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2、发射电路的结构和工作原理：
发射时，把逻辑电路处理过的发射基带信息调制成的发射中频，用TX-VCO把发射中频信号频率上变为890M-915M（GSM）的频率信号。经功放放大后由天线转为电磁波辐射出去。
该电路掌握重点：
（1）、电路结构。
（2）、各元件的功能与作用。
（3）、发射信号流程。
电路分析：
（1）、电路结构。
发射电路由中频内部的发射调制器、发射鉴相器；发射压控振荡器（TX-VCO）、功率放大器（功放）、功率控制器（功控）、发射互感器等电路组成。（如下图）
（2）、各元件的功能与作用。
1）、发射调制器：
结构：
发射调制器在中频内部，相当于宽带网络中的MOD。
作用：
发射时把逻辑电路处理过的发射基带信息（TXI-P；TXI-N；TXQ-P；TXQ-N）与本振信号调制成发射中频。
2）、发射压控振荡器（TX-VCO）：
结构：
发射压控振荡器是由电压控制输出频率的电容三点式振荡电路；在生产制造时集成为一小电路板上，引出五个脚：供电脚、接地脚、输出脚、控制脚、900M/1800M频段切换脚。当有合适工作电压后便振荡产生相应频率信号。
作用：把中频内调制器调制成的发射中频信号转为基站能接收的890M-915M（GSM）的频率信号。
原理：众所周知，基站只能接收890M-915M（GSM）的频率信号，而中频调制器调制的中频信号（如三星发射中频信号135M）基站不能接收的，因此，要用TX-VCO把发射中频信号频率上变为890M-915M（GSM）的频率信号。
当发射时，电源部分送出3VTX电压使TX-VCO工作，产生890M-915M（GSM）的频率信号分两路走：
a）、取样送回中频内部，与本振信号混频产生一个与发射中频相等的发射鉴频信号，送入鉴相器中与发射中频进行较；若TX-VCO振荡出频率不符合手机的工作信道，则鉴相器会产生1-4V跳变电压（带有交流发射信息的直流电压）去控制TX-VCO内部变容二极管的电容量，达到调整频率准确性目的。
b）、送入功放经放大后由天线转为电磁波辐射出去。
从上看出：由TX-VCO产生频率到取样送回中频内部，再产生电压去控制TX-VCO工作；刚好形成一个闭合环路，且是控制频率相位的，因此该电路也称发射锁相环电路。
3）、功率放大器（功放）：
结构：目前手机的功放为双频功放（900M功放和1800M功放集成一体），分黑胶功放和铁壳功放两种；不同型号功放不能互换。
作用：把TX-VCO振荡出频率信号放大，获得足够功率电流，经天线转化为电磁波辐射出去。
值得注意：功放放大的是发射频率信号的幅值，不能放大他的频率。
功率放大器的工作条件：
a）、工作电压（VCC）：手机功放供电由电池直接提供（3.6V）。
b）、接地端（GND）：使电流形成回路。
c）、双频功换信号（BANDSEL）：控制功放工作于900M或工作于1800M。
d）、功率控制信号（PAC）：控制功放的放大量（工作电流）。
e）、输入信号（IN）；输出信号（OUT）。
4）、发射互感器：
结构：两个线径和匝数相等的线圈相互靠近，利用互感原理组成。
作用：把功放发射功率电流取样送入功控。
原理：当发射时功放发射功率电流经过发射互感器时，在其次级感生与功率电流同样大小的电流，经检波（高频整流）后并送入功控。
5）、功率等级信号：
所谓功率等级就是工程师们在手机编程时把接收信号分为八个等级，每个接收等级对应一级发射功率（如下表），手机在工作时，CPU根据接的信号强度来判断手机与基站距离远近，送出适当的发射等级信号，从而来决定功放的放大量（即接收强时，发射就弱）。
附功率等级表：
6）、功率控制器（功控）：
结构：为一个运算比较放大器。
作用：把发射功率电流取样信号和功率等级信号进行比较，得到一个合适电压信号去控制功放的放大量。
原理：当发射时功率电流经过发射互感器时，在其次级感生的电流，经检波（高频整流）后并送入功控；同时编程时预设功率等级信号也送入功控；两个信号在内部比较后产生一个电压信号去控制功放的放大量，使功放工作电流适中，既省电又能长功放使用寿命（功控电压高，功放功率就大）。
（3）、发射信号流程。
当发射时，逻辑电路处理过的发射基带信息（TXI-P；TXI-N；TXQ-P；TXQ-N），送入中频内部的发射调制器，与本振信号调制成发射中频。而中频信号基站不能接收的，要用TX-VCO把发射中频信号频率上升为890M-915M（GSM）的频率信号基站才能接收。当TX-VCO工作后，产生890M-915M（GSM）的频率信号分两路走：
a）、一路取样送回中频内部，与本振信号混频产生一个与发射中频相等的发射鉴频信号，送入鉴相器中与发射中频进行较；若TX-VCO振荡出频率不符合手机的工作信道，则鉴相器会产生一个1-4V跳变电压去控制TX-VCO内部变容二极管的电容量，达到调整频率目的。
b）、二路送入功放经放大后由天线转化为电磁波辐射出去。为了控制功放放大量，当发射时功率电流经过发射互感器时，在其次级感生的电流，经检波（高频整流）后并送入功控；同时编程时预设功率等级信号也送入功控；两个信号在内部比较后产生一个电压信号去控制功放的放大量，使功放工作电流适中，既省电又能长功放使用寿命。
3、本振电路的结构和工作原理：（本机振荡电路、锁相环电路、频率合成电路）
该电路产生四段不带任何信息的本振频率信号（GSM-RX；GSM-TX；DCS-RX；DCS-TX）；送入中频内部，接收时对接收信号进行解调；发射时对发射基带信息进行调制和发射鉴相。
该电路掌握重点：
（1）、电路结构。
（2）、各元件的功能与作用。
（3）、本振电路工作原理。
电路分析：
（1）、电路结构。手机本振电路有四种电路结构：
a）、由频率合成集成块、接收压控振荡器（RX-VCO）、13M基准时钟、预设频率参考数据（SYN-DAT；SYN-CLK；SYN-RST；SIN-EN），组成（早期手机多用；如下图）。
b）、把频率合成集成块集成在中频内部，结合外接RX-VCO组成（中期机、诺基亚机多用；（如下图）
c）、把频率合成集成块、接收压控振荡器（RX-VCO）集成一体，称本振集成块或本振舐IC（中期机、三星机多用；如下图）。
d）、把频率合成集成块、接收压控振荡器（RX-VCO）集成在中频内部（新型机、杂牌机多用；如下图）。
值得注意：无论采用何种结构模式，只是产生的频率不同；其工作原理，产生的频率信号的走向和作用都一样的。
（2）、各元件的功能与作用。
a）、接收压控振荡器（RX-VCO）：
与TX-VCO的结构和工作原理一样；与TX-VCO不同的是：TX-VCO产生两个频率段，只参与发射；而RX-VCO产生四个频率段，既参与接收又参与发射；两个VCO不能互换。
b）、频率合成集成块：
为一个比较运算放大器；把RX-VCO产生频率取样信号、预设频率参考数据在内部进行比较，并以13M基准时钟为参考，产生1-4V跳变电压（纯直流电压）去控制RX-VCO振荡出准确本振频率目的。
c）、预设频率参考数据：
即工程师在设计手机时，根据手机在不同信道（GSM手机为124个）上工作时所需要的本振频率标准预先设定好，列成数据表；并寄存在字库内。即CPU送出的频合时钟（SYN-CLK）；频合数据（SYN-DAT）；频合复位（ SYN-RST）；频合启动（SIN-EN）。
（3）、本振电路工作原理。
手机正常开机后，电源部分送出频合电源使本振电路工作，此时RX-VCO振荡出本振频率信号分两路走：
1）、把本振频率取样送入频率合成集成块内，与预设频率参考数据在内部进行比较；并以13M基准时钟为参考，产生1-4V跳变电压，去控制RX-VCO内部变容二极管的电容量，调整输出频率，使RX-VCO振荡出符合手机工作信道所需的本振频率（俗称微调）。
2）、本振频率送入中频内部，经分频后又分三路：
a）、接收时本振频率送入接收解调器对接收信号进行解调（即本振频率与接收频率这两个大小相等，相位相反频率信号进行搬移和抵消；剩余对方送来的信息）。
b）、发射时本振频率送入发射调制器，对逻辑电路送来的发射基带信息（TXI-P；TXI-N；TXQ-P；TXQ-N），调制发射中频（即把发射信息叠加在本振频率上）。
C）、发射时，把TX-VCO产生频率取样送回中频内部，与本振频率混频，产生一个与发射中频频率相等的发射鉴频信号。
900M/1800M本振频率转换由CPU送出双频功换信号（BANDSEL）来控制（俗称粗调）。
从上看出：由RX-VCO产生频率到取送入频率合成集成块内部，再产生电压去控制RX-VCO工作；刚好形成一个闭合环路，且是控制频率相位的，因此该电路也称锁相环电路。从频合电路工作原理看，本振频率与接收频率要同步（同一工作信道）手机才有信号。CPU如何判定手机工作信道？原来当手机开机后，CPU送出900M/1800M两系统所有工作信道所需的SYN-DAT、SYN-CLK、SYN-RST、SIN-EN令RX-VCO产生所有本振频率，遂一送入中频内部与接收频率进行对接，直到逻辑电路接到基带信息为止。并锁定在该信道上，因此，手机找网是漫长过程。
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