近日全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司(简称IR)推出针对感应加热、不间断电源(UPS)太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列。
2011-09-07 09:24:54
1813 美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款产品。
2012-05-18 09:25:34782 
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出新一代绝缘栅双极型晶体管 （IGBT） 技术平台。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技术平台采用
2012-11-17 10:40:171505 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 系列，针对工业电机驱动及不间断电源 （UPS） 应用进行了优化。
2013-06-14 15:22:001278 该器件耐受负瞬态电压可达-100 V，支持重复700纳秒宽脉冲，实现出色的耐用性和可靠运行。
2020-12-04 13:36:15876 测试1200V输入时，加十多分钟后就炸机了，不是一开始就炸，MOS管那一串都炸了，变压器没烧毁。大神帮我看一下电路和波形，600V以后的CS波形感觉就不太好看了，不知道是什么导致的。示波器通道2坏了，没法双通道，只能这样了。
2017-12-13 08:56:00
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
。尤其在高压工作环境下，依然体现优异的电气特性，其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
ROHM面向工业设备用电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器，开发出1200V耐压的400A/600A的全SiC功率模块“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
;1200V系列SiC二极管。
陆芯科技的产品（IGBT、SJMOS、SiC）包括芯片、单管和模块，具有以下技术优势：通过优化耐压终端环，实现IGBT高阻断电压，有效减少芯片面积，达到工业级和汽车级可靠性
2023-10-16 11:00:14
等级，从而提升变流器的功率等级。考虑到前者功率密度相对较低，从性价比出发，IGBT并联技术是最好的选择。1IGBT并联运行分析1.1 影响并联IGBT均流的主要因素1)IGBT和反并联二极管静态参数
2015-03-11 13:18:21
，如图6所示，优化的组装技术显著改善了功率循环（PC）周期。这至少能确保在工作结温增大的情况下，输出电流增大，但功率器件寿命不变。 图6：1200V标准模块的功率循环（PC）可靠性图和搭载IGBT
2018-12-07 10:23:42
电压（600V、1200V、1700V）均对应于常用电网的电压等级。考虑到过载，电网波动，开关过程引起的电压尖峰等因素，通常电力电子设备选择IGBT器件耐压都是直流母线电压的一倍。如果结构、布线、吸收
2022-05-10 10:06:52
SDB—IGBT特点为高速，低饱和压降，低拖尾电流，正温度系数易于并联，在600V和1200V电压范围性能优良，分为UF、RUF两大系统，三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接键合)技术，在IC生产线
2012-03-19 15:16:42
大家好，我毕设遇到一个问题想问一下大家：用HCPL3120驱动IGBT，但是手册上面说只能驱动1200V/100A的IGBT，我不明白为什么用电压驱动IGBT，怎么还与IGBT电流有关，我现在的IGBT要260A电压1100V，用什么芯片能驱动？
2013-03-22 15:19:08
无刷直流电机的三相全桥逆变开关管IGBT的驱动芯片有及推荐的驱动电路
2016-12-03 15:41:23
工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高。有关增加绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)导通损耗的一些权衡取舍是：更高的 短路电流电平、更小的芯片尺寸，以及更低的热容量和短路
2018-08-20 07:40:12
：4.8mm脚间距：5.45mm 25N120描述：25N120使用专有的沟槽设计和先进的NPT技术，1200V NPT IGBT提供卓越的传导和开关性能、高雪崩耐用性和易于并行操作。25N120该器件非常适合谐振或软开关应用如感应加热、微波炉等。
2022-01-04 17:03:28
、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC 电源等领域有广泛应用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 参数选型表：
2021-11-10 09:10:42
二极管该模块采用了最新的半导体技术芯片［1、2］：IGBT4和Emitter controlled 4二极管。英飞凌推出的全新1200V IGBT4系列，结合改进型发射极控制二极管，针对高中低功率应用提供
2018-12-03 13:49:12
RD-354，参考设计使用FNA22512A 25A / 1200V，3.7 kW三相逆变器。该参考设计支持1200 V Motion SPM 2系列的设计
2020-07-18 12:23:30
RD-354，参考设计使用FNA23512A 35A / 1200V，5.5 kW三相逆变器。该参考设计支持1200 V Motion SPM 2系列的设计
2020-07-18 12:46:31
众所周知，像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此，将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMOS晶体管的耐用性测试通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
ZNH-IR04工业机器人综合应用实训平台一、产品概述ZNH-IR04工业机器人综合应用实训平台由ABB IRB 1200工业机器人（可选）、主机架、多功能末端执行器，以及控制模块、上料模块、装配
2021-07-01 11:14:47
ZNL-IR03工业机器人综合实训平台是什么？ZNL-IR03工业机器人综合实训平台有哪些特点？ZNL-IR03工业机器人综合实训平台有哪些技术参数？
2021-08-16 07:16:23
我想把nvidia tesla m40卡安装到hp proliant dl380p gen8 p70服务器上。它不工作，在DMESG日志中发现以下错误。[959.113417] NVRM：系统
2018-09-12 15:57:03
工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高。功率半导体器件制造商不断在导通损耗和开关时间上寻求突破。有关增加绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)导通损耗的一些权衡取舍是：更高
2019-07-24 04:00:00
电压为 1200V、额定电流范围为 50A-200A 的 IGBT 模块）中的 ISO5852S 进行性能评估。评估的一些重要功能和性能包括使用 DESAT 检测的短路保护、软关断、在不同逆变器 dv
2018-12-27 11:41:40
目前国内绝大多数IGBT功率模块/MOSFET功率模块厂家灌封采用传统的硅胶灌封方式。随着国内客户在新能源车用和电网电力风电方面（1200V以上领域）对IGBT模块使用的要求越来越高；采用硅胶灌
2022-02-20 15:29:36
) IGBT与非穿通(NPT)型IGBT(图3 a与b)，过渡到目前国际最新的沟槽栅场截止(Trench+FS)技术(图3 c)。针对焊机产品的1200V系列正是采用了这一最新技术。相对于PT和NPT
2014-08-13 09:01:33
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高。功率半导体器件制造商不断在导通损耗和开关时间上寻求突破。有关增加绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)导通损耗的一些权衡取舍是：更高
2019-10-06 07:00:00
，工程师们已定义一套FOM以应用于新的低压功率MOSFET技术研发。由此产生的30伏特(V)技术以超级接面(Superjunction)为基础概念，是DC-DC转换器的理想选择；相较于横向和分裂闸极
2019-07-04 06:22:42
Transistor：JFET）效应。以Trench + Field-Stop技术命名的IGBT主要包括英飞凌、富士电机、飞兆半导体和IR等公司的新型IGBT产品。表 2给出了英飞凌1200V/100A NPT
2015-12-24 18:23:36
现有国产IGBT免费申请送样，规格1200V/25A，试用后只需提供试用报告即可。有需要的请与我联系。hyngng@yahoo.com.cn
2011-05-04 10:30:53
PZT分子的模型相比之下，FRAM将数据按分子极化状态存储。由于该过程为非破坏性，因此FRAM具有几乎无限期的保留性与耐用性。对必须在整个设备使用寿命期间执行20,000至40,000次交易的移动支付
2014-09-01 17:44:09
通特性。 图2.对于不同的ROUTREF值，使用恒流源驱动器BM60059和1200V IGBT在空载时测量栅极电流和栅极电压。 图2显示了三种不同R的栅极电流和栅极电压波形奥特雷夫
2023-02-21 16:36:47
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
焊接后的晶振耐用性和灵活性为什么没预期好?松季电子解答如下： 首先需经检查，进行原因分析：元器件自身质量良好，其所在电路也一切正常，所以只能是焊接加工过程有问题，仔细观察后发现受损晶体管
2014-03-17 15:15:06
2ED250E12-F_EVAL，2ED250E12-F评估驱动板的开发是为了在客户使用1200V PrimePACK IGBT模块进行首次设计时为其提供支持。评估驱动板是一个功能齐全的IGBT模块驱动器，其中两个1ED020I12-F驱动器IC过程控制和反馈信号并提供电流绝缘
2020-04-14 09:54:37
第一部工业以太网解决方案的优势和作用目前，世界各地的制造工厂都依赖以太网解决方案来满足工业应用对实时性能和耐用性的要求。与传统现场总线相比，以太网能提供更快的速率，能更好地处理大批量数据，最终还能
2019-07-18 07:40:03
上海回收IGBT模块FF200R12KT3_E 200A,1200V,共发射极,用于矩阵开关,双向变换器等 62mm ?回收IGBT模块电话151-5220-9946 QQ 2360670759江苏
2021-09-17 19:23:57
IR全新坚固耐用的1200V控制集成电路
电源管理技术领先供应商国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出用于工业电机驱动控制的额定1200VIR2214和
2009-07-06 08:42:28798 IR针对汽车应用推出1200V绝缘IGBT AUIRG7CH80K6B-M
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32697 Infineon 公司的EconoDUAL 3模块是600A/1200V的IGBT,主要的典型应用包括自动驱动系统的频率变换器,光伏电压系统的中央逆变器,汽车柴油发动机驱动器(CAV),同等封装尺寸,可增加功率30%.本文
2010-06-21 21:52:093084 
华润上华已开发完成1200V Trench NPT IGBT(沟槽非穿通型绝缘栅双极晶体管)工艺平台，各项参数均达到设计要求，成功进入Trench IGBT代工市场。
2011-03-31 09:23:061470 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出坚固耐用的车用 MOSFET系列，适合多种内燃机 (ICE) 和混合动力车平台应用
2011-04-12 09:47:051054 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出针对感应加热、不间断电源(UPS)太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效 1200V 绝缘栅双极晶体管
2011-09-07 17:59:471386 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出一对高效、可靠的超高速沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBTs) ，该产品为焊接、高功率整流等感应加热
2011-09-28 09:08:05916 国际整流器（IR）推出新一代绝缘闸双极电晶体（IGBT）技术平台。全新第八代（Gen8） 1200伏特（V）IGBT技术平台利用IR新一代沟道闸极场截止技术，为工业及节能应用提供卓越的性能。
2012-11-27 09:17:331054 飞兆半导体是全球领先的高性能电源和移动半导体解决方案的提供商，其推出一系列1200 V沟槽型场截止IGBT。以硬开关工业应用为目标，如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和电焊机，此新型IGBT 系列将帮助电源工程师在其设计中实现更好的效率和可靠性。
2013-12-05 14:49:571099 驱动IGBT 1200V模块的辅助电源（3 W反激式），感兴趣的可以看看。
2016-05-11 18:08:45
34 英飞凌全新1200V SiC MOSFET经过优化，兼具可靠性与性能优势。它们在动态损耗方面树立了新标杆，相比1200V硅（Si）IGBT低了一个数量级。这在最初可以支持光伏逆变器、不间断电源（UPS）或充电/储能系统等应用的系统改进，此后可将其范围扩大到工业变频器。
2016-05-10 17:17:498006 1200V沟槽栅场截止型IGBT终端设计_陈天
2017-01-08 14:36:357 中国，北京，2017年5月25日讯 -Littelfuse， Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅（SiC）肖特基二极管，以配合2017年欧洲电力转换与智能运动（PCIM）展的开幕。
2017-05-26 14:43:591111 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2017-11-23 18:58:37377 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造 商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS
2017-12-07 06:22:21461 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2017-12-07 17:53:08356 IR2133IR2135 / IR2233IR2355（J＆S）是高压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高端和低端参考输出通道，用于3相应用。专有的HVIC技术可实现坚固耐用的单片结构
2018-05-31 13:00:0058 新一代1200V TRENCHSTOP™ IGBT6专门针对开关频率在15kHz以上的硬开关和谐振拓扑而设计，可满足其对更高能效以及更低导通损耗和开关损耗的要求.
2018-07-11 11:28:574836 
一加6已经在海外正式发布，国行版发布会正在进行中，现在YouTube频道JerryRigEverything已经发布了该机的耐用性测试，它能幸存下来吗？
2019-04-04 10:15:291975 ROHM新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1）的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。
2019-05-13 18:30:571418 随着市场对SiC技术的效率和功率密度的要求不断上升，新推出的700V MOSFET和700V、1200V SBD可为客户提供更多选择。
2019-05-17 08:51:43795 据外媒报道，最近，日本罗姆半导体公司（ROHM）宣布新增两款车用级1200V耐压绝缘栅双极型晶体管（IGBT），此类晶体管非常适合用于电子压缩机内的逆变器，以及正温度系数（PTC）加热器中的开关电路。
2019-05-27 08:41:501493 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1）的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。
2019-05-29 15:15:504947 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管
2020-08-20 18:50:000 英飞凌采用全新 D2PAK-7L 封装的 1200V CoolSiC™ MOSFET，导通电阻从 30mΩ到 350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率
2021-03-01 12:16:022084 。IR-HiRel的解决方案在正向和阻塞状态下具有非常低的功耗，只需要较低的驱动功率，并且具有较高的效率。IGBT可承受高达6.5 kV的电压，并在2 kHz至50 kHz的开关频率下工作。 由于广泛的技术产品组合，工业和功率控制IGBT设计具有优异的电流能力和更高的脉冲负载能力，以实现超低
2021-11-11 18:05:20886 是一款1200V、25A、FS工艺的6寸IGBT晶圆片；1200V壕沟和现场停止技术；低开关损耗；正温度系数；简单的平行技术。广泛应用在中等功率驱动器、1200V光伏、电焊机、工业缝纫机、伺服马达等等领域。
2022-07-14 09:27:501839 
是一款1200V、15A、FS工艺的6寸IGBT晶圆片；1200V壕沟和现场停止技术；低开关损耗；正温度系数；简单的平行技术。
2022-07-28 09:27:241022 
Nytro XF1440 2.5 英寸和 Nytro XM1440 M.2 NVMe 固态硬盘面向具有高可靠性和耐用性的企业和云应用。它们具有 PCIe Gen 3 ×4 接口。
2022-08-29 10:24:24728 当地时间11月15-17日，美国夏威夷，高通将举办一年一度的骁龙技术峰会。按照惯例，骁龙8 Gen2将会正式登场。 这几年，骁龙旗舰平台的升级力度有些疲软，加之功耗发热问题，被很多网友斥为“挤牙膏
2022-10-10 18:23:405620 新技术星期二：耐用性、可靠性 Power Entertainment@Amphenol Connectors
2022-12-29 10:02:501015 
功率GaN技术已证明可为电源转换带来出色的效率。但对于汽车应用这样的市场，解决方案还需要出色的耐用性，才能确保高质量和可靠性。我们必须证明，Nexperia的GaN技术不但可以在高电压和高温下提供操作耐用性，还能在生产中兼顾质量、可靠性和可扩展性，以便成功地投入大电流、高功率的汽车应用。
2023-02-09 09:36:50206 
ROHM新开发的“RGS系列”是满足汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的1200V耐压IGBT。此次推出的4款型号，传导损耗非常低，非常有助于应用的小型化与高效化。
2023-02-09 10:19:23457 
功率 MOSFET 单次和重复雪崩耐用性等级-AN10273
2023-02-09 19:23:422 。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左） 赛米控丹佛斯
2023-04-26 09:17:51608 
RJH1CV7DPQ-E0 数据表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 20:18:540 RJH1CM7DPQ-E0 数据表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-05-15 20:25:300 RJH1CM6DPQ-E0 数据表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:480 RJH1CM5DPQ-E0 数据表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:590 合作关系。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左） 赛米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938 
上海陆芯电子科技有限公司拥有最新一代TrenchField-Stop技术的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-24 17:03:09749 
RJH1CV7DPQ-E0 数据表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-12 19:11:330 RJH1CM7DPQ-E0 数据表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-07-12 19:18:220 RJH1CM6DPQ-E0 数据表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:350 RJH1CM5DPQ-E0 数据表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:500 ) 是基于Magnachip尖端的场截止沟槽技术，可提供10μs的最短短路耐受时间。这种卓越的耐用性使PTC加热器能够在过流情况下免受永久性故障的影响。 此外，TO-247封装的厚大散热器使这些新型IGBT具有出
2023-09-19 16:04:38306 弹簧扭转测试仪如何测量弹性与耐用性？|深圳磐石测控仪器
2023-09-26 09:34:121093 
本文介绍了针对电机驱动进行优化的全新1200 V IGBT和二极管技术。该IGBT结构基于全新微沟槽技术，与标准技术相比，可大幅减少静态损耗，并具备高可控性。而二极管因为优化了场截止设计，其振荡发生
2024-01-09 14:24:50235 
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31智能功率模块 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59347 博士和韩国化学工业大学的Jong-hyeop Baek博士组成的团队韩国光子学与技术研究所的光学半导体显示研究部门开发出技术来克服超细 Micro LED 光效率和耐用性的挑战。
2024-03-08 17:38:40549 
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