上图中，把所有器件都想象为理想状态下，开关S1闭合和断开的过程，流过L1的电流的波形是怎样的？
2023-10-25 09:51:39
2697 
基于桥式结构的功率MOSFET，例如半桥、全桥和LLC的电源系统，同步Buck变换器的续流开关管、以及次级同步整流开关管， 其体内寄生的二极管都会经历反向电流恢复的过程。
2023-12-04 16:05:40821 
海飞乐技术20V MOSFET场效应管现货选型Voltage (V)Current (A)Rdson (Ohm)Package用途TYPMAX202.845m60mSOT-23小电流开关用
2020-03-03 17:36:16
MOSFET(MOS管)中的“开关”时间可以改变电压吗？
2023-05-16 14:26:16
MOSFET管的耐压在150左右，电流在80A左右，MOSFET管怎么选择？什么型号的MOSFET管子合适。主要用在逆变器上面的。谢谢？？
2016-12-24 14:26:59
，损失也越大。下图是MOS管导通时的波形。可以看出，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。降低开关时间，可以减小每次导通时的损失;降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法
2016-11-24 15:27:49
【不懂就问】在单端反激电路中常见的一部分电路就是RCD组成的吸收电路，或者钳位电路，与变压器原边并联其目的是吸收MOSFET在关断时，引起的突波，尖峰电压电流到那时MOSFET是压控器件，为什么在关断时会引起尖峰电压电流？怎么在三极管BJT的应用中看不到类似吸收电路
2018-07-10 10:03:18
）上下开关管50%占空比，1800对称的驱动电压波形；2）感性谐振腔并有足够的感性电流；3）要有足够的死区时间维持ZVS。图a)是典型的LLC串联谐振电路。图b)是感性负载下MOSFET的工作波形。由于
2018-07-13 09:48:50
： 1）上下开关管50%占空比，1800对称的驱动电压波形； 2）感性谐振腔并有足够的感性电流； 3）要有足够的死区时间维持ZVS。 图a)是典型的LLC串联谐振电路。图b)是感性负载下
2018-11-21 15:52:43
）上下开关管50%占空比，1800对称的驱动电压波形；2）感性谐振腔并有足够的感性电流；3）要有足够的死区时间维持ZVS。图a)是典型的LLC串联谐振电路。图b)是感性负载下MOSFET的工作波形。由于
2018-07-18 10:09:10
如题。请问一下，MOSFET的手册里面哪个参数能看的出来，当其作为开关管，完全打开的时候，Vgs的电压？同事跟我讲，默认12V大多数都可以完全打开(NMOS)。低于12V就有点悬，MOS打开不完全
2020-11-11 21:37:41
。・MOSFET的漏极电压和电流及输出整流二极管的耐压・变压器的饱和・Vcc电压・输出瞬态响应和输出电压上升波形・温度测量和损耗测量・电解电容器 首先，说明通常规格的评估，并说明检查要点的区别。下表作为
2018-11-27 16:50:30
第四部份似乎很相似，这样做可行么？问题分析：系统短路的时候，功率MOSFET相当于工作在放大的线性区，降低驱动电压，可以降低跨导限制的最大电流，从而降低系统的短路电流，从短路保护的角度而言，确实有一定
2016-12-21 11:39:07
请问buck-boost电路，输入10~15v，输出5v，开关管MOSFET使用IRF540N，驱动电路使用IR2117对吗？如果对的话，那为什么输出波形与理想的差距很大，而且输出的平均值与理论的也相差很大。
2015-06-04 16:02:35
最近在调试PFC，上电瞬间，TT PFC的高频下半桥就短路了，烧了好几只管子，后面发现是Mosfet的驱动电阻没有贴上，请问这个对Mos的影响有多大？多大的电压、电流会使得开关管失效？
2021-04-07 21:02:00
放在底部MOSFET的低端，如图5所示。此处监测峰值开关电流（也是峰值电感电流），每半个周期产生一个电流波形。MOSFET开关切换导致电流信号具有很强的开关噪声。图5．带低端RSENSE的升压转换器
2021-02-26 09:31:08
的低端 检测电阻也可以放在底部MOSFET的低端，如图5所示。此处监测峰值开关电流（也是峰值电感电流），每半个周期产生一个电流波形。MOSFET开关切换导致电流信号具有很强的开关噪声。图5．带低端
2022-04-20 18:51:11
开关电源PCB Layout原则现在以同步整流BUCK电路为例分析开关电源Layout原则首先分析工作原理，下文用SM指代Switch MOSFET，RM指代Recifier MOSFET。SM
2021-10-28 07:00:55
，励磁电流经二极管D流向复位绕组，最后减小到零，此时Q两端电压下降到Vdc。图2所示是开关管集电极电流和电压波形。可见，开关管不带缓冲电路时，在Q关断时，其两端的漏感电压尖峰很大，产生的关断损耗也很大
2018-11-21 16:22:57
开关电源功率是由开关管的最大电流决定吗？例如5v1a的电源，开关管选多大的电流，这个电流是如何算出来的？谢谢
2023-04-04 16:56:04
寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。当电源IC与MOS管选定之后， 选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其
2017-01-09 18:00:06
可以放在底部MOSFET的低端，如图5所示。此处监测峰值开关电流（也是峰值电感电流），每半个周期产生一个电流波形。MOSFET开关切换导致电流信号具有很强的开关噪声。图5 带低端RSENSE的升压转换器
2021-03-09 09:11:18
参数和各种仪表数据。 4、辅助电源实现电源的软件（远程）启动，为保护电路和控制电路（PWM等芯片）工作供电。 二、开关电路输出波形的分析 1．单管反激电路基本结构 2. 两种模式DCM
2018-12-03 11:06:30
改善开关电流电路主要误差的方案
2019-04-26 11:43:23
FM7318A采用电流模式PWM 控制技术，具有逐周期峰值电流限制功能。由于缓冲二极管反向恢复电流和内部功率MOSFET栅极浪涌电流，会在MOSFET导通瞬间的开关电流上引起脉冲电流，开关电流流过SENSE
2020-07-06 10:57:25
部分对于LLC工作过程中MOSFET的波形进行进一步分析，更对容易失效的问题点进行研究。 上面的图给出了启动时功率MOSFET前五个开关波形。在变换器启动开始前，谐振电容和输出电容刚好完全放电。与正常工作状况
2019-09-17 09:05:04
对于咱们电源工程师来讲，我们很多时候都在看波形，看输入波形，MOS 开关波形，电流波形，输出二极管波形，芯片波形，MOS 管的 GS 波形，我们拿开关 GS 波形为例来聊一下 GS 的波形。我们测试
2020-10-01 13:30:00
时的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流过尾电流，因此相应的开关损耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基势垒二极管）的组合与IGBT＋FRD（快速恢复二极管）的关断损耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
二极管的Vf特性，。Vgs为0V即MOSFET在关断状态下，没有通道电流，因此该条件下的Vd-Id特性可以说是体二极管的Vf-If特性。如“何谓碳化硅”中提到的，SiC的带隙更宽，Vf比
2018-11-27 16:40:24
。 首先，在SiC-MOSFET的组成中，发挥了开关性能的优势实现了Si IGBT很难实现的100kHz高频工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2个晶体管并联组成了1个开关
2018-11-27 16:38:39
vishay半导体的NMOS管si2302的Id是2.1A，Is是0.6A。当这个管子用来做开关电路时，开关电流最大以Id为准还是Is ?
2016-06-02 11:24:33
版）实用电力电子技术丛书《MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》MOS管驱动电路总结电源中的MOSFET性能的四项关键测试PFC中开关mosfet驱动电路的设计与讲解电流采样运放电路、电压电流的跟踪比较器电路、开关mosfet驱动电路的联动分析
2019-04-19 17:45:32
特别小的电流。通过分析，我们知道，Igs电流是和Vgs电压是反过来的。上面这张图包含了MOSFET相关的一些波形关系，当然也是理想的波形图。另外，还有朋友在实测时，发现Vds电压波形与Id的电流波形
2021-06-17 12:34:06
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑
本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子
2021-01-30 13:20:31
使用，BM6101是一款电流隔离芯片，通过它进行两级驱动Mosfet管。而驱动的电压就是通过开关电源调整得到的电压，驱动电路还如下图黄框出提供了死区调整的电阻网络。利用示波器在在这时对栅极源极电压
2020-06-07 15:46:23
的电感和电容之外的杂散电感和电容。需要认识到，SiC MOSFET 的输出开关电流变化率 (di/dt) 远高于 Si MOSFET。这可能增加直流总线的瞬时振荡、电磁干扰以及输出级损耗。高开关速度还可能导致电压过冲。满足高电压应用的可靠性和故障处理性能要求。
2017-12-18 13:58:36
以AC/DC Boost开关电源为例，如图1所示，主电路中输人整流桥二极管产生的反向恢复电流的di/dt远比输出二极管D反向恢复电流的|di/dt|要小得多。图2是图1开关电源中输人整流桥二极管
2021-06-30 16:37:09
分立电阻器与电容器（以及用于控制功率MOSFET的双极结型晶体管（BJT）/第二个场效应晶体管）围绕的功率MOSFET）。但在多数情况下，使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。系统中的负载开关在哪里一
2018-09-03 15:17:57
演示电路1160是具有2.3A开关电流的全功能LED驱动器，具有LT3518特性。该电路板经过优化，可在升压拓扑结构中驱动330mA LED串，输入电压和40V之间的总LED电压
2020-08-20 08:38:54
功率MOSFET管的电流值有哪几种？如何去选取这些电流值呢？这些电流值又是如何影响系统的呢？
2021-09-08 08:00:58
大于B管，因此选取的MOSFET开关损耗占较大比例时，需要优先考虑米勒电容Crss的值。整体开关损耗为开通及关断的开关损耗之和：从上面的分析可以得到以下结论：（1）减小驱动电阻可以减小线性区持续的时间
2017-03-06 15:19:01
的开关过程基于电流源来讨论。当驱动信号加在功率MOSFET的栅极时，开通过程分为4个模式（阶段），其等效电路如图2所示。图2：功率MOSFET开通过程图3：功率MOSFET开通波形(1) 模式M1
2017-02-24 15:05:54
和关断过程实验电路：2）MOSFET 的电压和电流波形：3）开关过程原理：开通过程[ t0 ~ t4 ]：在 t0 前，MOSFET 工作于截止状态，t0 时，MOSFET 被驱动开通；[t0-t1]区间
2021-08-29 18:34:54
；该区间内GS 电容继续放电直至零。因二极管反向恢复引起的MOSFET开关波形（1）：实验电路（2）：因二极管反向恢复引起的MOSFET 开关波形功率MOSFET的功率损耗公式（1）：导通损耗该公式对控制
2021-09-05 07:00:00
%的VDS的最大电压到90%的VDS最大电压的时间。图1：阻性开关测试电路和波形测试时，所用的负载为电阻， 也就是电流和电压线性的变化：开通时，电流从0线性地增加到最大值的同时，电压也线性地从最大值下降到0
2016-12-16 16:53:16
和关断过程原理（1）：开通和关断过程实验电路（2）：MOSFET 的电压和电流波形（3）：开关过程原理开通过程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止状态，t0
2018-10-25 16:11:27
这个是现在的电路，然后我测得的上管的电流波形如下图所示1是上管电流，4是上管驱动，2是下管电流2，3通道分别为开关管DS电压现在电压加不上去，加到400V左右管子就受不住了，而且电流波形与仿真差别有点大，可能是什么原因造成的呢？
2018-12-12 10:45:04
，导致Cp上的电压降低。反激开关MOSFET 源极流出的电流（Is）波形的转折点的分析。 很多工程师在电源开发调试过程中，测的的波形的一些关键点不是很清楚，下面针对反激电源实测波形来分析一下。问题一
2018-10-10 20:44:59
本应用指南讨论了使用CMOS IC驱动的功率MOSFET的不同步进电机控制方法及电路，其中包括移位寄存器相位发生、比较器开关电流限制及使用同步整流。
2014-09-22 17:19:48
[size=13.63636302948px]BUCK电路里面如果用MOSFET做开关管，TL494做脉冲宽度调制 (Pwm) 控制电路，请问怎么驱动MOSFET，，，加在栅极上的电压好像要很高。。 求大神解答！
2014-11-15 16:35:11
必须将基端子接地，如图6所示。 图6.PNP晶体管的开关电路 用于计算集电极电流、基极电阻和电压的PNP晶体管方程与NPN计算中使用的公式相同。区别在于开关电流。对于PNP，开关电流是源电流
2023-02-20 16:35:09
倍所引起的问题在MOSFET管的使用中也已不存在。
在关断过程中，因为 MOSFET管电流下降速度很快，输出端的下降电流和上升电压在较低的电流下会发生重叠，从而减小了重叠损耗即交流开关损耗（1.3.4 节)。这样就可以简化甚至不需要缓冲器了（第11章)。
2023-09-28 06:33:09
MOSFET）。但在多数情况下，使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。系统中的负载开关在哪里一个典型系统包括一个电源和多个负载，需要各种不同的负载电流，如Bluetooth®、Wi-Fi或处理器轨。多数
2022-11-17 08:05:25
开关管MOSFET的功耗分析MOSFET的损耗优化方法及其利弊关系
2020-12-23 06:51:06
开关电源的电压波形及其参数，提出了一套“辅助补偿”算法。基于这套算法，对开关电源的电压波形及其参数进行了理论分析和计算机仿真。仿真结果表明了这套算法的可行性和先进性。开关电源MOSFET的交越损耗分析
2020-07-15 15:17:28
封装在开关速度、效率和驱动能力等方面的有效性。最后，第四节分析了实验波形和效率测量，以验证最新推出的TO247 4引脚封装的性能。 II.分析升压转换器中采用传统的TO247封装的MOSFET A.开关
2018-10-08 15:19:33
怎样去选择MOS开关管额定电流？选择MOS开关管额定电流要考虑哪些？
2021-10-08 09:02:17
， 接下来我们分析LLC转换器在启机， 短路， 动态负载下的工作情况。 3.21 启机状态分析 通过LLC 仿真我们得到如图3所示的波形，在启机第一个开关周期，上下管会同时出现一个短暂的峰值电流
2018-12-03 11:00:50
。数据表中ID只考虑导通损耗，在实际的设计过程中，要计算功率MOSFET的最大功耗包括导通损耗、开关损耗、寄生二极管的损耗等，然后再据功耗和热阻来校核结温，保证其结温小于最大的允许值，最好有一定的裕量
2016-08-15 14:31:59
，MOSFET与三极管一样，当MOSFET应用于放大电路时，通常要使用此曲线研究其放大特性。只是三极管使用的基极电流、集电极电流和放大倍数，而MOSFET管使用栅极电压、漏极电流和跨导。图2：AOT460
2016-11-29 14:36:06
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
基于开关电流技术与数字CMOS工艺的延迟线电路设计
2019-04-26 11:41:28
双极性晶体管与MOSFET对比分析哪个好？
2021-04-20 06:36:55
开关电流电路中的时钟馈通误差和传输误差分析，如何解决开关电流电路的误差问题？
2021-04-12 07:04:33
关于负载开关ON时的浪涌电流关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对措施关于负载开关OFF时的逆电流关于负载开关ON时的浪涌电流负载开关Q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出
2019-07-23 01:13:34
小波变换开关电流电路CAD设计(2)
2019-04-18 07:55:58
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段（图
2022-11-16 08:00:15
摘要：为了提高数字通信电路的速度，设计了两种BiCMOS开关电流存储器。设计过程中在电路的关键部位配置有限的双极型晶体管(BJT)，但在电路的主体部分则设置MOS器件。推导出了存
2010-05-13 09:04:13
16 对第一代开关电流存储单元产生的时钟馈通误差做了合理的近似分析，设计了一种高性能开关电流存储单元。该电路仅在原存储单元的基础上增加了一个MOS管，使误差降为原来的4%，
2010-07-05 14:50:4822 基于开关电流电路提出一种用小波滤波器实现小波变换的方法。通过对母小波的一种数值逼近得到小波函数的有理公式，并以Mexican Hat小波为例模拟该逼近过程，用Matlab对逼近过程进
2010-12-10 17:41:1926 开关电流技术(SI)是一种可取代开关电容技术的数据采样技术。首先介绍了SI技术,然后以SI电路基本单元为例，分析了SI电路存在的各种误差，并针对这些误差提出了解决方法
2010-12-20 09:45:3537 低电压甲乙类开关电流存储单元
引言 开关电流存储单元是电流模式采样数据信号处理系统的基本单元电路，其性能的优
2007-08-15 16:06:29563 LT3517 - 具1.5A开关电流的全功能LED驱动器
特点5000：1 True Color PWMTM 调光比 1.5A、45V 内部开关 100mV 高端电流检测 开路 LED 保
2010-04-12 16:52:32754 
O 引言
开关电流技术是近年来提出的一种新的模拟信号采样、保持、处理技术。与已成熟的开关电容技术相比，开关电流技术不需要线性电容和高性能运算放大器，
2010-08-11 09:27:21676 
开关电流技术是一种新的模拟信号采样、保持、处理技术。它具有电流模电路的特有优点，如速度快，适合于低电压工作等。与传统的开关电容技术相比，开关电流技术不需
2010-08-11 09:32:551034 
摘要：开关电源已是当今二次电源的主要发展方向，在开关电源的分析与设计中，对开关工作时所形成的电压波形及其参数的分析是致关重要的。为了分析开关电源的工作特性，研究了开关电源的电路模型及电压波形的形成过程，针对分析开关电源的电压波形及其参数，
2011-02-22 16:20:14205 讲述了用信号流图和积分器设计 开关电流滤波器 的方法。本方法简明直观，无力概念清楚，容易推广到其他开关电流滤波器的设计
2011-06-13 18:28:4859 基于IIR数字网络的开关电流电路小波变换方法_童耀南
2017-01-07 21:45:570 开关电流--数字工艺的模拟技术
2017-09-11 17:01:176 基于开关电流电路提出一种用小波滤波器实现小波变换的方法。通过对母小波的一种数值逼近得到小波函数的有理公式，并以Mexican Hat小波为例模拟该逼近过程，用Matlah对逼近过程进行仿真，同时
2017-12-06 17:15:2518 及非线性跨导系数等参数。详细介绍了建立分析模型的原理，并给出了分析模型中各关键参数的提取方法。对比了基于分析模型计算得到的开关波形与实验测试结果，对比电压电流波形匹配度较高，证明了此分析模型的正确性。对比了分析模型的开关损耗与基于实验计算的开关损耗，
2018-03-13 15:58:3813 开关电流技术是一种模拟取样信号处理新技术，主要应用于开关电流滤波器和模数转换器设计。由于开关电流电路无需使用双层多晶硅电容，因此电路可以采用标准的CMOS数字工艺实现，从而降低了制造成本；采用
2020-05-21 08:03:001280 
开关电流技术是近年来提出的一种新的模拟信号采样、保持、处理技术。与已成熟的开关电容技术相比，开关电流技术不需要线性电容和高性能运算放大器，整个电路均由MOS管构成，因此可与标准数字CMOS工艺兼容
2018-09-29 08:57:0011558 
LT3952A：带4A开关电流数据表的60V LED驱动器
2021-03-23 10:37:362 功率MOSFET的开关损耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 LT3952：带4A开关电流数据表的60V LED驱动器
2021-04-17 19:40:375 LT3518：功能齐全的LED驱动器，带2.3A开关电流数据表
2021-05-13 16:11:381 LT3517：全功能LED驱动器，1.5A开关电流数据表
2021-05-24 11:15:365 对于咱们电源工程师来讲，我们很多时候都在看波形，看输入波形，MOS开关波形，电流波形，输出二极管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我们拿开关GS波形为例来聊一下GS的波形。
2022-08-14 10:09:072504 
对于咱们电源工程师来讲，我们很多时候都在看波形，看输入波形，MOS开关波形，电流波形，输出二极管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我们拿开关GS波形为例来聊一下GS的波形。
2023-04-10 09:42:001674 
交流开关电源和直流开关电源的电流是不一样的。 在交流电源中，电流是通过变压器等电气元件进行电能变换和传递的，它是随着电压的正反方向不断交替变化的，在整个交流周期内多次改变方向和大小。因此，交流电源
2023-09-05 16:29:24655 开关电流与输入输出电流有什么关系，知道了开关电流限值，我们怎么确定最大输入、输出电流呢？
2023-12-15 11:09:50927 电子发烧友网站提供《开关电流为2A的高输入电压降压 - 升压转换器TPS63060数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-07 10:19:370 电子发烧友网站提供《具有3.6A开关电流的2V 至16V 降压-升压转换器TPS63070数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-07 10:35:090 电子发烧友网站提供《10uA低功耗，1.5A开关电流高效同升压FS2111数据手册.pdf》资料免费下载
2024-03-18 10:47:470
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