本内容主要介绍了硅衬底LED芯片主要制造工艺，介绍了什么是led衬底，led衬底材料等方面的制作工艺知识
2011-11-03 17:45:13
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在今年刚刚结束的“日本第3届LED及有机EL照明展”上，村田电子向观众展出了新型白色LED，其衬底材料使用了氧化镓（β-Ga2O3），容易提高光输出功率。
2013-01-21 09:42:311169 LED芯片技术的发展关键在于衬底材料和晶圆生长技术。除了传统的蓝宝石、硅（Si）、碳化硅（SiC）衬底材料以外，氧化锌（ZnO）和氮化镓（GaN）等也是当前LED芯片研究的焦点。
2014-05-13 17:40:073742 近年来，LED制造工艺的不断进步和新材料（氮化物晶体和荧光粉）的开发和应用，各种颜色的超高亮度LED取得了突破性进展。##近年来，LED制造工艺的不断进步和新材料（氮化物晶体和荧光粉）的开发和应用，各种颜色的超高亮度LED取得了突破性进展。
2015-08-17 16:16:0022232 正是由于“中国芯”硅衬底LED的诸多优势，目前三星等国际大公司以及LED行业几大巨头如飞利浦、欧司朗、CREE等都加大了对硅衬底LED技术的研发力度。面对国际企业的竞争压力，朱立秋建议，要保持先发优势，避免“起个大早赶个晚集”，提升中国原创技术自主品牌的国际竞争力，已经成为迫在眉睫的重要课题。
2016-03-08 10:52:292766 大多数现代LED由氮化铟镓（InGaN）和蓝宝石衬底组成。该架构运行良好，并使LED制造商能够提供效率超过150流明/瓦的产品。然而，该架构确实存在一些缺点，这些缺点促使芯片制造商寻求其他选择。
2019-01-17 08:21:0011042 
应用放射性示踪技术研究了金属杂质(如钡、铯、锌和锰)从化学放大光刻胶中迁移和吸附到硅基底层衬底上的行为。评估了两个重要的工艺参数，即烘烤温度和衬底类型(如裸硅、多晶硅、氧化物和氮化物)。结果表明
2021-12-13 10:02:32915 
氮化镓由于其宽的直接带隙、高热和化学稳定性，已成为短波长发射器（发光二极管和二极管激光器）和探测器等许多光电应用的诱人半导体，以及高功率和高温电子器件。对于实现先进的氮化镓器件，如激光二极管或高功率灯，对低线程位错密度(<106cm-2)的高质量氮化镓衬底有很强的需求。
2022-02-08 15:26:132894 
本文研究了硅的氧化物和氮化物的气相氟化氢蚀刻作用，新的氧化物选择性模式，概述了通过将无水高频与控制量的水蒸汽混合而产生高频蒸汽蚀刻剂的实现方法，描述了一种通过将氮气通过高频水溶液而引入高频蒸汽的系统。
2022-04-11 16:41:191102 
本文介绍了在缓冲氧化物腐蚀(BOE)溶液中温度对氮化物和氧化物层腐蚀速率的影响。明确的框架结构和减少的蚀刻时间将提高制造过程的生产率，该方法从图案化氮化硅开始，以研究在BOE工艺之后形成的框架结构
2022-05-05 14:00:50907 
电子发烧友网报道（文/吴子鹏）2023年底，清华大学与中国北京凝聚态物理国家实验室宣布，研究团队通过使用独立式氮化镓衬底 （freestanding gallium nitride
2024-02-04 00:07:004560 氧化铝晶体导报 工艺情报交流记者李博民高工2011-10-20 长LED蓝宝石的5N 氧化铝 ，铁必须小于5pp， 硅小于5pp， 锆小于1pp ，钛小于1pp，铜小于1ppm，镍小于1pp，钇
2011-12-20 10:03:56
高效能、高电压的射频基础设施。几年后，即2008年，氮化镓金属氧化物半导场效晶体（MOSFET）（在硅衬底上形成）得到推广，但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件，使用率较低。
2023-06-15 15:50:54
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
扮演着关键的角色。与此同时，美国国防部还通过了高级研究计划局 (DARPA) 的宽带隙半导体技术 (WBST) 计划，该计划在氮化镓的早期开发中发挥了积极的推动作用。该项计划于 2001 年正式启动，力求
2017-08-15 17:47:34
了高密度光存储、激光直写光刻和光固化产业的发展。2014年，氮化镓基LED的发明者赤崎勇、天野浩和中村修二教授被授予当年的诺贝尔物理学奖。 此后，GaN基激光器向蓝绿光和紫外光波段进行拓展，特别是蓝光
2020-11-27 16:32:53
半导体在光电子器件中已经得到广泛应用,例如制作液晶显示器、紫外光探测器都要用到p型宽带隙氧化物半导体。目前这类氧化物研究主要包括P型ZnO[1]与P型铜铁矿结构氧化物[2]-[8]。在这类氧化物中,CuCrO2除了具有P型透明导电性以外,最近又报道了它的高温热电特全文下载
2010-04-24 09:00:59
衬底而引起了人们对大功率应用的广泛关注。但其性能仍低于氮化镓衬底上的垂直氮化镓器件。关键问题是在硅衬底上实现低位错密度和连续厚氮化镓层具有挑战性。会上，北京大学冯玉霞博士结合具体的研究实践，分享了Si
2018-11-05 09:51:35
，3000多种产品，应用领域覆盖无线、光纤、雷达、有线通信及军事通信等领域，2016年营收达到了5.443亿美元。氮化镓是目前MACOM重点投入的方向，与很多公司的氮化镓采用碳化硅（SiC）做衬底
2017-09-04 15:02:41
的优势，近年来在功率器件市场大受欢迎。然而，其居高不下的成本使得氮化镓技术的应用受到很多限制。 但是随着硅基氮化镓技术的深入研究，我们逐渐发现了一条完全不同的道路，甚至可以说是颠覆性的半导体技术。这就
2017-07-18 16:38:20
和Ag-In瞬态液相键合技术进行了研究。 实验 本研究选择Sn96.5-Ag3.5焊膏，采用直接覆铜 (DBC)衬底作为SiC功率器件的封装衬底。DBC衬底使用了一个夹在两片0.2032mm铜板之间
2018-09-11 16:12:04
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 半导体材料与器件手册编号：JFSJ-21-059III族氮化物半导体的光学特性介绍III 族氮化物材料的光学特性显然与光电应用直接相关，但测量光学特性
2021-07-08 13:08:32
解决的问题，以开发适用于 III 族氮化物外延的 GaN 衬底的表面处理。 1. 介绍 单晶体 GaN 衬底是最有希望替代蓝宝石衬底的候选者之一，蓝宝石衬底常用于 III 族氮化物器件，如发光二极管 (LED
2021-07-07 10:26:01
大多数 III 族氮化物的加工都是通过干式等离子体蚀刻完成的。 干式蚀刻有几个缺点，包括产生离子诱导损伤 并且难以获得激光所需的光滑蚀刻侧壁。通过干法蚀刻产生的侧壁的粗糙度约为 50 nm，尽管最近
2021-07-07 10:24:07
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花？看到一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样
2019-07-31 07:54:41
% 化学物及能源损耗，此外还能，再加上节省超过 50% 的包装材料，那氮化镓的环保优势，将远远大于传统慢速比低速硅材料。
2023-06-15 15:47:44
%。另外，以上研究结果都是建立在实验室基础之上的，今后仍有很大的发展空间。图4：利用“Na Flux（钠助溶）法”和“Point Seed（点籽晶）法”可制作出高质量、大尺寸的氮化硅衬底。利用“Na
2023-02-23 15:46:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
第三代半导体材料的SiC的应用研究起步更早，而之所以GaN近年来更为抢眼，主要的原因有两点。[color=rgb(51, 51, 51) !important]首先，GaN在降低成本方面显示出了更强的潜力
2019-07-08 04:20:32
镀膜，基本上都是铝薄膜。包装占到了约60%，其余的大部分用于制造电容。 一些通常应用需要制备不同的金属、合金、氧化物、氮化物、卤化物，沉淀在各种基片上，如聚合物、金属、纸、织物上，要么单层薄膜要么多层
2016-06-17 14:42:10
毕设题目： 基于物联网技术的室内无线定位技术研究 ，可以用无线传感器网络定位来做么？
2016-05-18 22:35:13
请大佬详细介绍一下关于基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
2021-04-12 06:23:23
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
随着国家对节能减排的日益重视，成都LED灯市场的逐步启动，飞利浦、富士康等大公司涉足LED灯行业，LED概念股普涨，使得LED技术成为大众热点，下面简要概述LED衬底技术。上图为LED封装结构示意图
2012-03-15 10:20:43
AN - 2000-055564 [05]11 48/66 - (C) WPI / DERWENT AN - 1999-363504 [31]【申请号】 02802023 【发明名称】 获得整体单晶性含镓氮化物的方法及装置【申请号】 200410002946 【 发明名称】 制造第三族氮化物衬底的方法
2009-10-19 14:57:15
对LINIO2、LIMN2I4、LINIXCO1AXO2、V2O5也有较多的研究；固体电解质膜方面以对LIPON膜的研究为主；阳极膜方面以对锂金属替代物的研究为主，比如锡和氮化物、氧化物以及非晶硅膜，研究多集中在循环交通的提高。在薄膜锂电池结构方面，三维结构将是今后研究的一个重要方向。
2011-03-11 15:44:52
目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国CREE公司垄断了SiC衬底上GaN基LED专利技术。因此，研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。南昌大学
2010-06-07 11:27:281388 
LED衬底材料有哪些种类
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要
2011-01-05 09:10:254039 目前市场上LED用到的衬底材料有蓝宝石、碳化硅SiC、硅Si、氧化锌 ZnO、 以及氮化镓GaN，中国市场上99%的衬底材料是蓝宝石，而就全球範围来看，蓝宝石衬底的LED市场份额也占到95%以上
2012-11-28 09:22:542067 LED外延片的生产制作过程是非常复杂，本文详细介绍了LED外延片的相关内容，包括产品介绍、衬底材料。
2012-12-05 10:37:142683 白光LED正朝着更高光效、更好光色品质、更高封装密度和更高信赖性方向发展。其中的氮化物红色荧光粉的性能直接影响到白光LED的光效、色温、显色指数以及使用寿命，特别是其抗高温高湿性能的优劣对于中高功率
2016-04-12 11:01:182127 南昌大学江风益团队成功研发硅衬底LED技术，使中国成为世界上继日美之后第三个掌握蓝光LED自主知识产权技术的国家。这项高新技术和成功产业化，获得了2015年度国家技术发明奖一等奖，硅衬底时代随即到来。
2016-05-11 16:38:431971 芯片是五面发光的，通常需要将将芯片置于支架内，反光杯的开口面积远大于芯片发光面积，导致单位面积光通量低，芯片表面颜色均匀性非常差，芯片正上方偏蓝，而外圈偏黄。 基于氮化镓的蓝/白光LED的芯片结构强烈依赖于所用的衬底材料。目前大部分厂商采用蓝宝石作为衬底材料
2016-11-05 08:19:156265 今天的高亮度LED的主要技术是氮化镓（GaN）在蓝宝石或碳化硅（SiC）衬底上。这些材料是受欢迎的，因为所得到的发光二极管明亮，高效，并持续很长一段时间。
2017-05-27 09:44:21
8 当代LED大部分是由一个组合的氮化铟镓（InGaN）和蓝宝石衬底。建筑作品，使得LED制造商提供150 lm/W，然而过量的参展功效产品，建筑也有一些缺点，鼓励芯片制造商寻求其他选择。
2017-06-01 10:49:394 和坚持的结果。 赤崎和天野的研究小组，就在GaN类蓝色LED的开发中做出了重要贡献。赤崎在2001年获得了应用物理学会成就奖，获奖理由中有这样一段话：在GaN类氮化物半导体材料和元器件的研发中，赤崎及其研究小组的研究是所有研究的出发点。通过开发低
2017-10-16 13:04:4216 氮化镓单晶材料生长难度非常大，苏州纳维的2英寸氮化镓名列第一。真正的实现了“中国造”的氮化镓衬底晶片。氮化物半导体的产业发展非常快，同样也是氮化物半导体产业发展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:017651 氮化物宽禁带半导体在微波功率器件和电力电子器件方面已经展现出巨大的应用前景，而AlGaN沟道HEMT器件是一种适宜更高电压应用的新型氮化物电力电子器件。但是，材料结晶质量差和电学性能低，是限制
2018-07-26 09:09:00752 
显示技术。作为全球硅衬底GaN基LED技术的领跑者，晶能光电最近也将目光投向了Micro LED。
2018-08-27 17:37:127087 典型的GaN射频器件的加工工艺主要包括如下环节：外延生长-器件隔离-欧姆接触（制作源极、漏极）-氮化物钝化-栅极制作-场板制作-衬底减薄-衬底通孔等环节。
2018-10-26 17:33:0610616 美国罗彻斯特理工学院（Rochester Institute of Technology）的研究者新设计出一种垂直集成氮化镓LED结构，有助于提高Micro LED显示器的效率。
2019-03-15 11:22:413990 LED衬底材料是半导体照明产业的基础材料，其决定了半导体照明技术的发展路线。目前，能作为LED衬底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最广泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:033717 目前，LED芯片技术的发展关键在于衬底材料和晶圆生长技术。除了传统的蓝宝石、硅（Si）、碳化硅（SiC）衬底材料以外，氧化锌（ZnO）和氮化镓（GaN）等也是当前LED芯片研究的焦点。
2019-10-04 17:35:001111 
目前LED产业大多以2英寸或4英寸的蓝宝石基板为主，如能采用硅基氮化镓技术，至少可节省75%的原料成本。据日本三垦电气公司估计，使用硅衬底制作大尺寸蓝光氮化镓LED的制造成本将比蓝宝石衬底和碳化硅衬底低90%。
2019-09-12 16:03:313794 近日，康佳一则招募氮化镓工程师的官方启事引发业界高度关注。康佳副总裁李宏韬在接受记者采访时解释，招募氮化镓工程师是希望加快推进康佳在Micro LED芯片研发上的工作。在经过了长时间的积累与沉淀之后，康佳以氮化镓技术为突破，发力Micro LED的号角已经吹响。
2020-02-28 15:30:351283 据BusinessKorea报道，韩国科技研究院KIST于3月8日宣布研究院的一个团队成功开发出一种能够替代氮化镓生产蓝光LED的新型LED材料。据悉，这是韩国在努力减少在材料与零部件领域对日本的依赖之际实现的技术突破。
2020-03-10 14:05:48762 。III族氮化物化合物半导体具有带隙可调的优点，响应波段范围可覆盖可见-紫外波段。GaN紫外传感器具有体积小、灵敏度高、噪声低、抗可见光干扰能力强、功耗低、寿命长等优点。（以下为系列中部分产品）
2020-07-13 10:54:581678 据报道，武汉大学的研究团队近期公布了采用PSSA（patterned sapphire with silica array）衬底来降低氮化镓接合边界失配问题的方法，提出PSSA衬底可提高铟氮化镓、氮化镓（InGaN/GaN）倒装芯片可见光LED的效率。
2020-12-09 17:00:23793 研发基地与高端产品生产基地，预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片。 据苏州纳米城消息，该公司实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸产品的关键核心技术，成为国内唯一一家能够同时批量提供2英寸高导
2021-01-28 09:19:342253 图形化蓝宝石衬底已经在可见光LED领域得到广泛的应用，其优势在于它不仅能有效改善外延生长质量，还可以提高LED的光提取效率。基于先进的半导体仿真设计平台，我司技术人员开发出了纳米图形衬底（NPSS
2021-02-23 11:01:28464 
据其介绍，目前公司主要产品包括2至6英寸图形化蓝宝石衬底（PSS）、图形化复合材料衬底（MMS），广泛应用于氮化镓基LED芯片制造。公司建立了广东省半导体衬底工程技术研究中心，围绕下一代氮化镓器件技术进行衬底与外延一体化研发，持续拓展蓝宝石衬底技术的应用领域。
2021-04-01 11:01:182495 
介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术，分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术，提供了
2021-04-21 09:55:203871 
近日，瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）教授Tobias Kippenberg团队开发出一种采用氮化硅衬底制造集成光子电路（光子芯片）技术，得到了创纪录的低光学损耗，且芯片尺寸小。相关研究在《自然—通讯》上发表。
2021-05-24 10:43:384490 基于氮化铝的OPGW交流融冰效率的研究(arduino内置电源)-基于氮化铝的OPGW交流融冰效率的研究这是一份非常不错的资料，欢迎下载，希望对您有帮助！
2021-07-26 13:30:402 第三族氮化物已成为短波长发射器、高温微波晶体管、光电探测器和场发射尖端的通用半导体。这些材料的加工非常重要，因为它们具有异常高的键能。综述了近年来针对这些材料发展起来的湿法刻蚀方法。提出了通过
2022-02-23 16:20:242208 
区域上方形成厚度小于存在于第二区域中的含氮化物层的厚度的含氮化物层。在第一多个栅极结构和第二多个栅极结构上由含氮化物层形成介电间隔物。 背景 本公开涉及半导体结构和器件。更具体地，本公开涉及在半导体器件的制造中采
2022-02-24 13:44:381657 
氮化镓(GaN)是一种宽禁带隙的半导体材料，在半导体行业是继硅之后最受欢迎的材料。这背后的原动力趋势是led，微波，以及最近的电力电子。新的研究领域还包括自旋电子学和纳米带晶体管，利用了氮化镓的一些
2022-03-23 14:15:081093 
本文提供了用于蚀刻膜的方法和设备。一个方面涉及一种在衬底上蚀刻氮化硅的方法，该方法包括:(a)将氟化气体引入等离子体发生器并点燃等离子体以a形成含氟蚀刻溶液；(b)从硅源向等离子体提供硅；以及
2022-04-24 14:58:51979 
Micro LED被誉为新时代显示技术，但目前仍面临关键技术、良率、和成本的挑战。 微米级的Micro LED已经脱离了常规LED工艺，迈入类IC制程。相对其它竞争方案，大尺寸硅衬底氮化镓（GaN
2022-08-17 12:25:421138 制造大直径GaN衬底的要点（钠熔剂法） 丰田合成表示，6英寸功率半导体氮化镓衬底的研发得益于早期LED氮化镓衬底技术的积累。
2022-11-18 12:33:261758 第三代半导体材料，有更高的禁带宽度，是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系，下游应用包括微波射频器件(通信基站等)，电力电子器件(电源等)，光电器件(LED照明等)。不过，第三代半导体材料中，受技术与工艺水平限制，氮化镓材料作为衬底实现
2023-02-03 14:38:461703 生长在c面生长表面上的c面氮化镓基半导体层由于自发极化和压电极化而产生内电场，这降低了辐射复合率。为了防止这样的极化现象，正在进行对非极性或半极性氮化镓基半导体层的研究。
2023-02-05 14:23:451979 
硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 15:47:333197 
硅基氮化镓是一个正在走向成熟的颠覆性半导体技术，硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 16:44:262278 
氮化镓外延片指采用外延方法，使单晶衬底上生长一层或多层氮化镓薄膜而制成的产品。近年来，在国家政策支持下，我国氮化镓外延片行业规模不断扩大。
2023-02-06 17:14:353012 硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-10 10:43:341201 
氮化镓根据衬底不同可分为硅基氮化镓和碳化硅基氮化镓：碳化硅基氮化镓射频器件具有高导热性能和大功率射频输出优势，适用于5G基站、卫星、雷达等领域；硅基氮化镓功率器件主要应用于电力电子器件领域。虽然
2023-02-10 10:52:522987 
由于同质外延结构带来的晶格匹配和热匹配，自支撑氮化镓衬底在提升氮化镓基器件性能方面有着巨大潜力，如发光二极管，激光二极管，功率器件和射频器件等。相比异质衬底外延， 基于自支撑氮化镓晶圆片的同质外延可能是大多氮化镓基器件的绝佳选择。
2023-02-14 09:18:10580 
氮化镓是一种无机化合物，它是一种稀有的金属氮化物，具有高熔点、高硬度和良好的电学性能。它可以用于制造电子元件、电子器件和电子零件，也可以用于制造磁性材料、磁性薄膜和磁性线圈。
2023-02-14 13:56:196722 硅基氮化镓衬底是一种新型的衬底，它可以提高衬底的热稳定性和抗拉强度，从而提高衬底的性能。它主要用于电子、光学、电力、航空航天等领域。
2023-02-14 14:36:081130 氮化镓(GaN)是一种宽禁带隙的半导体材料，在半导体行业是继硅之后最受欢迎的材料。这背后的原动力趋势是led，微波，以
及最近的电力电子。新的研究领域还包括自旋电子学和纳米带晶体管，利用了氮化
2023-02-21 14:57:374 。本研究采用电感耦合等离子体刻
蚀法对氮化镓基发光二极管结构进行干法刻蚀，刻蚀气体为氯气，添加气体为三氯化硼。研究了刻蚀气体流量、电感耦合等离
子体功率、射频功率和室压等关键工艺参数对氮化镓基发光二极管结构刻蚀性
2023-02-22 15:45:410 基于具有规则六边形孔的纳米图案化氮化铝AlN/蓝宝石模板，蓝宝石氮化预处理和解理面的有序横向生长，保证了离散的氮化铝AlN柱，以均匀的面外和面内取向结合，有效地抑制了凝聚过程中穿透位错threading dislocations的再生。
2023-06-25 16:26:11359 
近日，氮化镓行业新增了4个项目，涉及单晶衬底、器件等环节。
2023-07-24 10:35:34921 
以氮化镓（GaN）为代表的一系列具有纤锌矿结构的氮化物半导体是直接带隙半导体材料，其组成的二元混晶或三元混晶在室温下禁带宽度从0.7 eV到6.28 eV连续可调，是制备蓝绿光波段光电器件的优选材料。
2023-08-04 11:47:57742 
GaN半导体产业链各环节为：衬底→GaN材料外延→器件设计→器件制造。其中，衬底是整个产业链的基础。 作为衬底，GaN自然是最适合用来作为GaN外延膜生长的衬底材料。
2023-08-10 10:53:31664 
氮化铝基板具有低缺陷密度、高紫外线透明度和低杂质浓度、超宽带差距及高热传导效率，对uvc led及电力配件等产业非常有魅力。根据目前uvc紫外线led的需求，4英寸基板的使用率超过80%。
2023-08-16 11:08:29603 氮化镓衬底是一种用于制造氮化镓（GaN）基础半导体器件的基板材料。GaN是一种III-V族化合物半导体材料，具有优异的电子特性和高频特性，适用于高功率、高频率和高温应用。
使用氮化镓衬底可以在上面
2023-08-22 15:17:312379 近日，日本化工企业旭化成（Asahi Kasei）旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布，公司生产出了首款4英寸氮化铝（AlN）衬底，展示了公司生长氮化铝块状单晶工艺的可扩展性，以满足各类应用的生产需求。
2023-08-29 14:37:29850 硅衬底GaN材料在中低功率的高频HEMT和LED专业照明领域已经实现规模商用。基于硅衬底GaN材料的Micro LED微显技术和低功率PA正在进行工程化开发。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架构尚处于早期研究阶段。
2023-10-13 16:02:31317 
由于其独特的材料特性，III族氮化物半导体广泛应用于电力、高频电子和固态照明等领域。加热的四甲基氢氧化铵(TMAH)和KOH3处理的取向相关蚀刻已经被用于去除III族氮化物材料中干法蚀刻引起的损伤，并缩小垂直结构。
2023-11-30 09:01:58166 
GaN性能优异，在光电子、微电子器件应用广泛，发展潜力巨大；进一步发展，需提升材料质量，制备高质量氮化镓同质衬底。
2023-12-09 10:24:57716 氮化镓开关管是一种新型的半导体器件，适用于高频高压控制信号的开关应用。它由四个电极组成，包括栅极（G，Gate）、源极（S，Source）、漏极（D，Drain）和衬底（B，Body）。 首先，我们
2023-12-27 14:39:18356 III族氮化物半导体可用于固态照明、电源和射频设备的节能。
2023-12-28 09:15:06444 
晶体管）结构。GaN HEMT由以下主要部分组成： 衬底：氮化镓功率器件的衬底采用高热导率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的热扩散率和散热能力。 二维电子气层：氮化镓衬底上生长一层氮化镓，形成二维电子气层。GaN材料的禁带宽度大，由于
2024-01-09 18:06:41667 当前，人们正在致力于研发氮化镓和其他III族氮化物的高功率、高频率器件。
2024-01-11 09:50:46400 
一个8英寸碳化硅衬底工厂。 得益于最早在电动汽车主驱逆变器上的大规模应用，根据Yole的数据，ST是2022年全球碳化硅器件市场上份额最高的企业。而三安光电是国内化合物半导体IDM龙头，在LED业务之外，还在砷化镓、氮化镓、碳化硅等领域
2023-06-09 09:14:433197
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