引言 光刻胶又称“光致抗蚀剂”或“光阻剂”,被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作,是微纳制造技术的关键性材料。 光刻胶是光刻工艺最重要的耗材,其性能决定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:229673 光刻胶为何要谋求国产替代?中国国产光刻胶企业的市场发展机会和挑战如何?光刻胶企业发展要具备哪些核心竞争力?在南京半导体大会期间,徐州博康公司董事长傅志伟和研发总监潘新刚给我们带来前沿观点和独家分析。
2022-08-29 15:02:236063 近日,上海新阳发布公告称,公司自主研发的KrF(248nm)厚膜光刻胶产品已经通过客户认证,并成功取得第一笔订单,取得不错进展。 光刻胶用于半导体光刻工艺环节,是决定制造质量的重要因素,根据曝光
2021-07-03 07:47:0023837 ,增幅11.11%。 截图自企查查 光刻胶是芯片制造中光刻环节的重要材料,目前主要被日美把控,国内在光刻胶方面投入研制的厂商主要晶瑞股份、南大光电、上海新阳、徐州博康、北京科华等,那么华为投资的徐州博康在光刻胶方面有何优势,国内厂商在光
2021-08-12 07:49:005462 电子发烧友原创 章鹰 近日,全球半导体市场规模增长带动了上游半导体材料旺盛需求,“光刻胶”的突破也成为国内关注焦点。正当日本光刻胶企业JSR、东京应化和美国Lam Research在EUV光刻胶
2022-08-31 07:45:002788 :1倍的在硅片上直接分步重复曝光系统。 光致抗蚀剂 简称光刻胶或抗蚀剂,指光照后能改变抗蚀能力的高分子化合物。光蚀剂分为两大类。①正性光致抗蚀剂:受光照部分发生降解反应而能为显影液所溶解。留下的非
2012-01-12 10:51:59
一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型:正性光刻和负性光刻,区别如下
2021-01-12 10:17:47
关于光刻工艺的原理,大家可以想象一下胶片照片的冲洗,掩膜版就相当于胶片,而光刻机就是冲洗台,它把掩膜版上的芯片电路一个个的复制到光刻胶薄膜上,然后通过刻蚀技术把电路“画”在晶圆上。 当然
2020-07-07 14:22:55
MEMS、芯片封装和微加工等领域。目前,直接采用 SU8光刻胶来制备深宽比高的微结构与微零件已经成为微加工领域的一项新技术。在微流控芯片加工中,SU-8主要用于快速模塑法加工PDMS微流控芯片。运用
2018-07-12 11:57:08
提高,才能符合集成工艺制程的要求 [3]。以下几点为光刻胶制造中的关键技术:配方技术、超洁净技术、超微量分析技术及应用检测能力。 制程特性要求有:涂布均匀性、灵敏度、分辨率及制程宽容度。2 光刻胶的反应
2018-08-23 11:56:31
光刻胶也称为光致抗蚀剂,是一种光敏材料,它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后,受到光照的部分变得容易溶解,经过显影后被
2019-11-07 09:00:18
这是我的版图一部分,然后生成了图案是这样的: 感觉间距小的地方全都有残留,间距大的地方没有残留;工艺参数:s9920光刻胶, evg 620‘未进行蒸汽底漆层涂覆,前烘:100摄氏度,90s
2016-11-29 14:59:18
。如,美国的高通、博通、AMD,中国***的联发科,大陆的华为海思、展讯等。国内单片机芯片:核心设备单片机芯片良品率取决于晶圆厂整体水平,但加工精度完全取决于核心设备,就是前面提到的“光刻机”。光刻
2018-09-03 16:48:04
`我们国家的机器人企业跟国外的还有很大差距,比如上游核心元器件没有市场竞争力,技术含量低、建模分析能力不足等等。国内机器人企业需要突破的地方还有很多,最需要的就是静下心来专研产品和技术。多向国外学习。`
2017-07-10 15:02:32
我们国家的机器人企业跟国外的还有很大差距,比如上游核心元器件没有市场竞争力,技术含量低、建模分析能力不足等等。国内机器人企业需要突破的地方还有很多,最需要的就是静下心来专研产品和技术。多向国外学习。
2017-07-10 15:02:32
AL-CU互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法侧壁孔洞缺陷是当前Al?Cu 金属互连导线工艺中的主要缺陷之一。此种缺陷会导致电迁移,从而降低器件的可靠性。缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺
2009-10-06 09:50:58
EMC设计、工艺技术基本要点和问题处理流程推荐给大家参考。。
2015-08-25 12:05:04
半导体制造领域的标志:NR9-PY 系列负性光刻胶,适用于lift-off工艺;具有高效粘附性,高反应速度并耐高温性能好。 NR71-PY 系列 负性光刻胶,适用于lift-off工艺,耐高温性能好
2010-04-21 10:57:46
环境湿度太大,使胶与玻璃表面粘附不良。因此,得注意做好玻璃表面清洁处理和操作的环境的温,湿度及清洁工作。2)光刻胶配制有误或胶陈旧不纯,胶的光化学反应性能不好,使胶与ITO层成健能力差,或者胶膜不均匀
2018-11-22 16:04:49
的杂质和油污洗净,然后把水除去并干燥,保证下道工艺的加工质量。C. 涂光刻胶:在ITO玻璃的导电层面上均匀涂上一层光刻胶,涂过光刻胶的玻璃要在一定的温度下作预处理。D. 前烘:在一定的温度下将涂有
2019-07-16 17:46:15
、芯片封装和微加工等领域。目前,直接采用 SU- 8 光刻胶来制备深宽比高的微结构与微零件已经成为微加工领域的一项新技术。SU 8光刻胶光刻前清洗工艺:为了获得更好的光刻效果,在进行光刻胶旋涂之前,需要
2018-07-04 14:42:34
lithography是一种平板印刷技术,在平面光波回路的制作中一直发挥着重要的作用。具体过程如下:首先在二氧化硅为主要成分的芯层材料上面,淀积一层光刻胶;使用掩模版对光刻胶曝光固化,并在
2018-08-24 16:39:21
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:光刻前 GaAs 表面处理以改善湿化学蚀刻过程中的光刻胶附着力和改善湿蚀刻轮廓[/td][td]编号:JFSJ-21-0作者:炬丰科技网址:http
2021-07-06 09:39:22
。光刻胶的图案通过蚀刻剂转移到晶片上。沉积:各种材料的薄膜被施加在晶片上。为此,主要使用两种工艺,物理气相沉积 (PVD) 和化学气相沉积 (CVD)。制作步骤:1.从空白晶圆开始2.自下而上构建
2021-07-08 13:13:06
的关键。这包括使用新的材料让沉积过程变得更为精准的创新技术。光刻胶涂覆晶圆随后会被涂覆光敏材料“光刻胶”(也叫“光阻”)。光刻胶也分为两种——“正性光刻胶”和“负性光刻胶”。正性和负性光刻胶的主要
2022-04-08 15:12:41
光刻技术中,涂有光刻胶的硅片与掩膜版直接接触.由于光刻胶和掩膜版之间紧密接触,因此可以得到比较高的分辨率.接触式暴光的主要问题是容易损伤掩膜版和光刻胶.当掩膜版与硅片接触和对准时,硅片上很小的灰尘
2012-01-12 10:56:23
和(SHOWA)配件富临设备配件、钻石砂轮、钻石研磨液、光刻胶、东进光刻胶、安智光刻胶、蚀刻液、去光阻液、固态腊、日东蓝白膜、铍铜针、钨钢针`高温吸嘴等LED芯片及封装设备相关的配件和耗材 咨询电话
2008-08-27 10:18:39
,LIGA是X射线光刻技术的德语简称,于1982年由德国卡尔斯鲁厄核研究中心开发出来。LIGA技术的工艺步骤如图4.7所示,包括对基片上光刻胶的X射线光刻、光刻胶显影、在光刻胶结构上的金属电铸、从光刻胶结构中
2020-05-12 17:27:14
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用,但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP
2019-07-05 08:13:58
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用,但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP
2019-08-20 08:01:20
喷胶机是现代光电子产业中光刻胶涂布的重要设备。可对不同尺寸和形状的基片进行涂胶,最大涂胶尺寸达8寸,得到厚度均匀的光刻胶层,同时可对大深宽比结构的侧壁进行均匀涂胶;通过计算机系统控制器进行工艺参数的编辑和操作。
2020-03-23 09:00:57
图形反转工艺用于金属层剥离的研究研究了AZ?5214 胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术。用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面,倾角约为60°,胶厚1?4μm。得到
2009-10-06 10:05:30
如何提高多层板层压品质在工艺技术
2021-04-25 09:08:11
本人是菜鸟 需要在玻璃上光刻普通的差值电极 以前一直在硅片上面光刻 用的光刻胶是AZ5214E 正胶 同样的工艺和参数在玻璃上附着力差了很多 恳请哪位高人指点一下PS 插值电极的距离为25微米 小女子这厢谢过了
2010-12-02 20:40:41
一.工艺流程简述: 前段工位: ITO 玻璃的投入(grading)—— 玻璃清洗与干燥(CLEANING)——涂光刻胶(PR COAT)——前烘烤(PREBREAK)——曝光(DEVELOP
2016-06-30 09:03:48
涂敷光刻胶 光刻制造过程中,往往需采用20-30道光刻工序,现在技术主要采有紫外线(包括远紫外线)为光源的光刻技术。光刻工序包括翻版图形掩膜制造,硅基片表面光刻胶的涂敷、预烘、曝光、显影、后烘、腐蚀
2019-08-16 11:11:34
技术溶解去除曝光区域或未曝光区域,使掩模板上的电路图转移到光刻胶上,最后利用刻蚀技术将图形转移到硅片上。 而光刻根据所采用正胶与负胶之分,划分为正性光刻和负性光刻两种基本工艺。 在正性光刻中,正
2020-07-07 11:36:10
151n光刻胶曝光显影后开口底部都会有一撮残留,找不到原因。各位帮分析下
2023-04-20 13:13:52
受制于人。最近一段时间,系统和芯片更是频频传来好消息。先说系统华为鸿蒙2.0系统在9月10号亮相,同时余承东宣布将以捐赠开源基金会的形式,对华为鸿蒙系统进行开源。根据后台数据,鸿蒙系统上线短短几个小时
2020-09-18 10:26:45
PMT-2离线光刻胶微粒子计数器是一款新型液体颗粒监测仪器。采用激光光散或光阻原理的颗粒检测传感器,可以对超纯水、自来水、饮用水、去离子水、矿泉水、蒸馏水、无机化学品、有机化学品、有机溶剂、清洗剂
2022-12-14 10:44:24
PMT-2在线光刻胶液体粒子计数器,采用英国普洛帝核心技术创新型的第八代双激光窄光颗粒检测传感器,双精准流量控制-精密计量柱塞泵和超精密流量电磁控制系统,可以对清洗剂、半导体、超纯水
2023-01-03 15:54:49
光刻胶(光敏胶)进行光刻,将图形信息转移到基片上,从而实现微细结构的制造。光刻机的工作原理是利用光学系统将光线聚焦到光刻胶上,通过掩膜版(也称为光刻掩膜)上的图形
2023-07-07 11:46:07
我国导航电子地图核心技术仍受制于人
在导航电子地图方面,中国拥有电子地图生产资质的企业有十一家,但真正能够提供导航电子地图的只有六家左右。电子地
2010-03-25 17:50:30642 光刻胶与光刻工艺技术 微电路的制造需要把在数量上精确控制的杂质引入到硅衬底上的微小 区域内,然后把这些区域连起来以形成器件和VLSI电路.确定这些区域图形 的工艺是由光刻来完成的,也就是说,首先在硅片上旋转涂覆光刻胶,再将 其曝露于某种光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:210 国外在LED封装方面的研发力量不仅仅是集中在结构上面,而且对封装材料也有大力的研究。而中国主要集中在LED封装结构的设计上,当要用到某种更好的材料时,容易受制于人。
2012-11-20 15:59:16834 在手机芯片产业,“核芯”技术受制于人是中国的软肋,现在国产芯片初步站稳,将打响“攻芯战”,国产手机芯片制造正在尝试摆脱困境,在这两大领域将可逆袭,甚至达到领跑阶段。
2018-02-08 11:45:481885 ”级别的“神器”我国能赶超欧美吗?特别是最近某科技媒体称,“是什么卡了我们的脖子—— 这些“细节”让中国难望顶级光刻机项背”,笔者根据公开资料解析我国光刻机最新进展。所谓光刻机,原理实际上跟照相机差不多
2018-07-29 11:16:005485 国外工业互联网技术的利弊值得仔细权衡,因为一个不留神,工业互联网很有可能会成为下一个受制于人的“中国芯片”。
2018-08-29 11:11:584095 在国家政策与市场的双重驱动下,近年来,国内企业逐步向面板、半导体光刻胶发力……
2019-04-23 16:15:3612869 在制与反制的对抗中,核心技术和综合实力才是不败之道。残酷的中美贸易战,由于缺乏芯片等核心技术,国内众多高新技术产业受到制约,从中兴到华为,再到海康威视,一系列的“断供“都在不断的提醒国内企业,绝不能让核心技术受制于人。
2019-05-23 16:36:571412 近日,沃衍资本携手江苏盛世投资、紫荆资本、深圳市投控通产新材料创业投资企业、四川润资、北京高盟新材料等投资机构完成了对国内光刻胶领头企业—北京科华微电子材料有限公司1.7亿元的投资。
2019-06-29 10:37:4628113 从经开区企业北京欣奕华科技有限公司(以下简称“欣奕华”)了解到,经过多年的行业累积和技术迭代,欣奕华在平板显示用负性光刻胶领域实现了量产,预计今年将有1000吨的光刻胶交付用户,约占国内市场的8%。
2019-10-28 16:38:493788 在国际半导体领域,我国虽已成为半导体生产大国,但整个半导体产业链仍比较落后。特别是由于国内光刻胶厂布局较晚,半导体光刻胶技术相较于海外先进技术差距较大,国产化不足5%。在这种条件下,国内半导体厂商积极开展研究,如晶瑞股份的KrF光刻胶,南大光电的ArF光刻胶均取得较好的研究效果。
2020-03-06 15:40:564211 来源:浙商证券研究院 光刻胶又称光致抗蚀剂,是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括:光引发剂(包括光增感剂、光致产酸剂)、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。光刻胶可以通过光化学反应,经曝光、显影
2020-09-15 14:00:1417012 技术水平与国际先进水平仍存在较大差距,自给率仅10%,主要集中于技术含量相对较低的PCB领域,6英寸硅片的g/i线光刻胶的自给率约为20%,8英寸硅片的KrF光刻胶的自给率不足5%,12寸硅片的ArF光刻胶目前尚没有国内企业可以大规模生产。 基于此,新材料在线特推出【2020年光
2020-10-10 17:40:252978 光刻胶是由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成份组成的、对光敏感的混合液体。利用光化学反应,经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质,其中曝光是通过紫外光
2022-12-06 14:53:541289 多年来,光刻胶的研发都被列入我国高新技术计划、重大科技项目。今年9月28日,国家发展改革委、科技部、工业和信息化部以及财政部联合印发的《关于扩大战略性新兴产业投资培育壮大新增长点增长极的指导意见
2020-10-22 15:20:153287 光刻胶是微纳加工过程中非常关键的材料。有专家表示,中国要制造芯片,光有光刻机还不够,还得打破国外对“光刻胶”的垄断。
2020-12-08 10:53:564205 称,“ArF 光刻胶产品开发和产业化”是宁波南大光电承接国家“02 专项”的一个重点攻关项目。本次产品的认证通过,标志着“ArF 光刻胶产品开发和产业化”项目取得了关键性的突破,成为国内通过产品验证的第一只国产 ArF 光刻胶。 此举意味着国产193nm ArF 光刻胶产
2020-12-25 18:24:096335 光刻是集成电路工艺中的关键性技术。在硅片表面涂上光刻胶薄层,经过光照、显影,在光刻胶上留下掩模版的图形。
2021-04-09 14:27:1964 5月27日,半导体光刻胶概念股开盘即走强,截至收盘,A股光刻胶板块涨幅达6.48%。其中晶瑞股份、广信材料直线拉升大涨20%封涨停,容大感光大涨13.28%,扬帆新材大涨11.37%,南大光电
2021-05-28 10:34:152652 在半导体制造方面,国内厂商需要突破的不只是光刻机等核心设备,光刻胶也是重要的一环。而南大光电研发的高端ArF光刻机,已经获得了国内某企业的认证,可用于55nm工艺制造。 南大光电发布公告称,控股
2021-06-26 16:32:372225 光刻胶是光刻机研发的重要材料,换句话说光刻机就是利用特殊光线将集成电路映射到硅片的表面,如果想要硅片的表面不留下痕迹,就需要网硅片上涂一层光刻胶。
2022-02-05 16:11:0011450 待加工基片上。其被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作,是微细加工技术的关键性材料。 一言以蔽之,光刻胶是光刻工艺最重要的耗材,其性能决定了加工成品的精密程度和良品率,而光刻工艺又是精密电子元器件制造
2022-01-20 21:02:461268 摘要 新的全湿剥离工艺在去除高度注入的光刻胶时不需要干等离子体灰化工艺,同时保持低缺陷水平和至少相当于记录工艺的高产量性能。灰化步骤的消除减少了不希望的基板损坏和材料损失,改善了周期时间,释放
2022-03-01 14:39:431401 什么是光刻?光刻是将掩模上的几何形状转移到硅片表面的过程。光刻工艺中涉及的步骤是晶圆清洗;阻挡层的形成;光刻胶应用;软烤;掩模对准;曝光和显影;和硬烤。
2022-03-15 11:38:02872 •OPTOLITH模块可对成像(imaging),光刻胶曝光(exposure),光刻胶烘烤(bake)和光刻胶显影(development)等工艺进行精确定义
2022-03-15 14:16:474091 本文提出了一种新型的双层光阻剂方法来减少负光阻剂浮渣。选择正光刻胶作为底层抗蚀剂,选择负光刻胶作为顶层抗蚀胶。研究了底层抗蚀剂的粘度和厚度对浮渣平均数量的影响。实验表明,低粘度正光刻胶AZ703
2022-03-24 16:04:23777 本发明涉及一种去除光刻胶的方法,更详细地说,是一种半导体制造用光刻胶去除方法,该方法适合于在半导体装置的制造过程中进行吹扫以去除光刻胶。在半导体装置的制造工艺中,将残留在晶片上的光刻胶,在H2O
2022-04-13 13:56:42927 本文的目标是讨论一种新技术,它可以在保持竞争力的首席运营官的同时改善权衡。 将开发湿化学抗蚀剂去除溶液的能力与对工艺和工具要求的理解相结合,导致了用于光刻胶去除的单晶片清洗技术的发展。 该技术针对
2022-05-07 15:11:11676 本文章介绍了我们华林科纳一种光刻胶剥离用组合物,该组合物不仅对离子注入工艺后或离子注入工艺和高温加热工艺后硬化或变质为聚合物的光刻胶具有良好的去除力,而且使膜质腐蚀性最小化。半导体工艺中离子注入工艺
2022-07-01 15:16:081508 灰化,简单的理解就是用氧气把光刻胶燃烧掉,光刻胶的基本成分是碳氢有机物,在射频或微波作用下,氧气电离成氧原子并与光刻胶发生化学反应,生成一氧化碳,二氧化碳和水等,再通过泵被真空抽走,完成光刻胶的去除。
2022-07-21 11:20:175187 南大光电最新消息显示,国产193nm(ArF)光刻胶研发成功,这家公司成为通过国家“02专项”验收的ArF光刻胶项目实施主体;徐州博康宣布,该公司已开发出数十种高端光刻胶产品系列,包括
2022-08-31 09:47:141326 光刻胶的组成:树脂(resin/polymer),光刻胶中不同材料的粘合剂,给与光刻胶的机械与化学性质(如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等);感光剂,感光剂对光能发生光化学反应;溶剂(Solvent
2022-10-21 16:40:0416981 半导体光刻胶用光敏材料仍属于“卡脖子”产品,海外进口依赖较重,不同品质之间价 格差异大。以国内 PAG 对应的化学放大型光刻胶(主要是 KrF、ArF 光刻胶)来看,树脂在 光刻胶中的固含量
2022-11-18 10:07:432815 来源:欣奕华材料 据欣奕华材料官微消息,近日,国内光刻胶龙头企业阜阳欣奕华材料科技有限公司(以下简称“阜阳欣奕华”)完成超5亿元人民币 D 轮融资。 据悉,本轮融资由盛景嘉成母基金
2023-06-13 16:40:00602 在产品技术方面,182/210大硅片开始量产,N型电池加速商业化应用进程。我国光伏企业在PERC、TOPCon、HJT和IBC等高效电池生产技术上先后取得突破,不断刷新电池效率的世界纪录。
2023-06-20 15:06:101380 光刻胶在未曝光之前是一种黏性流体,不同种类的光刻胶具有不同的黏度。黏度是光刻胶的一项重要指标。那么光刻胶的黏度为什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻胶算高黏度,哪些算低黏度呢?
2023-11-13 18:14:11715 KrF光刻胶是指利用248nm KrF光源进行光刻的光刻胶。248nmKrF光刻技术已广 泛应用于0.13μm工艺的生产中,主要应用于150 , 200和300mm的硅晶圆生产中。
2023-11-29 10:28:50350 匀胶是光刻中比较重要的一步,而旋涂速度是匀胶中至关重要的参数,那么我们在匀胶时,是如何确定匀胶速度呢?它影响光刻胶的哪些性质?
2023-12-15 09:35:56588 光刻胶主要下游应用包括:显示屏制造、印刷电路板生产、半导体制造等,其中显示屏是光刻胶最大的下游应用,占比30%。光刻胶在半导体制造应用占比24%,是第三达应用场景。
2024-01-03 18:12:21501 光刻胶是一种涂覆在半导体器件表面的特殊液体材料,可以通过光刻机上的模板或掩模来进行曝光。
2024-03-04 17:19:18792 与正光刻胶相比,电子束负光刻胶会形成相反的图案。基于聚合物的负型光刻胶会在聚合物链之间产生键或交联。未曝光的光刻胶在显影过程中溶解,而曝光的光刻胶则保留下来,从而形成负像。
2024-03-20 11:36:50544 光刻胶按照种类可以分为正性的、负性的。正胶受到紫外光照射的部分在显影时被去除,负胶受到紫外光曝光的地方在显影后被留下。
2024-04-24 11:37:05292
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