批产品供应美国机顶盒客户，主要出货产品为4Gb SLC NAND。电视机顶盒因为系统愈来愈复杂
2020-11-19 09:09:58
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑
NAND闪存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。
2021-01-15 07:51:55
光年一般是用来量度很大的距离，老南京工艺珠宝店如太阳跟另一恒星的距离。光年不是时间单位。老南京工艺珠宝店在天文学，秒差距是另一个常用的单位，1秒差距=3.26光年宇宙中天体间的距离非常大，老南京工艺
2013-08-19 15:17:36
众所周知，镁光大S的芯片是属于降级片，在使用的时候肯定会有些缺陷，有没有什么办法可以在量产的时候把芯片里不稳定的块找出来屏蔽掉，以减少出故障率，让芯片更稳定些。
2015-08-12 12:58:25
，25nm新工艺NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售，预计今年晚些时候就可以看到相关U盘、记忆卡、固态硬盘等各种产品。IMFT 25nm NAND闪存于今年初宣布投产，这也是该领域的制造工艺首次进军到
2022-01-22 07:59:46
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D闪存MT29F4G08ABAEAWP-IT:E美系内存大厂美光(Micron)日前正式推出25奈米NAND Flash制程，预计于2010年中量产
2022-01-22 08:05:39
MX25L25645GZ2I-08GMX25L25645GZNI-08G闪存芯片陈立白表示，整体而言，去年DRAM价格从3月开始一路跌到年底，今年全年的状况会比去年来的好，DRAM模块厂只要好好经营
2022-02-17 08:59:47
QN9080量产时闪存编程指南
2022-12-14 06:13:01
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我对内存使用有一些疑问： XIP 是否通过 QSPI 支持 NAND 闪存？如果 IMXRT1170 从 NAND 闪存启动，则加载程序必须将应用程序复制到
2023-03-29 07:06:44
根据数据表，斯巴达6家族有广泛的第三方SPI（高达x4）和NOR闪存支持功能丰富的Xilinx平台闪存和JTAG但是，如果它支持NAND闪存，我不太清楚吗？我想构建和FPGA + ARM平台，我当时
2019-05-21 06:43:17
亲爱的大家，任何人都可以让我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND闪存。我的客户正在设计他的7020定制板，并有兴趣知道所支持的并行NAND闪存的最大密度。问候钱德拉以上来自于谷歌翻译以下
2019-02-27 14:22:07
东芝近日宣布推出多款最大容量为 32GB的嵌入式NAND闪存模块，这些嵌入式产品应用于移动数码消费产品，包括手机和数码相机，样品将于2008年9月出厂，从第四季度开始量产
2008-08-14 11:31:20
芯片，收购镁光DDR闪存颗粒，长期高价回收镁光颗粒，专业回收库存电子料，回收flash内存，回收电子ic，收购清仓ic，回收工厂淘汰电子料，高价收购过期原装ic,专业回收各种IC ,手机IC芯片，高
2020-12-29 18:12:29
，收购镁光DDR闪存颗粒，长期高价回收镁光颗粒，专业回收库存电子料，回收flash内存，回收电子ic，收购清仓ic，回收工厂淘汰电子料，高价收购过期原装ic,专业回收各种IC ,手机IC芯片，高通IC
2021-07-26 17:14:30
，收购镁光DDR闪存颗粒，长期高价回收镁光颗粒，专业回收库存电子料，回收flash内存，回收电子ic，收购清仓ic，回收工厂淘汰电子料，高价收购过期原装ic,专业回收各种IC ,手机IC芯片，高通IC
2021-11-13 16:15:12
大家好我使用 stm32h743 和与 fmc 连接的 nand 闪存。我搜索以查看如何为 nand 创建自己的外部加载器（我找不到任何用于 nand 闪存的外部加载器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件适应 nand 闪存 hal 函数和一个链接器来构建 .stldr？我走对路了吗？
2022-12-20 07:17:39
NAND闪存技术已经远离ML403板支持的CFI兼容性，您无法再找到与Xilinx为ML403板提供的闪存核心兼容的闪存芯片。我目前的项目仅限于Virtex 4平台，由于速度需求，不能使用带有MMC
2020-06-17 09:54:32
至 2015 年之间， NAND的市场复合年增长率将达到 7%。技术方面，内存密度因采用 25nm 及以下制程技术，让制造商能进一步扩大优势。领先的 NAND 闪存制造商开始用 20-30nm 范围
2014-04-22 16:29:09
你好，对于Linux 3.14的32 nm闪存驱动程序是否有更新。事实上，我们正面临NAND从UBoad读取的问题。乌迪
2019-10-24 11:02:20
保存用户数据）。英特尔的50nm MLC NAND有10000个擦写周期。几何尺寸较小的晶体管虽然成本较低，但却降低了耐久性。 在34nm时，英特尔的P/E数量下降到了5000个周期，在25nm时，P
2017-11-27 16:50:14
采用Magma Finesim的NAND闪存仿真战略
摘要: NAND闪存是一种非易失性存储器，主要用于存储卡、MP3播放器、手机、固态驱动器(SSD)等产品中。除了存储单元阵列以外，它还有大量
2010-06-10 16:25:03
26 三星宣布开始量产两种新型30nm制程NAND闪存芯片
三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司
2009-12-02 08:59:23533 Intel-镁光反击,2xnm制程NAND芯片将试制
在本月22日召开的一次电话会议上，镁光公司声称他们很快便会试制出2x nm制程NAND闪存芯片产品，并对其进行取样测试。尽管
2009-12-26 09:56:491134 飚速度355MB/s 镁光将发布6Gbps SSD
镁光刚刚宣布了其34纳米NAND SSD产品线，一个原生6Gbps的SATA设备引起了广泛注意，镁光透露它将被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下
2010-01-08 17:13:512524 东芝32nm制程NAND闪存SSD硬盘将于二季度上市
日本东芝公司在NAND闪存制造领域的地位可谓举足轻重，其有关产品的产销量仅次于三星公司，目前东芝公司推出的SSD硬盘
2010-01-08 17:15:13988 Intel、美光宣布投产25nm NAND闪存
由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已经开始使用25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 震撼存储产业，IMFT发布25nm SSD
去年8月份，Intel刚刚发布了全球首批34nm MLC NAND闪存新工艺固态硬盘，从50nm进化至34nm。而现在，Intel与Micron所合资的公司IMFT此次再次推动
2010-02-02 09:05:47785 
镁光南亚合作开发出42nm制程2Gb DDR3内存芯片
镁光公司与其合作伙伴南亚公司最近公开展示了其合作开发的42nm制程2Gb DDR3内存芯片产品，双方并宣称下一代30nm制程级别
2010-02-10 09:40:501091 传镁光公司欲收购Numonyx公司
业界传言镁光公司目前仍在考虑收购Numonyx公司事宜，并称其仍对NOR闪存市场抱有兴趣。一位市场分析师称：”我听说镁光有可能会收购 N
2010-02-10 09:42:01632 Hynix宣布已成功开发出26nm制程NAND闪存芯片产品
南韩Hynix公司本周二宣布，继半年前成功开发出基于32nm制程的NAND闪存芯片产品，并于去年8月份开始量产这种闪存芯片
2010-02-11 09:11:081045 尔必达计划收购Spansion NAND闪存业务
据国外媒体报道，日本尔必达公司表态计划收购美国Spansion（飞索半导体）旗下的NAND闪存业务资产。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19660 IMFT宣布25nm NAND闪存二季度开售
Intel、美光合资公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工艺 NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售，预计今年晚
2010-03-23 11:58:41600 NOR闪存/NAND闪存是什么意思
NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在：
1) 闪存芯片读写的基本单位不同
2010-03-24 16:34:358226 高性能20纳米级NAND闪存存储器
SAMSUNG电子有限公司推出业界首个20纳米级(nm) NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 NAND闪存的自适应闪存映射层设计
闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的
2010-05-20 09:26:23770 
美光科技 (Micron Technology Inc.) 日前宣布，美光获奖的25nm NAND 已获日立LG数据储存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 简称 HLDS) 采用作为其新型混合
2010-11-03 09:40:211653 
目前，限制SSD普及的门槛依然是昂贵的价格和较小的容量，而各大闪存制造厂商也在为SSD的普及，积极地研制新制程技术，以期望带来更具性价比的产品。显然，英特尔和美光的合
2011-01-02 12:57:48891 嵌入式市场闪存解决方案的创新领军者Spansion公司今日宣布其首个单层单元（SLC）系列Spansion NAND闪存产品开始出样。这一最新SLC NAND闪存产品采用4x nm浮栅技术，专门用于汽车、消费及网
2012-05-29 08:55:471159 据报道，市场传出，联发科上周向台积电大砍6月至8月间约2万片28nm订单;以联发科在台积电28nm单季投片逾6万片计算，占比近三成。
2017-04-19 01:02:19489 现在，西数全球首发了96层堆栈的3D NAND闪存，其使用的是新一代BiCS 4技术（下半年出样，2018年开始量产），除了TLC类型外，其还会支持QLC，这个意义是重大的。
2017-06-28 11:22:40709 如果用一个词来描述2016年的固态硬盘市场的话，那么闪存颗粒绝对是会被提及的一个关键热词。在过去的2016年里，围绕着闪存颗粒发生了一系列大事，包括闪存颗粒的量产引发固态涨价，闪存颗粒的制程问题引发
2017-10-13 20:33:266 三星NAND闪存规格书 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 镁光MT29F闪存规格书
2017-10-17 10:16:32133 据外媒报道，英特尔和镁光宣布，它们不再合作开发下一代3D NAND内存。
2018-01-11 09:16:024070 武汉建设NAND工厂，预计今年内量产，据悉国产NAND闪存是32层堆栈的，是1000多名研究人员耗时2年、耗资10亿美元研发的。
2018-05-16 10:06:003750 位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台11日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。
2018-06-20 10:26:001857 2018年势必是半导体产业忙碌的一年，目前6大类重大项目有序推进，产业项目占比超七成，小米系企业落地，台积电也表示会在年中量产。
2018-02-28 10:38:49726 DVEVM可以启动或（默认），与非门，或通用异步接收机/发射机（UART）。NOR 闪存提供了一个字节随机的优点访问和执行就地技术。NAND闪存不是那么容易用它需要闪存转换层（FTL）软件让它访问；然而，由于它的价格低，速度快，寿命长，许多客户想设计NAND闪存代替或NOR闪存。
2018-04-18 15:06:579 的堆栈厚度为2.5μm，层厚度大约70nm，48层的闪存堆栈厚度为3.5μm，层厚度减少到62nm，现在的64/72层闪存堆栈厚度大约4.5μm，每层厚度减少到60nm，而到了140+层，堆叠厚度将增至
2018-05-28 16:25:4847895 面对2018年各大闪存颗粒厂商已经大规模量产64层堆栈3D NAND的情况，三星正式宣布开始量产第五代V-NAND闪存颗粒，堆栈数将超过90层。
2018-07-24 14:36:327167 慧荣科技公司（Silicon Motion Technology Corporation今日宣布旗下SM2256 SATA（6Gb/s）客户端SSD控制器现支持Micron（镁光）新推出的16nm
2018-07-30 09:33:001577 ，第一代3D NAND闪存的成本也符合预期，堆栈层数达到64层的第二代3D NAND闪存也在路上了，今年底就要大规模量产了。
2018-08-03 16:15:031188 从NAND闪存中启动U-BOOT的设计 随着嵌入式系统的日趋复杂,它对大容量数据存储的需求越来越紧迫。而嵌入式设备低功耗、小体积以及低成本的要求,使硬盘无法得到广泛的应用。NAND闪存 设备就是
2018-09-21 20:06:01485 了——NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC类型之分，为了进一步提高容量、降低成本，NAND的制程工艺也在不断进步，从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm，但NAND闪存跟处理器不一样，先进工艺虽然
2018-10-08 15:52:39395 研发支持原厂3D TLC NAND高品质固件的固态硬盘完整解决方案。据了解，MAS0902固态硬盘主控芯片，已经适配了全球全部量产的所有3D MLC/TLC NAND闪存颗粒，继在今年9月国内首发量产
2018-11-19 17:22:316838 由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单层单元（SLC）、多层单元（MLC）和三层单元（TLC）。顾名思义，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)。顾名思义，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
IDC调整了其对NAND闪存的供需预测，称2019年和2020年的比特量（bit volume）将同比增长39％和38％。并预计闪存价格的降低趋势可能会放缓。 据IDC数据显示，2019年上半年闪存
2019-03-20 15:09:01282 国产存储芯片再下一城，日前有产业链方面的消息称，中国长江存储将如期在今年年底量产64层3D NAND闪存芯片，这对价格本就在不断下探的闪存市场无疑又将带来一波新的冲击。
2019-04-01 16:53:121582 现在，长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华接受采访时表示，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 16:30:002263 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241028 美光宣布，已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片，应用了全新的替换栅极(RG)架构，并计划在明年投入量产。
2019-10-14 16:04:32791 任何了解SD卡，USB闪存驱动器和其他基于NAND闪存的解决方案基础知识的人都知道，控制这些最小化故障率的关键组件是NAND闪存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 
W25M02GV（2 x 1G位）串行MCP（多芯片封装）闪存基于W25N串行SLC NAND SpiFlash®系列，将两个单独的W25N01GV芯片堆叠到标准8针封装中。它为低管脚数封装提供
2019-12-31 08:00:008 在NAND闪存市场，三星、东芝、西数、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的产能，留给其他厂商的空间并不多。国内公司中，兆易创新表示能做38nm的SLC闪存，还在推进24nm闪存研发。
2020-04-02 08:54:342726 在NAND闪存市场，三星、东芝、西数、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的产能，留给其他厂商的空间并不多。国内公司中，兆易创新表示能做38nm的SLC闪存，还在推进24nm闪存研发。
2020-04-02 08:46:522302 两年前，镁光发布了全球首款采用3D QLC NAND闪存颗粒的固态硬盘，其型号为5210 ION系列。
2020-04-22 11:31:142262 无论消费者还是企业机构，大多数人在谈到闪存时，首先想到的就是NAND闪存。从一定的现实意义上来讲，NAND闪存可以说已经成为固态硬盘的代名词。基于块寻址结构和高密度，使其成为磁盘的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
通常情况下，固态硬盘（SSD）的底层NAND架构会因模型而异。NAND 闪存的每种类型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此对您的数据存储产生不同的影响，在这篇文章中，我们会讨论这些差异。
2020-08-28 11:15:46716 
我们都知道，构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营，今天小编就来你了解闪存产品的核心—NAND闪存芯片的分类。
2020-09-18 14:34:527052 据国外媒体报道，专注于3D NAND闪存设计制造的长江存储，将提高NAND闪存芯片的出货量。
2020-09-22 17:11:492025 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:552599 根据外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。 SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术
2020-12-07 16:16:232416 写入问题确实是NAND闪存的在企业级应用中的一个限制么？
2021-04-01 17:50:562894 该NAND闪存控制器IP支持以前所未有的速度轻松可靠地访问片外NAND闪存器件。更新后的控制器能以各种速度支持所有ONFI规范模式。
2021-08-05 15:30:561299 在3D NAND技术赛跑中，三星长期处于领先地位，截至目前，其3D NAND闪存已经陆续演进至128层。
2022-06-14 15:21:152100 
在NAND闪存的应用中，程序/擦除周期存在一个限制，称为“P/E周期”。在NAND闪存中，当每个块的P/E周期达到最大值时，这些块将变得不可工作，需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时，此NAND闪存将无法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
围绕基于NAND闪存的存储系统的对话已经变得混乱。通常，当人们讨论存储时，他们只谈论NAND闪存，而忽略了单独的，但同样重要的组件，即控制器。但是为什么需要控制器呢？简单地说，没有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND闪存的应用中，编程/擦除周期存在限制，称为“P/E周期”。在NAND闪存中，当每个块的P/E周期达到最大值时，这些块变得不可工作，需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时，此NAND闪存将无法再使用。
2022-11-30 15:00:431518 
我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147 内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512
2023-06-10 17:21:001983 基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25% 此前美光推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案，采用了232层3D TLC NAND闪存；速度提升很大，可以达到最高
2023-07-19 19:02:21864 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53281
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