Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这三款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件
2011-05-13 08:44:56
928 Diodes公司推出一对互补性双MOSFET组合DMC4040SSD，可用于低压单相/三相无刷直流(BLDC)电机控制应用
2011-06-24 09:00:341178 Diodes公司（Diodes Incorporated） 推出双低压差 （LDO） 稳压器AP7346。新器件专为智能手机、平板电脑和类似的消费电子产品中的指纹辨识模块提供功率及输入／输出电源。
2015-09-14 11:51:00609 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出DMN61D8LVTQ双通道电感负载驱动器，适用於汽车电感负载开关应用，包括窗户、门锁、天线继电器、螺线管及小型直流电机。片上集成式齐纳二极管和偏置电阻器可排除对多个外部元件的需求，有效节省成本及缩减印刷电路板占位面积。
2015-09-22 09:19:09783 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作为符合IEEE 802.3标准的48V以太网供电 （PoE） 系统的开关，能够通过以太网线缆向无线接入点、VoIP网络电话、销售点终端、呼叫系统、IP网络监控镜头及楼房管理设备等终端应用供电。
2015-10-19 13:36:16955 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DMN3027LFG 30V N通道MOSFET作为开关使用，确保在现场可编程门阵列 （FPGA） 电源轨上使用的大型大容量
2015-10-27 09:47:591006 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出DMP4015SPSQ 40V P通道MOSFET，旨在为车用电子控制单元提供电池反向保护。电子控制单元在愈来愈多车用控制
2015-11-05 16:08:271176 PMH系列MOSFET采用了DFN0606封装，占位面积仅为0.62 x 0.62 mm，与前一代DFN1006器件相比，节省了超过36%的空间。
2020-04-23 11:05:58799 汽车级MOSFET导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低28 %，比前代解决方案低31 %，占位面积减小50 %，有助于降低导通功耗，节省能源，同时增加功率密度提高输出。
2021-04-07 10:34:071562 4路PWM如何控制电机H桥？
2022-02-17 08:05:03
的技术信息，RDS(ON)不到60mΩ，占位面积5mm × 0.8mm (1.2mm2) （参见图1），是专为诸如信息娱乐系统等空间受限的应用情况设计的。图1：CSD18541F5l与网格阵列封装相比您的那些家用电器采用的SOT-23 (6.75mm2) 封装（参见图2…
2022-11-16 07:06:25
`Diodes公司继续扩展其功率MOSFET产品组合，采用新型N和P通道器件，击穿电压高达450V，并提供多种封装选择。 Diodes Inc. MOSFET产品系列非常适合各种应用，包括DC-DC
2019-05-13 11:07:19
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的直流-直流降压转换器AP3405针对手机、可穿戴设备及同类型电池供电产品，在轻载和重载的情况下实现高效率。新产品以2MHz
2018-10-09 10:59:43
的元件在实际电路中常采用功率MOSFET管． 由步进电机H桥驱动电路原理可知，电流在绕组中流动是两个完全相反的方向．推动级的信号逻辑应使
2009-08-20 18:24:15
P,N型晶体管H桥上桥发热问题怎么解决
2013-05-12 22:59:18
本文的内容是要告诉大家什么是H桥以及它如何是工作的。我们首先来看马达是如何转动的呢？举个例子：你手里拿着一节电池，用导线将马达和电池两端对接，马达就转动了；然后如果你把电池极性反过来会怎么样呢？没有
2018-10-10 17:57:33
目前一般将H桥驱动当作电机或步进电机的驱动，如下图1所示，要做好驱动电路，必须得了解清楚MOSFET的一些原理，才不会出错。图1 H桥全桥驱动电机1、单个MOSFET作驱动先来看一下MOSFET
2021-07-05 07:18:34
我和H-Bridge'VNH5180A'进行了交互。我试图找到问题好几天了，但我找不到它。 H桥的输出电压不正确。 在桥的Pins是这些电压。我用示波器测量它们：指定电阻前的电压H桥引脚的电压
2019-01-11 16:04:21
请问这个驱动H桥仿真有什么问题啊？一直显示仿真错误
2022-03-25 16:59:52
H桥驱动电路原理
2015-04-07 13:05:37
，A点的电压就是一个方波，最大值是12V+VBAT，最小值是12V（假设二极管为理想二极管）。A点的方波经过简单的整流滤波，可提供高于12V的电压，在驱动控制电路中，H桥由4个N沟道功率MOSFET
2020-07-15 17:35:23
H桥因为电路长得像字母H而得名，通常它会包含四个独立控制的开关元器件，例如下图有四个MOSFET开关元器件Q1、Q2、Q3、Q4。它们通常用于驱动电流较大的负载，比如电机。H桥电路中间有一个直流电机
2022-10-24 11:00:10
0、小叙闲言最开始学习三极管的时候，很注重它的工作原理，后来到了实际应用，就直接把三极管或MOSFET直接当作一个开关器件使用。直到前这几天，接触到MOSFET组成的H桥驱动电路时，发现把它纯当作一
2021-08-31 06:49:35
摘要：针对桥式拓扑功率MOSFET因栅极驱动信号振荡产生的桥臂直通问题，给出了计及各寄生参数的驱动电路等效模型，对栅极驱动信号振荡的机理进行了深入研究，分析了驱动电路各参数与振荡的关系，并以此为依据
2018-08-27 16:00:08
(POL)、高效负载开关和低端切换、稳压器模块(VRM)以及ORing功能。设计人员使用FDMC8010器件，能够将封装尺寸从5mmx6mm减小为3.3mmx3.3mm，节省66%的MOSFET占位面积
2012-04-28 10:21:32
of laser diodes.An example which compares the dispersion of q^ and q/ /characteristics of our
2009-05-12 10:57:51
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
`<p>Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出全球体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm
2009-01-07 16:01:44
介绍了一个完整的 H 桥直流电机驱动器，它使用四个 IR3205 功率 MOSFET 和两个 IR2104 MOSFET 驱动器。理论上，上述 MOSFET 可以处理高达 80A 的电流，但在实践中，如果 MOSFET 温度保持尽可能低，使用大散热器甚至风扇，我们可以预期电流高达 40A。
2022-06-20 07:29:22
原文链接0、小叙闲言最开始学习三极管的时候，很注重它的工作原理，后来到了实际应用，就直接把三极管或MOSFET直接当作一个开关器件使用。直到前这几天，接触到MOSFET组成的H桥驱动电路时，发现把它
2021-09-13 08:14:12
它会包含四个独立控制的开关元器件（例如 MOSFET），它们通常用于驱动电流较大的负载，比如电机，至于为什么要叫H桥（H-Bridge），因为长得比较像 字母H，具体如下图所示；这里有四个开关
2021-06-29 06:10:22
什么是H桥驱动？
2021-10-28 06:22:37
什么是H桥？H桥的原理是什么？如何利用H桥驱动直流电机？
2021-10-25 06:11:06
什么是H桥？H桥的原理是什么？
2021-10-20 06:28:12
一次。目前，我计划使用MCU和单片MOSFET H桥，但希望减少元件数量。所以，有没有这样的节拍？谢尔斯达格尔 以上来自于百度翻译 以下为原文 I have an application
2018-10-29 11:16:42
我想问一下，我想用0到+15V的方波驱动全桥的4个MOSFET，但是老师说要先让这个方波经过IR2110，再去驱动MOSFET，请问这个IR2110有什么作用？不能直接把方波用来驱动MOSFET吗？
2016-03-01 05:45:05
百度查了一下关于H全/半桥电路的知识，但是可能本人理解能力不够，看得有些不懂，有没有大神可以通俗点的讲解关于H全/半桥的电路原理。。最好的是讲解三极管和MOS管的
2019-05-14 09:17:06
还是有点不懂H桥电路。。TA为0和TD置5V。怎么知道TD晶体管集电极的电势？望各位指教
2017-02-25 15:02:19
我用IR2110连接的H桥，上面2个MOSFET用高频方波驱动，下面2个用低频方波驱动。当我的主路电源（也就是给H桥上负载的供电电源）断开，上面2个MOSFET方波正常，当我把主路电源打开并慢慢调
2016-04-06 06:20:15
本帖最后由 厉害liuh 于 2021-8-21 22:59 编辑
制作一个h桥芯片测试设备，过程中测试h桥发现输出波形有下冲，测试电路和h桥内部电路如下输入电压vs为30v，aout
2021-08-14 15:47:00
在Keysight Power Sensor上节省50％
2019-10-17 11:00:32
MOSFET的原理是什么？MOSFET的作用是什么？H桥全桥驱动的原理是什么？如何将H桥驱动当作电机或步进电机的驱动电路？
2021-08-06 07:33:11
MOSFET一般工作在桥式拓扑结构模式下，如图1所示。由于下桥MOSFET驱动电压的参考点为地，较容易设计驱动电路，而上桥的驱动电压是跟随相线电压浮动的，因此如何很好地驱动上桥MOSFET成了设...
2021-07-27 06:44:41
应用电路使用ADuM3100数字隔离器是由高功率开关MOSFET组成的H桥，由低压逻辑信号控制。该电路在逻辑信号和高功率电桥之间提供了方便的接口。该桥使用低成本N沟道功率MOSFET用于H桥的高侧
2019-11-07 08:53:19
怎么实现MOSFET的半桥驱动电路的设计？
2021-10-11 07:18:56
MOSFET减小了75%。图2：传统SOT-23封装，旁边是CSD18541F5LGA封装和这位工程师做了一些快速计算，我们的结论是如果每个电路板用10个元件，他就能节省大约55mm2占位面积——每个元件的节省
2018-08-29 16:09:11
→线圈绕组BA→VD1→电源+Vs．步进电机驱动器中，实现上述开关功能的元件在实际电路中常采用功率MOSFET管． 由步进电机H桥驱动电路
2008-10-21 00:50:02
求教各位大佬：MOSFET半桥驱动芯片空载时为什么HO和LO都没有输出波形？最近我在做D类放大，由于是分模块做的，半桥驱动芯片没有与mosfet相连，是空载。当我把pwm波输入半桥驱动芯片后，半桥驱动器HO和LO无输出。调试了半天也没发现问题。各位大佬如果知道的话，请指点下小弟。万分感谢！！！
2018-04-09 23:54:28
描述H桥逆变器用于将直流电压转换为交流电压。H 桥通常用于从 DC 方波生成纯正弦波。H 桥由 4 个开关组成，可以是晶体管或 MOSFET。在这些开关中，负载两端的电压在用于顺序驱动开关的控制信号
2022-08-30 07:30:39
请问mosfet搭建的H桥为什么比二极管搭建的H桥功耗要低呢？
2023-03-31 13:56:01
个上拉电阻器。虽然这对开关电源轨来说是业经验证的有效解决方案，但它具有较大的占位面积。现在我们可获得更紧凑的解决方案，如德州仪器（TI）的TPS22915等负载开关 —— 它们的占位面积不到1mm2！使用双通道TPS22968更能显著节省空间…
2022-11-18 07:38:15
EVAL-CN0196-EB1Z，H桥驱动器评估板，采用隔离式半桥驱动器。 CN0196是由高功率开关MOSFET组成的H桥，其由低压逻辑信号控制。该电路在逻辑信号和高功率电桥之间提供了方便的接口
2019-05-17 09:15:02
用MOSFET来替代或二极管以减少发热和节省空间
高可用性電信繫統采用冗餘電源或電池供電來增強繫統的可靠性。人們通常采用分立二極管來把這些電源組
2010-03-18 10:11:13
30 MOSFET将封装面积减半-Zetex新款无铅型Zetex 新款无铅型 MOSFET 将占位面积减半模拟信号处理及功率管理方案供应商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其
2008-03-22 14:46:02484 AP21x6 Diodes推出的新型USB电源开关系列
Diodes公司扩展其AP21x1/x2产品阵营，推出AP21x6双USB电源开关系列。相比同类器件，该系列器件拥有更小的占位面
2009-07-29 14:14:24548 随着这种新器件的发布，采用四种表面贴装封装类型的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET现已供货，其中包括耐热增强型PowerPAK® SO-8封装，它可在SO-8占位面积
2009-09-12 17:42:02772 Diodes推出为VoIP应用优化的全新MOSFET
Diodes公司推出两款N沟道MOSFET，为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案，极大地降低了电路的复杂性
2009-12-03 09:50:37764 Diodes针对VoIP应用优化的全新MOSFET，可极大降低成本
Diodes公司推出两款N沟道MOSFET，为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案，极大地降低了电路
2009-12-04 08:33:09626 MJWI10占位面积为1x1吋的10W转换器
Minmax推出占位面积为1 x 1吋的10W转换器MJWI10，dc/dc转换器MJWI10系列具有16个模块，提供高达10 W的功率，采用1x1x0.4吋封
2010-05-10 11:10:061203 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积，较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间
2011-05-31 09:31:183330 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线
2011-06-01 08:54:01452 Diodes公司推出AL8807降压型开关模式LED驱动器。AL8807 LED驱动器采用占位面积较小的SOT25封装。
2011-12-09 10:05:19996 Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其额定电压为25V，适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。
2012-01-11 09:12:44775 Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0.4毫米，占板面积只有四平方毫米，是一款额定电压为 -25V的P通道器
2012-05-03 10:08:401839 Diodes公司近日推出一系列採用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0.4mm，面积只有4mm2，是一款额定电压为 -25V的P通道元件，较同类
2012-05-04 11:34:53926 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出首款采用了晶圆级芯心尺寸封装的肖特基（Schottky） 二极管，为智能手机及平板电脑的设计提供除微型DFN0603器件以外的又一选择。新器件能够以同样的电路板占位面积，实现双倍功率密度。
2013-07-03 13:55:001355 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 为LED照明及通用功率管理应用，推出支持升、降压和电压反向电路拓扑的微型直流-直流转换器。AL8811采用3.0mm x 4.9mm x 1.1mm MSOP-8L封装，只需少量外部元件，就能有效减少电路占位面积及物料清单成本。
2013-07-24 15:19:151121 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出行业首款采用了DFN0806-3微型封装的小信号双极型晶体管。这些器件的占位面积为0.48mm2，离板厚度仅0.4mm，面积比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封装的同类型器件少20%。
2013-08-06 12:26:271220 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出低压差 （LDO） 稳压器AP7340，在1kHz频率下提供高达75dB的电源抑制比，以及在10Hz到100kHz的频率范围内达到60µVrms的低噪声性能，能够为对噪声敏感的音频、视频及射频应用中的模拟电路提供优质供电。
2014-01-15 14:26:17879 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出具有升、降压和逆变功能的直流-直流转换器AL8812。这款器件集成了60V/3.6A的NMOS通道以满足直流-直流控制器采用紧凑的双带散热焊盘DFN6040-12封装的基本功能，能够减少MR16 LED灯电路的波形因数。
2014-07-25 10:23:00794 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出全球首批采用DFN0606封装的NPN晶体管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶体管MMBT3906FZ和BC857BFZ。
2015-01-28 14:07:571385 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出双向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的单电芯及双电芯锂电池充电保护。
2015-02-02 17:23:421032 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的100V全H桥DMHC10H170SFJ，把双N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封装 （5mm x 4.5mm）。
2016-02-16 10:56:361385 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的两款40V车用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ温度额定值高达+175°C，非常适合在高温环境下工作。
2016-03-23 11:41:391070 了解MOSFET数据手册中的安全工作面积（SOA）下
2018-08-23 05:27:001998 关键词：Diodes , LCD , MOSFET , 背光 , 器件 Diodes 公司进一步扩展其多元化的MOSFET 产品系列，推出15款针对 LCD 电视和显示器背光应用的新型器件。新器件
2018-09-10 00:05:02344 关键词：逻辑器件 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出两款采用了全球最小封装形式DFN0808的单门逻辑器件系列74AUP1G及74LVC1G。两款微型逻辑器件的占位
2018-09-23 12:38:02221 该视频展示了16nm FinFet器件的性能，并讨论了Xilinx RFSoC技术如何减少占位面积和功耗，同时提高下一代无线电和RF通信系统的硬件灵活性。
2018-11-30 06:27:003124 了解MOSFET数据手册中的安全工作面积（SOA）上
2019-04-23 06:19:001557 
您的功耗相关设计可以节省双MOSFET的空间，因为您经常成对使用这些功能。飞兆半导体（图片）的P沟道FDZ2552P和类似的N沟道FDZ2551N MOSFET用于低阈值电池保护应用（V GS
2019-08-12 15:08:402772 半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。
2020-05-09 11:07:263165 ，但是使用的方法不一样，芯片的面积是不一样的。基于SRAM有两个事实： （1）1R1W的SRAM面积要比1RW的SRAM的面积大不少。 同样规格的SRAM，增加一组读写接口，其面积会增加很多。但是有一种办法其实有可能将本来需要使用1R1W的SRAM改用1RW SRAM替掉，从而节省
2020-06-22 13:36:091116 占位面积为 9mm2 并内置微功率比较器的独立锂离子电池充电器
2021-03-21 15:22:500 概述 1、描述：progressbutton是占位面积很小的自定义进度指示器。默认实现提供了一个pin进度按钮。 2、实现功能： a.自定义圆形进度条。 b.实现根据Slider滑动更新自定义进度条
2022-03-18 14:45:103 借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小您的元件占位面积
2022-11-02 08:16:250 在计算机科学和人机交互领域中，占位符（Placeholder）是一种用于表示临时或未指定值的符号或字段。占位符在软件开发和设计中起到重要的作用，特别是在用户界面设计和数据处理方面。随着数字时代的发展
2023-11-30 10:15:34185
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