日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:59
1527 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款采用热增强型2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封装的单路12V器件--- SiA447DJ，
2012-10-09 11:28:30984 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，将Vishay的ThunderFET®应用到更小的封装尺寸上。
2013-01-09 11:42:301462 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率
2013-04-23 11:47:111791 基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS（on），同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超级结MOSFET出现之前
2017-08-25 14:36:2031081 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大导通电阻，以及22A～47A的额定电流范围
2011-10-13 09:09:311168 Vishay提供丰富的MOSFET技术支持各级功率转换，涵盖高压输入到低压输出的各种最新高科技系统。
2020-12-24 15:08:34802 低成本AC-DC电源方案8652是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关，适用于降压型和升降压型电路。AH8652采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值
2020-09-09 14:50:57
需求：将锂电池3.7V升压成500V的5KHz交流电去点亮EL线
现有电路
原理：
在Q1关断期间，导通Q2，电感储能；关断Q2后，电感产生反向电动势，给EL灯的等效电容C1充电；理论上可以升到D1
2023-06-28 19:43:57
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
大家好。在CC模式测试期间，我可以询问安捷伦校准中心在其6035A 500V / 2A 1000W电源上用作负载调节/负载效应的短路开关。您是使用电子开关还是重型机械开关（以创建短路）电路）从
2019-04-02 15:47:32
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
一、简介90V-220V输入小体积LED恒流驱动芯片集成了500V功率MOS、高压自供电电路以及采样电路，无需启动电阻以及反馈电阻。准谐振工作模式简化了PCB的设计，系统只需要几个的外围元件，大大
2020-10-29 16:05:19
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
公司产品打算做CE认证，其中一项测试就是能抵抗500V的浪涌电压。测试公司会用他们的设备连接我们的设备，12V的输入，500V的浪涌电压持续1.2ms。于是我们在其中加入了TVS，如图所示。D18
2019-11-12 11:10:07
`GEN300-11品牌TDK-LAMBDA 东莞市德佳仪器 供应各类而我若所仪器仪 GEN300-11产品特点* CE标志 (符合低电压指令, EMC: EN55022/55024), 符合
2020-08-28 15:59:57
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
部分的快速电压瞬变干扰。Vishay推出的 VO3120是光隔离IGBT/MOSFET驱动器，驱动能力达1200V /50A，传播延迟小于400ns，1500V电压下抗共摸干扰 (CMTI)为25kV
2010-09-08 15:49:48
汽车级电阻，节省电路板空间，工作电压为450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，扩充其TNPV e3系列汽车级高压薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
从本篇开始，介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位首先来看近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率
2018-11-28 14:28:53
：介于平面和超结型结构中间的类型超级结结构是高压MOSFET技术的重大发展并具有显著优点，其RDS(on)、栅极容值和输出电荷以及管芯尺寸同时得到降低。为充分利用这些快速和高效器件，设计工程师需要非常注意
2018-10-17 16:43:26
国际整流器公司推出一系列新一代500V及600V高压集成电路（HVIC）。这19款新型HVIC采用半桥设计，配有高端和低端驱动器，可广泛适用于包括马达控制、照明、开关电源、音频和平板显示器等
2018-08-31 11:23:15
的方向，充分并迅速地了解供应商提供的仿真模型是否真实反映既定应用空间内的器件仍然是棘手的问题。
与竞争对手的模型不同，Fairchild的超级结MOSFET和IGBTSPICE模型基于一个物理可扩展模型
2019-07-19 07:40:05
产品描述 QQ289 271 5427 DP950XB系列是高度集成的恒流LED功率开关， 芯片采用了准谐振的工作模式，无需辅助绕组检测 消磁。同时内部集成有高压500V功率MOSFET和 高压自供
2019-09-27 15:10:01
。 特点 内置500V高压MOSFET 5% 输出电流精度 可编程LED输出电流 专利的防过冲技术 多芯片并联应用 精简的外围电路，驱动器体积非常小 芯片供电欠压保护 过温补偿 过温
2013-02-22 17:32:41
Adaptor。NCP1234 和NCP1236 系列控制器能够纳入高性能离线(Off-line)电源，同时将电路板空间减至最小。这一系列组件采用高压制程工艺技术，整合了多种功能，如：过功率补偿
2015-04-23 11:48:26
稳压器IC。 HV9921集成了一个500V开关MOSFET，可直接在整流的通用交流线电压范围80至265VAC下工作
2019-10-16 08:41:01
稳压器IC。 HV9923集成了一个500V开关MOSFET，可直接工作于整流通用交流线电压范围80至265VAC
2019-10-16 08:37:46
电源.开关电源,汽车电子专用高压贴片电容 产品规格有： 0805 X7R 100V、250V、500V 系列0805 NPO 100V、250V、500V 系列1206 X7R 100V、250V
2012-05-06 11:26:50
电压的自适应，从而取得优异的线型调整率和负 载调整率。 SIC9552A/9553A/9554A/9555A/9556A内部集成了500V功率MOSFET，无需次级反馈电路，也无需补 偿电路，加之精准
2016-06-16 20:42:44
1.5kV，常用1kV以下，电流从几mA到数百A；MOSFET在1kV以下，常用500V以下,电流数A到数百A；IGBT电压定额在500V以上，可达数kV，电流数十A到数kA。不同的器件具有不同的驱动要求：双
2021-03-29 17:31:30
输入900V，输出500V的高压稳压电源——三极管串联应用的典范：
2018-09-13 18:18:07
基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on)，同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超级结MOSFET出现之前
2017-08-09 17:45:55
有两个500v 100uf的电容 串联在1000v直流电中，想要选取分压电阻，让每个电容分得500v电压，分压电阻阻值和功率如何选择？
补充内容 (2016-8-5 09:57):
在线等
2016-08-04 17:44:36
共用 PCB 板 LED 电流可外部设定 芯片应用线路无 EMI 问题 内置 500V 高压 MOS 芯片具有过温调节能力（过温点 135 度） 采用 ESOP8、TO252、SOT89-3 封装
2020-11-09 18:57:28
分析C2\C3\D3\D4作用，C1上为什么会有500V电压
2020-04-26 21:24:36
，工程师们已定义一套FOM以应用于新的低压功率MOSFET技术研发。由此产生的30伏特(V)技术以超级接面(Superjunction)为基础概念，是DC-DC转换器的理想选择；相较于横向和分裂闸极
2019-07-04 06:22:42
的trr/VF 比和恢复软度。 3.2. 超结MOSFET: SLLIMM-nano系列产品所用的N沟道600 V超结MOSFET采用最新的MDMesh DM2快速二极管技术。改进的寿命控制技术使
2018-11-20 10:52:44
1.38V。最高工作结温达+175℃，可实现更稳固的设计。Vishay的新款Gen2 650 V FRED Pt®超快裸片二极管具有28ns的快速恢复时间，正向压降低至1.38V，低反向泄漏电流可减少太阳能逆变器、UPS、电动汽车和电焊机中的开关损耗。本新闻来自大联大云端`
2014-01-02 14:27:36
采用新技术，例如D3半导体正在实施的技术。新方法在开发新的+FET产品线时，D3半导体选择了一种非传统的技术方法，将集成应用于高压超结功率MOSFET™。在传统的晶体管配置中，没有元件来提供微调功能
2023-02-27 10:02:15
求一款低边MOSFET驱动,输入电压12V,电流1A以上，且一颗芯片驱动两个MOSFET?
2020-03-18 09:31:32
浪涌抑制器IC可以保护> 500V电源浪涌的负载
2019-07-30 08:22:40
的导通电阻产生的导通压降仍居高不下，耐压500V以上的MOSFET 的额定结温、额定电流条件下的导通电压很高，耐压800V以上的导通电压高得惊人，导通损耗占MOSFET总损耗的2/3-4/5，使应用受到
2020-03-31 17:08:29
主要特点● 集成 500V 高压 MOSFET 和高压启动电路● 多模式控制、无异音工作● 支持降压和升降压拓扑● 默认12V 输出（FB 脚悬空）● 待机功耗低于50mW ● 良好的线性调整率
2020-08-14 14:32:05
运放正负12伏供电，运放输出端连接mosfet的G极。mosfet的D连接500v直流高压，mosfet的S极连接一个20欧姆电阻到地，20欧姆电阻连接运放反馈端，我想把运放个mosfet进行隔离，求方案。求器件。整个原理其实就是运放控制mosfet实现电流源。
2018-08-02 08:55:51
请问怎么实现12V直流输入，输出100~500V连续可调电压？
2016-03-05 17:03:59
请问我想将3.3V直流升为500V直流，怎么实现？比如选择什么样的芯片，用什么电路
2015-06-08 15:50:33
的矛盾。 即便如此，高压MOSFET在额定结温下的导通电阻产生的导通压降仍居高不下，耐压500V以上的MOSFET 的额定结温、额定电流条件下的导通电压很高，耐压800V以上的导通电压高得惊人，导
2023-02-27 11:52:38
加深理解，最好还是参阅技术规格的标准值和特性图表。【标准SJ MOSFET：AN系列】R50xxANx（500V）R52xxANx系列（520V）R60xxANx系列（600V）R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
B88069X6940B152 击穿电压500V无引脚11.8*17.1B88069X4380B152 击穿电压800V无引脚11.8*17.1EN 61643-11 I和II
2022-11-05 09:59:55
Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω，栅极电荷减小为48nC，采
2010-07-16 15:05:24
17 Qorvo 的 UJ4SC075011B7S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同
2023-12-17 10:50:35
Vishay新型功率MOSFET采用反向导引TO-252DPAK封装
2010-11-12 22:27:3332 D/A从变换器的500v隔离电路
可编程电源的D/A变换器和MC1408非倒相缓冲器之间的(motorola4N27光电隔离电路)
2007-08-20 15:38:27999 
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技术
日前，Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。这些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
500V触发电路
2009-02-06 00:21:55690 
Vishay推出具有最高32V电源电压的新款IGBT和MOSFET驱动器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出两款新型IGBT和MOSFET驱动器，丰富了其已
2009-07-01 09:30:55556 Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 500V和600V的高压MOSFET
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充公司市场领先的功率开关产品阵容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFE
2010-02-23 16:15:341664 Vishay发布新款集成功率光敏
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款新的集成功率光敏，分别是输出电流为0.9A的VO2223和输出电流为1A的VO2223A，扩
2010-03-26 11:38:56722 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:52777 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:23923 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，
2011-03-02 10:19:301341 日前，Vishay Intertechnology, Inc.发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。
2011-08-18 09:42:40850 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通
2012-05-03 17:29:421433 Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 Vishay发布采用小尺寸WCSP6封装的新款斜率控制的P沟道高边负载开关，器件可在1.5V～5.5V电压范围内工作，具有低至20mΩ的导通电阻、低静态电流， 导通电压上升斜率为3ms
2013-05-03 15:50:581089 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK
2013-07-15 11:32:40783 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 Vishay发布HML新款微型轴向引线的厚膜电阻——1.85 mm x 0.91 mm的器件采用结实耐用的塑料外壳，可用于助听器和工业高频探头。
2014-01-21 11:39:25721 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 Vishay发布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封装，使用TrenchFET® Gen IV技术的新款30V非对称双片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51890 宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 10 月9 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的500V家族
2014-10-09 12:59:191468 
宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 3 月4 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、热增强
2015-03-05 16:30:04855 宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 4 月14 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新型的采用插脚封装和SMD封装的高速940nm红外发射器。
2015-04-17 15:32:121109 
的PCB空间。Vishay Draloric RCV e3器件采用0805和1206外形尺寸，限定芯电压分别为400V和500V。
2015-05-07 16:15:121145 采用集成高压MOSFET和Qspeed二极管的PFC控制器
2016-05-11 15:18:1411 卡扣式铝电容器中的500V器件的使用寿命延长到5000小时。Vishay BCcomponents的电容器适用于太阳能逆变器、工业电机控制和电源，在+105℃下的使用寿命长达5000小时。
2017-04-14 16:42:521043 文档中介绍了基于AVR高压编程器的STK500-II应用与开发，操作步骤及图解。
2017-08-31 11:23:0325 Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET技术。
2021-04-21 17:50:211274 
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