8050晶体管是一种小型设备，用于引导便携式无线电中的电流。数字“8050”基本上表示尺寸和特定输出额定值。工程师和电子专家通常会给晶体管起数字名称，以便更容易识别和区分它们。具有8050
2023-02-16 18:22:30
应用。产品型号：2SC3422产品名称：功率晶体管2SC3422产品特性适用于5瓦汽车收音机和汽车音响的输出级良好的h FE线性度 2SC3422产品描述：2SC3422东芝是设计和制造高质量闪存存储解决方案
2018-07-24 18:05:11
PLC晶体管输出和继电器输出区别
2012-08-20 08:26:07
PLC输出电路(继电器,晶体管,晶闸管输出)区别和注意事项
2012-08-20 08:28:44
PLC继电器和晶体管输出
2012-08-20 08:24:48
电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。产品型号:T2G6003028-FS产品名称：射频功率晶体管T2G6003028-FS产品特性频率：直流至6千兆赫输出功率（p3db）：30 W在6 GHz
2018-11-16 09:49:48
s1307是什么类型的晶体管？
2022-09-25 09:21:11
，PHP型管置换PNP型管。特性相近用于置换的晶体管应与原晶体管的特性相近，它们的主要参数值及特性曲线应相差不多。晶体管的主要参数近20个，要求所有这些参数都相近，不但困难，而且没有必要。一般来说，只要下述
2015-07-07 16:56:34
`TLP181(GB-TPL,F,T)详细参数[/td][/td][td]制造商Toshiba产品种类晶体管输出光电耦合器配置1 Channel最大正向二极管电压1.3 V最大输入二极管电流50
2012-08-16 16:34:23
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
）晶体管以图7-1-3示出的等效模拟型代替；（2）所有直流电源、隔直电容，旁路电容都看作短路；（3）其它元件按原来相对位置画出，利用等效电路可以求取放大器的放大倍数、输入电阻、输出电阻以及分析放大器的频率特性。(520101)
2021-06-02 06:14:09
: ID例：开关双极晶体管2SD2673时的波形(100µs/div)由于随后要计算开关时的功率损耗，所以要确认OFF→ON时和ON→OFF时的扩大波形。2. 是否一直满足绝对最大额定值？确认绝对最大
2019-04-15 06:20:06
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 编辑
晶体管作为电流单方向通过的电子开关使用晶体管也可以作为电子开关使用。但这个开关的电流方向只能是单向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
计算机开关机的，那么就会把计算机关闭。这就是机器语言的原理。实际用于计算机和移动设备上的晶体管大多是MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），它也分为N型和P型，NMOS就是指N型MOSFET
2021-01-13 16:23:43
1．反向击穿电流的检测 普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档， NPN型管的集电极C接黑表笔
2012-04-26 17:06:32
晶体管技术方案面临了哪些瓶颈？
2021-05-26 06:57:13
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-04-10 06:20:24
。 Si晶体管的分类 Si晶体管的分类根据不同分类角度，有几种不同的分类方法。在这里，从结构和工艺方面粗略地分类如下。其中，本篇的主题“功率类”加粗/涂色表示。 双极晶体管和MOSFET中，分功率型
2020-06-09 07:34:33
不同分类角度，有几种不同的分类方法。在这里，从结构和工艺方面粗略地分类如下。其中，本篇的主题“功率类”加粗/涂色表示。双极晶体管和MOSFET中，分功率型和小信号型，IGBT原本是为处理大功率而开发
2018-11-28 14:29:28
现代社会带来了巨大的影响。2. 从锗到硅最初，晶体管是由锗（半导体）做成的。但是，锗具有在80°C左右时发生损坏的缺点，因此现在几乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右热度的物质。3. 晶体管的作用
2019-05-05 00:52:40
晶体管的发射极箭头朝内，NPN型晶体管的发射极箭头朝外。2．三极管各个电极的作用及电流分配晶体管三个电极的电极的作用如下：发射极（E极）用来发射电子；基极（B极）用来控制E极发射电子的数量；集电极（C极
2013-08-17 14:24:32
功率、集电极最大电流、最大反向电压、电流放大系数等参数及外地人形尺寸等是否符合应用电路的要求。 2．末级视放输出管的选用彩色电视机中使用的末级视放输出管，应选用特征频率高于80MHZ的高频晶体管
2012-01-28 11:27:38
是用于小信号放大，只要晶体管的静态工作点设置正确，晶体管一般不会进入饱和区。但如果晶体管放大电路处理的是信号幅值较大的信号，例音频功放的输出级，则晶体管极有可能进入饱和区。此时，就会在输出波形上出现“削顶
2012-02-13 01:14:04
，晶体管的输入特性类似于二极管的正向伏安特性。 (2)共射极输出特性 （以 NPN 管为例） 共射极输出特性表达式为：。晶体管输出特性曲线的三个区域对应于 晶体管的三个工作状态（饱和、放大和截止）。 a
2021-05-13 06:43:22
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
专业图书47-《新概念模拟电路》t-I晶体管
2023-09-28 08:04:05
;nbsp; 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为
2010-08-12 13:57:39
和高频场效应晶体管(FET)。WBG 材料以其优异的电学特性，如 GaN 和碳化硅(SiC) ，克服了硅基高频电子器件的局限性。更重要的是，WBG 半导体可用于可扩展的汽车电气系统和电动汽车(电动汽车
2022-06-15 11:43:25
电子，雷达和微波应用生产全系列AM晶体管。 这些AM晶体管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶体管覆盖60 MHz至3.0 GHz的范围，功率
2018-07-17 15:08:03
脉冲功率。 在没有外部调谐的情况下，所有设备都在宽带RF测试夹具中100％屏蔽了大信号RF参数。硅双极匹配50欧姆210W输出功率经过100％大功率射频测试C级操作IB0607S10功率晶体管
2021-04-01 10:07:29
`产品型号：IB3042-5产品名称：晶体管Integra于1997年由一些企业工程师发起，他们相信他们可以为新一代雷达系统设计人员提供创新的高性能RF功率晶体管解决方案。我们推向市场的款产品是采用
2019-04-15 15:12:37
：IB3042-5产品名称：晶体管Integra于1997年由一些企业工程师发起，他们相信他们可以为新一代雷达系统设计人员提供创新的高性能RF功率晶体管解决方案。我们推向市场的款产品是采用我们获得的新半导体
2019-05-14 11:00:13
）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。BIPOLAR是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。
2019-05-06 05:00:17
）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。BIPOLAR是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。
2019-03-27 06:20:04
和双极技术。产品型号：IGN2856S40产品名称：晶体管IGN2856S40产品特性SiC HEMT技术中的GaN500瓦输出功率AB类操作预匹配内阻抗100%高功率射频测试负栅电压/偏置序列
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脉冲晶体管，指定用于AB类操作下。 该晶体管提供2.856 GHz的工作频率，最小40W的峰值脉冲功率，50V和3％的占空比。 该单元采用金线技术通过芯片和线材技术组装
2021-04-01 09:57:55
MOS管，还有其他的电子元件。实际上场效应晶体管可以分为结型管（（Junction Field-Effect Transistor，J F E T））和MOS管（metal-oxide
2019-04-15 12:04:44
NJVMJD45H11T4G该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出，或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。该产品在音频放大器输出级理想方案。特性：互补对简化了设计低集电极-发射极饱和
2021-11-29 14:26:08
晶体管PNP 型晶体管Vb<Ve （C）Vc>Vb>Ve （A）Vb>Ve Vb>Vc （S
2023-02-15 18:13:01
的比例关系。2）偏置电路 当晶体管用于实际的放大电路时，还需要添加合适的偏置电路。这有几个原因。首先，由于晶体管的BE结（相当于二极管）的非线性，输入电压达到一定水平后必须产生基极电流（对于硅管，通常
2023-02-08 15:19:23
化镓或砷化铝镓技术的这类二极管。产品型号：NPT2020产品名称：射频晶体管NPT2020产品特性GaN上硅HEMT耗尽型晶体管适合线性和饱和应用从直流3.5 GHz调谐48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
，在MACOM，我们提供范围广泛的双极技术RF功率晶体管产品，作为从DC到3.5 GHz的分立器件，模块和托盘。 我们的高功率双极型晶体管非常适用于民用航空电子设备，通信，网络，雷达以及工业，科学
2018-05-21 15:49:50
型掺杂半导体材料隔开。PNP晶体管中的大多数电流载流子是空穴s，而电子是少数电流载流子。施加到PNP晶体管的所有电源电压的极性都是反转的。电流在PNP中吸收到基极，由于PNP是电流控制器件，适度的基极
2023-02-03 09:44:48
PNP双极型晶体管的设计
2012-08-20 08:29:56
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能
2010-08-13 11:36:51
了功率晶体管的性能。如 (1)开关晶体管有效芯片面积的增加， (2)技术上的简化， (3)晶体管的复合——达林顿， (4)用于大功率开关的基极驱动技术的进步。 、直接工作在整流380V市电上
2010-08-13 11:38:59
主要参数 晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。 耗散功率也称集电极
2010-08-13 11:35:21
单元，16输入/16输出(晶体管)FX2N-48ER 扩展单元，24输入/24输出（继电器）FX2N-48ET扩展单元，24输入/24输出(晶体管)FX2N-48ER-UA1/UL 扩展单元，24输入
2020-05-05 14:09:09
，从而影响输出。双栅极 MOSFET 可用于许多应用，包括射频混频器/乘法器、射频放大器、具有增益控制的放大器等。
雪崩晶体管
雪崩晶体管是一种双极结型晶体管，设计用于在集电极电流/集电极发射极电压特性
2023-08-02 12:26:53
串联型晶体管稳压电源: 一、电路的结构组成：电源部分、整流部分、滤波部分、稳压部分，四部分组成。电源部分：由一个降压变压器T组成。整流部分：由四个二极管 V1 V2 V3 V4组成。滤波部分：由一个
2010-06-08 08:10:12
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶体管是通常用于放大器或电控开关的半导体器件。晶体管是调节计算机、移动电话和所有其他现代电子电路运行的基本构件。由于其高响应和高精度，晶体管可用于各种数字和模拟功能，包括放大器、开关、稳压器、信号
2023-02-03 09:36:05
PNP 和 NPN 是两种类型的双极结型晶体管 （BJT）。BJT由可以放大电流的掺杂材料制成。它具有PNP和NPN配置选项。PNP 和 NPN晶体管可用于放大或开关。本文将解释NPN和PNP之间
2023-02-03 09:50:59
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
。达林顿通常用于需要低频高增益的地方。常见应用包括音频放大器输出级、功率调节器、电机控制器和显示驱动器。 达林顿晶体管也被称为达林顿对，由贝尔实验室的西德尼达林顿于 1953 年发明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
用作Q2的基极电压，以在晶体管Q2中产生更稳定的电流。波形发生器配置为1 kHz三角波，峰峰值幅度为3 V，偏置为1.5 V。示波器通道2的输入(2+)用于测量Q2集电极上的稳定输出电流。置示波器以
2021-11-01 09:53:18
PNP晶体管在哪里使用？放大电路采用PNP晶体管。达林顿对电路采用PNP晶体管。机器人应用利用了PNP晶体管。PNP 晶体管用于控制大功率应用中的电流。如何控制PNP晶体管？首先，为了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
单极型晶体管也称场效应管，简称FET（FieldEffectTransistor）。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与
2020-06-24 16:00:16
单结晶体管有一个PN结和三个电极，一个发射极和两个基极，所以又称双基极二极管。其结构、等效电路及电路符号如下图所示。a、单结晶体管的结构；b、等效电路；c、电路符号它是在一块高电阻率(低掺杂)的N型
2018-01-09 11:39:27
，是另一种固态三端设备，可用于栅极脉冲、定时电路和触发发生器，用于交流功率控制型应用中开关和控制晶闸管和 triac。像二极管一样，单结晶体管是由单独的 p 型和 n 型半导体材料构成的，在器件的主导 n
2022-04-26 14:43:33
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。
2019-09-26 09:00:23
S－l、S－4的封装外形基本相同;TO一220封装外形与国产管S一7B封装外形基本相同;T0一202封装外形与国产管S一6封装外形基本相同。 采用TO系列封装的常用晶体管有:T0一3为:2
2008-06-17 14:42:50
放大，似于多路比较器的输出，NPN型晶体管多发射极分别接到比较器的输出端，集电极共用一路上拉电阻连接至电源，如果多路比较器有一路导通，则该多发射极晶体管集电极输出导通拉低，电平为低电平。
不知是否是我理解的这样？
2024-01-21 13:47:56
。场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。场效应晶体管作用是什么1、场效应管可应用于放大。由于场效应管
2019-05-08 09:26:37
制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。 按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2
2012-07-11 11:36:52
，这反过来又使耗尽层尽可能小，从而通过我们的晶体管的最大电流流动。这使得晶体管开关导通。 图2显示了饱和区域特性。 图2.饱和区域特征 输入基极电流和输出集电极电流为零，集电极电压处于最大值
2023-02-20 16:35:09
。场效应晶体管是防护电压的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道场效应晶体管和增强型的P沟道场效应晶体管。实际应用中，N场效应晶体管居多。N沟道
2019-03-29 12:02:16
本应用指南介绍了一种采用后向设计的基本驱动电路，它从输出晶体管器件开始再返回到水平振荡器，便于加速晶体管的水平输出级。
2014-09-22 17:14:04
IGBT是由哪些部分组成的？绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点？如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
输出电压 : VO (GND‐OUT间电压)输出电流 : IOMOSFET漏极源极间电压 : VDS漏极电流 : ID例：开关双极晶体管2SD2673时的波形(100µs/div)由于随后要计算开关
2019-05-05 09:27:01
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
结型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。前者是本次讨论的重点。 双极结型晶体管的类型 BJT安排有两种基本类型：NPN和PNP。这些名称是指构成组件的P型（正极）和N型（负极）半导体材料
2023-02-17 18:07:22
型dvp32hn00r（32点继电器输出）；dvp32hn00t（32点晶体管输出）dvp48hp00r（24点入/24点继电器输出）；dvp48hp00t（24点入/24点晶体管输出）模拟量
2020-10-22 19:33:21
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这一组最差数值代入式子②计算。根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2，使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流Iomax大。∴ Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基础上计算将R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这一组最差数值代入式子②计算。根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2，使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流
2019-04-09 21:49:36
）ac型dvp32hn00r（32点继电器输出）；dvp32hn00t（32点晶体管输出）dvp48hp00r（24点入/24点继电器输出）；dvp48hp00t（24点入/24点晶体管输出）模拟量
2020-10-22 19:25:17
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-05-05 01:31:57
的选择和比较进行了分析。考虑了晶体管参数，如与时间相关的输出有效电容（Co（tr））和关断能量（Eoff）等，这会影响LLC转换器的高性能成就。还分析了基于GaN、Si和SiC MOS的3KW 48
2023-02-27 09:37:29
求51单片机 STC89c526个晶体管问题按下键1 晶体管1闪烁 键2+，键3-，键4修改闹钟时间，再按键1 晶体管2闪烁 键2+，键3-，键4修改闹钟时间，以此类推。求大神帮助
2017-03-12 19:59:39
求大佬分享一款适用于激光及MRI的宽带LDMOS晶体管
2021-06-08 06:29:42
转化为锯齿波，由VT4 组成的射极输出器经阻抗变换后输出:一方面通过R6 加至晶体管的集电极，作为晶体管的集电极电压;一方面加至示波器的Y 输入端，作为示波器的Y 轴输入信号。C3 、VD1 与晶体管
2008-07-25 13:34:04
，在这种情况下采用基于氮化镓（GaN）晶体管的解决方案意义重大。与传统硅器件相类似，GaN晶体管单位裸片面积同样受实际生产工艺限制，单个器件的电流处理能力存在上限。为了增大输出功率，并联配置晶体管已成为
2021-01-19 16:48:15
程控单结晶体管(PUT)具有敏发炅敏度高、速度快、功耗低和动态电阻小等优点，因此广泛应用于各种脉冲电路和晶闸管控制系统。PUT张弛振荡电路上图是PUT的基本张弛振荡电路。它和普通单结晶体管张弛
2018-01-23 11:47:39
绝缘栅双极型晶体管检测方法
2009-12-10 17:18:39
组合的结果是，“ IGBT 晶体管”具有双极性晶体管晶体管的输出开关和导通特性，但像 MOSFET 一样是电压控制的。Igbt 主要应用于电力电子应用领域，如逆变器、变换器和电源等，但功率双极器件和功率
2022-04-29 10:55:25
继电器和晶体管输出具有哪些特点？使用注意事项有哪些？继电器与晶体管输出有哪些差别？
2021-10-12 06:28:48
西门子S7-200电源怎么看是继电器输出还是晶体管输出呢？
2023-04-18 10:08:03
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 编辑
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶体管模型數據庫以外,更多更多晶体管模型數據庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶体管模型數據庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
保护的二极管必须选用快速恢复型二极管，以保证二极管能够迅速反应得以保护晶体管。对于二极管的耐压要求，一般其截止电压为开关晶体管C-E间电压的2倍。 2、RC阻尼电路 图二 图二中，在晶体管关断
2020-11-26 17:26:39
温度决定的倍增因子，后面将对其温度特性进行讨论。 对于NMOS晶体管M1和M2,其栅源电压分别为Vgs1和Vgs2,那么图3中电压为： 如果利用前面提到的两个工作在弱反型区的MOS管输出电压特性
2018-11-30 16:38:24
PLC晶体管输出和继电器输出的区别
2012-06-14 14:04:42
9149 本文主要介绍了plc晶体管输出电路图_PLC晶体管输出接线图。基本单元的晶体管输出中，包括漏型输出和源型输出的产品，这两者在回路上的差异如下：·漏型输出［-公共端］，负载电流流到输出（Y）端子，这样
2018-03-20 09:44:3980155 
电子发烧友App
工商网监
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