Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:44
1092 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381451 在利用光来控制一个过程的应用中，要长期保持工厂设定的发光强度需要一个控制电路来监控发光状况，并控制供给光发射器件的电流以保持输出恒定，采用一个简单的运算放大器电路就可为许多应用提供精确的光强度。
2015-03-19 10:43:442502 
在利用光来控制一个过程的应用中，要长期保持工厂设定的发光强度需要一个控制电路来监控发光状况，并控制供给光发射器件的电流以保持输出恒定，采用一个简单的运算放大器电路就可为许多应用提供精确的光强度。
2015-03-23 11:44:423265 
Vishay提供PLCC-2和超小尺寸MiniLED封装版本，器件通过AEC-Q101认证并具有1400 mcd的发光强度。
2018-07-25 11:29:0511420 汽车级电阻，节省电路板空间，工作电压为450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，扩充其TNPV e3系列汽车级高压薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
要求：能控制发光二极管的发光强度，设计由光敏三极管采集光强信号的电路，经USB6009输入给计算机显示。
2012-12-09 21:57:46
/4）。从发光强度角分布图来分有三类： （1）高指向性。一般为尖头环氧封装，或是带金属反射腔封装，且不加散射剂。半值角为5°～20°或更小，具有很高的指向性，可作局部照明光源用，或与光检出器联用以组成
2012-10-26 10:20:22
和峰值波长从图中可以看出，发光管发出的光中某一波长λ0的光强度最大，该波长为峰值波长。（2）发光强度IV：发光二极管的发光强度通常是指法线方向的发光强度。当该方向的辐射强度为（1/683）W / sr
2023-02-08 15:57:05
新型红外线发射器采用Avago Technologies的高功率铝镓砷化物(AlGaAs) LED技术，具有优异的高发光强度、高速率和低正向电压等特性。新产品的封装尺寸为5mm，使用铁质导线架，在多种
2018-10-24 17:06:48
φ4.4mm的记作T-1（1/4）。由半值角大小可以估计圆形发光强度角分布情况。从发光强度角分布图来分有三类： （1）高指向性。一般为尖头环氧封装，或是带金属反射腔封装，且不加散射剂。半值角为5
2016-12-09 15:14:44
LED的寿命是指发生光衰的时间，恒流驱动由于控制住了LED的电流，确保了LED芯片的结温不会过高，防止了半导体芯片，封装材料，荧光材料的异常老化。LED的发光强度就不会过快降低(即光衰)。采用
2021-12-28 06:36:14
（3/4）；把φ4.4mm的记作T-1（1/4）。 从发光强度角分布图来分有三类： （1）高指向性。一般为尖头环氧封装，或是带金属反射腔封装，且不加散射剂。半值角为5°～20°或更小，具有很高的指向性
2017-07-19 17:31:03
`智能节能LED有两种工作模式：一、通过光敏电阻感知当前空间的光强度，单片机通过转换数据控制节能LED的发光强度，二、通过红外人体感应器感应当前空间是否有人，无人时单片机控制LED自动熄灭，从了达到
2014-09-24 10:49:07
数有：0.25w、0.5w、1w、3w、5w、8w、10w等等。主要亮度单位为lm（流明），小功率的亮度单位一般为mcd(1cd=1000mcd)，也就是发光强度I。 `
2017-07-13 16:13:25
。对于一些高精密的光学测量系统来说，LED光源的这种谱线波动和发光强度变化是需要避免的。针对上述问题，项目拟研究一种高功率LED光源的驱动装置，该装置能够实现LED辐射谱线和光谱强度的稳定，保证了光学测量中的准确性。
2015-07-16 14:05:33
生漂移。此外，LED驱动电源的波动也会影响其发光强度。对于一些高精密的光学测量系统来说，LED光源的这种谱线波动和发光强度变化是需要避免的。针对上述问题，项目拟研究一种高功率LED光源的驱动装置，该装置能够实现LED辐射谱线和光谱强度的稳定，保证了光学测量中的准确性。
2015-07-07 09:18:15
。对于一些高精密的光学测量系统来说，LED光源的这种谱线波动和发光强度变化是需要避免的。针对上述问题，项目拟研究一种高功率LED光源的驱动装置，该装置能够实现LED辐射谱线和光谱强度的稳定，保证了光学测量中的准确性。
2015-07-16 14:04:27
可用做汽车的刹车灯、转向灯、倒车灯等各个领域。 食人鱼发光二极管LED是一种四引脚LED，属于散光型的LED，发光角度大于120度，具有较高发光强度，而且能承受极大的功率。美国人一般称之为
2017-10-17 09:18:23
多“亮”，因为它是光功率与会聚能力的一个共同的描述。发光强度越大，光源看起来就越亮，同时在相同条件下被该光源 照射后的物体也就越亮，因此，早些时候描述手电都用这个参数。现在LED也用这个单位来描述
2012-09-24 23:03:09
二极体的电压与电流的关系，在正向电压正小于某一值（叫阈值）时，电流极小，不发光。当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。 发光强度IV：发光二极体的发光强度通常是指法线（对圆柱形发光管是指其
2017-09-04 10:40:43
我只有一个积分，求好心人帮忙。本人今年毕业，对于BH1750光强度设计的程序，求高手~
2015-05-02 12:37:43
大电流条件下芯片的输出电容很热，导致输出电流不恒定，有波动，使LED发光强度缓慢变化，导致调制后的信号测量值偏移。求教下，有没有其他好的方法呢, 也就是利用大功率恒流LED进行信号调制，亟待求解啊。感谢大家。
2016-06-06 20:33:56
问题:如何测量不同光源的光强度？
2019-08-13 09:54:10
安国半导体主要是在u***主控 sd卡这方面处于领先地位，现在为扩大经营范围 特推出新款触摸按键 价格比义隆合泰都更有优势 性能方面EFT可到4.4kvcs10v也可以过要是感兴趣的话可以 联系***
2013-10-08 15:48:39
想用电池驱动红外发光二极管，但是随着电池电压的降低，电流也会减低，红外管的发光强度就会降低，怎样才能避免这个情况？有没有稳流芯片啊？？以前看到书上有一种4DH系列的芯片，现在在网上搜不到了。。
2015-11-24 19:19:13
想用电池驱动红外发光二极管，但是随着电池电压的降低，电流也会减低，红外管的发光强度就会降低，怎样才能避免这个情况？有没有稳流芯片啊？？以前看到书上有一种4DH系列的芯片，现在在网上搜不到了。。
2015-11-24 19:18:20
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 编辑
怎样才能使LED接在220伏的交流电上发光用，还得发光强度最大
2011-11-30 01:55:58
芯讯通推出新款超小尺寸5G模组SIM8202G－M2
2020-12-18 06:51:55
在发光强度分布图形中，发光强度等于最大强度一半构成的角度称为半值角。如图中所示。图中，沿LED法向为机械轴方向，最大发光强度方向 为光轴方向，机械轴与光轴之间的夹角成为偏差角。芯片的厚度、封装模条
2017-07-18 11:02:45
`下面佑泽小编带你了解;在发光强度分布图形中，发光强度等于最大强度一半构成的角度称为半值角。如图中所示。图中，沿LED法向为机械轴方向，最大发光强度方向 为光轴方向，机械轴与光轴之间的夹角成为偏差角
2017-12-13 11:43:13
如何测量不同光源的光强度？
2021-06-17 11:42:19
在强度调制型光纤传感器中，光源发光强度和光电接收器工作的稳定性，是决定测量精度的关键因素。设计了具有软启动功能和恒亮度控制的光源驱动电路，所用光电接收器能满足
2009-06-23 10:22:47
14 表述LED 配光曲线的重要性,提出几种典型的LED 配光曲线。阐述发光强度的空间分布不能等同于配光曲线,呼吁至少对LED 逐渐用发光强度的三维立体图代替目前的配光曲线。
2010-12-21 15:49:0055 Vishay推出新的QPL系列Bulk Metal箔超高精度Accutrim微调电位器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新的QPL系列Bulk M
2009-07-01 09:29:54667 Vishay推出新款钽外壳液钽电容器136D
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列钽外壳液钽电容器——136D。对于高可靠性应用，136D器件
2009-11-06 08:38:41919 Vishay推出新款高速PIN光敏二极管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二极管，新器件采用鸥翼和倒鸥翼型封装
2009-11-13 09:21:28745 亮度mcd知识简介LED的亮度单位：mcd描述光的常用物理量有4个，它们是：1、发光强度，为一光源在给定方向上的发光强度，单位candela，即坎德拉，
2009-11-20 15:59:094832 Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23653 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011090 Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装，具
2009-11-25 17:56:52712 资料名称：九段发光二极管 2680-0031
型 号：
说 明：公司：Siemens Akt发光强度IV (cd)：440μ发
2009-12-19 17:59:24503 Vishay推出新系列增强型高电流密度PowerBridgeTM整流器
Vishay Intertechnology日前宣布，推出新系列增强型高电流密度PowerBridgeTM整流器。整流器的额定电流高达30～45A，最大峰
2010-01-06 10:45:07742 
推出汽车应用的新款表面贴装白光LED：VLMW321xx/VLMW322xx
Vishay推出采用两种分装版本的新款表面贴装白光LED——VLMW321xx LED和VLMW322xx LED。为了与类似器件保持大范围的引脚
2010-02-08 08:37:19561 Vishay推出新款ESD保护阵列VBUS053BZ-HNH-G-08
Vishay推出具有低容值和低漏电流的新款ESD保护阵列VBUS053BZ-HNH-G-08，可保护USB-OTG端口免受瞬态电压信号的损害
2010-03-23 11:53:11987 Vishay发布新款集成功率光敏
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款新的集成功率光敏，分别是输出电流为0.9A的VO2223和输出电流为1A的VO2223A，扩
2010-03-26 11:38:56722 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:52777 Vishay推出新款薄膜贴片电阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出为钻井和航空等极端高温环境优化的新系列打线式、裸芯片贴片式
2010-04-17 16:12:54676 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列4接线端、牛角式功率铝电容器 --- 095 PLL-4TSI。电容器具有17种大尺寸外形，电压等级从350V至450V，在85℃下的使用寿命长达10,000小时。
新款0
2010-07-21 08:58:44743 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款新型白光、无散射的3mm LED --- VLHW4100，该LED针对高端应用进行了优化，可满足应用对极高发光强度的要求。VLHW4100使用超亮InGaN技术，在20mA
2010-09-06 08:58:36942 流明，光通量的单位。发光强度为1坎德拉(cd)的点光
2010-11-02 17:30:353048 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列螺丝端子功率铝电容器 --- 500 PGP-ST。这些高效电容器具有1,000μF、450V
2010-12-06 09:16:49665 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-26 09:04:081506 日前，Vishay 推出新的PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻。这些器件具有低至±25ppm/℃的绝对TCR，低至±0.1%的容差
2011-02-14 09:12:021159 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，
2011-03-02 10:19:301342 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面贴装Hi-Rel COTS系列固钽贴片电容器。这些电容器提供威布尔分级、符合per MIL PRF 55365标准的浪涌电流测试选项
2011-03-21 09:32:501377 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出可在-55℃～+215℃宽温范围内工作的新款精密低TCR薄膜电阻---PLTT
2011-03-28 11:04:301389 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款IHLP®低外形、高电流电感器--- IHLP-3232DZ-11，该器件在同类器件当中首次采用3232外形尺寸
2011-03-31 09:39:021472 Vishay Intertechnology, Inc.推出采用GSIB-5S封装的新款单相直排桥式整流器--- LVB1560和LVB2560。
2011-04-13 10:52:351400 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术
2011-06-16 09:35:042537 利用掺铒硅基发光材料实现硅基光电子集成的可行性，随着对掺铒硅基发光材料的深入研究，硅基光电子集成的实现不再遥远。
2011-08-18 11:52:363539 
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用2726和4026外形尺寸的新款表面贴装Power Metal Strip电阻——WSLP2726和WSLP4026
2011-08-30 08:43:171260 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面贴装Power Metal Strip电阻--- WSK0612。该电阻是业内首个4接头、1W的检流电阻，采用小尺寸的0612封装，具有0.5 mΩ～5mΩ的低阻值。
2011-09-06 09:43:07846 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款金属陶瓷面板式电位计---Sfernice P13L，这种电位计的寿命长达2百万次，全IP67密封使其能够在极端的环境条件下可靠工作
2011-11-05 01:11:00800 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用新型超小尺寸LLP2510封装的新款4线ESD保护阵列---VBUS54ED-FBL。VBUS54ED-FBL的占位面积只有2.5mmx1.0mm，高度低至0.55mm，其低电容
2011-11-08 09:14:11485 本文为脉冲LED的生产厂家研制一套简单适用、性能价格比相对较高并且能同时测试脉冲LED发光强度的时间特性和光谱特性的测试系统，用于产品的研制和检验。
2011-11-11 11:00:322122 日前，Vishay 宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面贴装Power Metal Strip®电阻--- WSLP2512，这种电阻具有高达3W的功率和0.0005Ω的极低阻值。
2012-02-07 11:43:061083 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款采用铁粉材料，符合WPC(无线充电联盟)标准的接收线圈--- IWAS-3827EC-50
2012-07-13 18:42:57792 LED可以用作一个光电传感器。以前有个设计思想曾给出了一种高功率效率的开关，几乎不耗电。但是，这种结构无法作调整，按所需光强度作切换。本设计思想中的电路则可以调整到使
2012-07-26 15:29:55783 
Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 应用的TSOP36...系列小型表面贴装红外接收器的性能进行了升级。TSOP36…系列的最小发光强度达到0.12 mW/m2，灵敏度比前一代器件高20%，可在有红外3D电视信号和其他噪声的情况下使用，并提高了对这些信号和噪声的滤光功能。
2013-12-13 17:12:54870 更高的驱动电流，从而提高发光强度。新款VLM.334…系列LED在Vishay的VLM.31…系列基础上进行了大幅改进，可搭配更大尺寸的芯片，能够承受70mA的驱动电流。
2013-12-18 13:36:32506 宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 9 月17 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款、符合WPC（无线充电联盟）标准的新款无线充电接收线圈---IWAS-4832FE-50，适用于10W应用的。
2014-09-18 11:32:101301 宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 2 月9 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出4040外形尺寸的新款汽车级IHLP®低高度、大电流电感器---IHLP-4040DZ-8A，可在+180℃高温下连续工作。
2015-02-09 16:17:201144 宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 2 月27 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的全集成接近和环境光传感器---VCNL4040。
2015-03-02 16:17:481280 gy-30,光强度资料。
2016-03-21 17:18:02268 1967 年法国第十1三届国际计量大会规定了以坎德拉、坎德拉/平方米、流明、勒克斯分别作为发光强度、光亮度、光通量和光照度等的单位，为统一工程技术中使用的光学度量单位有重要意义。为了解和使用便利
2017-10-23 14:57:2521 1、发光强度(光度)的含义是什么?
答：发光强度(光度，I)定义为：点光源在某一方向上的发光强度，即是发光体在单位时间内所射出的光量，也简称为光度，常用单位为烛光(cd，坎德拉)，一个国际烛光的定义为以鲸鱼油脂制成的蜡烛每小时燃烧120格冷(grain)所发出的光度，一格冷等于0.0648克。
2017-11-17 16:12:04922 将LED用于液晶面板背照灯时，最理想的情况是LED的光谱在红色、绿色和蓝色三个领域出现发光强度的峰值。这是因为LED的光最终将经由液晶面板的彩色滤光片（红色、绿色、蓝色）输出到外部。
2017-12-21 11:46:5115493 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的陶瓷/石英基材的UVC（短波紫外线）发光二极管---VLMU60CL.。-280-125
2018-01-25 09:54:529858 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的陶瓷/石英基材的UVC（短波紫外线）发光二极管---VLMU60CL.。-280-125
2018-05-09 18:02:001565 Vishay针对用于红外遥控应用的TSOP33xxx和TSOP53xxx系列小型Minimold红外接收器模块，推出新款侧开金属支架，扩大了其光电子产品组合。Vishay
2018-05-14 11:54:001022 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款双路单刀双掷/四路单刀双掷模拟开关---DG2788A。该开关在2.7V下的电阻
2018-08-03 11:45:00678 据悉，来自美国国家标准与技术研究所（NIST）的纳米线开发科学家成功开发出了紫外发光二极管（LED），由于采用了特殊类型的外壳，其发光强度是基于更简单外壳的同类LED产生的光强度的五倍。
2019-03-27 14:45:031118 美国国家标准与技术研究所（NIST）科学家成功开发出纳米线UV LED，由于采用了特殊类型的外壳，其发光强度是基于更简单外壳的同类LED产生的光强度的五倍。
2019-04-01 16:03:054092 Vishay推出新款2020外形尺寸器件---IHLP-2020BZ-5A，扩展其汽车级IHLP薄形大电流电感器。Vishay Dale IHLP-2020BZ-5A工作温度+155 C，高度2mm
2019-05-16 14:26:463078 按发光强度和工作电流分 有普通亮度的LED（发光强度10mcd）；把发光强度在10——100mcd间的叫高亮度发光二极管。
2019-10-25 17:15:291460 大功率LED是低电压、大电流的驱动器件，其发光的强度由流过LED的电流决定，电流过强会引起LED的衰减，电流过弱会影响LED的发光强度，因此，LED的驱动需要提供恒流电源，以保证大功率LED使用的安全性，同时达到理想的发光强度。
2019-09-23 16:30:491310 Q 如何测量不同光源的光强度？ A 拿一只红光、绿光、蓝光LED。 光强度的确定可能至关重要，例如，在设计房间的照明或准备拍摄照片时。在物联网(IoT)时代，确定光强度对于所谓智能农业也有
2021-09-07 10:34:007128 
发光角度，又称功率角度，通常我们使用半功率角度，即50%发光强度的角度记作发光角度。对于LED灯珠，透镜的大小、散射剂的多少和支架的倾斜角度等等都影响着灯珠的发光角度。灯珠的发光角度影响着LED
2021-11-29 11:14:258304 
Vishay 推出六款新型 3.4 mm×3.4 mm 表面贴装 850 nm 和 940 nm 高功率红外(IR)发射器，辐照强度达到同类器件先进水平，进一步扩充其光电产品组合。新款 Vishay
2022-02-21 13:31:351569 
Vishay 推出两款新型陶瓷/石英基材 UVC(短波紫外线)发光二极管，用于医疗、工业和消费电子应用杀菌。
2022-09-16 10:50:15368 （1.6mm×0.8mm）LED“CSL1901系列”。 近年来，随着LED产品的技术发展，发光效率得到飞跃性提升，LED的发光强度也不断提高。随着发光强度的提高，在一些必须考虑相邻发光单元的干扰等问题的应用中，设计时就需要做出相应的调整，使发光强度*3和发光波长
2022-09-25 22:32:12248 
直插式LED的电压影响着发光强度，工作电压越高发光强度 越高，也可已根据芯片的材料进行类别，不同类别产品发光电压不同。
2024-01-13 10:16:22434
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