Microsemi宣布提供新一代工业温度碳化硅（silicon carbide，SiC）标准功率模块，它们是用于要求高性能和高可靠性的大功率开关电源、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其它大功率、高电压工业应用的理想选择。
2013-01-25 11:50:12
1053 ，从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料，提供下一代功率器件的基础。与硅相比
2020-10-27 09:33:16
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
MOSFET 漏极出现浪涌并因寄生效应意外打开时。这种导通会产生从高压到地的短路，从而损坏电路。 如何驱动碳化硅场效应管 考虑到卓越的材料性能，这个问题提出了如何控制这些部件才能发挥最佳作用。从我们所知
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
社会的重要元器件。碳化硅被广泛视为下一代功率器件的材料，因为碳化硅相较于硅材料可进一步提高电压并降低损耗。虽然碳化硅功率器件目前主要用于列车逆变器，但其具有极为广泛的应用前景，包括车辆电气化和工业设备
2023-04-11 15:29:18
更小、更轻，所以电池充电的续航里程更长。 碳化硅技术仍在不断发展，有望获得更好的性能。在下一代中，导通电阻将随着开关损耗进一步下降，额定电压将增加，片芯将进一步缩小，产量提高，从而降低成本。更多的变型
2023-02-27 14:28:47
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
圆盘的能量吸收范围高达 122,290J，允许圆盘组件具有数十兆焦耳的极高能量吸收额定值。 电气参数 EAK碳化硅磁盘应用来自雷电、电感或电容耦合的电源过电压。开关带感性负载的触点。变压器、电机
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
泛的宽禁带半导体材料之一，凭借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身优异的半导体性能，在各个现代工业领域发挥重要革新作用。是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。由于碳化硅功率器件可显著降低
2021-01-12 11:48:45
精细化，集成化方向发展。 在新技术驱动下，汽车电子行业迎来新一轮技术革命，行业整体升级。在汽车大量电子化的带动之下，车用电路板也会向上成长。车用电路板稳定订单和高毛利率的特点吸引诸多碳化硅基板从业者
2020-12-16 11:31:13
在设计功率转换器时，碳化硅（SiC）等宽带隙（WBG）技术现在是组件选择过程中的现实选择。 在设计功率转换器时，碳化硅（SiC）等宽带隙（WBG）技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V
2023-02-23 17:11:32
电磁性。因碳化硅是一种共价键化合物，原子间结合的键很强，它具有以下一些独特的性能，因而得以广泛应用。1)高熔点。关于碳化硅熔点的数据.不同资料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅作为第三代半导体经典的应用，具有众多自身优势和技术优势，它所制成的功率器件在生活中运用十分广泛，越来越无法离开，因此使用碳化硅产品的稳定性在一定程度上也决定了生活的质量。作为高尖精的产品，芯片
2023-02-20 15:27:19
第二代碳化硅肖特基二极管-JBS简介 产业界以第一代标准肖特基结构做成的肖特基二极管（SBD）漏电流大，反向耐压低，产品竞争力差，商业应用价值低。为了提升产品竞争力，碳化硅肖特基二极管的结构也从标准
2023-02-28 16:55:45
时，恢复时间和恢复电流就越大，损耗也就越大。 碳化硅肖特基二极管是一种多数载流子导电器件（单极性器件），在工作过程中不会发生少数载流子存储的现象，也不会产生过大的正反向切换瞬态冲击电流，只有结电容放电
2023-02-28 16:34:16
半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元，同比增长15.77%。2020年H1，中国集成电路产业销售额为3539亿元，同比增长16.1%。每一次材料的更新换代，都是产业的一次革命。碳化硅陶瓷基板在高铁、太阳能光伏、风能、电力输送、UPS不间断电源等电力电子领域均有不小单的作用。
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
TGF2023-2-10碳化硅晶体管产品介绍TGF2023-2-10报价TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10咨询热线TGF2023-2-10现货,王先生*** 深圳市首质诚
2018-06-12 10:22:42
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2018-11-15 11:59:01
产品尺寸，从而提升系统效率。而在实际应用中，我们发现：带辅助源极管脚的TO-247-4封装更适合于碳化硅MOSFET这种新型的高频器件，它可以进一步降低器件的开关损耗，也更有利于分立器件的驱动
2023-02-27 16:14:19
，利用SiC MOSFET来作为永磁同步电机控制系统中的功率器件，可以降低驱动器损耗，提高开关频率，降低电流谐波和转矩脉动。本项目中三相逆变器拟打算使用贵公司的SiC MOSFET，验证碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
多半仍以机械结构为主，造价高昂，且产品相当笨重，更需要经常维修。为了改良这些缺点，以电力电子为基础的新一代大功率电力设备应运而生。碳化硅等新世代组件，则是在背后促成这股电力设备电子化不可或缺的功臣
2021-09-23 15:02:11
碳化硅 (SiC) 是一种下一代材料，可以显著降低功率损耗并实现更高的功率密度、电压、温度和频率，同时减少散热。高温可操作性降低了冷却系统的复杂性，从而降低了电源系统的整体架构。与过去几十年相比
2022-06-13 11:27:24
电机驱动。碳化硅器件和碳化硅模组可用于太阳能发电、风力发电、电焊机、电力机车、远距离输电、服务器、家电、电动汽车、充电桩等用途。创能动力于2015年在国内开发出6英寸SiC制造技术，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
本文重点介绍赛米控碳化硅在功率模块中的性能，特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。 分立器件（如 TO-247）是将碳化硅集成到各种应用中的第一步，但对于更强大和更
2023-02-20 16:29:54
双向射频收发器NCV53480在下一代RKE中的应用是什么
2021-05-20 06:54:23
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。 该器件将传统
2023-02-28 16:48:24
通时由电容驱动的栅极 - 源极电压，其源于半桥配置中第二个碳化硅MOSFET的高dv/dt开关。 硅MOSFET设计中在此类问题一般可以通过栅极驱动器和硅MOSFET栅极之间插入一个高阻值电阻，或找到
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫欧4脚TO247封装碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)实现了高频LLC谐振全桥隔离变换器，如图所示。由于碳化硅的高阻断电压, 快速开关及低损耗等
2016-08-05 14:32:43
家族中的新成员。 相较于前两代二极管，基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管在沿用6英寸晶圆工艺基础上，实现了更高的电流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向导通压降。 基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管继承
2023-02-28 17:13:35
，能够在 MOSFET 关断状态下为栅极提供负电压、高充电/放电脉冲电流，并且足够快以在纳秒范围内操作栅极。IC IX6611是一款智能高速栅极驱动器，可轻松用于驱动碳化硅（SiC）MOSFET以及标准
2023-02-27 09:52:17
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
是基本半导体针对新能源商用车等大型车辆客户对主牵引驱动器功率器件的高功率密度、长器件寿命等需求而专门开发的产品。 该产品采用标准ED3封装，采用双面有压型银烧结连接工艺、高密度铜线键合技术、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
可有效减小功率回路寄生电感参数，减小开关过程中的震荡、过冲现象。但目前瓷片电容不耐高温，所以并不适宜于碳化硅的高温工作情况。驱动集成技术也逐渐引起了人们的重视，三菱、英飞凌等公司均提出了 SiC 智能
2023-02-22 16:06:08
/ dt共模瞬变干扰能力，使其能够防止耗能的杂散开关操作。这些器件内置1700V电气隔离功能，可以降低消费级或工业电机驱动器、600V或1200V变频器、DC / DC转换器、充电器、电焊机、感应炉
2018-08-06 14:37:25
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
）功率器件产业化的倡导者之一，国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造与应用解决方案提供商，在国内碳化硅功率器件制造商中率先完成了质量管理体系---汽车行业生产件与相关服务件的组织实施ISO9007的要求
2023-02-27 14:35:13
管子开关影响。 2）低传输延迟 通常情况下，硅IGBT的应用开关频率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推荐应用开关频率大于100kHz，应用频率的提高使得碳化硅MOSFET要求驱动器提供更低的信号
2023-02-27 16:03:36
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
公司等为代表。四、碳化硅半导体应用碳化硅半导体器件，其高频、高效、高温的特性特别适合对效率或温度要求严苛的应用。可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。原作者：大年君爱好电子
2023-02-20 15:15:50
输入电压：1000V,输出12V/2A
要把此电源做成反激电源，用碳化硅MOS来驱动的话，请问去驱动IC用哪个？要怎么处理？有专门的IC吗？
2023-07-31 17:36:47
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩（电动汽车充电站）应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级，并能够监控和保护各种故障情况。图1：电动汽车牵引逆变器框图碳化硅 MOSFET 米勒平台和高强度栅极驱动器的优势特别是对于SiC MOSFET，栅极驱动器IC
2022-11-02 12:02:05
C2M1000170D为1700 V 分立碳化硅 MOSFET。为下一代电源转换提供更快的开关和更高的可靠性。Wolfspeed 1700 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 可实现更小、更高
2022-05-27 18:39:09
C2M1000170D为1700 V 分立碳化硅 MOSFET。为下一代电源转换提供更快的开关和更高的可靠性。Wolfspeed 1700 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 可实现更小、更高
2022-05-27 18:44:59
代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。 目前中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm2。 人类1905年 第一次在陨
2018-01-03 09:48:4819904 SiC肖特基势垒二极管不使用反并联硅二极管，可集成到系统中。硅基二极管有反向恢复电流，会造成开关损耗（以及产生电磁干扰，或EMI），而SiC二极管的反向恢复电流可忽略不计。
2021-04-27 10:59:291700 使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同类产品。虽然有各种重要的机会使用这项技术，但工业电机驱动正获得最大的兴趣和关注。
2021-07-04 10:21:392232 
，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布推出一款全新的1200V可直接用于生产的数字栅极驱动器，为系统开发人员提供多层级的控制和保护，以实现安全、可靠的运行并满足严格的运输要求。 对于基于碳化硅的电源转换设备的设计人 员
2021-10-09 16:17:461644 因此，如果要提高驱动效率及延长系统的工作寿命时，迁移到SiC 肖特基显然是有利的。那么我们何以采取更进一步的方案呢？
2022-05-06 14:56:441302 
来源：中国电子报 日前，国际碳化硅大厂安森美宣布，其在捷克Roznov扩建的碳化硅工厂落成，未来两年内产能将逐步提升。另一家碳化硅大厂Wolfspeed也表示将在美国北卡罗来纳州建造一座价值数十
2022-10-08 17:02:25873 具有集成式驱动器和自我保护功能的GaN FET如何实现下一代工业电源设计
2022-10-28 12:00:20
0 日本媒体报道称日本罗姆（ROHM）12月将开始量产下一代功率半导体。原材料是碳化硅（SiC），罗姆花费约20年推进了研发。据称，罗姆在福冈县筑后市工厂的碳化硅功率半导体专用厂房实施量产
2022-11-28 16:51:24498 基于进一步提升电驱动总成系统效率和功率密度的需求,设计了一款碳化硅三合一电驱动总成系统,介绍了碳化硅控制器和驱动电机的结构设计方案,并详细阐述了碳化硅三合一电驱动总成的冷却系统设计方案。为了进一步
2022-12-21 14:02:33836 摘 要 基于进一步提升电驱动总成系统效率和功率密度的需求,设计了一款碳化硅三合一电驱动总成系统,介绍了碳化硅控制器和驱动电机的结构设计方案,并详细阐述了碳化硅三合一电驱动总成的冷却系统设计方案
2022-12-21 14:05:031415 碳化硅具备耐高温、耐高压、高频率、高效率等特性，发展势头迅猛。基于碳化硅特性，碳化硅驱动器相较于硅器件驱动器有其特殊要求，面临不同的设计挑战。青铜剑技术针对碳化硅的应用特点，推出了2CP0335V33-LV100等碳化硅驱动器，可满足多样化需求。
2022-12-29 11:34:26966 ，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。 中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm。 碳化硅也可以通过使
2023-02-02 14:50:021981 碳化硅的电阻率。碳化硅的电阻率随温度的变化而改变，但在一定的温度范围内与金属的电阻温度特性相反。碳化硅的电阻率与温度的关系更为复杂。碳化硅的导电率随温度升高到一定值时出现峰值，继续升高温度，导电率又会下降。
2023-02-03 09:31:234411 高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25。
2023-02-03 16:11:352999 碳化硅二极管是用碳化硅为原料制作而成的二极管。碳化硅二极管，号称反向恢复时间为零，是高效PFC boost电路的专用升压二极管。以碳化硅二极管为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视，并在智能
2023-02-10 17:45:171733 迁移率和体积小等特点，因此碳化硅能够应用于许多领域。 在储能领域，碳化硅的应用已经非常非常多了。 在经典的储能系统中包含了电源、DC/DC转换器、电池充电机以及把能量输送到家庭端或输送回电网的逆变器，碳化硅技术在这种配置
2023-02-12 15:12:32933 电机碳化硅技术是一种利用碳化硅材料制作电机的技术，它是利用碳化硅材料的特性，如高热导率、高电阻率、低摩擦系数等，来提高电机的效率、耐久性和可靠性，从而降低电机的成本。
2023-02-16 17:54:004561 sic碳化硅电机 碳化硅（SiC）器件损耗小、耐高温并能高频运行，被公认为将推动新能源汽车领域产生重大技术变革。世界各工业强国和大型跨国公司纷纷投入了大量的人力物力，特斯拉等国外车企开发的SiC电机
2023-02-17 14:10:171499 我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成为粉末，碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
在特斯拉投资者大会上，特斯拉表示下一代汽车平台的动力总成中将减少75%的碳化硅使用。
2023-03-14 16:11:341126 本文介绍了激光在碳化硅（SiC）半导体晶圆制程中的应用，概括讲述了激光与碳化硅相互作用的机理，并重点对碳化硅晶圆激光标记、背金激光表切去除、晶粒隐切分片的应用进行了介绍。
2023-05-17 14:39:041222 
首先，让我们简要介绍一下碳化硅到底是什么，以及它与传统硅的一些不同之处。关于SiC的一个有趣的事实是，碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物质。事实上，碳化物最初是从陨石的碎片中发现的。其独特的性能非常有前途，以至于今天，我们合成了用于碳化硅功率产品的硬质合金。
2023-05-20 17:00:09614 碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱，本期为番外篇，前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游，本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场，以及未来的发展趋势，感谢各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅原理用途及作用是什么 碳化硅是一种非金属陶瓷材料，具有高温、耐腐蚀、抗氧化、热稳定性好等优良性能。它由碳素和硅素两种元素组成，碳化硅由结构单元SiC构成，每个SiC结构单元都由一个硅原子
2023-06-05 12:48:351973 公司之一， GeneSiC 为政府机构开发了尖端的碳化硅技术ⁱ， 重点关注性能和稳健性， 并发布了几代碳化硅二极管和 MOSFET 技术，额定值高达 6.5 kV 在各种封装中以及裸片. 2022年， 纳微半导体收购了GeneSiC半导体， 创建了业界唯一一家专注于SiC和GaN的纯下一代功率半导体公司
2023-10-25 16:32:01610 
如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
2023-11-23 17:00:21163 
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