箔式应变计与半导体应变计性能比较

实验 箔式应变计与半导体应变计性能比较
实验目地：
通过实验对两种应变电路的特性有充分的了解
实验所需部件：
直流稳压电源、箔式应变计、半导体应变计、应变式传感器实验模块、螺
旋测微仪、数字电压表、应变加热器、温度计（自备）
实验步骤：
1、分别进行箔式应变单臂电桥与半导体应变单臂电桥实验，直流激励源
统一为±2V，差动放大器增益置一固定位置，接线如图（1）。
调整系统，在相同的外部环境下测得两组数据并填入下表：

2、将电桥中R1固定电阻分别换成箔式片与半导体片，做半桥实验，测得的两组数据也填入上表。
3、在同一坐标上做出四条V-X 曲线进行比较。
4、打开应变加热器，测得箔式应变电桥与半导体应变电桥的温飘，进行温度特性比较。

注意事项：半导体应变计加热后温飘是非常大的，即使是加热到了相对的热平衡，但只要温度不是绝对稳定，电桥输出往往还是不能稳定，这不是仪器的毛病