13-21 - 电源PCB与layout的29条关系

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13、mos （ igbt ）管的栅极驱动电路通常也含有较大的 di/dt 。

14、在大电流、高频高压回路内部不要放置小信号回路，如控制、模拟电路，以避免受到干扰。

15、减小易受干扰（敏感）信号回路面积和走线长度，以减小干扰。

16、小信号走线远离大 dv/dt 信号线（比如开关管的 C 极或 D 极，缓冲 （snubber） 和钳位网络），以降低耦合，可在中间铺地（或电源，总之是常电位信号）进一步降低耦合，铺地和地平面要良好接触。小信号走线同时也要尽量远离大 di/dt 的信号线，防止感性串扰。小信号走线最好不要走到大 dv/dt 信号的下方。小信号走线背面如果能够铺地（同性质地），也能降低耦合到的噪声信号。

17、比较好的做法是，在这些大 dv/dt 、 di/dt 信号走线（包括开关器件的 C/D 极、开关管散热器）的周围和背面铺地，将上下两层铺地用过孔连接，并将此地用低阻抗走线接到公共接地点（通常为开关管的 E/S 极，或取样电阻）。这样可以减小辐射 EMI 。要注意，小信号地一定不能接到此屏蔽地上，否则会引入较大干扰。大 dv/dt 走线通常会通过互容将干扰耦合到散热器及附近的地，最好将开关管散热器接到屏蔽地上，采用表贴开关器件也会降低互容，从而降低耦合。

18、易产生干扰的走线最好不要使用过孔，它会通过过孔干扰过孔所穿过的所有层。

19、屏蔽可以降低辐射 EMI ，但由于增大了对地的电容，会使传导 EMI （共模，或非本征差模）有所增大，不过只要屏蔽层接地得当，不会增大很多。实际设计中可权衡考虑。

20、要防止共阻抗干扰，采用一点接地，电源从一点引出。

21、开关电源通常有三种地：输入电源大电流地、输出电源大电流地、小信号控制地，地的连接方法见如下示意图：