结型场效应管JFET偏置电路
一、 实验目的
1、 学习JFET自偏电压电路。
2、 学习JFET分压偏置电路。
3、 估算JFET自偏压电路的静态工作点,几栅源电压Vgs、漏极电压Id和漏源电压V-ds,并比较估算值与计算值。
4、 检验JFET自偏压电路的稳定性。
5、 估算JFET分压偏压便置电路的静态工作点Vgs、Id、和Vds 、并比较估算值与测量值。
6、 检验分压偏置电路的稳定性。
二、 实验器材
JFET MPF102 1个
直流电源 1个
直流电压表 3个
0—20mA直流毫安表 1个
电阻:100Ω、1kΩ、1.3KΩ、500KΩ、1MΩ、和3.5MΩ 各一个
三、 实验原理
在图1 所示的JFET自偏压电路中,设栅极电流为零,栅极电阻Rg两端的电压Vg亦为零,则栅源电压等于源极电压Vs的负值
Vgs=Vg-Vs=0-Vs=-Vs
图1 JFET自偏电压电路
其中源极电压Vs等于漏级电流Id与源极电阻Rs的乘积
Vs=IdRs
在图2 所示的JFET分压偏置电路中,设栅极电流为零,则栅极电压Vgs等于栅极电压Vg减去源极电压Vs
Vgs=Vg-Vs
图1 JFET分压偏置电路
其中源极电压Vs 等于漏极电流Id与源极电阻Rs的乘积
Vs=IdRs
栅极电压为分压电阻R2与R1的分压比乘以电源电压Vdd
Vg=R2Vdd/(R1+R2)
四、 实验步骤
1、 在电子工作平台上建立如图所示的实验电路。单击仿真开关运行动态分析。记录漏极电流Id、漏极电压Vds、源极电压Vs和栅极电压Vg的读数。
2、 根据步骤1的读数,计算栅源电压Vgs,并确定JFET自偏压电路的静态工作点。
3、 单击场效应管T,下拉电路菜单Circuit,选择模式命令Model。在弹出的模式对话框中
选中JFET MPF102,单击编辑按扭Edit,调出MPF102的参数。将传输系数Transconductance
Coefficient 由0.00104改为0.0005,然后单击接受按钮。改变这个传输系数,是为了检验
更换JEFT对场效应管自偏压电路漏极直流电路的影响,也可间接反映静态工作电的稳定性。
单击仿真开关运行动态分析,并记录漏极电流Id和漏源电压Vds。
4、 确定T传输系数为0.0005时电路的静态工作点,然后再将JFET MPF102的传输系数改为0.00104。
5、 在EWB平台上建立如图4—13所示的分压式电路。单击仿真开关运行动态分析,记录Id、Vds、Vs和Vg的读数。
6、 根据步骤5的读数,计算栅源电压Vgs,确定电路的静态工作点。
7、 按步骤3的方式,将场效应管T的传输系数由0.00104改为0.0005。单击仿真开关运行动态分析,记录Id、和Vds,确定传输系数为0.0005时电路的静态工作点,然后再将T的传输系数改回0.00104。
五、 思考与分析
1、 再两种JFET偏置电路中,静态工作点的测量值与计算值比较情况如何?
2、 根据步骤3和7的实验数据,分析JFET自偏压电路和分压式电路静态工作点的稳定性。那种便置地电路的稳定性较高?
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