日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:59
1527 Vishay推出3款新型单极双掷(SPDT)和双路的双极双掷(DPDT)CMOS低压模拟开关--- DG2735A、DG2725和DG2599
2011-06-30 09:02:17789 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出具有高电流密度的新款45V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器--- VSSAF3L45和VSSAF5L45
2012-12-06 10:29:431353 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，将Vishay的ThunderFET®应用到更小的封装尺寸上。
2013-01-09 11:42:301462 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率
2013-04-23 11:47:111791 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大导通电阻，以及22A～47A的额定电流范围
2011-10-13 09:09:311168 Vishay推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。
2019-12-13 15:54:001337 `深圳市三佛科技有限公司 供应 30A 30A P沟道 MOS管 30P03，原装，库存现货热销30P03 参数： -30V -30A DFN3*3-8 P沟道 MOS管/场效应管品牌：HN
2021-03-30 14:33:48
（on）<45MΩ@vgs=-4.5V ESD额定值：2500V hbm●高功率和电流处理能力●获得无铅产品●表面安装包。HN3415参数：-20V -4A SOT-23 P沟道MOS管
2021-03-11 11:14:52
控制器，开关频率为 650kHz。此设计通过电阻器和 P 沟道 MOSFET 负载开关来限制启动电流。脉冲负载表征在 30A 下进行 2.5ms。主要特色27W 连续输出功率30A 2.5ms 峰值输出电流通过负载开关来限制启动电流2 层电路板可与外部时钟同步
2018-10-26 10:29:50
MOSFET提供高电流时，它就会变热。散热不良也会因极端温度而损坏MOSFET。电池故障雪崩失败dV/dt故障电机阻塞或卡住快速加速或减速功耗过大过电流负载短路卡有异物主要特点P沟道MOSFET的主要特点包括
2022-09-27 08:00:00
是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
并联一个高阻支路，对初级线圈进行采样，同时提供TOFF期间初级线圈的回路。 -考虑到检测电压必须为正，因此有两种基本形式，如下图： 检查输出信息的方法 ●原边反馈不能得到所有的输出信息，但可以得到较多
2018-11-21 16:30:10
这是我关于开关电源的斜率补偿找的资料，供参考，大家一起研究下。
2016-04-06 10:31:56
反激式转换器。在同步整流器应用以及以太网供电（PoE）输入整流器中，低侧开关也被用来代替二极管作为整流器。P沟道MOSFET最常用作输入电压低于15VDC的降压稳压器中的高侧开关。根据应用的不同，N
2021-04-09 09:20:10
出线圈电流，一般再使用其信息。图4表示使用了这种方法的斜率波形。图4与“电压模式”项的图2相同，Vc > Vslope时导通高边开关进行控制。导通时，会产生符合线圈电流IL的DC成分和Rs积的偏置
2018-12-03 14:32:13
开关在电流模式控制情况下，占空比大于50%需要增加斜率补偿。
2013-06-14 13:36:21
概述：FPF1006是一款负载管理产品它内部采用低导通阐值电压-Vgs(th)及低导通电阻Rds(on)的P沟道功率MOSFET，并采用导通斜率上升控制，可减小冲击电流，FPF1006内部有75-120Ω下拉电
2021-04-06 09:56:02
输入电压和最大负载电流。负载开关的导通电阻是导通FET 的特性，将用于计算负载开关的功耗。导通FET 既可以是N 沟道FET，也可以是P 沟道FET，这将决定负载开关的架构。2. 栅极驱动器以控制方式
2016-01-11 16:39:00
微处理器μP）以告知故障的存在。另外还有输入欠压锁存保护功能。 ②在负载开关中增加限流电路。负载开关中没电流检测及限流输出电路。它有两种结构：限制电流值是工厂设定的；限制电流可由用户外设一个电阻设定
2011-07-11 11:52:48
采用TOPSwitch的TNY268p控制芯片,当负载加大时，开关电源处于工作和不工作的状态，反馈5V一会是稳住的，一会就直接为0，变压器原边绕组和其他路负载输出也一样，而且副边加的负载也并不大
2014-01-07 12:55:51
监测器原理。图 2. 高边电流监测器示例。然而，不要因为低边测量电路的简单性而忽略高边测量方法的优势。多种故障会避开低边监测器，从而使负载面临危险和未检测到的情形(图 3)。注意，能够检测通过路径 A
2020-09-23 09:37:52
本帖最后由 daxinba 于 2021-11-24 22:14 编辑
我设计了一个测试电路，其中有一个用来驱动MOS开关的芯片UCC21530（用于高边驱动），两路输出都用来作高边驱动，接上
2021-11-16 16:06:40
在工业控制及汽车电子行业中电磁阀、功率继电器等带电感线圈的负载大量使用。为了安全及便于维修，这类负载往往一端通过开关接在电源正极上，一端接在电源负极上，这种开关接在负载高侧，称之为高侧开关，如
2022-03-01 22:23:42
导读：全球第三大可穿戴厂商Fitbit发布了新款手环Charge 3，起步价150美元（约合1025元），加入NFC支付功能的特别版售价170美元（约合1162元）。
按照Canalys
2018-08-30 09:23:16
MOSFET 晶体管是可以电压驱动电流。常用的是N沟道MOSFET，P沟道的制作成本高。简单功率MOSFET电机控制器。这是一个典型的 MOSFET开关电路。由于电动机负载是电感性的，因此在电感
2021-09-13 08:27:30
锁定保护（UVLO）和带自动重启功能的过温保护（OTP）。
特性
• 无需副边反馈电路的实时电流控制
• 线性和负载调整率<2%
• 通用输入电压上的高功率因数(=0.9)
• 临界导
2023-10-20 15:46:09
最近使用MSP430F2272做一款产品，使用3V纽扣电池供电。里面有一个P沟道的CMOS管作为开关，使用IO直接驱动。但在测试的时候发现，CPU会重启。经过排查发现是IO驱动COMS管这里
2015-09-14 17:55:23
下运行，实现了高功率因数并减少功率MOS管开关损耗。利用美芯晟科技特有的控制技术 ，无需光耦及副边感应器件就可以精确地调制LED电流。 MT7933 同时实现了各种保护功能，包括过流保护
2019-08-20 11:46:33
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极施加正电压时，FET导通。N 沟道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它们
2023-02-02 16:26:45
的两种结构：N沟道型和P沟道型由于制造工艺的原因，P沟的MOS管通常比N沟的MOS管具有更大的导通电阻，这意味着导通功耗会更大。这是选择时需要注意的地方。一般而言，如果是低边开关应用，使用N沟MOS管
2023-02-17 14:12:55
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
PMOS高边开关控制电路如下图：
输入侧使用15KW整流模块，输出侧固定8欧姆负载电阻。
整流模块设置为40V/5A，模块空载情况下输出为100V/0A。此时PMOS可以正常开关，波形红色为VGS
2024-02-05 15:54:27
：2970598138，欢迎索取资料，全程技术支持。 SM7503P 5V500mA适配器电源管理芯片方案，SM7503P芯片是应用于离线式小功率AC/DC开关电源的高性能原边反馈控制功率开关芯片，在全电压输入范围内实现高精度恒压/恒流输出，精度均小于±3℅，并可使系统节省光耦和TL431等元件，降低成本。
2020-01-07 12:12:45
（ON）<6.9mΩ@ VGS =10V这个装置是适合用作负载开关或在PWM应用。◆高功率和电流处理能力[td=372]◆可提供无铅产品应用：PWM应用、负载开关、电源管理等◆TO220封装`
2019-03-13 16:06:37
请问通过u***使labview和电子负载通讯，能够实现用labview控制电子负载开关机吗？如果可以，怎样实现呢？谢谢！
2013-11-04 10:36:11
不同的应用，包括但不限于： ●配电 ●上电排序和电源状态转换 ●减小待机模式下的漏电流 ●浪涌电流控制 ●断电控制 1什么是负载开关? 集成负载开关是可用于开启和关闭...
2021-10-29 08:35:39
低边和高边电流监测器的架构和应用是什么
2021-03-11 07:39:28
二极管的方向判断：它的判断规则就是：N沟道，由S极指向D极；P沟道，由D极指向S极。4、简单的判断方法上面方法不太好记，一个简单的识别方法是：（想像DS边的三节断续线是连通的）不论N沟道还是P沟道
2019-09-11 07:30:00
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
ZCC2451是一款内部集成有高边高压功率MOSFET管的高频率(2 MHz)降压型开关稳压器。提供单路最大0.6A高效率输出，以电流模式控制方式达到快速环路响应。宽范围输入电压（3.3 V至36
2020-10-30 16:33:45
各位好，有没有2个N沟道和2个P沟道的集成芯片推荐，电流大于1A就可以了，谢谢
2021-10-11 10:27:45
如何利用一颗N沟道MOS管来实现上电瞬间输出高电压？
2022-02-15 06:03:40
高可靠MCU负载开关电路设计过程
2021-11-16 09:02:00
今天，我们来聊聊怎样设计一个高可靠的负载开关电路。从需求分析到原理实现，再到设计验证，stepbystep。采用MCU来控制一个外部功率开关是一个非常常见的需求。比如MCU用ADC检测电源输出电压
2021-11-01 06:16:21
电压也很低，所以它可以用在低电压电路中而不需要电平转换器（图5）。图5：来自Vishay Siliconix的SiP32408和类似SiP32409负载开关的控制使能信号低和高逻辑电平阈值与输入电压之间
2019-04-15 08:00:00
™+高边电源开关的设计者提供一些有用信息。从设计的角度出发，本应用笔记介绍了应用要求，最后从器件层面做出结论。 表1 使用的术语 缩略语含义 A/D模数转换器 AWG美国线规 BCM车身控制模块 CP
2018-12-05 09:50:55
MIC94161的典型应用是一系列高端负载开关，设计用于1.7V至5.5V输入电压。负载开关传输元件是一个内部14.5m RDSON N沟道MOSFET，使器件能够支持高达3A的连续电流。此外，负载开关支持1.5V逻辑电平控制和关断功能，采用纤巧的1.5mm x 1mm 6引脚WLCSP封装
2020-06-04 06:57:06
功率MOS管来进行驱动，而不是使用晶体管，当然也存在使用晶体管来进行驱动的集成IC。 如上图所示，由于P沟道的MOS管品种少，价格高，并且其导通电阻和开关速度的性能都不如N沟道的MOS管
2020-12-25 15:05:16
首先什么是高低边开关？关于高低边开关在汽车中应用非常广泛，例如车灯控制、气囊驱动、继电器控制等，代表性的厂家有ST、英飞凌等，高低边开关即高低边驱动，其中高边或者低边均相对于负载来说，如图1负载在
2022-12-22 18:48:54
本文介绍一款单片高速(fSW高达100kHz)四通道低边开关。该产品能够驱动任何类型的负载(阻性负载、感性负载和容性负载)，开关一侧连接电源电压(Vcc)。
2019-08-01 08:13:02
费率和负载控制时间开关 Time switch for tariff and load control
2009-01-13 22:18:58
44 Vishay推出新款高速PIN光敏二极管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二极管，新器件采用鸥翼和倒鸥翼型封装
2009-11-13 09:21:28744 Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装，具
2009-11-25 17:56:52711 Vishay推出新款ESD保护阵列VBUS053BZ-HNH-G-08
Vishay推出具有低容值和低漏电流的新款ESD保护阵列VBUS053BZ-HNH-G-08，可保护USB-OTG端口免受瞬态电压信号的损害
2010-03-23 11:53:11987 Vishay发布新款集成功率光敏
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款新的集成功率光敏，分别是输出电流为0.9A的VO2223和输出电流为1A的VO2223A，扩
2010-03-26 11:38:56722 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:52777 Vishay新款TANTAMOUNT固态钽电容可满足宇航级应用
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其CWR06和CWR16 TANTAMOUNT®固态钽电容器现可满足
2010-04-29 14:55:52542 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341531 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-26 09:04:081505 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，
2011-03-02 10:19:301341 Vishay 宣布推出针对3D快门式眼镜进行优化的新款小尺寸三端SPDT(三端 2:1)开关--- DG9454
2011-03-24 10:43:591839 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出可在-55℃～+215℃宽温范围内工作的新款精密低TCR薄膜电阻---PLTT
2011-03-28 11:04:301388 日前，Vishay Intertechnology, Inc.发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。
2011-08-18 09:42:40850 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 Vishay Intertechnology宣布推出采用一个集成电阻和低电致伸缩陶瓷配方的新款陶瓷多层片式电容器(MLCC)——VJ CDC。
2011-11-18 09:22:09838 微处理器通过控制电源的工作来实现负载管理，负载管理也可以由微处理器与多个负载开关组成。负载开关是一种功率电子开关
2011-12-29 17:32:223543 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，发布新款通过MIL-PRF-83401认证（标准码57489）的通孔、单片在线路薄膜电阻网络。M83401具有低至±25ppm/℃的绝对TCR，5ppm/℃的TCR跟踪和±0.05%的严格比例容
2012-02-17 11:57:08934 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay发布6款绿色光耦器件
2012-05-24 16:28:25416 
Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于汽车和工业应用的新款通过AEC-Q101认证的表面贴装透射式光传感器---单通道TCPT1350X01和双通道TCUT1350X01。
2013-06-26 11:39:171047 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK
2013-07-15 11:32:40783 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款液钽高能电容器---HE4，这款器件在+25℃和1kHz条件下的最大ESR只有0.025Ω，在市场上类似器件当中容量最高。
2013-07-26 14:41:241122 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 Vishay发布HML新款微型轴向引线的厚膜电阻——1.85 mm x 0.91 mm的器件采用结实耐用的塑料外壳，可用于助听器和工业高频探头。
2014-01-21 11:39:25721 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 2014 年 12 月16 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款汽车级的超薄、大电流电感器---IHLE-4040DC-5A，该电感器采用可减少EMI的整体e屏蔽层和紧凑的4040外形尺寸。
2014-12-16 17:27:58663 宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 2 月2 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布3颗采用超小尺寸WCSP
2015-02-02 14:07:262091 PowerPAK SC-70®封装的新款20V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:04855 Vishay推出输入电压为4.5V～60V的新款2A～10A器件---SiC46X，扩充其microBUCK同步降压稳压器。Vishay Siliconix SiC46X器件十分节省空间，在小尺寸
2018-05-21 10:56:001893 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款双路单刀双掷/四路单刀双掷模拟开关---DG2788A。该开关在2.7V下的电阻
2018-08-03 11:45:00678 关键词：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用
2019-01-01 16:29:01380 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5Ω低导通电阻的新款±15V精密单片4路单刀单掷(SPST)CMOS模拟开关--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:141020 不同的应用，包括但不限于： ●配电 ●上电排序和电源状态转换 ●减小待机模式下的漏电流 ●浪涌电流控制 ●断电控制 1什么是负载开关? 集成负载开关是可用于开启和关闭...
2021-10-22 12:21:017 负载开关（LoadSwitch）是一种电子元器件，其主要功能是在电路中控制负载的开关状态，可以将电路的负载连接或断开。负载开关广泛应用于电子设备、工业自动化、汽车电子、通信设备、物联网等领域。接下来，我们将介绍负载开关的原理以及如何判断好坏。
2023-07-14 14:13:221258 
Littelfuse 最新发布保护集成电路产品系列中的五款多功能负载开关器件，是额定电流为2和4A的超高效负载开关，集成了真正反向电流阻断(TRCB)和压摆率控制功能。其一流的效率使其成为移动和可穿
2023-12-28 12:24:10431
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