德州仪器 (TI) 宣布推出业界最小型 1.8 A 有刷 DC 电机驱动器,进一步壮大其不断发展的低电压 DRV8x 电机驱动器产品阵营。
2012-08-20 09:07:491204 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器,其速度比同等光学栅极驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 日前,德州仪器(TI)宣布推出一款集成式栅极驱动器,该器件提供了可调节的栅极驱动设置,可在更为宽泛的范围内,灵活的驱动外部场效应晶体管(FET),从而支持多种电机,以
2015-07-06 14:35:111971 近日,德州仪器 (TI) 推出了业内速度最快的半桥栅极驱动器。这款用于分立式功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 的栅极驱动器的工作电压可达到600V。
2015-10-16 16:32:111115 英飞凌提供500多种EiceDRIVER™栅极驱动器解决方案,用于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔离型栅极驱动器、 电平转换栅极驱动器以及非隔离低边驱动器,从而满足各种功率半导体技术和功率转换拓扑的设计要求。
2019-01-29 09:58:3227184 虽然数字逻辑电路在太阳能收集设计中提供关键的监控和控制功能,但功率晶体管为电力输送提供了基础。在这些数字和电源域之间,栅极驱动器提供关键接口功能,在太阳能解决方案中驱动高功率MOSFET和IGBT
2019-01-23 08:23:004168 德州仪器(TI)推出了适用于48 V大功率电机控制系统的0级无刷直流(BLDC)电机驱动器,例如轻度混合动力电动汽车(MHEV)中的牵引逆变器和起动发电机。TI提供的电机驱动器可实现功能安全性
2021-03-10 14:36:0710356 运行。排水泵驱动基于带集成式功率 MOSFET 的单芯片、低外部组件计数三相电机驱动器,并可提供专有无传感器式控制方案,从而实现连续正弦波驱动。此外,它还特有一个集成降压/线性稳压器,可高效地将电源电压
2018-09-25 09:08:58
隔离门驱动器在许多系统中的电力传输扮演着重要角色。对此,世强代理的高性能模拟与混合信号IC厂商Silicon Labs推出可支持高达5KV隔离额定电压值的ISO driver隔离驱动IC Si823x。有谁知道这款业界最佳单芯片隔离驱动器解决方案到底有多厉害吗?
2019-08-02 06:37:15
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
为何需要栅极驱动器栅极驱动器的关键参数
2020-12-25 06:15:08
摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为
2021-07-09 07:00:00
负电压栅极驱动器中的负电压处理是指承受输入和输出端负电压的能力。这些不必要的电压可能是由于开关转换、泄漏或布局不良引起的。栅极驱动器的负电压承受能力对于稳健可靠的解决方案至关重要。图1显示了TI栅极
2019-04-15 06:20:07
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
问题是,即使RMS电流约为200mA,MOSFET芯片也会明显升温。要驱动的电机是24V 90W BLDC电机,相电阻为0.15欧姆,相间电感为200uH。我选择的MOSFET及其栅极驱动器
2018-08-23 10:09:59
AN1315,用于三相电机驱动的L6386 MOSFET功率驱动器评估板。 L6386,用于三相电机驱动的MOSFET功率驱动器。三相演示板是用于评估和设计高压栅极驱动器L6386的参考套件。用户
2019-07-03 09:22:07
描述 PMP9455 参考设计为 800VA 至 3kVA iPure 正弦波低频逆变器提供了高度集成的栅极驱动器解决方案。该设计具有独特的高峰值电流驱动能力,同时集成了具有外部可编程增益和滤波
2018-11-30 15:52:43
描述 PMP9455 参考设计为 800VA 至 3kVA iPure 正弦波低频逆变器提供了高度集成的栅极驱动器解决方案。该设计具有独特的高峰值电流驱动能力,同时集成了具有外部可编程增益和滤波
2022-09-22 06:37:42
接近MOSFET)之间的外部电阻可用于控制栅极处看到的转换速率,从而控制SA和SB输出的di/dt和dv/dt。GHx高功率运转会打开驱动器的上半部分,向外部电机驱动桥中高侧MOSFET的栅极提供电流,并将
2020-09-29 16:51:51
就像每个MOSFET需要一个栅极驱动器来切换它,每个电机后面总是有一个驱动力。根据复杂程度和系统成本、尺寸和性能要求,驱动电机的方式多样。最简单和离散的解决方案是由两个晶体管组成的图腾柱/推挽电路
2017-08-21 14:33:56
设计电动工具系统设计的下一个考虑因素是驱动器的鲁棒性。它将如何执行在恶劣的环境与大瞬变产生的高扭矩电机?当驱动器开关用于控制峰值功率为30千瓦的电机的 mosfet 时,必然会产生大的正负瞬态脉冲。系统设计者
2022-04-14 14:43:07
的解决方案方案描述此 TIDA-00142 参考设计针对额定功率最高约 3kW 的三相无刷直流电机,实现一套完整的控制与驱动解决方案。此设计包括用于旋转 BLDC 电机的模拟电路、数字处理器和软件,无需
2019-10-17 15:12:26
的电机解决方案的通用解决方案。有关更多详细信息,请参见TI栅极驱动器页。若您喜欢集成度更高的解决方案,那么系统级解决方案不仅提供栅极驱动能力,而且还具有MOSFET、片上通信以及不同级别的保护和控制
2019-03-08 06:45:03
隔离电源转换器详解栅极驱动器解决方案选项最优隔离栅极驱动器解决方案
2021-03-08 07:53:35
FAN73912MX是一款单片半桥栅极驱动 IC,设计用于高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT,工作电压高达 +1200 V。 HIN 的先进输入滤波器针对噪声产生的短脉冲输入信号提供保护功能
2021-12-20 09:19:25
栅极驱动器IRS260xD系列提供了一种灵活的解决方案,适用于梯形调制等各种PWM方案。新器件具备负电压尖峰免疫性等完整保护功能,可应用于紧凑、坚固的电机控制设计。” IRS2607D高侧和低侧
2008-11-13 20:40:15
概述:IRS26302DJBPF美国国家半导体公司生产的一款高速功率MOSFET和IGBT驱动器,它把功率MOSFET/IGBT栅极驱动器与三个高侧及三个低侧参考输出通道集成在一起,在最高20V
2021-05-18 07:25:34
用于Si8751隔离式MOSFET驱动器的Si8751-EVB,Si875x评估套件是驱动各种应用中使用的功率开关的理想选择,与普通SSR相比,具有更长的使用寿命和更高的可靠性。 Si8751隔离式
2020-06-08 12:07:42
MOSFET晶体管必须在较高的栅极电压下工作,考虑到后者必须具有快速的dV / dt才能实现快速的开关时间。为了满足下一代MOSFET的严格要求,RECOM推出了各种转换器,专门为SiC MOSFET驱动器
2019-07-30 15:15:17
应用中使用的功率IGBT和MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。 该光电耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定功率高达800 V / 50 A的IGBT。对于
2019-10-30 15:23:17
)。微控制器用于设置 PWM 占空比并负责开环控制。在低压设计中,栅极驱动器和 MOSFET 桥有时会集成在一个单元中。然而,对于高功率单元,为方便热管理,栅极驱动器和 MOSFET 桥会分开布置,这样可以针对
2019-08-13 07:00:00
,PHASE/EN●过温关断电路●短路保护●过流保护●欠压锁定保护AT8212E为摄像机、智能锁、玩具和其它低电压或者电池供电的运动控制类应用提供了一个集成的电机驱动器解决方案。A...
2021-09-02 08:17:21
`描述此参考设计展示了适用于采用 C2000™ Piccolo™ 微控制器和 DRV8412 三相电机驱动器的旋转三相有刷直流或单个步进电机的电机控制解决方案。这一高度集成的稳健电机控制和驱动器
2015-04-29 13:41:05
描述TIDA-00195 参考设计包括一个 22kW 功率级以及 TI 全新的增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器 ISO5852S(适用于各种应用中的电机控制)。此设计可对三相逆变器(其中整合了额定
2018-12-27 11:41:40
,使用双极结型晶体管(BJT)图腾柱驱动低侧配置中的电源开关。但是,由于栅极驱动器IC的诸多优势及其附加特性,它日益取代了这些分立式解决方案。图2显示了典型BJT图腾柱配置与典型栅极驱动器IC。 图 2
2022-11-04 06:40:48
。与基于电容的数字隔离技术相比,这种光耦合器价格昂贵且使用寿命较短。总结无论您正在隔离功率级中的栅极驱动器、隔离电压或电流反馈,还是隔离控制模块中的数字输入,TI 的基于电容的隔离技术都彻底革新了交流电机驱动器的使用寿命和温度要求,且在许多情况下,此种技术提供了比光耦合器更紧凑的解决方案。
2019-10-17 08:53:40
什么是MOSFET驱动器?MOSFET驱动器功耗包括哪些部分?如何计算MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53:00
解决方案相比,极小的功率级布局。该设计还包括两个TI的DRV5013-Q1数字锁存霍尔效应传感器,用于对电机位置进行编码。使用TI的一款固态电机驱动器设计电机控制系统将有助于减小PCB解决方案的尺寸
2019-08-22 04:45:11
、效率低下、解决方案尺寸较大,因而不适合高功率、高密度同步整流应用。图1. 脉冲变压器、光耦合器和ADuM3220栅极驱动器解决方案光耦合器与脉冲变压器相比,使用光耦合器作为栅极驱动器来执行同步整流
2018-10-15 09:46:28
了德州仪器(TI)的基于电容的隔离技术和传统的隔离技术,包括隔离栅极驱动器在功率级、隔离电压、电流反馈或控制模块中隔离式数字输入。 什么是交流电机驱动系统?交流电机驱动是一种使用交流电输入的感应电动机,如图
2019-12-25 16:48:37
电流反馈,还是隔离控制模块中的数字输入,TI 的基于电容的隔离技术都彻底革新了交流电机驱动器的使用寿命和温度要求,且在许多情况下,此种技术提供了比光耦合器更紧凑的解决方案。
2019-11-05 07:00:00
还可以安装Arduino UNO R3连接器。该扩展板上使用的IC驱动器是用于N沟道功率MOSFET的L6398单芯片半桥栅极驱动器。 L6398栅极驱动器和STL220N6F7功率MOSFET组合形成BLDC电机的高电流功率平台,基于STM32 Nucleo板的数字部分提供6步或FOC算法控制解决方案
2020-05-20 08:53:36
在开启时提供此功能。实验验证表明,在高负载范围和低开关速度(《5V/ns)下,SiC-MOSFET或IGBT的电流源驱动与传统方法相比,导通损耗降低了26%。在电机驱动器等应用中,dv/dt 通常限制为 5V/ns,电流源驱动器可提高效率并提供有前途的解决方案。
2023-02-21 16:36:47
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可调消隐时间的过流保护。先进的主动箝位保护欠压和过压锁定保护。两个 1 安培脉冲变压器驱动器,用于故障信号通信。IX6611设计用于为高功率开关器件提供栅极驱动
2023-02-27 09:52:17
您好,我正在尝试使用 MC34GD3000 栅极驱动器,但我们遇到了设备故障和损坏高侧 MOSFET 栅极驱动器的问题。首先,是否有任何关于正确设置栅极驱动器输出的应用说明。我们看到的是在没有任何
2023-04-19 06:36:06
电机是许多电器的主要组成部分之一,而控制电机运转的电机驱动器则是电机的灵魂所在。本文将为您介绍由安森美半导体新推出电机驱动器模组方案,并了解其如何搭配Arduino MICRO一起运作,来简化电机驱动设计方案。
2019-07-18 08:45:44
驱动器解决方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔离式半桥驱动器的功能是驱动上桥臂和下桥臂N沟道MOSFET(或IGBT)的栅极,通过低输出阻抗降低导通损耗,同时通过快速开关时间降低开关损耗。上桥臂
2018-10-16 16:00:23
CSD88599Q5DC采用与TI低电压功率块相同的堆叠管芯技术,用于高频电源应用,但采用优化的硅片,以减少大电流电机驱动应用的传导损耗。除最小化在PCB上并排两个FET带来的寄生电感外,纵向集成两个FET可在同一
2017-08-21 14:21:03
: 步进电机前置驱动器:DRV8711EVM 评估板基于 DRV8711 步进电机控制器,与 NexFET 器件搭配,可驱动一个大电流双极步进电机或两个有刷 DC 电机; 电机驱动
2018-11-29 17:13:53
的整体效率不再是50%,但脉冲变压器本身仍然存在至少50%的效率损失。综上所述,脉冲变压器在栅极驱动器应用中具有如下缺点:占空比限制、效率低下、解决方案尺寸较大,因而不适合高功率、高密度同步整流应用。图
2017-04-05 14:05:25
位功能,可用于各种开关拓扑控制碳化硅(SiC)或硅MOSFET和IGBT功率晶体管。STGAP2SCM配备一个有源米勒钳位专用引脚,为设计人员防止半桥配置晶体管意外导通提供一个简便的解决方案。在
2018-08-06 14:37:25
根据 MOSFET 特征精确调整栅极驱动器并对性能进行优化。不过,这种方法也存在缺点,它需要高水平的电机设计经验以及容纳分立解决方案所需的空间。 模块化电机控制解决方案提供了另一种选择,市场上
2019-09-23 08:30:00
的 MOSFET(图 2)。微控制器用于设置 PWM 占空比并负责开环控制。在低压设计中,栅极驱动器和 MOSFET 桥有时会集成在一个单元中。然而,对于高功率单元,为方便热管理,栅极驱动器
2019-10-31 08:00:00
将减小元件尺寸,从而减小成本、系统尺寸和重量;这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化,其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
频率将减小元件尺寸,从而减小成本、系统尺寸和重量;这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化,其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
减小元件尺寸,从而减小成本、系统尺寸和重量;这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化,其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
芯片驱动器从MTD6501开始用于BLDC电机控制的MOSFET栅极驱动器从MCP8024开始Microchip屡获殊荣的8位PIC®MCU是用于简单梯形感测或无传感器控制的绝佳解决方案用于BLDC电机
2018-08-04 11:39:53
最近在逛PIC官网的时候,查找相关应用手册的时候挖到的一篇文章。根据电机控制应用需求选择合适的MOSFET 驱动器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
栅极驱动器解决方案TI提供专为电动座椅设计的多电机汽车栅极驱动器。DRV8714-Q1和DRV8718-Q1的半桥栅极驱动器分别具有四个通道和八个通道。它们集成了电荷泵、电流检测放大器和可用于多个负载
2022-11-03 07:05:16
和 –4V 输出电压以及 1W(...)主要特色用于在半桥配置中驱动 SiC MOSFET 的紧凑型双通道栅极驱动器解决方案4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动能力,适用于驱动 SiC
2018-10-16 17:15:55
栅极驱动器,能够驱动 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 内置 VCC 和 VB 欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S 逻辑输入兼容 TTL 和 CMOS(低至 3.3V),方便与控制设备接口。该驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲设计。
2021-09-14 07:29:33
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布,推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM,用于驱动电动汽车(EV)逆变器的IGBT(绝缘栅双极型晶体管和SiC(碳化硅)MOSFET等高压功率
2023-02-15 11:19:05
,与典型的继电器解决方案相比,可创建非常小的功率级布局。该设计还包括两个TI的DRV5013-Q1锁存型霍尔传感器,用于对电机位置进行编码。 使用TI的固态电机驱动器设计电机控制系统将有助于减小PCB
2020-06-26 07:00:00
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩(电动汽车充电站)应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT/功率 MOSFET 是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对
2018-11-01 11:35:35
,可提供完全经济高效的栅极驱动解决方案(图1)。该器件具有2.5A轨到轨输出,非常适合驱动工业电源逆变器和电机驱动器中的IGBT和功率MOSFET。最终结果是易于使用,紧凑且经济实惠的IGBT栅极驱动光电
2018-08-18 12:05:14
越来越多地使用。而PWM的使用需要采用半导体方案,例如分立式MOSFET结合MOSFET栅极驱动器。在此类应用中,通常高边和低边开关均采用N-沟道MOSFET,见图 2。图 2:用于双向电机控制的分立式
2018-12-07 10:11:19
www.ti.com/gatedrivers开始设计您的高效系统。 其他信息TI Designs参考设计库中展示了高效率系统中的高速栅极驱动器:“隔离GaN驱动器参考设计”。“用于电信的1 kW三路隔离DC
2019-03-08 06:45:10
Toshiba推出低功率栅极驱动光耦合器
Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔离器,设计用来驱动需要输出电流高达±6.0A的IGBT和功率MOSFET。新的驱动器IC光耦合器TLP358系
2010-01-20 08:37:03696 TI推出具备板载功率MOSFET的全集成型双路功率驱动器
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款具备集成型功率 MOSFET、保护模块以及监控特性的数字双路同步降压功率驱动器,
2010-02-23 09:26:57670 德州仪器(TI)宣布推出用于配合高密度电源转换器中 MOSFET 与氮化镓 (GaN) 功率场效应晶体管 (FET) 使用的低侧栅极驱动器。
2012-02-11 09:59:081435 德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器
2012-04-24 09:56:411411 10 月 1 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器 LTC4440A-5,该器件能以高达 80V
2013-10-09 15:41:271040 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器,可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 恩智浦半导体于2017年3月9日宣布推出全球最小的单芯片SoC解决方案 ——MC9S08SUx微控制器(MCU)系列,该超高压解决方案集成了18V至5V 低压差线性稳压器(LDO)和MOSFET前置驱动器,适合无人机、机器人、电动工具、健康保健以及其他低端无刷直流电机控制 (BLDC)应用。
2017-03-17 14:37:57987 本文介绍了完整的TI电机驱动解决方案和用于电机控制的微控制器。
2017-11-20 16:46:1436 紧凑的18伏BLDC电机参考设计演示了DRV8323栅极驱动器和CSD88584Q5DC电源模块如何驱动11 W/cm3的功率,使工程师能够设计出尺寸更小、重量更轻的电动工具、集成电机模块和无人机等。
2019-08-21 14:22:021789 本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、导通和关断、功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分;驱动器内部电路
2021-06-14 03:51:003144 摘要
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为
2021-01-28 08:13:3820 ROHM不仅提供电机驱动器IC,还提供适用于电机驱动的非隔离型栅极驱动器,以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我们将先介绍罗姆非隔离型栅极驱动器,再介绍ROHM超级结MOSFET
2021-08-09 14:30:512409 TRINAMIC运动控制有限公司宣布推出最新的电池驱动解决方案电机驱动器IC。带有集成功率MOSFET和电荷泵的微型三相电机驱动器IC非常适用于BLDC和PMSM电机,它们仅需一个锂离子电池或双节AA电池即可提供高达2A峰值和2V(1.8V)…11V DC的电压。
2022-04-29 09:07:28619 器设置 PWM 占空比并负责反馈或开环控制。在低压项目中,栅极驱动器和 MOSFET 通常集成为一个单元。但是,对于大功率单元,两个单元是分开的,以便于热管理并最大限度地减少电磁干扰。 发动机控制系统中的栅极驱动器主要设计用于提高外部功率
2022-08-01 18:20:00932 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 单通道栅极驱动器旨在调节碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄体 SO-8 封装,可节省空间并具有精确的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011356 完整的发动机控制系统包括电源、主机微控制器、栅极驱动器和半桥拓扑结构的 MOSFET。微控制器设置 PWM 占空比并负责反馈或开环控制。在低电压项目中,栅极驱动器和 MOSFET 通常集成到一个单元中。然而,对于大功率单元,两个单元是分开的,以方便热管理和最小化电磁干扰。
2022-08-09 09:13:233098 本文介绍了在电机驱动应用中为功率级选择隔离式栅极驱动器时,您有多种选择。栅极驱动器可简单可复杂,具有集成米勒箝位、分离输出或绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 发射极的欠压 (UVLO) 锁定参考等功能。
2022-11-30 09:58:211105 IGBT/功率MOSFET是一种电压控制器件,用作电源电路和电机驱动器等系统中的开关元件。栅极是每个设备的电气隔离控制端子。 MOSFET的其他端子是源极和漏极,对于IGBT,它们被称为集电极
2023-01-30 17:17:121152 栅极驱动参考 1.PWM直接驱动2.双极Totem-Pole驱动器3.MOSFET Totem-Pole驱动器4.速度增强电路5.dv/dt保护 1.PWM直接驱动 在电源应用中,驱动主开关
2023-02-23 15:59:0017 功率 MOSFET 是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
2023-04-04 09:58:391006 栅极驱动器是一个用于放大来自微控制器或其他来源的低电压或低电流的缓冲电栅极驱动器的原理及应用分析用中,微控制器输出通常不适合用于驱动功率较大的晶体管。
2023-05-17 10:14:526261 功率 MOSFET 是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
为了操作 MOSFET,通常须将一个电压施加于栅极(相对于源极或发射极)。使用专用驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。
2023-05-17 10:21:391475 在电机驱动系统中,栅极驱动器或“预驱动器” IC常与N沟道功率MOSFET一起使用,以提供驱动电机所需的大电流。在选择驱动器IC、MOSFET以及某些情况下用到的相关无源元件时,有很多需要考量的设计因素。如果对这个过程了解不透彻,将导致实现方式的差强人意。
2023-08-02 18:18:34809 BLDC电机控制解决方案 ,该方案由高度集成的三相智能栅极驱动器实现,可直接驱动三个N沟道MOSFET电桥,而内部的降压-升压功能还可进一步减少器件数量,从而提供系统电源。 系统框图 此次给大家带来的方案由6个具有低导通电阻的
2023-10-12 18:15:01303 意法半导体(下文为ST)的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36580 在一个封装中集成了dsPIC33数字信号控制器(DSC)、一个三相MOSFET栅极驱动器和可选LIN或CANFD收发器。这种集成的一个显著优势是减少电机控制系统设
2024-03-08 08:22:30117
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