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集胺效应使电阻增加实例
集胺效应使电阻增加实例
- 电阻(169342)
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2054
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VHDL程序实例集 (经典推荐)
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2009-10-09 21:48:50
[下载]单片机实例设计程序集（20种常见应用整编）
单片机实例设计程序集（20种常见应用整编）,还有part3、4在此https://bbs.elecfans.com/dispbbs_10_27625_1_1.html [此贴子已经被作者于2009-3-6 10:48:32编辑过]
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【转】如何理解变压器中漆包线的集肤效应
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三极管/场效应管的基本原理及实例说明
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三极管/场效应管的基本原理及实例说明
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传输线效应
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使用场效应晶体管的几点注意事项！
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光敏电阻光电的效应
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光敏电阻工作原理
光敏电阻是采用半导体材料制作，利用内光电效应工作的光电元件。它在光线的作用下其阻值往往变小，这种现象称为光导效应，因此，光敏电阻又称光导管。它几乎都是用半导体材料制成的光电器件。在光敏电阻两端
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光敏电阻的工作原理及主要参数
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光电效应
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光电效应
留下空穴（如圆圈所示）。光激发的电干-空穴对在外电场作用下同时参与导电。因此，当光入射到半导体材料后，能改变其导电性能，随着光强的增加，其导电性能变好，这种现象即光电导效应。具有光电导效应的半导体材料
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关于对太阳能集热管蒸汽设备的研究及分析
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半导体光电效应传感器
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变频调速时变频器对异步电机的影响
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场效应晶体管使用详解
保持直流通路。通常是在栅源两极之间接一个电阻（100K以内），使累积电荷不致过多，或者接一个稳压管，使电压不致超过某一数值。在保存时应使3个电极短路，并放在屏蔽的金属盒内；把管子焊到电路上或取下来时，也
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场效应晶体管的使用
保持直流通路。通常是在栅源两极之间接一个电阻（100K以内），使累积电荷不致过多，或者接一个稳压管，使电压不致超过某一数值。在保存时应使3个电极短路，并放在屏蔽的金属盒内；把管子焊到电路上或取下来时，也
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场效应管与BJT放大电路的比较
的输入电流都比较大，因此，它们的输入电阻都比较小。场效应管放大电路最突出的优点是，共源、共漏和共栅电路的输入电阻高于相应的共射、共集和共基电路的输入电阻。此外，场效应管还有噪声低、温度稳定性好、抗辐射能
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场效应管击穿
请问一下如图中场1效应管，更换一个击穿一个会是什么原因造成的。更换了场1效应管后测量，栅极和源极和漏极电阻值都正常，测量了电容电阻电感电阻值都正常（与正常的比较）我怀疑可能是右侧电源芯片故障导致，请问有没有这个可能性。
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场效应管工作原理
不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要
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场效应管检测方法与经验
值增加）。这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右
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场效应管概念
场效应管(FET)是一种具有pn结的正向受控作用的有源器件，它是利用电场效应来控制输出电流的大小，其输入端pn一般工作于反偏状态或绝缘状态，输入电阻很高，栅极处于绝缘状态的场效应管，输入阻抗很大
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场效应管的作用及测试资料分享
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2021-05-13 06:55:31
场效应管的分类和区别
加正向电压，以形成漏极电流。N沟道场效应管在不加控制电压时导电沟道是低阻状态，加上控制电压沟道电阻逐渐变大。
如果在栅源之间加正向电压，沟道电阻会越来越小失去控制的作用。漏极和源极可以互换。
为使P
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场效应管的功能和基本特性
电阻小，ID电流大（DS间的电流）：当G、S间加负电压时，PN结的宽度增加，导电沟道宽度减小，沟道电阻增大；当G、S间负向电压进一步增加时，PN结宽度进一步加宽，两边PN结合拢（称夹断），没有导电沟道
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场效应管的测试及测试方法
场效应管的测试1、结型场效应管的管脚识别： 场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某
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场效应管稳流电路是什么原理？
如图，我自己仿真了这样的电路图，能稳压，也能稳流。我对此电路理解是：1我现在知道的是电容c1c2二极管d1d2被压电路，使tl431端电压更高不受电源波动影响跟稳定。2 三极管是稳流作用，当电阻r2
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场效应管经验总结
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基于场效应管的恒流源原理
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑
由于栅极电压被稳压管钳位，当流过场效应管的电流有增大的趋势时，负反馈电阻上的电压增加，使场效应管截止趋势增加，电流下降，反之亦然，使负载电阻电流保持恒定转载自http://www.wggk.net/
2012-07-04 17:37:37
学习基本微分运放电路，增加电阻电容感想；
由虚短虚断可以换算出：流过电容C和电阻R的值相等-->I = C * (dvi/dt);vo = -IR;vo = -RC*(dvi/dt);应用中在电容C的右边增加一个电阻R1，主要
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时导电沟道是低阻状态，加上控制电压沟道电阻逐渐变大。
为使P沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加正向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间加正向电压，以形成漏极电流。N沟道场效应管在不加控制
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成本上考虑的。若全用场效应管，效果更好。各管的射(阴)极都加有本级电流负反馈电阻，起稳定静态工作点的作用。有利于改善失真。整机负反馈则由R18、R19、C6、C7组成，总增益约为26．8dB。C7是隔
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光敏电阻的基本原理
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121028趋肤效应原理_趋肤效应产生的原因
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磁敏电阻是一种对磁敏感、具有磁阻效应的电阻元件。物质在磁场中电阻发生变化的现象称为磁阻效应。磁敏电阻通常用锑化铟（InSb）或砷化铟（InAs）等对磁具有敏感性的半导体材料制成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应，其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。
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内光电效应和外光电效应的区别
内光电效应是光电效应的一种，主要由于光量子作用，引发物质电化学性质变化（比如电阻率改变，这是与外光电效应的区别，外光电效应则是逸出电子）。内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。
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当导体中有交流电或者交变电磁场时，导体内部的电流分布不均匀，电流集中在导体的“皮肤”部分，也就是说电流集中在导体外表的薄层，越靠近导体表面，电流密度越大，导体内部实际上电流较小。结果使导体的电阻增加，使它的损耗功率也增加。这一现象称为趋肤效应（skin effect）。
2021-01-15 15:53:5111054
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趋肤效应原理及应用
使导体的电阻增加，使它的损耗功率也增加。这一现象称为趋肤效应（skin effect）。 在计算导线的电阻和电感时，假设电流是均匀分布于它的截面上。严格说来，这一假设仅在导体内的电流变化率（di/dt）为零时才成立。另一种说法是，
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2592磁敏电阻工作原理、特性以及电路符号与应用
磁敏电阻是一种对磁敏感、具有磁阻效应的电阻元件。物质在磁场中电阻发生变化的现象称为磁阻效应。磁敏电阻通常用锑化铟（InSb）或砷化铟（InAs）等对磁具有敏感性的半导体材料制成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应，其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。
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磁敏电阻的特性、主要参数及工作原理
效应。当添加磁场的方向或强度发生变化时，磁敏电阻的电阻值会发生相应的变化2。通过这种变化，磁场的相对位移可以准确测试。举例来说，当长方形半导体InSb片沿长度方向有电流通过时，如果在与电流片垂直的宽度方向上施 加磁场，电阻率就会增加。
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1867电阻应变计的温度效应
电阻应变计的温度效应 电阻应变计是一种常用的测量位移和形变的仪器，它可以通过测量电阻值的变化来判断被测物体的位移或形变情况。然而，在使用电阻应变计时，要考虑到它的温度效应，因为温度的变化会对电阻
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SMT贴片电阻电容小零件发生空焊及立碑效应的原因？如何改善呢？ SMT贴片电阻电容小零件在制造过程中容易发生空焊和立碑效应的原因有多方面。主要原因包括： 1. 焊接工艺问题：SMT贴片电阻电容小零件
2024-02-05 11:14:30276
276多层石墨烯中的分数量子霍尔效应解析
霍尔效应在普通的导体中是线性的，即霍尔电阻和磁场强度成正比。但是，在一些特殊的材料中，当磁场很强时，霍尔效应会出现非线性的行为，霍尔电阻不再随着磁场的增加而连续变化，而是跳跃到一些固定的值，这就是量子霍尔效应。
2024-02-26 09:54:58130
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