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电子发烧友网>LEDs>挪威科学技术院院士在IFWS 2019上介绍石墨烯衬底AlGaN纳米线外延生长技术

挪威科学技术院院士在IFWS 2019上介绍石墨烯衬底AlGaN纳米线外延生长技术

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2022-10-18 15:07:46492

基于石墨烯/硅纳米线阵列异质结的响应式近红外光探测器

基于此,在本文中,研究了一种基于硅纳米线阵列/石墨烯异质结的高灵敏度近红外光探测器,并对其电性能与光学特性进行了研究。
2022-11-24 11:20:561110

什么是纳米线?纳米线在半导体的作用

纳米线是一种很长很细的纳米材料。在技术术语中,这意味着它们具有高纵横比。考虑到这是一个与传统电线相似的几何形状,它们在电子和纳米电子设备中具有很大的潜力。
2022-12-19 10:56:443456

碳化硅纳米线的应用

100nm ,长度方向上远高于径向尺寸的单晶纤维。SiC纳米线生产技术一直都是全球研究的中心及难点。SiC纳米线在全球产量不高,一般为实验室水平生产(每次产量约几十微克)。 SiC纳米线 SiC晶须SiC
2023-02-20 15:52:540

碳化硅(SiC)纳米线介绍

SiC纳米线是一种径向上尺寸低于100nm,长度方向上远高于径向尺寸的单晶纤维。SiC纳米线生产技术一直都是全球研究的中 心及难点。SiC纳米线在全球产量不高,一般为实验室水平生产(每次产量约几十微克)。
2023-02-21 09:24:050

威科技集团接连荣获3项省级科学技术奖,气体传感器技术备受瞩目

近日,汉威科技集团荣获吉林省人民政府、河南省人民政府颁发的3项科学技术奖,均与气体传感器有关。
2023-04-07 15:47:164255

威科技集团接连荣获3项省级科学技术奖,气体传感器技术备受瞩目!

近日,汉威科技集团荣获吉林省人民政府、河南省人民政府颁发的3项科学技术奖,均与气体传感器有关。 其中汉威科技集团及子公司炜盛科技参与研发的“全固态气体传感器的开发及其在环境监测和安全监控等领域
2023-04-11 14:43:54279

SiC外延工艺基本介绍

外延层是在晶圆的基础上,经过外延工艺生长出特定单晶薄膜,衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片,可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、 IGBT 等功率器件,其中应用最多的是4H-SiC 型衬底
2023-05-31 09:27:092833

GaN外延生长方法及生长模式

衬底上实现高质量的外延生长GaN基材料。GaN材料的生长是在高温下,通过TMGa分解出的Ga与NH3的化学反应实现的,生长GaN需要一定的生长温度,且需要一定的NH3分压。
2023-06-10 09:43:44682

浅谈GaN 异质衬底外延生长方法

HVPE(氢化物气相外延法)与上述两种方法的区别还是在于镓源,此方法通常以镓的氯化物GaCl3为镓源,NH3为氮源,在衬底上以1000 ℃左右的温度生长出GaN晶体。
2023-06-11 11:11:32277

挪威科技大学使用全志D1-H哪吒开发板开设操作系统课程

近日,哪吒走进了北欧的大学课堂。挪威科技大学的MichaelEngel教授就在操作系统的课程中介绍并使用了哪吒D1及玄铁C906,并在课件中详细展示了如何在哪吒上玩转MIT的xv6OS。挪威科
2022-03-25 10:02:53738

几种led衬底的主要特性对比 氮化镓同质外延的难处

GaN半导体产业链各环节为:衬底→GaN材料外延→器件设计→器件制造。其中,衬底是整个产业链的基础。 作为衬底,GaN自然是最适合用来作为GaN外延生长衬底材料。
2023-08-10 10:53:31664

氮化镓衬底外延片哪个技术衬底为什么要做外延

氮化镓衬底是一种用于制造氮化镓(GaN)基础半导体器件的基板材料。GaN是一种III-V族化合物半导体材料,具有优异的电子特性和高频特性,适用于高功率、高频率和高温应用。 使用氮化镓衬底可以在上面生长
2023-08-22 15:17:312379

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