“电磁兼容性(EMC)”主要分为两种,一种是设备本身的电磁噪声对其他设备或人体带来的影响(电磁干扰,EMI:Electromagnetic Interference, Emission),另一种是设备是否会因来自外部的电磁干扰而发生误动作(电磁敏感性EMS:Electromagnetic Susceptibility, Immunity),之所称为“电磁兼容性”,是由于为了避免发生故障,这两方面都要兼顾。
以文字的形式写成“定义”是这样的,理解起来有点难是吧。下面我将浅显易懂地、直观地解释一下。我将以大家熟悉的半导体集成电路(LSI、IC)为主角进行解说。
首先是电磁干扰(EMI或电磁发射)。如今,已经开发出并且在售的LSI和IC种类繁多。为了便于说明,大致分类如下:
①老式三端电源(7805和7905等)和低饱和电源(LDO)等直流电源相关产品。这些产品要处理的信号是直流(DC)的。
②差分运算放大器(运算放大器)、电压比较器(比较器)、语音信号处理等相关的产品。要处理的信号是基于正弦波的模拟信号和线性信号。
③微控制器、存储器、逻辑等相关的产品。要处理的信号是数字信号。
④最近常用的开关电源和电荷泵电源等电源相关的产品;LED驱动器、LCD驱动器等显示相关的产品;PWM电机驱动器等驱动相关的产品。这些LSI和IC是涉及到开关技术的产品。
其中①和②不产生电磁干扰(EMI),③和④产生电磁干扰(EMI)。可以简单的理解为模拟LSI和线性LSI不会产生电磁噪声,而数字LSI和开关LSI会产生电磁噪声,这样说可能更直观更易懂。
由于直流电压本身没有基波和谐波分量,正弦波中的高次谐波分量(基波的N倍频分量)很少,因此不易产生电磁噪声。而数字LSI和开关LSI是处理矩形波(脉冲波)的产品,因此会产生比如在1GHz(千兆赫兹)左右的高次谐波分量(主要是奇次谐波)。这就是“电磁干扰 (EMI)”的本来面目。
换句话说,数字LSI和开关LSI所进行的电路工作会产生电磁干扰(EMI)。当然,其优点是通过数字工作可实现高速、大规模的运算处理,通过低功耗工作可延长电池驱动时间。这些产品之所以能够在世界范围内被广泛使用,因为它们的优点大于缺点。
其次,电磁敏感性(EMS或电磁抗扰度)是半导体集成电路(LSI、IC)对电磁噪声的抵抗能力,要求其足够强以防止误动作。可以从两个角度来看电磁敏感性(EMS)。
首先是从电压轴的角度来思考。制造工艺越来越微细,电源电压越来越低,这也就越来越容易导致误动作。很久以前,5V逻辑IC是主流产品,但现在电源电压为0.9V的产品并不少见。例如,在逻辑IC中,内部阈值电压(IC内部区分H电平和L电平的电压)已从2V降低到0.4V。5V逻辑IC受1V外部电磁噪声的影响是不会产生误动作的,而0.9V逻辑IC则很容易产生误动作。尽管如此,仍然使用0.9V逻辑IC是因为其具有低功耗设计所需的优点。
然后是从频率轴的角度来思考。半导体集成电路(LSI、IC)不能以其单体的形式单独工作,需要安装在印刷电路板(PCB)上组成电路后执行工作。在印刷电路板(PCB)上,包括LSI内部在内,存在很多与布线相关的寄生分量。简单的有寄生电阻R(布线电阻)、寄生电容C(杂散电容)、寄生电感L(直流电感)等。经常听到的比较有代表性的有ESR(Equivalent Series Resistance:等效串联电阻)和ESL(Equivalent Series Inductance:效串联电感)。而寄生分量中最麻烦的是电容分量和电感分量。
这是因为存在于LSI内部和整个印刷电路板(PCB)的寄生电容C和寄生电感L会引发谐振现象。LC串联谐振和并联谐振可以发生在从低频到高频的各种频率上。在这些谐振频率上,阻抗会变为零或无穷大,从而形成容易发生误动作的频率。这也是需要很强的电磁敏感性(电磁抗扰度)的原因之一。
之所以说是“之一”,是因为还有很多其他原因,比如容易误动作的电路结构和电路板底片等。一般说来,相比电磁干扰(EMI)对策,针对电磁敏感性(EMS)的对策更难,原因是电磁敏感性(EMS)涉及到诸多因素,而要判明其中的哪一个因素是起主要作用的,就需要时间和技巧了。
接下来我想谈谈电磁噪声的传播路径,但是放在这一篇文章里会显得内容过多,所以我会在下一篇中进行讲解。
EMC概述(2):什么是电磁兼容性(EMC)?
您应该已经了解了电磁干扰(EMI)和电磁敏感性(EMS)。在本文中我将介绍这些电磁噪声的传播路径。正如在初级篇中已经介绍过的,电磁噪声的传播方式大致分为两种:一种是传导(Conducted)发射,通过印刷电路板(PCB)和印刷电路板(PCB)之间的布线等传播;另一种是辐射(Radiated)发射,从测试对象(DUT)直接或以印刷电路板(PCB)的布线等为天线通过空间传播。一般情况下,30MHz(兆赫兹)以下被视为传导,30MHz以上被视为辐射。30MHz并非是明确的分隔线,理解为大致的参考线即可。因此,电磁兼容性(EMC)的物理现象大致可以分为以下四种:
电磁兼容性(EMC)
传导发射 (CE:Conducted Emission)
辐射发射 (RE:Radiated Emission)
传导抗扰度 (CI:Conducted Immunity)
辐射抗扰度 (RI:Radiated Immunity)
我曾介绍过设计时必须兼顾电磁干扰(EMI)和电磁敏感性(EMS),但作为物理现象,必须避免以上四种问题。这是一项非常艰巨的工作。事实上,在电磁兼容性(EMC)的国际标准中也是按照这个体系进行分类的。在客户提供的采购规格书中,也按照上述分类规定了电磁兼容性(EMC),并指定了更详细的国际标准。
此外,每种产品都有电磁兼容性(EMC)国际标准,并且分别都有具有代表性的标准。简单总结如下:
具有代表性的电磁兼容性(EMC)国际标准
产品体系 | 电磁干扰(EMI) | 电磁兼容性(EMS) |
---|---|---|
半导体元件 |
IEC 61967-4标准 (传导发射):1Ω/150Ω直接耦合法 150kHz~1GHz |
IEC 62312-4标准 (传导抗扰度):DPI法 150kHz~1GHz |
消费电子产品 |
CISPR32(旧22)标准 (传导发射):电压法 150kHz~30MHz (辐射发射):3m法/10m法 30MHz~1GHz |
IEC 61000-4-3标准 (辐射抗扰度): 射频电磁场辐射抗扰度 80MHz~6GHz |
车载产品 |
CISPR25标准 (传导发射):电压法 150kHz~108MHz (辐射发射):ALSE法 150kHz~2.5GHz |
ISO 11452-4标准 (传导抗扰度): HE法(BCI法/TWC法) 100KHz~400MHz /400MHz~3GHz |
看到辐射和传导的频率条件时,可能会有人会想“诶?这是怎么回事?”虽然我在前面提到作为一个“参考标准”,“一般情况下,30MHz(兆赫兹)以下被视为传导,30MHz以上被视为辐射”,然而,在实际的国际标准中,有很多标准将1GHz以下规定为传导,也有些标准将150KHz以上规定为辐射。可以理解为,传导测试中之所以规定了超过30MHz的测试,其实是测量范围不仅包括纯粹的传导分量,还包括部分高频段的辐射分量(通过传导测试电路进行测试)。此外,将上限频率提到更高作为自有标准进行标准化的客户也不在少数。
这些国际标准每几年会修订一次。这是因为当发生由电磁兼容性(EMC)问题导致的严重事件时,与其他法律法规一样,为了防止此类事件再次发生,就需要由国际电工委员会(IEC)和国际标准化组织(ISO)等相应的组织进行讨论并修改频率范围和测量极限值,修订和发布相应的国际标准。
EMC概述(3) :什么是电磁兼容性(EMC)?
了解实例,就可以深入理解其重要性
本篇将具体介绍电磁兼容性(EMC)现象。本文的主角也是半导体集成电路(IC)。
首先是电磁干扰(EMI: Electromagnetic Interference,发射)的一个例子。假设这是半导体集成电路(IC)使用开关技术工作、并且印刷电路板(PCB)上的EMC措施不充分的情况。如果EMI滤波器的设计不好,比如低通滤波器(LPF)的截止频率高于开关频率的1/10,在这种情况下,如果使半导体集成电路(IC)工作,则可能会发生:
・其周围配置的AM/FM收音机功能的接收灵敏度变差,并且会出现哔哔嘎嘎之类的噪声
・通过Bluetooth连接的设备断开连接
等现象。
接下来是电磁敏感性(EMS: Electromagnetic Susceptibility, 抗扰度)的一个例子。这是半导体集成电路(IC)附近有电磁噪声、而且这种噪声带来不良后果的一种情况。该示例也是假设印刷电路板(PCB)上的EMC措施不足的情况:没有噪声滤波器,或者即使有,其频率特性也不能充分抑制电磁噪声。在这种情况下,可能会发生:
・差分运算放大器(Op Amp)的工作点通常应该是VCC(电源电压)/2的偏置电压,但却会变为VCC附近或GND附近的电压。
・在数据通信用半导体集成电路(IC)的数据收发过程中,只在产生电磁噪声时接收到的数据会发生反转
・在低电压数字电路(包括CPU和存储器)中,只在产生电磁噪声时控制逻辑引发错误
等问题。
可能单凭上一篇中符合/不符合电磁兼容性(EMC)国际标准的描述很难具体理解,但通过实际的例子,就可以理解这些问题都与严重的干扰和误动作息息相关。因此,与电磁兼容性(EMC)相关的现象是非常重要的,尤其对于航空航天、医疗、车载等可能会有生命危险的产品和元器件来说,这类情况是绝对不能发生的。正是为了进行充分的验证并提供安全放心的产品和元器件,从元器件制造商到终端产品制造商,各行各业的工程师们都在努力研究电磁兼容性(EMC)。
那么为什么直到如今电磁兼容性(EMC)还是如此受关注呢?
对于电磁干扰(EMI)来说,与工作频率的日益提高有很大关系。与很久以前100MHz被视为超高速的时代不同,如今产品工作频率为1GHz~10GHz的情况并不少见。当然,其谐波分量是电磁干扰(EMI)的源头,因此电磁干扰(EMI)的频段范围变得更宽。此外,频率越高,越容易产生辐射,因此需要更加注意。
对于电磁敏感性(EMS)来说,电源电压下降是影响因素之一。5V逻辑和0.9V逻辑相比,它们的H电压和L电压之间的电压差(VIH/VIL)完全不同。如果电源电压低,对电磁噪声的抵抗力就会降低。
而且,构成半导体集成电路(IC)的元器件数量也逐年增加。如今是在一枚硅芯片上能够配置5亿~10亿个晶体管的时代了。因此,出现电磁兼容性(EMC)问题的位置更多,概率也更高。随着微细化和高度集成化的发展,根据摩尔定律,未来,只要半导体集成电路(IC)的集成度继续提高,电磁兼容性(EMC)问题就会继续恶化。
在现场,工程师们已经深切意识到,过去不用格外注意电磁兼容性(EMC)也没有问题,但是对于最近的产品和元器件来说,一旦不好好处理电磁兼容性(EMC)问题,就会产生严重的后果。因此准确地说,现在的状况不是“正在关注”而是“不得不关注”,这样说可能更接近现实。
审核编辑:刘清
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