程序设计 - MSP430F149嵌入式系统中FLASH K9F1G08U0M的应用

4 程序设计

　　在此给出写操作部分程序，读操作和擦除操作均可参考文中流程图来编程，值得注意的是其它具体写地址操作应仔细阅读

　　K9F1G08U0M芯片资料。

　　#include

　　#define CLE BIT3

　　#define ALE BIT3

　　#define WE BIT6

　　#define CE BIT4

　　#define RE BIT5

　　#define RB BIT7

　　void ReadFlash(); //读FLASH子程序

　　void WriteFlash(); //写FLASH子程序

　　void inituart(void); //初始化异步串行通信

　　void Write10h(); //写控制字10h子程序

　　void WriteCommand(); //写命令字写地址

　　void ClrFlash(); //擦除FLASH子程序

　　unsigned int k,i,a

　　void main ()

　　{

　　WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;

　　BCSCTL1 &= ~XT2OFF;

　　do

　　{

　　IFG1 &= ~OFIFG;

　　for (iq0=0x05; iq0>0; iq0--);

　　} //检验晶振是否起振

　　while ((IFG1 & OFIFG)!= 0);

　　BCSCTL2 = SELM_2 + SELS + DIVS0;

　　//SMCLK选择2分频后的4M

　　While(k<0xFC00) //页数<64512时执行

　　{

　　WriteCommand(); //调用写控制字写地址子程序

　　While(i<2048) //字节数<2048时执行循环

　　{

　　WriteFlash(); //调用写数据子程序,

　　32个字节

　　i=i+32; //字节数+32

　　}

　　i=0; //一页写完后,字节数置0

　　Write10h(); //调用写10h子程序

　　while(!(P2IN & RB)); //等待RB信号变高

　　k++; //页数+1

　　}

　　k=0; //页数置0

　　LPM4; //全部写完后，MSP430进入低功耗模式4

　　5 结束语

　　实验表明： 整个系统简单可靠、功能完善、运行稳定，具有实用价值。本文完成了对FLASH的写操作、读操作及擦除操作，达到了系统的微体积和低功耗特性。