为了匹配CREE SiC MOSFET的低开关损耗，栅极驱动器必须能够以快速压摆率提供高输出电流和电压，以克服SiC MOSFET的栅极电容。
2021-05-24 06:17:00
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功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过，如低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较，进一步加深对SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:522075 有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模块所谓全SiC功率模块全SiC功率模块的开关损耗运用要点栅极驱动 其1栅极驱动 其2应用要点缓冲电容器 专用栅极驱动器和缓冲模块的效果Si功率元器件基础篇前言前言Si
2018-11-27 16:40:24
”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，这里给出了DMOS结构，不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
，与Si-MOSFET不同，SiC-MOSFET的上升率比较低，因此易于热设计，且高温下的导通电阻也很低。 4. 驱动门极电压和导通电阻 SiC-MOSFET的漂移层阻抗比Si-MOSFET低，但是
2023-02-07 16:40:49
设计，且高温下的导通电阻也很低。※该数据是ROHM在相同条件下测试的结果，仅供参考。此处表示的特性本公司不做任何保证。4. 驱动门极电压和导通电阻SiC-MOSFET的漂移层阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-04-09 04:58:00
的影响很小。体二极管的通电劣化一般认为SiC-MOSFET存在称为“体二极管的通电劣化”的故障模式。这是正向电流持续流过MOSFET的体二极管时，电子-空穴对的重新复合能量使称为“堆垛层错”的缺陷扩大
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET，还可以从这里了解SiC-SBD、全SiC模块的应用实例。SiC-MOSFET应用实例1：移相DC/DC转换器下面是演示机，是与功率Power Assist Technology Ltd.联合制
2018-11-27 16:38:39
）可能会严重影响全局开关损耗。针对此，在SiC MOSFET中可以加入米勒箝位保护功能，如图3所示，以控制米勒电流。当电源开关关闭时，驱动器将会工作，以防止因栅极电容的存在，而出现感应导通的现象。图3
2019-07-09 04:20:19
的模块，而橙色圆圈表示使用硅晶体管和SiC二极管的模块。 在谈到SiC MOSFET的商业前景时，房间里的最终大象是一个代价。我们对价格侵蚀的看法是有利的，主要是由于我们的方法的两个方面：首先，我们
2023-02-27 13:48:12
栅极电压，在20V栅极电压下从几乎300A降低到12V栅极电压时的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受时间短于IGTB的短路耐受时间，也可以通过集成在栅极驱动器IC中的去饱和功能来保护SiC
2019-07-30 15:15:17
的不是全SiC功率模块特有的评估事项，而是单个SiC-MOSFET的构成中也同样需要探讨的现象。在分立结构的设计中，该信息也非常有用。“栅极误导通”是指在高边SiC-MOSFET＋低边
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
设计，且高温下的导通电阻也很低。※该数据是ROHM在相同条件下测试的结果，仅供参考。此处表示的特性本公司不做任何保证。4. 驱动门极电压和导通电阻SiC-MOSFET的漂移层阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-05-07 06:21:55
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
IGBT门极驱动器能够在太阳能和风力发电应用中，为Mitsubishi生产的New Mega Power Dual IGBT模块提供高效的驱动。该驱动器具有较高的集成度和优越的抗EMI性能，便于实现紧凑且高可靠性的功率变换器设计，是一种灵活且即时可用的解决方案。
2019-04-20 16:13:50
IGBT/MOSFET等全控型开关器件在现代电力电子系统中的应用日趋广泛，相应的驱动芯片集成度也越来越高，其中欠压保护功能由于可以防止开关管在门极电压较低时饱和导通，被各大驱动芯片公司集成到了自家
2019-08-22 04:45:14
请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
的影响，而且由于 RG_EXT 是外置电阻，因此也可调。下面同时列出公式（1）用以比较。能给我们看一下比较数据吗？这里有双脉冲测试的比较数据。这是为了将以往产品和具有驱动器源极引脚的 SiC MOSFET
2020-11-10 06:00:00
开关损耗。测试中使用的是最大额定值（RDS（on））为 40mΩ的SiC MOSFET。TO-247N封装的产品（型号：SCT3040KL）没有驱动器源极引脚，TO-247-4L（SCT3040KR
2022-06-17 16:06:12
MOSFET的总栅电荷，而∏是高压侧MOSFET驱动器上允许的电压降例如，irf7811的总门电荷约为20nc。对于200 mV的允许压降，所需的自举电容为100 nF。应使用高质量的陶瓷电容器。 一个
2020-07-21 15:49:18
保持运行，并且可以承受60V电源瞬变。LM9061可用于8针小外形表面安装封装。 特征 内置电荷泵，用于高压侧栅极过驱动 驱动器应用程序 功率MOSFET的无损保护 可编程MOSFET保护
2020-07-14 14:53:05
61000-4-x（EMC测试）和IEC 60068-2-x（一系列环境测试）的预认证。此外，还可提供老化测试选项。新款门极驱动器在85°C环境温度且无风冷时的额定峰值输出电流为每通道20A，额定功率为
2021-09-09 11:00:41
，很高兴能与APEX Microtechnology开展合作。ROHM作为SiC功率元器件的先进企业，能够提供与栅极驱动器IC相结合的功率系统解决方案，并且已经在该领域取得了巨大的技术领先优势。我们将与
2023-03-29 15:06:13
凑的系统），内部体二极管能够像mosfet一样处理电流吗？可以说25A电流，还是应该使用外部体二极管？如果我使用外部体二极管;我可以使用快速恢复二极管吗？那将是什么缺点。外部SiC SBD是昂贵
2019-05-29 06:12:00
。另外，这里提供的数据是在ROHM试验环境下的结果。驱动电路等条件不同，结果也可能不同。关键要点:・SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面，导通电阻特性的变化呈直线型，因此在低电流范围优于IGBT。・SiC-MOSFET的开关损耗大大低于IGBT。
2018-12-03 14:29:26
失效模式等。项目计划①根据文档，快速认识评估板的电路结构和功能；②准备元器件，相同耐压的Si-MOSFET和业内3家SiC-MOSFET③项目开展，按时间计划实施，④项目调试，优化，比较，分享。预计成果分享项目的开展，实施，结果过程，展示项目结果
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管组成上下桥臂电路，整个评估板提供了一个半桥电路，可以支持Buck，Boost和半桥开关电路的拓扑。SiC Mosfet的驱动电路主要有BM6101为主的芯片搭建而成，上下桥臂各有一块
2020-06-07 15:46:23
项目名称：三相继电保护电源试用计划：.根据此方案研发电力继保上使用的电源模块，根据此方案进行分解，改进，2.学习使用罗姆的Sic和驱动器IC产品，和目前使用的一些电源进行比较，然后就此研发新产品
2020-04-24 18:08:59
是48*0.35 = 16.8V，负载我们设为0.9Ω的阻值，通过下图来看实际的输入和输出情况：图4 输入和输出通过电子负载示数，输出电流达到了17A。下面使用示波器测试SIC-MOSFET管子的相关
2020-06-10 11:04:53
、根据评估版原理图，分析SIC MOS的驱动和保护方案。2、搭建一个非隔离的半桥结构的双向DC-DC变换器样机。预期参数：高压端400V，低压端200V，开关频率250KHZ，电流10A。3、对DSP
2020-04-24 18:08:05
`收到了罗姆的sic-mosfet评估板，感谢罗姆，感谢电子发烧友。先上几张开箱图，sic-mos有两种封装形式的，SCT3040KR，主要参数如下：SCT3040KL，主要参数如下：后续准备搭建一个DC-DC BUCK电路，然后给散热器增加散热片。`
2020-05-20 09:04:05
主要由驱动模块，控制模块，保护电路和功率元器件组成，实际工作中还需安装散热器保证器件工作可靠性。散热器的安装官方的指导文件还给出了一些测试版的连接示例，我这里主要关注了一下后续要做的双脉冲测试和同步整流
2020-05-19 16:03:51
，ID为40A，具体参数可到罗姆官网下载datsheet，这里不多余介绍。评估板上默认是没有焊接SIC MOSFET的，预留了两种不同封装的孔位。罗姆推荐评估的是TO-247-4L封装的，那么我也同样先
2020-05-09 11:59:07
项目名称：电池充放电检测设备试用计划：申请理由：现有的充放电设备的功率密度较低，打算使用SiC来提供功率密度。 使用项目：电池充放电检测设备计划：了解并测试demo的驱动，现有产品的的驱动是否适用于
2020-04-24 18:09:35
TO-247-4L封装的SCT3040KR，TO-247-3L封装的SCT3040KL 1200V 40A插件驱动板Sic Mosfet驱动电路要求1. 对于驱动电路来讲，最重要的参数是门极电荷
2020-07-16 14:55:31
MOSFET驱动器内置保护，状态反馈和门电荷泵。LTC1154由以下功能块组成：TTL和CMOS兼容输入LTC1154输入和关闭输入已经过设计，以适应广泛的逻辑系列。两个输入阈值均设置为约1.3V，滞后约为
2020-09-08 17:28:16
限度降低栅极损耗。栅极驱动器需要能够以最小的输出阻抗和高电流能力，提供 +20 伏和 -2 伏到 -5 伏负偏压。尤其当开关速度较快时，必须特别留意系统的寄生效应。具体而言，这指的是硅模块周围通常存在
2017-12-18 13:58:36
什么是MOSFET驱动器？MOSFET驱动器功耗包括哪些部分？如何计算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要从英飞凌推出MOSFET IPW90R120C3这里的MOSFET规格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驱动器
2018-09-01 09:53:17
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V为驱动器的电源。电路中增加了CGS和米勒钳位MOSFET，使包括栅极电阻在内均可调整。将该栅极驱动器与全SiC功率模块的栅极和源极连接，来确认栅极电压的升高情况
2018-11-27 16:41:26
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基势垒二极管的相关内容，有许多与Si同等产品比较的文章可以查阅并参考。采用第三代SiC沟槽MOSFET，开关损耗进一步降低ROHM在行业中率先实现了沟槽结构
2018-11-27 16:37:30
到低压侧的栅极MOSFET（LGATE）。转换器的输出电压为然后受到低边MOSFET阈值的限制为微处理器提供一些保护，如果在初始启动期间，MOSFET短路。这些驱动器还具有一个三态PWM输入
2020-09-29 17:38:58
转换器评估板之外，还备有全SiC模块的栅极驱动器评估板等。与以往的Si元器件相比具有优异特性的SiC-MOSFET，工作电路也需要优化，全部从没有参考的状态进行评估是非常艰苦而细致的工作。总之，希建议
2018-12-04 10:11:25
为6.8 Ω）。对于使用VSD的1200V、55A SiC-MOSFET，需要27Ω的栅极电阻才能将dv/dt限制在5V/ns，对于电流源极驱动器，需要290mA的栅极电流设置（ROUTREF值为
2023-02-21 16:36:47
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可调消隐时间的过流保护。先进的主动箝位保护欠压和过压锁定保护。两个 1 安培脉冲变压器驱动器，用于故障信号通信。IX6611设计用于为高功率开关器件提供栅极驱动
2023-02-27 09:52:17
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
管的反向恢复导致连续导通模式（CCM）下的高功率损耗，使其不适用于高功率应用。随后，与SiC肖特基二极管并联的lGBT被认为取代CCM图腾柱PFC和CLLC转换器中的硅MOSFET［8］。遗憾的是，由于
2023-02-27 09:44:36
电路并使用专门设计的栅极驱动器可以说是非常好的方法。到目前为止，我们已经以“全SiC模块的的应用要点”为题，探讨了栅极驱动、缓冲电路的效果，本次又对专用栅极驱动器进行了介绍。基于这些补充型部件/电路
2018-11-27 16:36:43
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基势垒二极管）组成的类型，也有仅以SiC-MOSFET组成的类型。与Si-IGBT功率模块相比，开关损耗大大降低处理大电流的功率模块中，Si的IGBT与FRD
2018-12-04 10:14:32
有源米勒钳位选配，提升高速开关抗干扰能力中国，2018年8月3日——意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压，准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳
2018-08-06 14:37:25
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
和发射极。为了操作MOSFET/IGBT，通常须将一个电压施加于栅极（相对于器件的源极/发射极而言）。使用专门驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。本文讨论栅极驱动器是什么，为何需要栅极驱动器，以及如何定义其基本参数，如时序、驱动强度和隔离度。
2021-01-27 07:59:24
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
应的SiC-MOSFET一览表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列内置SiC肖特基势垒二极管，包括体二极管的反向恢复特性在内，特性得到大幅提升。一览表中的SCT3xxx型号即第三代沟槽结构SiC-MOSFET
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
to 125IXRFDSM607X2IXYS18+17080 门驱动器 15A Low-Side RF MOSFET DriverUCC5390ECDRTexas Instruments18+17080 门驱动器 10A/10A 3-kVRMS
2018-08-01 09:29:40
MOSFET DriverTC4424COE713Microchip Technology18+9800 门驱动器 3A DualSI8234BB-D-IS1RSilicon Labs18+9800 门驱动器
2018-08-02 09:39:35
的逆变器和转变器中一般使用Si-IGBT，但尾电流和外置FRD的恢复导致的功率转换损耗较大，因此，更低损耗、可高频动作的SiC-MOSFET的开发备受期待。但是，传统的SiC-MOSFET，体二极管通电
2019-03-18 23:16:12
。BD7682FJ-LB是AC/DC转换器用的准谐振控制器，是全球首款*专为驱动SiC-MOSFET而优化的IC。（*截至2015/3/25的数据）您可能已经注意到，开关要使用SiC-MOSFET时，需要为将
2018-11-27 16:54:24
。这对于优化CLLC转换器的效率非常重要，尤其是在高频下。直流母线最大电压为425V，电池为450V。考虑到降额可靠性要求，在OBC应用中最好使用650V SiC MOSFET。为了提供6.6kW
2019-10-25 10:02:58
%。这非常有望进一步实现应用的高效化和小型化。全SiC功率模块的产品阵容扩充下表为全SiC功率模块的产品阵容现状。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的产品阵容中也增添了
2018-12-04 10:11:50
单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制，采用节省空间的窄体SO-8封装，通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率，STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间，并增强了节能型动力系统、驱动器和控制的稳健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
和MOSFET器件的同时，没有出现基于SiC的类似器件。
SiC-MOSFET与IGBT有许多不同，但它们到底有什么区别呢？本文将针对与IGBT的区别进行介绍。
2017-12-21 09:07:0436486 
罗姆在全球率先实现了搭载罗姆生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2018-05-17 09:33:1313515 PI的SIC1182K和汽车级SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是单通道SiC MOSFET门极驱动器，可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。 SCALE-2门极驱动核和其他SCALE-iDriver门极驱动器IC还支持不同SiC架构中的不同电压，允许使用SiC MOSFET进行安全有效的设计。
2020-08-13 15:31:282476 ADI隔离栅极驱动器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:08
30 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 单通道栅极驱动器旨在调节碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄体 SO-8 封装，可节省空间并具有精确的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011356 
驱动器和 SiC MOSFET 打开电源开关的大门
2023-01-03 09:45:06434 
功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体有如下优势，如低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较，进一步加深对SiC-MOSFET的理解。
2023-02-06 14:39:132876 
本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，还可以从这里了解SiC-SBD、全SiC模块的应用实例。
2023-02-06 14:39:51645 
继前篇结束的SiC-SBD之后，本篇进入SiC-MOSFET相关的内容介绍。功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。
2023-02-08 13:43:19211 
近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。
2023-02-08 13:43:20644 
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏极-源极间存在体二极管。
2023-02-08 13:43:20790 
在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。
2023-02-08 13:43:211381 
本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。
2023-02-08 13:43:21366 
本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外，包括MOSFET在内的SiC功率元器件的开发与发展日新月异，如果有不明之处或希望确认现在的产品情况，请点击这里联系我们。
2023-02-08 13:43:21860 
继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。
2023-02-08 13:43:21686 
本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比，SiC MOSFET栅-源电压的行为不同。
2023-02-09 10:19:20301 
通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的...
2023-02-09 10:19:20335 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-13 09:30:04333 
上一篇文章对设计中使用的电源IC进行了介绍。本文将介绍设计案例的电路。准谐振方式：上一篇文章提到，电源IC使用的是SiC-MOSFET驱动用AC/DC转换器控制IC“BD7682FJ-LB”。
2023-02-17 09:25:06380 
截至上一篇文章，结束了部件选型相关的内容，本文将对此前介绍过的PCB电路板布局示例进行总结。使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的PCB布局示例
2023-02-17 09:25:07398 
此前共用19个篇幅介绍了“使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例”，本文将作为该系列的最后一篇进行汇总。该设计案例中有两个关键要点。一个是功率开关中使用了SiC-MOSFET。
2023-02-17 09:25:08480 功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过，如低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较，进一步加深对SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47203 
本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。
2023-02-23 11:27:57737 
如图所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET的结构上讲，体二极管是由源极-漏极间的pn结形成的，也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于MOSFET来说，体二极管的性能是重要的参数之一，在应用中使用时，其性能发挥着至关重要的作用。
2023-02-24 11:47:402315 
在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。
2023-02-24 11:49:19481 
碳化硅 MOSFET 驱动电路保护 SiC MOSFET 作为第三代宽禁带器件之一，可以在多个应用场合替换 Si MOSFET、IGBT，发挥其高频特性，实现电力设备高功率密度。然而被应用于桥式电路
2023-02-27 14:43:028 相对于IGBT，SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗，实现了高频率工作，有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET，导通电阻较小，可减少相同导通电阻的芯片面积，并显著降低恢复损耗。
2023-09-11 10:12:33568 
的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保护功能，可确保安全可靠的工作。SCALE™-2 2SP0230T2x0双通道门极驱动器可在不到2微秒的时间内部署短路保护功能，保护
2023-12-14 11:37:10288
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