晶圆键合技术是将两片不同结构/不同材质的晶圆,通过一定的物理方式结合的技术。晶圆键合技术已经大量应用于半导体器件封装、材料及器件堆叠等多种半导体应用领域。
2023-10-24 12:43:2436 引线键合是在硅芯片上的 IC 与其封装之间创建互连的常用方法,其中将细线从器件上的键合焊盘连接到封装上的相应焊盘(即引线)。此连接建立了从芯片内部电路到连接到印刷电路板 (PCB) 的外部引脚的电气路径。
2023-10-24 11:32:1335 介绍了封装键合过程中应用的银合金键合线与铝垫之间形成的共金化合物(IMC),提出了侵蚀对IMC的影响,由于银合金线IMC不能通过物理方法确认,需通过软件测量计算和化学腐蚀试验得到IMC覆盖面积。详述
2023-10-20 12:30:02114 公司的成本。 评价方法1、零距键合指数(BI):通过测定干、湿纸条的零距抗张而得,将键合中有效抗张强度提高的百分数定义为键合指数。 2、通过测
2023-10-12 16:40:13
随着产业和消费升级,电子设备不断向小型化、智能化方向发展,对电子设备提出了更高的要求。可靠的封装技术可以有效提高器件的使用寿命。阳极键合技术是晶圆封装的有效手段,已广泛应用于电子器件行业。其优点是键合时间短、键合成本低。温度更高,键合效率更高,键合连接更可靠。
2023-09-13 10:37:36136 不同的微电子工艺需要非常干净的表面以防止颗粒污染。其中,晶圆直接键合对颗粒清洁度的要求非常严格。直接晶圆键合包括通过简单地将两种材料的光滑且干净的表面接触来将两种材料连接在一起(图1)。在室温和压力下,两种材料表面的分子/原子之间形成的范德华力会产生粘附力。
2023-09-08 10:30:18105 tc键合机是hbm和半导体3d粘合剂为代表性应用领域的加工后,在晶片上堆积一个芯片的热压缩粘合剂。日本企业tc键合机的市场占有率很高。tc键合机销量排在前6位的公司中,日本公司占据了3家公司(西宝、新川、东丽)。
2023-09-05 14:42:51426 芯片键合技术在半导体制造中占有重要的地位,它为组件间提供了一个可靠的电气和机械连接,使得集成电路能够与其它系统部分进行通信。在众多的芯片键合技术中,Wedge、Ball、Bump Bonding被广泛使用。以下将详细探讨这三种技术的特点、应用以及它们之间的差异。
2023-08-19 10:11:30669 的传输路径)的方法被称为引线键合(Wire Bonding)。其实,使用金属引线连接电路的方法已是非常传统的方法了,现在已经越来越少用了。近来,加装芯片键合(Flip Chip Bonding)和硅穿孔
2023-08-09 09:49:47505 本文通过对典型案例的介绍,分析了键合工艺不当,以及器件封装因素对器件键合失效造成的影响。通过对键合工艺参数以及封装环境因素影响的分析,以及对各种失效模式总结,阐述了键合工艺不当及封装不良,造成键合本质失效的机理;并提出了控制有缺陷器件装机使用的措施。
2023-07-26 11:23:15479 在本文中,我们将讨论混合键合的趋势、混合键合面临的挑战以及提供最佳解决方案的工具。
2023-07-15 16:28:08439 小芯片为工程师们提供了半导体领域的新机遇,但当前的键合技术带来了许多挑战。
2023-06-20 16:45:13151 Cu-Cu 低温键合技术是先进封装的核心技术,相较于目前主流应用的 Sn 基软钎焊工艺,其互连节距更窄、导 电导热能力更强、可靠性更优. 文中对应用于先进封装领域的 Cu-Cu 低温键合技术进行了
2023-06-20 10:58:48703 晶圆直接键合技术可以使经过抛光的半导体晶圆,在不使用粘结剂的情况下结合在一起,该技术在微电子制造、微机电系统封装、多功能芯片集成以及其他新兴领域具有广泛的应用。对于一些温度敏感器件或者热膨胀系数差异
2023-06-14 09:46:27452 微电子封装用主流键合铜丝半导体封装技术
2023-06-06 10:25:48258 晶圆键合机主要用于将晶圆通过真空环境, 加热, 加压等指定的工艺过程键合在一起, 满足微电子材料, 光电材料及其纳米等级微机电元件的制作和封装需求. 晶圆键合机需要清洁干燥的高真空工艺环境, 真空度
2023-05-25 15:58:06280 金丝键合是实现微波多芯片组件电气互联的关键技术,自动金丝键合具有速度快、一致性好、电气性能稳定等优点,在微波毫米波领域有着广泛应用。然而,随着电子封装产能和生产精度的提升,产品设计精度已经逼近自动化
2023-05-22 16:05:56834 金丝键合推拉力测试机应用
2023-05-16 14:32:55338 细间距小尺寸的焊盘键合工艺是微波组件自动键合工艺面临的关键技术瓶颈。针对具体产品,分析了细间距小尺寸焊盘的球焊键合的工艺控制要点,提出了改进劈刀结构、改进焊线模式、优化工艺参数等方面的工艺优化手段
2023-05-16 10:54:01946 就微粒污染而言,不同的微电子工艺需要非常干净的表面。其中,直接晶片粘接在颗粒清洁度方面有非常积极的要求。直接晶圆键合是将两种材料结合在一起,只需将它们光滑干净的表面接触即可(图1)。在常温常压下,两种材料表面的分子/原子之间形成的范德华力会产生附着力
2023-05-09 14:52:19575 两片晶圆面对面键合时是铜金属对铜金属、介电值对介电质,两边键合介面的形状、位置完全相同,晶粒大小形状也必须一样。所以使用混合键合先进封装技术的次系统产品各成分元件必须从产品设计、线路设计时就开始共同协作。
2023-05-08 09:50:30544 热压键合工艺的基本原理与传统扩散焊工艺相同,即上下芯片的Cu 凸点对中后直接接触,其实现原子扩散键合的主要影响参数是温度、压力、时间. 由于电镀后的Cu 凸点表面粗糙并存在一定的高度差。
2023-05-05 11:30:17613 这是一种晶圆键合方法,其中两个表面之间的粘附是由于两个表面的分子之间建立的化学键而发生的。
2023-04-20 09:43:571017 引线键合技术是封装技术的主力,有着兼容性强、成本低、可靠性高、技术成熟等优点。据不完全统计,目前超过90%的芯片互连封装依靠引线键合技术完成,未来引线键合将在多数芯片封装中作为主要的互联技术长期存在
2023-04-11 10:35:16358 、芯片散热和芯片间的信息互通。引线键合属于固相键合中的一种,其键合 原理是引线与芯片焊盘间发生电子的跨区迁移、共享及不同原子的相互扩散,使金属实现原子量级上的键合,从而实现稳定可靠的连接。
2023-04-07 10:40:123200 IGBT芯片与芯片的电极端子间,IGBT芯片电极端子与二极管芯片间,芯片电极端子与绝缘衬板间一般通过引线键合技术进行电气连接。
2023-04-01 11:31:371322 铝线键合是目前工业上应用最广泛的一种芯片互连技术,铝线键合技术工艺十分成熟,且价格低廉。铝线根据直径的不同分为细锡线和粗铝线两种,直径小于100um的铝线被称为细铝线,直径大于100um小于500um的铝线被称为粗铝线。粗铝线键合实物如图1所示。
2023-03-27 11:15:572436 作为半导体制造的后工序,封装工艺包含背面研磨(Back Grinding)、划片(Dicing)、芯片键合(Die Bonding)、引线键合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步骤。
2023-03-27 09:33:374965 电线(电信号的传输路径)的方法被称为 引线键合(Wire Bonding) 。 其实,使用金属引线连接电路的方法已是非常传统的方法了,现在已经越来越少用了。 近来,加装芯片键合(Flip Chip
2023-03-13 15:49:582640 FSL已将消费者1工业微控制器转换为铜线和现在正在启动汽车改装。
-金(金)和铜(铜)线都被用来连接到多年来集成电路上的铝(AI)键垫金属间化合物(IMC)的形成提供了电线和衬垫之间的粘着性。
-最近电线键合(WB)技术的进步正在扩大使用范围铜线。
2023-03-08 14:30:00226 金价不断上涨增加了半导体制造业的成本压力,因此业界一直在改善铜线的性能上努力,希望最终能够用成本更低但键合性能相当甚至更好的铜线来代替金线键合。
2023-03-02 16:14:56619 大家好! 附件是半导体引线键合清洗工艺方案,请参考,谢谢!有问题联系我:13812770276 szldqxy@163.com
2010-04-22 12:27:32
金价不断上涨增加了半导体制造业的成本压力,因此业界一直在改善铜线的性能上努力,希望最终能够用成本更低但键合性能相当甚至更好的铜线来代替金线键合。
2023-02-13 09:21:411310 金丝键合质量的好坏受劈刀、键合参数、键合层镀金质量和金丝质量等因素的制约。传统热压键合、超声键合、热超声键合或楔形键合和球形键合分别在不同情况下可以得到最佳键合效果。工艺人员针对不同焊盘尺寸所制定
2023-02-07 15:00:252778 ,不断创造新的技术极限。传统的金线、铝线键合与封装技术的要求不相匹配。铜线键合在成本和材料特性方面有很多优于金、铝的地方,但是铜线键合技术还面临一些挑战和问题。如果这些问题能够得到很好的解决,铜线键合技术
2023-02-07 11:58:35866 共享或原子的相互扩散,从而使两种金属间实现原子量级上的键合。下面__科准测控__小编就半导体集成电路引线键合主要材料、键合方式以及特点来为大家介绍一下! 在IC封装中,芯片和引线框架(基板)的连接为电源和信号的分配提供了电路连接。
2023-02-02 16:25:331036 通过控制单一变量的试验方法,研究了金丝变形度、超声功率、超声时间和键合压力等参数对自动键合一致性和可靠性的影响,分析了每个参数对自动键合的影响规律,给出了自动键合参数的参考范围。
2023-02-01 17:37:31851 作为有效的补充越来越被重视。传统封装工艺不断迭代出的先进封装技术崭露头角,它继续着集成电路性能与空间在后摩尔时代的博弈。同时,晶圆键合(Wafer Bonding)、倒装芯片键合(Flip Chip Bonding)、混合键合等也是一项技术壁垒较高的新型
2023-02-01 16:12:14689 作为有效的补充越来越被重视。传统封装工艺不断迭代出的先进封装技术崭露头角,它继续着集成电路性能与空间在后摩尔时代的博弈。同时,晶圆键合(Wafer Bonding)、倒装芯片键合(Flip Chip Bonding)、混合键合等也是一项技术壁垒较高的新型
2023-01-16 16:43:30310 引线键合是封装过程中一道关键的工艺,键合的质量好坏直接关系到整个封装器件的性能和可靠性,半导体器件的失效约有1/4~1/3是由芯片互连引起的,故芯片互连对器件长期使用的可靠性影响很大。引线键合技术也
2023-01-05 13:52:362453 实验室采用高温贮存试验、温度循环试验、高温高湿试验或高加速热应力试验等对铜丝键合可靠性进行评估,结果均显示铜丝键合具有非常好的使用寿命。
2022-12-28 09:52:341455 本试验提供了确定芯片键合面上的金丝球键合点的键合强度测定方法,可在元器件封装前或封装后进行测定。
2022-12-20 10:17:041096 为解决铜丝硬度大带来的键合难度,半导体封装企业通常选择应用超声工艺或键合压力工艺提升键合效果,这也导致焊接期间需要耗费更多的时间完成键合工作。
2022-12-15 15:44:461546 Shao博士;Erik Yakobson博士, Brian Gokey; MACDERMID ALPHA ELECTRONIC SOLUTIONS 倒装芯片键合对于混合集成(hybridization
2022-11-11 17:11:01483 借助富氧CTP衍生的缺陷碳载体,设计和构建了新型原子分散的 (Pt-Ox)-(Co-Oy)非键合活性位点。
2022-10-19 16:40:43758 华林科纳预计全球半导体键合市场规模将从 2021 年的 8.87 亿美元增长到 2026 年的 10.59 亿美元;预计从 2021 年到 2026 年,其复合年增长率将达到 3.6%。诸如 MEMS 需求增长和电动汽车需求激增等因素正在推动预测期内市场的增长。
2022-10-12 17:22:151159 键合技术是 MEMS 工艺中常用的技术之一,是指将硅片与硅片、硅片与玻璃或硅片与金属等材料通过物理或化学反应机制紧密结合在一起的一种工艺技术。
2022-10-11 09:59:573071 晶片键合是指通过一系列物理过程将两个或多个基板或晶片相互连接和化学过程。晶片键合用于各种技术,如MEMS器件制造,其中传感器组件封装在应用程序中。其他应用领域包括三维集成、先进的封装技术和CI制造业在晶圆键合中有两种主要的键合,临时键合和永久键合,两者都是在促进三维集成的技术中发挥着关键作用。
2022-07-21 17:27:432523 本文展示了一种使用连续湿法化学表面活化(即SPM→RCAl清洗)结合硅和石英玻璃晶片的键合方法。经过200 ℃的多步后退火,获得了无空洞或微裂纹的牢固结合,基于详细的表面和键合界面表征,建立了一个键
2022-05-13 16:08:322123 多年来,半导体晶片键合一直是人们感兴趣的课题。使用中间有机或无机粘合材料的晶片键合与传统的晶片键合技术相比具有许多优点,例如相对较低的键合温度、没有电压或电流、与标准互补金属氧化物半导体晶片的兼容性
2022-04-26 14:07:042461 引线键合技术是一种固相键合方法,其基本原理是:在键合过程中,采用超声、加压和加热等方式破坏被焊接表面的氧化层和污染物,产生塑性变形,使得引线与被焊接面亲密接触,达到原子间的引力范围并导致界面间原子扩散而形成有效焊接。
2022-03-21 10:45:313848 到350°C,并允许硅与氮化镓结合。 背景 许多半导体材料系统是彼此不相容的。由于晶格错配,一些不能通过异质外延一起生长,而对于另一些,在一个上产生器件所需的过程条件会破坏另一个。半导体晶片键合是这两个问题的解决方案之一。粘结允许这两种材料系统分别
2022-01-24 16:57:47762 之间便结合在一起,形成了一种结合键。原子结合键是材料的二级结构。材料的性能很大程度上取决于原子间的结合力。结合键共有离子键、共价键、金属键、范德华力和氢键等。可简
2022-01-05 14:28:564467 结合离子注入工艺、激光照射和去除牺牲层,晶片键合技术是将高质量薄膜转移到不同衬底上的最有效方法之一。本文系统地总结和介绍了苏州华林科纳的晶片键合技术在电子、光学器件、片上集成中红外传感器和可穿戴传感器等领域的应用。依次介绍了基于智能剥离技术
2021-12-21 16:33:292237 引线键合是LED封装制造工艺中的主要工序,其作用是实现LED芯片电极与外部引脚的电路连接。引线键合工艺的方法和质量直接影响着LED灯珠的可靠性和成本。 服务客户: LED封装厂 检测手段: 扫描电镜
2021-11-21 11:15:261381 毫米波芯片中金丝带键合互联性能比较综述
2021-08-09 11:28:0920 银线二焊键合点剥离LED死灯的案子时常发生,大家通常争论是镀银层结合力差的问题,还是键合线工艺问题,而本案例,金鉴从百格实验和FIB截面观察的角度来判定为键合工艺导致。
2021-05-16 11:53:121393 当HEA经历元素分离、沉淀和化学排序时,会出现大量的无序现象,但就短程有序(SRO)是否存在、有何性质来说,仍不能确定。 来自美国密苏里大学堪萨斯城分校物理与天文学系的Wai-Yim Ching领导的团队,介绍了电子结构、原子间成键、总键
2020-10-26 09:37:332592 所示。除了硅片与玻璃,阳极键合技术还广泛应用于金属与玻璃、半导体与合金、半导体与玻璃间的键合,且所需环境温度相对较低(200~500 ℃)。凭借其优点,阳极键合技术广泛应用于MEMS器件的制备过程中,如激光器、微干涉仪、压力传感器以及SOI结构制作等。
2020-06-17 11:33:149361 单个原子是什么模样,原子与原子之间是如何相互作用的?最近,据物理学家组织网报道,来自新西兰奥塔哥大学物理系的科学家首次捕获到单个原子并让其发生受控反应,并观察到了前所未见的原子间相互作用的情景,他们认为这或将大大影响未来的技术进步。
2020-02-24 22:27:422067 据悉,英国光电子技术解决方案的领先开发商Plessey Semiconductor日前表示,已从晶圆键合和光刻设备生产商EVG购买了GEMINI晶圆键合系统。
2018-11-16 15:10:081814 由于现在对功率半导体和功率模块的节能有所要求,封装成为产品整体性能的一个重要考虑因素。各种封装普遍采用传统的引线键合方式。这是一种成熟、经 济高效且灵活的工艺,目前已有经过验证的装配基础设施。然而
2018-06-12 08:46:003720 由一下成分组成:Ag>99.99%,Cu<1%,Au<1%,Fe≤1.1ppm,Pb≤1.0ppm,Ni≤1.0ppm,Mg≤2.0ppm,Zn≤2.0ppm。键合银丝是在高纯银材料的基础上,采取
2018-04-26 17:28:361457 提高功率调节器件的电流容量和性能,导热性能好金31.kW/m2k 铜39.5kW/m2K 6.传热效率更高,机械性质高 7.IMC生长较为温和,从而提高键合强度降低金属间生长速度,提高
2018-04-24 14:52:551167 针对功率模块引线键合部位在温度循环作用下的疲劳失效问题,对功率模块在温度循环作用下的疲劳寿命进行了研究,利用温度循环试验箱对3种不同封装材料的功率模块进行了温度循环实验。通过数值模拟,结合子模型技术
2018-03-08 11:00:071 该项工作首次在实验上直接在原子尺度实现了对磁性原子间自旋相互作用的调制,验证了石墨烯掺杂载流子诱导 RKKY 的物理机制,提供了一条在原子尺度上调控磁性原子间自旋耦合,以及不同自旋类型团簇可控自组装的潜在途径。
2018-01-04 13:39:029156 已有研究表明,键合线老化脱落失效是影响绝缘栅双极型晶体管( IGBT)可靠性的主要因素之一。以此为研究背景,首先根据IGBT模块内部键合线的结构布局与物理特性,分析键合线等效电阻与关断暂态波形的关系
2018-01-02 11:18:145 引线键合是LED封装制造工艺中的主要工序,其作用是实现LED芯片电极与外部引脚的电路连接。引线键合工艺的方法和质量直接影响着LED灯珠的可靠性和成本。 检测内容: 1. 引线直径、形貌、成分检测、线
2017-10-23 11:52:5714 通过热、压力、超声波等能量使金属引线与被焊焊盘发生原子间扩散互溶,实现芯片电极-键合线-基板彼此之间的键合连接。 在LED的生产制造中,为了解、评价、分析和提高LED的环境适应性,常对LED进行相关可靠性试验[2],冷热冲击试验
2017-09-28 14:26:4416 不同状态的SiAl丝对键合点根部损伤的影响和基础工作
2017-09-14 14:26:1313 随着胶囊化封装的先进微电子机械系统(MEMS)和互补金属氧化物半导体(CMOS)成像器件产量的加速提升,中国市场对 EVG 晶圆键合解决方案的需求也不断提升。微机电系统(MEMS)、纳米技术以及
2017-03-18 01:04:113477 Lumex 推出“倒装晶片”式 TitanBrite 无线键合 LED ,亮度号称比市场上任何其他 LED 高出15%。除了标準的3W和6W的LED, Lumex 的 TitanBrite 无线键合LED还可提供9W的规格,确保Lumex的无线键合LED能够提供业内最高亮度的光源。
2013-07-03 11:40:17657 铜线具有优良的机械、电、热性能,用其代替金线可以缩小焊接间距、提高芯片频率和可靠性。介绍了引线键合工艺的概念、基本形式和工艺参数;针对铜丝易氧化的特性指出,焊接时
2011-12-27 17:11:4962 在回顾现行的引线键合技术之后,本文主要探讨了集成电路封装中引线键合技术的发展趋势。球形焊接工艺比楔形焊接工艺具有更多的优势,因而获得了广泛使用。传统的前向拱丝越来越
2011-10-26 17:13:5685 从超声引线键合的机理入手,对大功率IGBT 模块引线的材料和键合界面特性进行了分析,探讨了键合参数对键合强度的影响。最后介绍了几种用于检测键合点强度的方法,利用检测结果
2011-10-26 16:31:3365 摘要:本文简述了混合电路以及半导体器件内引线键合技术原理,分析了影响内引线键合系统质量的因素,重点分析了最常见的几种失效模式:键合强度下降、键合点脱落等,并提
2010-05-31 09:38:0430 为了更好地支持微机电系统(MEMS)Top-Down设计流程,针对MEMS仿真中的多能量域与非线性特点,采用键合图场元件与结型结构设计并实现了一个集中参数表达的MEMS键合图仿真元件库,同时基
2010-01-16 14:34:4518 为了更好地支持微机电系统(MEMS)Top-Down设计流程,针对MEMS仿真中的多能量域与非线性特点,采用键合图场元件与结型结构设计并实现了一个集中参数表达的MEMS键合图仿真元件库,同时基
2009-11-16 11:42:0617 为了更好地支持微机电系统(MEMS)Top-Down设计流程,针对MEMS仿真中的多能量域与非线性特点,采用键合图场元件与结型结构设计并实现了一个集中参数表达的MEMS键合图仿真元件库,同时基
2009-10-06 09:44:0210 分析了阳极键合技术的原理和当前阳极键合技术的研究进展,综述了微传感器对阳极键合的新需求,展望了阳极键合技术在传感器领域的应用前景。关键词:阳极键合; 传感器; 硅片
2009-07-18 09:37:4926 铜线以其良好的电器机械性能和低成本特点已在半导体分立器件的内引线键合工艺中得到广泛应用,但铜线的金属活性和延展性也在键合过程中容易带来新的失效问题,文中对这种
2009-03-07 10:30:5714 键合图法在传感器优化配置的应用
2009-01-09 17:47:4720
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