陶瓷基板种类 - 陶瓷基板的现状与发展分析

　　4 、基板种类及其特性比较

　　现阶段较普遍的陶瓷散热基板种类共有HTCC、LTCC、DBC、DPC四种，其中HTCC属于较早期发展的技术，但由于烧结温度较高使其电极材料的选择受限，且制作成本相对昂贵，这些因素促使LTCC的发展，LTCC虽然将共烧温度降至约850℃，但缺点是尺寸精确度、产品强度等不易控制。而DBC与DPC则为国内近几年才开发成熟，且能量产化的专业技术，DBC是利用高温加热将Al2O3与Cu板结合，其技术瓶颈在于不易解决Al2O3与Cu板间微气孔产生之问题，这使得该产品的量产能量与良率受到较大的挑战，而DPC技术则是利用直接镀铜技术，将Cu沉积于Al2O3基板之上，其工艺结合材料与薄膜工艺技术，其产品为近年最普遍使用的陶瓷散热基板。然而其材料控制与工艺技术整合能力要求较高，这使得跨入DPC产业并能稳定生产的技术门槛相对较高。

　　4.1 LTCC （Low-Temperature Co-fired Ceramic）

　　LTCC 又称为低温共烧多层陶瓷基板，此技术须先将无机的氧化铝粉与约30%~50%的玻璃材料加上有机黏结剂，使其混合均匀成为泥状的浆料，接着利用刮刀把浆料刮成片状，再经由一道干燥过程将片状浆料形成一片片薄薄的生胚，然后依各层的设计钻导通孔，作为各层讯号的传递，LTCC内部线路则运用网版印刷技术，分别于生胚上做填孔及印制线路，内外电极则可分别使用银、铜、金等金属，最后将各层做叠层动作，放置于850~900℃的烧结炉中烧结成型，即可完成。详细制造过程LTCC生产流程图4.1

　　

　　图4.1LTCC生产流程图

　　4.2 HTCC （High-Temperature Co-fired Ceramic）

　　HTCC又称为高温共烧多层陶瓷，生产制造过程与LTCC极为相似，主要的差异点在于HTCC的陶瓷粉末并无加入玻璃材质，因此，HTCC的必须再高温1300~1600℃环境下干燥硬化成生胚，接着同样钻上导通孔，以网版印刷技术填孔与印制线路，因其共烧温度较高，使得金属导体材料的选择受限，其主要的材料为熔点较高但导电性却较差的钨、钼、锰…等金属，最后再叠层烧结成型。

　　4.3 DBC （Direct Bonded Copper） ‖

　　直接敷铜技术是利用铜的含氧共晶液直接将铜敷接在陶瓷上，其基本原理就是敷接过程前或过程中在铜与陶瓷之间引入适量的氧元素，在1065℃~1083℃范围内，铜与氧形成Cu-O共晶液， DBC技术利用该共晶液一方面与陶瓷基板发生化学反应生成 CuAlO2或CuAl2O4相，另一方面浸润铜箔实现陶瓷基板与铜板的结合。陶瓷基板直接敷铜板的制造流程图如下图4.2。

　　

　　（a） Al2O3陶瓷基板敷铜板工艺 （b） AlN陶瓷基板敷铜板工艺

　　图4.2 直接敷铜陶瓷基板工艺示意图

　　直接敷铜陶瓷基板由于同时具备铜的优良导电、导热性能和陶瓷的机械强度高、低介电损耗的优点，所以得到广泛的应用。在过去的几十年里，敷铜基板在功率电子封装方面做出了很大的贡献，这主要归因于直接敷铜基板具有如下性能特点：

　　● 热性能好；

　　● 电容性能；

　　● 高的绝缘性能；

　　● Si相匹配的热膨胀系数；

　　● 电性能优越，载流能力强。

　　直接敷铜陶瓷基板最初的研究就是为了解决大电流和散热而开发出来的，后来又应用到AlN陶瓷的金属化。除上述特点外还具有如下特点使其在大功率器件中得到广泛应用：

　　● 机械应力强，形状稳定；高强度、高导热率、高绝缘性；结合力强，防腐蚀；

　　● 极好的热循环性能，循环次数达5万次，可靠性高；

　　● 与PCB板（或IMS基片）一样可刻蚀出各种图形的结构；无污染、无公害；

　　● 使用温度宽-55℃～850℃；热膨胀系数接近硅，简化功率模块的生产工艺。

　　由于直接敷铜陶瓷基板的特性，就使其具有PCB基板不可替代特点。DBC的热膨胀系数接近硅芯片，可节省过渡层Mo片，省工、节材、降低成本，由于直接敷铜陶瓷基板没有添加任何钎焊成分，这样就减少焊层，降低热阻，减少孔洞，提高成品率，并且在相同载流量下 0.3mm厚的铜箔线宽仅为普通印刷电路板的10%；其优良的导热性，使芯片的封装非常紧凑，从而使功率密度大大提高，改善系统和装置的可靠性。

　　为了提高基板的导热性能，一般是减少基板的厚度，超薄型（0.25mm）DBC板可替代BeO，直接敷接铜的厚度可以达到0.65mm，这样直接敷铜陶瓷基板就能承载较大的电流且温度升高不明显，100A电流连续通过1mm宽0.3mm厚铜体，温升约17℃；100A电流连续通过2mm宽0.3mm厚铜体，温升仅5℃左右。与钎焊和Mo-Mn法相比，DBC具有很低的热阻特性，以10×10mmDBC板的热阻为例：

　　0.63mm厚度陶瓷基片DBC的热阻为0.31K/W，0.38mm厚度陶瓷基片DBC的热阻为0.19K/W，0.25mm厚度陶瓷基片DBC的热阻为0.14K/W。

　　氧化铝陶瓷的电阻最高，其绝缘耐压也高，这样就保障人身安全和设备防护能力；除此之外DBC基板可以实现新的封装和组装方法，使产品高度集成，体积缩小。

　　4.3.1 直接敷铜陶瓷基板发展趋势

　　在大功率、高密度封装中，电子元件及芯片等在运行过程中产生的热量主要通过陶瓷基板散发到环境中，所以陶瓷基板在散热过程中担当了重要的角色。Al2O3陶瓷导热率相对较低，在大功率、高密度封装器件运行时须强制散热才可满足要求。BeO陶瓷导热性能最好，但因环保问题，基本上被淘汰。SiC陶瓷金属化后键合不稳定，作为绝缘基板用时，会引起热导率和介电常数的改变。AlN陶瓷具有高的导热性能，适用于大功率半导体基片，在散热过程中自然冷却即可达到目的，同时还具有很好的机械强度、优良的电气性能。虽然目前国内制造技术还需改进，价格也比较昂贵，但其年产增率比Al2O3陶瓷高4倍以上，以后可以取代BeO和一些非氧化物陶瓷。所以采用AlN陶瓷做绝缘导热基板已是大势所趋，只不过是存在时间与性价比的问题。

　　4.3.2直接敷铝（DAB）陶瓷基板与直接敷铜陶瓷基板（DBC）性能比较

　　直接敷铝基板作为一种绝缘载体应用于电子电路而取得长足进展，该技术借鑑了直接敷铜陶瓷基板技术。这类新型的直接敷Al基板在理论和实验上表现出好的特性。尽管它的特性在很多方面相似于直接敷Cu基板。对于直接敷Cu基板，由于金属铜的膨胀系数室温时为17.0 ′10-6/°C，96氧化铝陶瓷基板的热膨胀系数室温时为6.0′10-6/°C，铜和氧化铝敷接的温度较高（大于1000℃），界面会形成比较硬的产物CuAlO2，所以敷接铜的氧化铝基板的内应力较大，抗热震动性能相对较差，在使用中常常因疲劳而损坏。‖

　　铝和铜相比，具有较低的熔点，低廉的价格和良好的塑性，纯铝的熔点只有660℃，纯铝的膨胀系数在室温时为23.0′ 10-6/℃，金属铝和氧化铝陶瓷基板的敷接是物理湿润，在界面上没有化学反应，而且纯铝所具有的优良的塑性能够有效缓解界面因热膨胀系数不同引起的热应力，研究也证实Al/Al2O3陶瓷基板具有非常优良的抗热震性能。这是直接敷Cu基板无法比拟的，同时金属铝和氧化铝陶瓷之间的抗剥离强度也较大。

　　直接敷铝基板作为基板特别适合于功率电子电路直接敷铝基板性能不同于直接敷铜基板的性能，前者在高温循环下有更好的稳定性能。直接敷铝基板的芯片也表现出更好的稳定性，胜过直接敷铜基板。直接敷铝基板以它的高的抗热震性、低的重量，有望在将来开发出更好的性能，以满足更高的需求。

　　4.3.3敷铝陶瓷基板的发展趋势

　　敷铝陶瓷基板（DAB）以其独特的性能应用于绝缘载体，特别是功率电子电路。这种新型材料在很多方面都有和直接敷铜基板（DBC）相似的地方，而自身又具有显著的抗热震性能和热稳定性能，对提高在极端温度下工作器件的稳定性十分明显。由Al-Al2O3基板、Al-AlN基板做成的电力器件模块已成功应用在日本汽车工业上。DAB基板在对高可靠性有特殊要求的器件上具有巨大的潜力，这就使其非常适合优化功率电子系统、自动化、航空航天等。

　　4.4 DPC （Direct Plate Copper）

　　DPC亦称为直接镀铜基板， DPC基板工艺为例：首先将陶瓷基板做前处理清洁，利用薄膜专业制造技术－真空镀膜方式于陶瓷基板上溅镀结合于铜金属复合层，接着以黄光微影之光阻被复曝光、显影、蚀刻、去膜工艺完成线路制作，最后再以电镀/化学镀沉积方式增加线路的厚度，待光阻移除后即完成金属化线路制作，详细DPC生产流程图如下图。